晶片的加工方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及对于作为层叠形成LED等的光器件的发光层的基板的碳化硅（SiC)、 氮化镓（GaN)等的晶片的加工方法。
【背景技术】
[0002] 层叠有形成LED等的光器件的发光层的碳化硅（SiC)、氮化镓（GaN)等的晶片是通 过钢丝锯等将碳化硅（SiC)、氮化镓（GaN)等的单晶锭分割为规定的厚度而形成的（例如， 参照专利文献1)。
[0003] 对单晶锭分割而形成的晶片的正反表面被磨削而被精加工为镜面。
[0004] 专利文献1日本特开2010-207988号公报
[0005] 然而，若磨削晶片的正面或背面，则可能在晶片产生翘曲而发生破损，存在生产效 率较差的问题。
[0006] 此外，若在晶片上产生了翘曲，则无法均匀地层叠发光层，存在LED等的光器件的 品质发生不均的问题。
[0007] 关于如上对晶片的正面或背面进行磨削而发生翘曲的情况，可认为是在生成锭时 在外周部上残留有晶体畸变所致。
【发明内容】
[0008] 本发明就是鉴于上述情况而完成的，其主要技术课题在于，提供一种能够以在对 单晶锭分割而形成的晶片上不会产生翘曲的方式进行加工的晶片的加工方法。
[0009] 为了解决上述主要技术课题，本发明提供一种晶片的加工方法，该晶片是对单晶 锭进行分割而形成的，其特征在于，实施晶体畸变去除工序，在该晶体畸变去除工序中，去 除残留于晶片的外周的晶体畸变。
[0010] 在上述晶体畸变去除工序中，从晶片的一个面侧在相比于外周缘偏规定的量的 内侧的位置处沿着外周缘照射对晶片具有透过性的波长的激光光线，在从晶片的一个面 到另一个面上的范围内使细孔和密封该细孔的非晶质成长，形成环状的密封通道（sealed tunnel)，沿着该密封通道施加外力，从而在该密封通道的区域中使晶片破断，去除残留有 晶体畸变的外周部。
[0011] 此外，在上述晶体畸变去除工序中，从晶片的一个面侧在相比于外周缘偏规定的 量的内侧的位置处沿着外周缘照射对晶片具有吸收性的波长的激光光线，沿着外周缘实施 烧蚀加工而形成激光加工槽，从而去除残留有晶体畸变的晶片的外周部。
[0012] 进而，优选实施标记形成工序，在晶片的一个面的激光光线照射区域的内侧形成 表示晶体方位的标记。
[0013] 本发明的对单晶锭分割而形成的晶片的加工方法实施去除残留于晶片外周的晶 体畸变的晶体畸变去除工序，因此即使磨削晶片的一个面或另一个面也不会产生由于残留 晶体畸变而导致的翘曲。因此，在后续工序中将发光层层叠于晶片上的被磨削的一个正面 上时，由于不存在翘曲而能够形成均匀厚度的发光层。
【附图说明】
[0014] 图1是对单晶锭分割而形成的晶片的立体图。
[0015] 图2是用于实施晶体畸变去除工序的第1实施方式的激光加工装置的要部立体 图。
[0016] 图3是晶体畸变去除工序的第1实施方式的说明图。
[0017] 图4是在被实施了晶体畸变去除工序的第1实施方式的晶片上形成表示晶体方位 的标记的标记形成工序的说明图。
[0018] 图5是晶体畸变去除工序中的外周部去除工序的说明图。
[0019] 图6是用于实施晶体畸变去除工序的第2实施方式的激光加工装置的要部立体 图。
[0020] 图7是晶体畸变去除工序的第2实施方式的说明图。
[0021 ] 图8是磨削工序的说明图。
[0022] 标号说明
[0023] 2 :晶片；21 :凹口；22 :?、封通道；23 :表不晶体方位的标记；3、30 :激光加工装置； 31 :激光加工装置的卡盘台；32 :激光光线照射单元；322 :聚光器；4 :磨削装置；41 :磨削装 置的卡盘台；42 :磨削单元；424 :磨削轮。
【具体实施方式】
[0024] 以下，参照附图进一步详细说明本发明的晶片的加工方法。
[0025] 图1示出通过本发明的晶片的加工方法而加工的晶片的立体图。图1所示的晶 片2是通过钢丝锯等将碳化硅（SiC)、氮化镓（GaN)等的单晶锭分割为规定的厚度（例如 700~800 μπι)而形成的，且在其外周设有表示晶体方位的凹口 21。在如上对单晶锭分割 而形成的晶片2的外周残留有晶体畸变。
[0026] 本发明的晶片的加工方法实施去除残留于晶片2外周的晶体畸变的晶体畸变去 除工序。该晶体畸变去除工序的第1实施方式是使用图2所示的激光加工装置3而实施的。 图2所示的激光加工装置3具有保持被加工物的卡盘台31、以及对保持于该卡盘台31上的 被加工物照射激光光线的激光光线照射单元32。卡盘台31构成为吸附保持被加工物，且凭 借未图示的旋转机构在图2中的箭头31a所示的方向上旋转。
[0027] 上述激光光线照射单元32具有实际上水平配置的圆筒形状的外壳321。在外壳 321内配设有具有未图示的脉冲激光光线振荡器和重复频率设定单元的脉冲激光光线振荡 单元。在上述外壳321的前端部安装有聚光器322,该聚光器322具有用于会聚从脉冲激光 光线振荡单元振荡出的脉冲激光光线的聚光透镜322a (参照图3)。该聚光器322的聚光透 镜322a的数值孔径（NA)是如下设定的。即，聚光透镜322a的数值孔径（NA)被设定为单 结晶基板的折射率（N)除以数值孔径（NA)的值为0. 05~0. 2的范围内（数值孔径设定工 序）。另外，激光光线照射单元32具有用于调整被聚光器322的聚光透镜322a会聚的脉冲 激光光线的聚光点位置的聚光点位置调整单元（未图示）。
[0028] 参照图3说明使用上述激光加工装置3实施的晶体畸变去除工序的第1实施方 式。
[0029] 作为晶体畸变去除工序的第1实施方式，首先如图3的（a)所示，将晶片2的一个 面2a作为上方而将另一个面2b放置于激光加工装置3的卡盘台31上，在该卡盘台31上 吸附保持晶片2。通过未图示的移动机构将吸附保持晶片2的卡盘台31移动至聚光器322 所处的加工区域上，如图3所示，将其定位于使得晶片2的相比于外周缘偏规定的量的内侧 的位置处位于聚光器322的正下方的位置。然后，以使得被聚光器322的聚光透镜322a会 聚的脉冲激光光线LB的聚光点P被定位于晶片2的厚度方向上的期望位置上的方式启动 未图示的聚光点位置调整单元，使聚光器322在光轴方向上移动（定位工序）。另外，在本 实施方式中，脉冲激光光线的聚光点P被设定于从晶片2上的被照射脉冲激光光线的上表 面（一个面2a侧）起的期望位置（例如从一个面2a起的5~10 μ m的另一个面2b侧的 位置）处。
[0030] 接着，从聚光器322照射对晶片2具有透过性的波长的脉冲激光光线LB，并且使卡 盘台31在图3的（a)中的箭头31a所示的方向上旋转（密封通道形成工序）。然后，在卡 盘台31旋转了 1次后，如图3的（b)所示停止脉冲激光光线的照射，并且停止卡盘台31的 旋转。
[0031] 通过实施上述密封通道形成工序，从而在晶片2的内部如图3的（b)和图3的（c) 所示，从脉冲激光光线LB的聚光点P附近（作为上表面的一个面2a)朝向作为下表面的另 一个面2b，使细孔221和形成于该细孔221的周围的非晶质222成长，沿着晶片2的外周缘 而呈环状形成非晶质的密封通道22。该密封通道22形成为彼此相邻的非晶质222互相连 接。另外，在上述密封通道形成工序中形成的非晶质的密封通道22能够形成于从作为晶片 2的上表面的一个面2a到作为下表面的另一个面2b的范围内，因而在晶片的厚度较厚时， 照射1次脉冲激光光线