专利名称：电光陶瓷材料和器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于光通信的材料和器件，更具体地说，涉及具有高透明度和电光活性的电光陶瓷材料以及由这些材料构成的器件。
背景技术：
虽然最近三十年来，在开发光开关或调制器方面已经作出了许多改进，但是目前的器件还不能满足每项应用。许多用于现今系统中的活性光学器件，例如强度衰减器，是基于电机驱动的。在一类传统器件中，将光纤端与端相连地定位，并机械移入或移出线。在另一种传统器件中，转动镜面使光束导向或离开接受光纤。这可以通过使用机械完成，或者使用压电器件或静电器件完成。基于部件运动的器件具有缓慢的切换时间，还可能具有令人无法接受的环境或长期稳定性。
针对上述一些切换速度和稳定性问题，已设计出不包括运动部件的光学器件。这些器件基于不需要整体运动就能改变光学特性的材料，例如液晶和电光晶体材料。因为驱动机理是整个分子在电场作用下的旋转，所以液晶倾向于具有较慢的切换速度。如LiNbO3等的电光晶体材料具有高得多的切换速度，但却是相当依赖于偏振作用的。
一类特别适用于活性光学器件的材料是电光陶瓷材料。电光陶瓷材料通常由铁电复合氧化物组成，并且是多晶的。由于各个晶粒的任意取向，所以电光陶瓷材料在不存在电场时是光学各向同性的。存在电场时，电光陶瓷材料会变成各向异性的，在电场方向上的折射率小于垂直于电场方向的折射率。可以通过控制电场使这些材料在各向同性和各向异性状态之间进行切换。用于电光应用时，要求电光陶瓷材料具有高透明度，高二次电光系数和低切换磁滞作用。
铅镧锆酸盐钛酸盐(PLZT)是最常用的电光陶瓷材料。所形成的PLZT材料对0.5微米到7微米波长范围内的光线基本为透明的。可以通过调整铅，镧，锆酸盐和钛酸盐的相对含量，来调节PLZT组合物的性质。例如，具有分子式Pb0.91La0.09(Zr0.65Ti0.35)0.9775O3的PLZT组合物具有等于9.2×10-16米2/伏2的二次电光系数R，但是其切换动作的磁滞作用非常强，而且温度稳定性很差，导致其无法适用于高速电光应用中。通过提高镧的浓度，可以电光活性为代价来改善磁滞作用。例如，具有分子式Pb0.9025La0.0975(Zr0.65Ti0.35)0.975625O3的PLZT组合物具有较低的二次电光系数(室温时R≈2.5×10-16米2/伏2)，但是其温度稳定性和磁滞作用适用于作为光通信器件。PLZT材料还具有脆性高和韧性低的缺点。寻找新型电光陶瓷的尝试都未能提供具有高透明度，高二次电光系数和低磁滞作用的电光陶瓷材料。
发明概述本发明的一个实施方案涉及一种含有铅，锌和铌的电光陶瓷材料，该电光材料在20℃和1550纳米波长时具有小于约3dB/cm的传播损耗和大于约1×10-16米2/伏2的二次电光系数。
本发明的另一个实施方案涉及一种含有铅，锌和铌的电光陶瓷材料，该电光材料在20℃和1550纳米波长时具有小于约3dB/cm的传播损耗和大于约1×10-16米2/伏2的二次电光系数，该电光陶瓷材料还包含钛，该电光陶瓷材料铅阳离子分数为约0.20和0.50之间；钡阳离子分数为小于约0.26；镧阳离子分数为小于约0.05；锌阳离子分数为约0.07和0.17之间；铌阳离子分数为约0.15和0.33之间；和钛阳离子分数为约0.03和0.27之间。
本发明的另一个实施方案涉及一种含有铅，锌和铌的电光陶瓷材料，该电光材料在20℃和1550纳米波长时具有小于约3dB/cm的传播损耗和大于约1×10-16米2/伏2的二次电光系数，该电光陶瓷材料的分子式是Pb1-y-zBayLaz[(ZntNb1-t)xTi1-x]1-z/4O3+x/2-3xt/2-xz/8+3xtz/8，其中x在约0.5和0.9之间，y在约0.05和0.5之间，z在约0和0.05之间，t在约0.30和0.36之间。
本发明的另一个实施方案涉及一种包括含有铅，锌和铌的电光陶瓷材料的电光器件，该电光陶瓷材料在20℃和1550纳米波长时具有小于约3dB/cm的传播损耗和大于约1×10-16米2/伏2的二次电光系数。
本发明的另一个实施方案涉及一种包括含有铅，锌和铌的电光陶瓷材料的电光器件，该电光陶瓷材料在20℃和1550纳米波长时具有小于约3dB/cm的传播损耗和大于约1×10-16米2/伏2的二次电光系数，该电光陶瓷材料还含有钛，且该电光陶瓷材料铅阳离子分数为约0.20和0.50之间；钡阳离子分数为小于约0.26；镧阳离子分数为小于约0.05；锌阳离子分数为约0.07和0.17之间；铌阳离子分数为约0.15和0.33之间和钛阳离子分数为约0.03和0.27之间。
本发明的材料和器件与传统材料和器件相比具有很多优点。本发明的材料在宽的波长范围内具有高透明度以及高二次电光系数。制造本发明材料所需要的温度低于PLZT。本发明的材料具有低磁滞，使其适用于电信应用的电光器件中。下文具体说明本发明的其他特征和优点，其中的内容对理解了说明书和权利要求书以及附图的内容或者依照这些内容实施本发明的本领域技术人员而言是显而易见的。
应该理解上述简要说明和下述具体说明都只是本发明的示范例，目的是提供理解本发明所要求的性质和特征的综述和概况。
附图有助于进一步理解本发明，构成说明书的一部分。附图不一定是成比例的。
了本发明的一个或多个实施方案，与说明书一起解释本发明的原理和操作。
附图简述图1所示是普通钙钛矿结构的示意图；图2所示是本发明一个实施方案的非致密化粉末的X射线衍射谱；图3所示是用于制造本发明电光陶瓷的热压装置的示意图；图4所示是本发明一个实施方案的电光陶瓷材料的透射谱；图5所示是本发明一种电光陶瓷材料在不同频率和温度下介电常数的图；图6所示是用于测量电光系数的一种实验装置的示意图；图7所示是表示实施例3组成的图；图8所示是本发明一个实施方案的两种电光组合物的透射谱；图9所示是本发明一个实施方案的电光陶瓷材料的电光系数对温度的图。
较佳实施方案得的详细描述本发明提供了一种具有高透明度，高二次电光系数，和低磁滞的电光陶瓷材料。本发明的电光陶瓷材料是铌酸铅锌基的陶瓷，在20℃和1550纳米波长时具有小于约3dB/cm的传播损耗和大于约1×10-16米2/伏2的二次电光系数。本发明的电光陶瓷材料适用于制造电光器件，例如调制器，切换器，相位延迟器，偏振控制器，和可变光学衰减器。
电光材料是能在电场存在的情况下改变其双折射的材料。电光材料在电光器件中的用途主要取决于其电光系数的大小。电场存在情况下电光材料的双折射率Δn可以用以下等式表示Δn=Δn0+n32(γ·E+R·E2)]]>其中，Δn0是不存在电场时材料的双折射率，n是该材料的原始折射率，E是施加的电场的强度，γ是线性电光系数，R是二次电光系数。如果本发明的电光陶瓷材料是各向同性的，则Δn0和γ基本上是零，使电光活性正比于二次电光系数。这里所述的铌酸铅锌电光陶瓷材料在20℃和1550纳米波长时具有大于约1×10-16米2/伏2的二次电光系数R，较好大于约3×10-16米2/伏2。
虽然电光活性很重要，但是只有当具有高电光活性的材料在所关心波长处具有足够透明度时才是可选用的。电信波长处的透明度是本发明电光陶瓷材料的一个重要特征。从下文更全面的说明中可知，熟练技术人员所制造的本发明电光陶瓷材料可以非常致密，相对而言没有散射空隙和不需要的杂相。本发明电光陶瓷材料在1550纳米处的传播损耗小于约3dB/cm，优选小于约1.5dB/cm，更优选小于约1.0dB/cm。
在本发明的一个方面中，该电光陶瓷材料中含有铅，锌，铌和钛，优选含有钡和/或镧。各种原子物质的相对含量可以用阳离子分数来描述。这里所称的阳离子是任何带有正电荷的原子物质。例如，虽然钛原子是本发明组合物中多原子钛阴离子(TiO32-)的一部分，但是因为钛原子本身具有+4价电荷，因此在这里被认为是一个阳离子。特定种类原子的阳离子分数是该原子物相对于阳离子总数的比值。例如，对于电光陶瓷材料Pb0.83Ba0.15La0.02[(Zn1/3Nb2/3)0.7Ti0.3]0.995O3而言，可以按照以下方法计算阳离子分数铅阳离子分数＝0.83/
＝0.416钡阳离子分数＝0.15/
＝0.075镧阳离子分数＝0.02/
＝0.010锌阳离子分数＝[1/3·0.7·0.995]/
＝0.116铌阳离子分数＝[2/3·0.7·0.995]/
＝0.232钛阳离子分数＝
/
＝0.150在本发明的优选实施方案中，电光陶瓷材料铅阳离子分数为约0.20和0.50之间，钡阳离子分数为小于约0.26，镧阳离子分数为小于约0.05，锌阳离子分数为约0.07和0.17之间，铌阳离子分数为约0.15和0.33之间和钛阳离子分数为约0.03和0.27之间。该电光陶瓷材料的铅阳离子分数可以在约0.37和0.45之间。该电光陶瓷材料的钡阳离子分数可以在约0.04和0.11之间。该电光陶瓷材料的镧阳离子分数可以在约0.01和0.04之间。该电光陶瓷材料的锌阳离子分数可以在约0.10和0.15之间。该电光陶瓷材料的铌阳离子分数可以在约0.20和0.29之间。该电光陶瓷材料的钛阳离子分数可以在约0.07和0.18之间。
在本发明的电光陶瓷材料中，要求每个晶粒都具有钙钛矿型结构。在如附图1所示钙钛矿型结构的单位晶胞中，较大的阳离子(例如Pb2+，La3+，Ba2+)和阴离子(例如O2-)形成立方封闭密集(ccp)阵列，较小的阳离子(例如Zn2+，Nb5+，Ti4+)占据仅由阴离子形成的八面体空穴位置。为了稳定要求的铌酸铅锌电光陶瓷材料的钙钛矿相，要求其中的钡阳离子分数在约0.03和0.26之间。或者，熟练技术人员可以使用他们所熟悉的其他钙钛矿型稳定元素。为了提高电光陶瓷材料的热稳定性，密度，各向同性和电光活性，要求其中的镧阳离子分数在约0.005和0.05之间。本发明的电光陶瓷中可以含有少量的其他阳离子，从而按照熟练技术人员所熟悉的方法进一步调整其特性。
本发明优选的电光陶瓷可以用以下分子式描述Pb1-y-zBayLaz[(ZntNb1-t)xTi1-x]1-z/4O3+x/2-3xt/2-xz/8+3xtz/8其中x在大约0.5和0.9之间，y在大约0.05和0.5之间，z在大约0和0.05之间，t在大约0.30和0.36之间。在特别优选的本发明电光陶瓷材料中，x在大约0.65和0.85之间，y在大约0.1和0.2之间，z在大约0.02和0.04之间，t在大约0.32和0.34之间。
本发明的电光陶瓷材料可以用熟练技术人员所熟悉的方法制造。可以使用各种无机化合物作为原料。例如，可以使用要求的金属的氧化物，氢氧化物，碳酸盐，硫酸盐，乙酸盐或醇盐来制造本发明的陶瓷。总的来说，首先制备具有所要求陶瓷化学计量的不透明粉末并进行干燥。例如，使用混合氧化物方法来制造本发明材料的粉末，如实施例1中所述。还可以使用其他方法，例如化学共沉淀和其他更先进的技术来制造粉末。在进行致密化之前，可选采用冷压方法将粉末制成不透明粉末预制体。
然后可以采用熟练技术人员所熟悉的方法对不透明粉末或粉末预制体进行致密化，形成本发明的陶瓷材料。例如，可以对粉末预制体进行热压，形成如下面实施例1所述的致密，透明，钙钛矿型结构的材料。熟练技术人员能够确定重要的过程参数，例如热压温度，施加的压力，环境条件和加工时间。熟练技术人员可以采用其他致密化技术，例如真空烧结，等静压，热等静压，或其他压制或烧结方法，形成本发明的透明陶瓷。
磁滞与材料在外部改性参数变化过程中的状态相关。例如，在表现出较强磁滞的电光铁电材料中，场致状态(例如偏振，双折射)不仅取决于场强，还取决于场的变化(例如场强增加或减小的速率)。本发明的电光陶瓷材料具有非常小的磁滞。在这些材料中，磁滞是取代材料中铁电畴壁所需要功的量度。磁滞与晶体中的缺陷分布和分隔不同取向状态的能量势垒紧密相关。光学记忆器件要求高的磁滞，而光学调制和切换应用要求低磁滞。尤其要求电光陶瓷材料在室温下具有低的磁滞，所以这些器件在工作时不需要反馈控制或外部加热。本发明材料具有所谓“狭长环路(slim loop)”磁滞行为。
本发明的电光陶瓷材料适用于制造电信应用的电光器件。本发明另一方面提供了一种含有铌酸铅锌基电光陶瓷材料的电光器件，该电光陶瓷材料在20℃和1550纳米波长时具有小于约3dB/cm的传播损耗和大于约1×10-16米2/伏2的二次电光系数。优选该电光材料在20℃时具有小于约1.5dB/cm的传播损耗和大于约3×10-16米2/伏2的二次电光系数。用于这种器件中的电光陶瓷材料可以具有上述组成。例如，该电光陶瓷材料可以具有在约0.20和0.50之间的铅阳离子分数，小于约0.26的钡阳离子分数，小于约0.05的镧阳离子分数，在约0.07和0.17之间的锌阳离子分数，在约0.15和0.33之间的铌阳离子分数和在约0.03和0.27之间的钛阳离子分数。
本发明的电光器件可以是例如强度调制器，相位调制器，切换器，相位延迟器，偏振控制器，或可变光学衰减器。可以使用本发明的电光陶瓷材料制造的电光器件的例子在美国专利6137619和6330097中描述。可以采用制造基于PLZT等其他电光材料器件的技术，制造本发明的电光器件。
通过提供作为本发明示范例的以下非限制性实施例进一步说明本发明。
实施例1按照下面铌铁矿前体-混合氧化物方法制备具有分子式Pb0.83Ba0.15La0.02[(Zn1/3Nb2/3)0.7Ti0.3]0.995O3的电光陶瓷材料。
使用氧化铅(II)，碳酸钡，氧化镧，氧化锌，氧化铌(V)，和氧化钛(IV)粉末作为原料。按照所要求陶瓷的化学计量混合氧化锌和氧化铌(V)粉末(总计76.5克)，并混入175毫升的水，形成浆料。使用750克氧化铝圆柱体在1000毫升容器中球磨该浆料大约30分钟，在90℃下干燥，并在1000℃焙烧大约4小时。制得的固体与按照所要求的化学计量的氧化铅(II)(179.9克)，碳酸钡(27.5克)，氧化镧(3.1克)，和氧化钛(IV)(22.6克)混合。加入略微过量(大约2重量％)的氧化铅(II)，抵消加工时铅的蒸发效应。在2000毫升容器中，混合粉末与300毫升水和1500克氧化铝圆柱体球磨混合30分钟。将制得的浆料在90℃下干燥，并在氧化铝坩埚中于900℃煅烧4小时。在聚乙烯容器中，制得的煅烧粉末与300毫升三氯乙烯或丙酮，用氧化铝圆柱体(1500克)作为研磨介质球磨16小时。将制得的浆料在85℃下干燥。可以采用在700℃下1小时的后期退火步骤，除去粉末中的有机残留物。制得粉末的X射线衍射谱示于图2。该衍射谱表明，合成粉末具有基本纯的钙钛矿型结构。在不锈钢模具中以2000psi(13.793MPa)的压力压制粉末，形成不透明圆柱形粉末预制体(长5.1厘米，直径3.2厘米)。
如图3所示，将粉末预制体18装入衬有高纯度氧化铝管21的圆柱形碳化硅模具20中。碳化硅模具的内径是4.5厘米，坐落在氧化铝底座22上。使用两个锆盘23和高纯氧化镁粉末24，将预制体与模具，底座和4.5厘米直径的氧化铝顶部压杆26隔开。将整个组件固定在热压机中，使氧化铝顶部压杆与10吨热压机的推杆28连接，这种热压机是从Santa Rosa，CA的ThermalTechnology Inc.获得。将热压机的机腔抽真空至大约300毫托(40Pa)，以大约5℃/分的速率升高机腔中的温度。当温度达到650℃时，以3pai(20.69MPa)的压力向机腔中输入氧气。在剩余过程中保持该氧气压力。当温度达到750℃时，驱动压杆以2000psi(13.793MPa)的压力压制预制体。以1150℃的温度压制预制体16小时。以可忽略不计的压力使压制半成品在压机中冷却至室温。
从模具中取出半成品，切片并抛光。图4所示是1.3毫米厚度的Pb0.83Ba0.15La0.02[(Zn1/3Nb2/3)0.7Ti0.3]0.995O3的切片的透射谱。这个样品在1300纳米到1800纳米波长范围内的透射率是约70％。可以用下式从透射率计算该材料的传播损耗 由于该材料在1550纳米处的折射率是大约2.3，所以该材料的传播损耗小于约1dB/cm。本发明陶瓷的透明度可以与传统PLZT材料的透明度类似。
制备Pb0.83Ba0.15La0.02[(Zn1/3Nb2/3)0.7Ti0.3]0.995O3材料的小型样品(5毫米×5毫米×0.7毫米)，通过用镍电极涂覆进行介电测量。使用从Sunnyvale，CA的Stanford Research Systems获得的SR720型LCR计，在环境控制室(从Williamsport，PA的Tenney Environmental获得)中测量介电常数。这种材料在不同频率和温度下的介电常数示于图5。该材料在1伏/微米电场中的室温极化率是18.7μC/cm22，高于同样条件下PLZT的值(13.5μC/cm2)。
实施例2使用图6中所示的实验装置测量实施例1的Pb0.83Ba0.15La0.02[(Zn1/3Nb2/3)0.7Ti0.3]0.995O3材料的二次电光常数。使用GRIN透镜42校准从螺旋光纤1550纳米激光二极管40中发出的光线，并通过输入起偏器44。电极46位于抛光样品48的相背表面上，通过能量源49在整个样品上施加电场。该样品被置于光路中，使施加电场的方向垂直于光路方向，并与光束的偏振方向成45°角。从样品射出之后，光线通过输出起偏器50，其偏振轴垂直于输入起偏器44偏振轴。用GRIN透镜52使从输出起偏器射出的光线耦合到检测光纤54，并用光检测器56进行检测。这个装置的自由空间部分被置于控温环境室58中。使用计算机60来控制所施加的电场，并采集温度和光学数据。当熟练技术人员将该系统与函数发生器和示波器(未示出)集成时，可以用其来测量响应速度。
没有施加电场时，该样品对光束的偏振没有影响；因此，由于交叉起偏器的作用，没有光线能到达检测器。随着所施加电场的增大，样品因为电光效应而变成双折射的，使光束的偏振发生旋转。在某一电压Vπ处，样品使光束偏振方向发生旋转，旋转角度足以使其平行于第二起偏器的偏振轴，使检测信号强度最大。假设该材料的原始双折射率(Δn0)和线性电光系数γ为零，则可以用下式计算二次电光系数R
R=d2λVπ2n3L]]>其中d是电极之间的距离(即样品宽度)，n是样品在波长λ处的折射率，L是光束在样品中的光程。
从两面抛光的1.26毫米厚度的晶片上切割Pb0.83Ba0.15La0.02[(Zn1/3Nb2/3)0.7Ti0.3]0.995O3的样品。该样品的宽度是0.61毫米，高度是2.5毫米。每个样品的平行表面都经过抛光，等离子体蚀刻3分钟，然后用Pt/Au电极涂覆(250/2500)。将该样品在200℃退火1小时，并在100℃再静置1小时，降低在样品制备过程中产生的内部应力。按照上述方法测定样品的二次电光系数为3.6×10-16米2/伏2。
实施例3按照实施例1的方法制备具有分子式Pb1-y-zBayLaz[(ZntNb1-t)xTi1-x]1-z/4O3+x/2-3xt/2-xz/8+3xtz/8的电光陶瓷材料。这些材料具有光通信用器件能接受的透明度。表示这些组合物的图示于图7。
实施例3c和3d的1.44毫米厚的材料片的透射谱示于图8。按照实施例2的方法，采集实施例3d材料的二次电光系数对温度的图，示于图9。
在不超过本发明原理和范围的情况下，对本发明所作出的各种改进和变化对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，本发明覆盖在权利要求及其等同范围内所提出的对本发明的改进和变化。
权利要求
1.一种电光陶瓷材料，包含铅，锌，和铌，其中，电光材料在20℃和1550纳米波长时具有小于约3dB/cm的传播损耗和大于约1×10-16米2/伏2的二次电光系数。
2.如权利要求1所述电光陶瓷材料，其特征在于，材料在1550纳米波长时的传播损耗小于约1.5dB/cm。
3.如权利要求1所述电光陶瓷材料，其特征在于，材料在20℃和1550纳米时的二次电光系数大于约3×10-16米2/伏2。
4.如权利要求1所述电光陶瓷材料，其特征在于，所述电光陶瓷材料还含有钡。
5.如权利要求1所述电光陶瓷材料，其特征在于，所述电光陶瓷材料还含有镧。
6.如权利要求1所述电光陶瓷材料，其特征在于，所述电光陶瓷材料还含有钡和镧。
7.如权利要求1所述电光陶瓷材料，其特征在于，所述电光陶瓷材料还含有钛，该电光陶瓷材料具有约0.20和0.50之间的铅阳离子分数；小于约0.26的钡阳离子分数；小于约0.05的镧阳离子分数；约0.07和0.17之间的锌阳离子分数；约0.15和0.33之间的铌阳离子分数；和约0.03和0.27之间的钛阳离子分数。
8.如权利要求7所述电光陶瓷材料，其特征在于，电光陶瓷材料具有约0.37和0.45之间的铅阳离子分数。
9.如权利要求7所述电光陶瓷材料，其特征在于，电光陶瓷材料具有约0.04和0.11之间的钡阳离子分数。
10.如权利要求7所述电光陶瓷材料，其特征在于，电光陶瓷材料具有约0.01和0.04之间的镧阳离子分数。
11.如权利要求7所述电光陶瓷材料，其特征在于，电光陶瓷材料具有约0.10和0.15之间的锌阳离子分数。
12.如权利要求7所述电光陶瓷材料，其特征在于，电光陶瓷材料具有约0.20和0.29之间的铌阳离子分数。
13.如权利要求7所述电光陶瓷材料，其特征在于，电光陶瓷材料具有约0.07和0.18之间的钛阳离子分数。
14.如权利要求1所述电光陶瓷材料，其特征在于，电光陶瓷材料具有以下分子式Pb1-y-zBayLaz[(ZntNb1-t)xTi1-x]1-z/4O3+x/2-3xt/2-xz/8+3xtz/8其中x在大约0.5和0.9之间，y在大约0.05和0.5之间，z在大约0和0.05之间，t在大约0.30和0.36之间，和该材料在20℃和1550纳米波长时具有小于约3dB/cm的传播损耗和大于约1×10-16米2/伏2的二次电光系数。
15.如权利要求14所述电光陶瓷材料，其特征在于，x在大约0.65和0.85之间。
16.如权利要求14所述电光陶瓷材料，其特征在于，y在大约0.1和0.2之间。
17.如权利要求14所述电光陶瓷材料，其特征在于，z在大约0.02和0.04之间。
18.如权利要求14所述电光陶瓷材料，其特征在于，t在大约0.32和0.34之间。
19.一种包括电光陶瓷材料的电光器件，包含铅，锌，铌，其中，电光材料在20℃和1550纳米波长时具有小于约3dB/cm的传播损耗和大于约1×10-16米2/伏2的二次电光系数。
20.如权利要求19所述电光器件，其特征在于，电光陶瓷材料在1550纳米波长时具有小于约1.5dB/cm的传播损耗。
21.如权利要求19所述电光器件，其特征在于，电光陶瓷材料在20℃和1550纳米波长时具有大于约3×10-16米2/伏2的二次电光系数。
22.如权利要求19所述电光器件，其特征在于，电光陶瓷材料还含有钛，该电光陶瓷材料具有约0.20和0.50之间的铅阳离子分数；小于约0.26的钡阳离子分数；小于约0.05的镧阳离子分数；约0.07和0.17之间的锌阳离子分数；约0.15和0.33之间的铌阳离子分数；和约0.03和0.27之间的钛阳离子分数。
23.如权利要求19所述电光器件，其特征在于，电光器件选自强度调制器，相位调制器，切换器，相位延迟器，偏振控制器和可变光学衰减器。
全文摘要
本发明提供了一种含有铅，锌和铌的电光陶瓷材料，在20℃和1550纳米波长时具有小于约3dB/cm的传播损耗和大于约1×10
文档编号C04B35/499GK1665758SQ03815864
公开日2005年9月7日 申请日期2003年5月7日 优先权日2002年5月21日
发明者K·K·李, Q·王 申请人:康宁股份有限公司