晶片的加工方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及晶片的加工方法，在该晶片的正面上通过形成为格子状的分割预定线 而划分的多个区域中形成有器件，将该晶片沿分割预定线分割为一个个器件芯片，并且将 用于芯片结合（diebonding)的粘合膜安装到各器件芯片的背面。
【背景技术】
[0002] 例如，在半导体器件芯片制造工艺中，在大致圆板形状的半导体晶片的正面上通 过形成为格子状的分割预定线而划分的多个区域内形成有IC、LSI等器件，通过将该形成 有器件的各区域沿分割预定线进行分割来制造一个个半导体器件芯片。作为对半导体晶片 进行分割的分割装置一般使用划片（Dicing)装置，该划片装置通过厚度为20~30μπι左 右的切削刀具将半导体晶片沿分割预定线进行切削。这样分割而成的半导体器件芯片被封 装并广泛利用于移动电话或者个人计算机等电子设备。
[0003] 作为将半导体晶片分割为一个个器件芯片的方法，实用化一种被称为所谓的预先 划片法（DicingBeforeGrinding)的分割技术。该预先划片法是如下的技术：从半导体 晶片的正面沿间隔道形成规定的深度（相当于半导体器件芯片的最终厚度的深度）的切削 槽，此后，对在正面上形成有切削槽的半导体晶片的背面进行磨削，使切削槽在该背面显出 从而分割为一个个半导体器件芯片，通过该预先划片法能够将半导体器件芯片的厚度加工 为50μηι以下。（例如，参照专利文献1。）
[0004] 此外，作为将半导体晶片分割为一个个器件芯片的方法，实用化一种被称为内部 加工的激光加工方法，使用对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，将聚光点定位在 要进行分割的区域的内部来照射脉冲激光光线。使用这种被称为内部加工的激光加工方法 的分割方法是如下的技术：从晶片的背面侧将聚光点集中于内部并照射对于晶片具有透过 性的波长的脉冲激光光线，在晶片的内部沿分割预定线连续形成改质层，通过沿着因形成 该改质层而强度降低的分割预定线施加外力，而使晶片断裂从而将其分割（例如，参照专 利文献2)。
[0005] 如上所述在一个个地分割而成的半导体器件芯片的背面上安装有由聚酰亚胺系 树脂、环氧系树脂、丙烯酸系树脂等形成的厚度20~40μπι的被称为粘片膜（DAF)的用于 芯片结合的粘合膜，通过对经由该粘合膜而支承半导体器件芯片的芯片结合框架进行加热 焊接从而实现结合。
[0006] 但是，在上述各分割方法中，由于在将用于芯片结合的粘合膜安装到半导体晶片 的背面的状态下无法对上述晶片进行背面磨削或者从晶片的背面侧照射激光光线，因此， 提出了如下技术：将用于芯片结合的粘合膜安装到被分割为一个个半导体器件芯片的半导 体晶片的背面，并且在粘合膜侧粘贴划片带，对该划片带进行扩展从而使粘合膜沿已被一 个个地分割的半导体器件芯片断裂（例如，参照专利文献3、专利文献4)。
[0007] 专利文献1 :日本特开2003-7648号公报
[0008] 专利文献2 :日本特许第3408805号公报
[0009] 专利文献3 :日本特开2005-223282号公报
[0010] 专利文献4 :日本特开2008-235650号公报
[0011] 但是，如果将粘合膜安装到已被分割为一个个器件芯片的晶片的背面并且粘贴划 片带，对该划片带进行扩展从而使粘合膜沿一个个器件芯片断裂，则存在如下问题：由于 粘合膜形成为比晶片稍大，因此粘合膜的外周部会细微破碎而飞散而附着于器件芯片的正 面。
[0012] 此外，如果细微破碎了的粘合膜附着到显出在半导体器件芯片的正面的电极上， 则存在如下问题：会对引线接合造成妨碍，会引起导通不良而使器件芯片的品质降低。
【发明内容】
[0013] 本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要技术课题是提供一种晶片的加工方法， 使安装在沿着分割预定线分割、或者沿着分割预定线形成断裂起点的晶片的背面的用于芯 片结合的粘合膜沿着被一个个地分割的半导体器件芯片断裂，并且能够防止断裂时细微破 碎的粘合膜直接附着于半导体器件的正面。
[0014] 为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种晶片的加工方法，在该晶片 的正面格子状地形成有多条分割预定线并且在通过该多条分割预定线而划分的各区域中 形成有器件芯片，在该晶片的加工方法中，将所述晶片沿分割预定线分割为一个个器件芯 片，并且将用于芯片结合的粘合膜安装于各器件芯片的背面，该晶片的加工方法的特征在 于，该晶片的加工方法包含：
[0015] 晶片支承工序，将粘合膜安装于沿分割预定线被分割、或者沿分割预定线形成有 断裂起点的晶片的背面并且在粘合膜侧粘贴划片带，并通过环状的框架支承划片带的外周 部；以及
[0016] 粘合膜断裂工序，扩展划片带而使粘合膜沿一个个器件芯片断裂，
[0017] 在实施该粘合膜断裂工序之前实施保护膜形成工序，其中在该保护膜形成工序 中，将水溶性树脂覆盖于晶片的正面、或者从晶片的外周缘伸出的粘合膜的外周部、或者晶 片的正面和从晶片的外周缘伸出的粘合膜的外周部来形成保护膜。
[0018] 在实施上述粘合膜断裂工序之前实施下述工序：分割槽形成工序，从晶片的正面 侧沿分割预定线形成深度相当于器件芯片的最终厚度的分割槽；保护部件粘贴工序，将保 护部件粘贴到实施了该分割槽形成工序的晶片的正面；以及背面磨削工序，对实施了该保 护部件粘贴工序的晶片的背面进行磨削而使该分割槽显出于背面，将晶片分割为一个个器 件芯片。
[0019] 在上述分割槽形成工序和保护部件粘贴工序之间实施上述保护膜形成工序。
[0020] 在实施上述晶片支承工序之前实施改质层形成工序，从晶片的背面将聚光点定位 于内部并沿分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线，在晶片的内部沿分割 预定线形成改质层。
[0021] 在实施上述粘合膜断裂工序之后实施保护膜清洗工序，其中在该保护膜清洗工序 中，对保护膜供给清洗水来冲洗保护膜。
[0022] 本发明中的晶片的加工方法包含：晶片支承工序，将粘合膜安装于沿分割预定线 被分割、或者沿分割预定线形成有断裂起点的晶片的背面并且在粘合膜侧粘贴划片带，并 通过环状的框架支承划片带的外周部；以及粘合膜断裂工序，扩展划片带而使粘合膜沿一 个个器件芯片断裂，在实施粘合膜断裂工序之前实施保护膜形成工序，将水溶性树脂覆盖 于晶片的正面、或者从晶片的外周缘伸出的粘合膜的外周部、或者晶片的正面和从晶片的 外周缘伸出的粘合膜的外周部来形成保护膜，因此，在晶片的正面形成了保护膜的情况下， 在粘合膜断裂工序中破碎的粘合膜的外周部的一部分会附着于覆盖在器件芯片的正面的 保护膜的表面，破碎的粘合膜的外周部的一部分不会直接附着于器件芯片的正面。因此，通 过将覆盖于器件芯片的正面的保护膜去除，所附着的粘合膜的外周部的一部分也被去除， 因此，不会使器件芯片的品质降低。
[0023] 此外，在将保护膜形成在从晶片的外周缘伸出的粘合膜的外周部上的情况下，即 使外周部破碎也不会飞散。因此，破碎的粘合膜的外周部a的一部分不会附着于器件芯片 的正面。
[0024] 进而，在将保护膜形成在从晶片的正面以及晶片的外周缘伸出的粘合膜的外周部 上的情况下，能够得到上述双方的作用效果。
[0025] 因此，破碎的粘合膜的一部分不会附着于在器件芯片的正面显出的电极，解决了 对引线接合造成妨碍、引起导通不良而使器件芯片的品质降低的问题。
【附图说明】
[0026] 图1是半导体晶片的立体图。
[0027] 图2是示出分割槽形成工序的说明图。
[0028] 图3是示出保护部件粘贴工序的说明图。
[0029] 图4是示出背面磨削工序的说明图。
[0030] 图5是示出晶片支承工序的第1实施方式的说明图。
[0031] 图6是示出晶片支承工序的第2实施方式的说明图。
[0032] 图7是用于实施改质层形成工序的激光加工装置的主要部分的立体图。
[0033] 图8是示出改质层形成过程的说明图。
[0034] 图9是示出晶片支承工序的第3实施方式的说明图。
[0035] 图10是示出晶片支承工序的第4实施方式的说明图。
[0036] 图11是示出保护膜形成工序的第1实施方式的说明图。
[0037] 图12是示出保护膜形成工序的第2实施方式的说明图。
[0038] 图13是示出保护膜形成工序的第3实施方式的说明图。
[0039] 图14是用于实施粘合膜断裂工序的带扩展装置的立体图。
[0040] 图15是示出粘合膜断裂工序的第1实施方式的说明图。
[0041] 图16是示出本发明的晶片的加工方法中的粘合膜断裂工序的第2实施方式的说 明图。
[0042] 图17是示出本发明的晶片的加工方法中的保护膜清洗工序的说明图。
[0043] 标号说明
[0044] 2:半导体晶片；21:分割预定线；22:器件（器件芯片）；23:改质层；210:分割槽； 3:切削装置；31:切削装置的卡盘工作台；32:切削机构；323:切削刀具；4:保护带；5:磨 削装置；51:磨削装置的卡盘工作台；52:磨削机构；534:磨轮；6:粘合膜；7:激光加工