鹿糖和6.(^的琼脂，诱导培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121°C灭菌20min。培养条件为:日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1500?2000Ix(优选15001x)，培养温度(25 ± I)°C。4周后腋芽开始萌动，形成小芽，茎段外植体萌芽率为75%。
[0032](3)樱花丛生芽的增殖培养:
[0033]将由腋芽萌动形成的小芽转接到增殖培养基中培养，增殖培养基为WPM+KT
1.0mg/L+1 BA 0.lmg/L+活性炭 0.5g/L+鹿糖 30g/L+琼脂 6g/L，pH 5.6 ?6.0 (优选 5.6)，即在1000ml WPM培养基中加入1.011^的10'、0.111^的184、0.58的活性炭、3(^的蔗糖和6.(^的琼月旨，增殖培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121°C灭菌20min。培养条件为:日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1500?20001x(优选15001x)，培养温度(25±1)°C。增殖培养4周后形成丛生芽，增殖系数为4.2。
[0034](4)樱花的生根培养:共分2个阶段，第一阶段:将切割的单芽先在第一生根培养基上培养I周，第一生根培养基成分为l/2WPM+IBA1.0mg/L+NAA0.5mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH 5.6?6.0(优选5.6)，即在1000ml 1/2WPM培养基中加入I.0mg的IBA、0.51^的熟4、0.58的活性炭、258的蔗糖和6.(^的琼脂，第一生根培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121°C灭菌20min。培养条件为:日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1500 ?20001x(优选 15001x)，培养温度(25±1)°C。
[0035]第二阶段:再转接第二生根培养基中培养3周，长出良好的根系，第二生根培养基成分为:1/2WPM+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH 5.6?6.0(优选5.6)，即在100ml1/2￥?1培养基中加入+0.58的活性炭、258的蔗糖和6.(^的琼脂，第二生根培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121°C灭菌20min。培养条件为:日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1500?20001x(优选15001x)，培养温度(25±1)°C。生根率为90%。
[0036](5)樱花组培苗的炼苗和移栽:
[0037]将生根的试管苗移出培养室至常温环境中，去除试管苗所在培养瓶的封口膜，在常温下炼苗3d后，取出试管苗，再用清水洗净试管苗的根系后，移栽入由消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩混合组成的基质(消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩体积比为1:1:1)中。基质先用水淋透，然后用塑料薄膜覆盖保湿I周后，打开薄膜，每天用喷雾器喷雾3?5次保证基质潮湿和较高空气湿度。试管苗培养4周移栽成活，幼苗成活率为80%。即通过组织培养获得樱花的快速繁殖苗。
[0038]实施例2
[0039]樱花组织培养和快速繁殖方法的步骤为:
[0040](I)樱花茎段外植体的获得:
[0041]春天花后取樱花母株上生长发育正常、健康粗壮、无病虫害的一年生带顶芽的幼嫩枝条，剪成3cm左右枝段，于流水中冲洗4h，然后在超净工作台上将材料浸入70 %酒精中浸泡40s，用无菌水冲洗5次，再用0.1 %升萊消毒5min，无菌水冲洗5次，重复0.1 %升萊消毒5min，无菌水冲洗5次。将消毒好的材料放入无菌的培养皿内，用吸水纸吸干多余水分，将枝段切成带一个腋芽的茎段。
[0042](2)樱花茎段外植体的诱导培养:
[0043]将带一个腋芽的茎段在诱导培养基中培养，诱导培养基为MS+6-BA0.5mg/L+NAA0.15mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH为6.0，诱导培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121°C灭菌20min。培养条件为:日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为20001x，培养温度(25 ± I)0C。5周后腋芽开始萌动，形成小芽，茎段外植体萌芽率为78%。
[0044](3)樱花丛生芽的增殖培养:
[0045]将由腋芽萌动形成的小芽转接到增殖培养基中培养，增殖培养基为WPM+KT
1.2mg/L+IBA 0.05mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH为6.0，增殖培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121°C灭菌20min。培养条件为:日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为200011，培养温度(25±1)1。增殖培养5周后形成丛生芽，增殖系数为4.7。
[0046](4)樱花的生根培养:共分2个阶段，第一阶段:将切割的单芽先在第一生根培养基上培养I周，第一生根培养基成分为1/2WPM+IBA1.2mg/L+NAA0.7mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH为6.0，第一生根培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121°C灭菌20min。培养条件为:日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为2000Ix，培养温度(25 土 I)V。
[0047]第二阶段:再转接第二生根培养基中培养4周，长出良好的根系，第二生根培养基成分为:1/2WPM+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L,pH 6.0,第二生根培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121°C灭菌20min。培养条件为:日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为20001x，培养温度(25 ± I) °C。生根率为91 %。
[0048](5)樱花组培苗的炼苗和移栽:
[0049]将生根的试管苗移出培养室至常温环境中，去除试管苗所在培养瓶的封口膜，在常温下炼苗6d后，取出试管苗，再用清水洗净试管苗的根系后，移栽入由消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩组成混合而成的基质(消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩体积比为1:1:1)中。基质先用水淋透，然后用塑料薄膜覆盖保湿I周后，打开薄膜，每天用喷雾器喷雾3?5次保证基质潮湿和较高空气湿度。试管苗培养5周移栽成活，幼苗成活率83%。即通过组织培养获得樱花的快速繁殖苗。
[0050]实施例3[0051 ]樱花组织培养和快速繁殖方法的步骤为:
[0052](I)樱花茎段外植体的获得:
[0053]春天花后取樱花母株上生长发育正常、健康粗壮、无病虫害的一年生带顶芽的幼嫩枝条，剪成4cm左右枝段，于流水中冲洗3h，然后在超净工作台上将材料浸入70 %酒精中浸泡35s，用无菌水冲洗4次，再用0.1%升汞消毒4min，无菌水冲洗4次，重复0.1%升汞消毒4min，无菌水冲洗4次。将消毒好的材料放入无菌的培养皿内，用吸水纸吸干多余水分，将枝段切成带一个腋芽的茎段。
[0054](2)樱花茎段外植体的诱导培养:
[0055]将带一个腋芽的茎段在诱导培养基中培养，诱导培养基为MS+6-BA0.8mg/L+NAA0.2mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH为5.8，诱导培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121°C灭菌20min。培养条件为:日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1800Ix，培养温度(25 ± I)°C。30天后腋芽开始萌动，形成小芽，茎段外植体萌芽率为78%。
[0056](3)樱花丛生芽的增殖培养:
[0057]将由腋芽萌动形成的小芽转接到增殖培养基中培养，增殖培养基为WPM+KT1.5mg/L+IBA 0.11^/1+活性炭0.58/1+蔗糖3(^/1+琼脂68/1^!1为5.8，增殖培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121°C灭菌20min。培养条件为:日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为16001^培养温度(25±1)1。增殖培养32天周后形成丛生芽，增殖系数为4.3。
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