技术特征：
技术总结
本发明提供SiC晶片的生成方法，能够高效地从SiC晶锭生成SiC晶片。一种SiC晶片的生成方法，具备：分离起点形成步骤，将对于SiC晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距SiC晶锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该SiC晶锭相对地移动来对该端面照射激光束，形成与该端面平行的改质层和从该改质层起进行伸长的裂痕作为分离起点；和晶片剥离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该SiC晶锭剥离而生成SiC晶片，在该分离起点形成步骤中，将形成聚光点的聚光透镜的数值孔径设定为0.45～0.9，并且将激光束的M2因子实质设定为5～50，将聚光点的直径设定为
技术研发人员：平田和也;森重幸雄
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：2016.12.20
技术公布日：2017.07.14