58](4)樱花的生根培养:共分2个阶段，第一阶段:将切割的单芽先在第一生根培养基上培养I周，第一生根培养基成分为1/2WPM+IBA1.5mg/L+NAA0.5mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH为5.8，第一生根培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，1211灭菌20min。培养条件为:日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1800Ix，培养温度(25 ± I)V。
[0059]第二阶段:再转接第二生根培养基中培养25d，长出良好的根系，第二生根培养基成分为:1/2WPM+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L,pH 5.8,第二生根培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121°C灭菌20min。培养条件为:日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为18001x，培养温度(25±1)°C。生根率为95%。
[0060](5)樱花组培苗的炼苗和移栽:
[0061]将生根的试管苗移出培养室至常温环境中，去除试管苗所在培养瓶的封口膜，在常温下炼苗5d后，取出试管苗，再用清水洗净试管苗的根系后，移栽入由消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩组成混合而成的基质(消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩体积比为1:1:1)中。基质先用水淋透，然后用塑料薄膜覆盖保湿I周后，打开薄膜，每天用喷雾器喷雾3?5次保证基质潮湿和较高空气湿度。试管苗培养30d移栽成活，幼苗成活率87%。即通过组织培养获得樱花的快速繁殖苗。
[0062]实施例4
[0063]樱花组织培养和快速繁殖方法的步骤为:
[0064](I)樱花茎段外植体的获得:
[0065]春天花后取樱花母株上生长发育正常、健康粗壮、无病虫害的一年生带顶芽的幼嫩枝条，剪成5cm左右枝段，于流水中冲洗2h，然后在超净工作台上将材料浸入70 %酒精中浸泡40s，用无菌水冲洗4次，再用0.1 %升萊消毒5min，无菌水冲洗3次，重复0.1 %升萊消毒5min，无菌水冲洗3次。将消毒好的材料放入无菌的培养皿内，用吸水纸吸干多余水分，将枝段切成带一个腋芽的茎段。
[0066](2)樱花茎段外植体的诱导培养:
[0067]将带一个腋芽的茎段在诱导培养基中培养，诱导培养基为MS+6-BA1.0mg/L+IBA0.lmg/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH为6.0，诱导培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121°C灭菌20min。培养条件为:日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1600Ix，培养温度(25 ± I)°C。34d后腋芽开始萌动，形成小芽，茎段外植体萌芽率为80%。
[0068](3)樱花丛生芽的增殖培养:
[0069]将由腋芽萌动形成的小芽转接到增殖培养基中培养，增殖培养基为WPM+KT1.6mg/L+IBA 0.151^/1+活性炭0七/1+蔗糖3(^/1+琼脂68/1，？!1为5.6，增殖培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121°C灭菌20min。培养条件为:日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为18001^培养温度(25±1)1。增殖培养34(1后形成丛生芽，增殖系数为4.5。
[0070](4)樱花的生根培养:共分2个阶段，第一阶段:将切割的单芽先在第一生根培养基上培养I周，第一生根培养基成分为1/2WPM+NAA1.0mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH为5.7，第一生根培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，1211灭菌2011^11。培养条件为:日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1700Ix，培养温度(25 ± I)°C。
[0071]第二阶段:再转接第二生根培养基中培养4周，长出良好的根系，第二生根培养基成分为:1/2WPM+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH为5.8，第二生根培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121°C灭菌20min。培养条件为:日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为15001x，培养温度(25 ± I) °C。生根率为97 %。
[0072](5)樱花组培苗的炼苗和移栽:
[0073]将生根的试管苗移出培养室至常温环境中，去除试管苗所在培养瓶的封口膜，在常温下炼苗4d后，取出试管苗，再用清水洗净试管苗的根系后，移栽入由消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩组成混合而成的基质(消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩体积比为1:1:1)中。基质先用水淋透，然后用塑料薄膜覆盖保湿I周后，打开薄膜，每天用喷雾器喷雾3?5次保证基质潮湿和较高空气湿度。试管苗培养4周移栽成活，幼苗成活率85%。即通过组织培养获得樱花的快速繁殖苗。
[0074]实施例5
[0075]樱花组织培养和快速繁殖方法的步骤为:
[0076](I)樱花茎段外植体的获得:
[0077]春天花后取樱花母株上生长发育正常、健康粗壮、无病虫害的一年生带顶芽的幼嫩枝条，剪成4cm左右枝段，于流水中冲洗4h，然后在超净工作台上将材料浸入70 %酒精中浸泡35s，用无菌水冲洗5次，再用0.1 %升萊消毒4min，无菌水冲洗5次，重复0.1 %升萊消毒4min，无菌水冲洗5次。将消毒好的材料放入无菌的培养皿内，用吸水纸吸干多余水分，将枝段切成带一个腋芽的茎段。
[0078](2)樱花茎段外植体的诱导培养:
[0079]将带一个腋芽的茎段在诱导培养基中培养，诱导培养基为MS+6-BA0.6mg/L+IBA
0.15mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH为5.9，诱导培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121°C灭菌20min。培养条件为:日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1500Ix，培养温度(25 ± I)°C。5周后腋芽开始萌动，形成小芽，茎段外植体萌芽率为74%。
[0080](3)樱花丛生芽的增殖培养:
[0081 ]将由腋芽萌动形成的小芽转接到增殖培养基中培养，增殖培养基为WPM+KT
2.0mg/L+IBA 0.12mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH为5.9，增殖培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121°C灭菌20min。培养条件为:日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为15001^培养温度(25±1)1。增殖培养4周后形成丛生芽，增殖系数为4.6。
[0082](4)樱花的生根培养:共分2个阶段，第一阶段:将切割的单芽先在第一生根培养基上培养I周，第一生根培养基成分为1/2WPM+IBA0.5mg/L+NAA0.8mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH为6.0，第一生根培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121°C灭菌20min。培养条件为:日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为2000Ix，培养温度(25 土 I)V。
[0083]第二阶段:再转接第二生根培养基中培养24天，长出良好的根系，第二生根培养基成分为:1/2WPM+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH为5.9，第二生根培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121°C灭菌20min。培养条件为:日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为15001x，培养温度(25±1)°C。生根率为94%。
[0084](5)樱花组培苗的炼苗和移栽:
[0085]将生根的试管苗移出培养室至常温环境中，去除试管苗所在培养瓶的封口膜，在常温下炼苗6d后，取出试管苗，再用清水洗净试管苗的根系后，移栽入由消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩组成混合而成的基质(消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩体积比为1:1:1)中。基质先用水淋透，然后用塑料薄膜覆盖保湿I周后，打开薄膜，每天用喷雾器喷雾3?5次保证基质潮湿和较高空气湿度。试管苗培养5周移栽成活，幼苗成活率84%。即通过组织培养获得樱花的快速