晶片的加工方法
【专利摘要】提供晶片的加工方法，能将晶片分割成一个个器件而不在晶片背面附近切断面产生凹凸。一种将晶片沿分割预定线分割成一个个器件的加工方法，在晶片正面呈格子状形成有多个分割预定线，在由分割预定线划分出的多个区域形成有器件，该方法包括：改性层形成工序，从晶片背面侧沿分割预定线照射对晶片具有透射性的波长的激光光线，沿分割预定线在晶片内部形成改性层；以及分割工序，对晶片施加外力，将晶片沿形成了改性层的分割预定线分割成一个个器件，改性层形成工序包括：第1改性层形成工序，将激光光线聚光点定位在晶片背面附近，在晶片背面附近形成第1改性层；以及第2改性层形成工序，将激光光线聚光点定位在晶片的远离第1改性层的正面侧，之后，在使聚光点依次移动至到达第1改性层的区域的同时，层叠形成多个第2改性层。
【专利说明】晶片的加工方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及将晶片沿分割预定线分割成一个个器件的晶片的加工方法，该晶片在正面呈格子状地形成有多个分割预定线，并且在由多个分割预定线划分出的多个区域形成有器件。
【背景技术】
[0002]在半导体器件制造过程中，在大致圆板形状的半导体晶片的正面利用呈格子状排列的分割预定线划分出多个区域，在该划分出的区域形成IC (集成电路)、LSI (大规模集成电路)等器件。并且，通过将半导体晶片沿分割预定线切断来对形成有器件的区域进行分害I]，从而制造出一个个器件。
[0003]此外，在光器件制造过程中，在蓝宝石基板或碳化硅基板的正面层叠由η型氮化物半导体层和P型氮化物半导体层构成的光器件层，在利用呈格子状形成的多个分割预定线划分出的多个区域形成发光二极管、激光二极管等光器件，从而构成光器件晶片。并且，通过将光器件晶片沿分割预定线切断来对形成有光器件的区域进行分割，从而制造出一个个光器件。
[0004]作为分割上述的半导体晶片和光器件晶片等晶片的方法，下述的激光加工方法被实用化:使用对晶片具有透射性的波长的脉冲激光光线，将聚光点定位在应分割的区域的内部，照射脉冲激光光线。使用了该激光加工方法的分割方法是这样的技术:从晶片的一个面侧将聚光点定位在内部并照射对晶片具有透射性的波长的脉冲激光光线，从而在被加工物的内部沿分割预定线连续地形成改性层，沿着由于形成该改性层而强度降低了的分割预定线施加外力，由此分割晶片(例如，参照专利文献I)。
[0005]在下述专利文献I记载的技术中，由于需要将激光光线的聚光点定位在晶片的内部，所以在形成有器件的正面粘贴保护带，将保护带侧保持在激光光线的卡盘工作台上，并从晶片的背面侧照射激光光线。
[0006]并且，在层叠形成多个改性层的情况下，首先将激光光线的聚光点定位在正面附近进行照射，之后，在使聚光点依次向背面侧移动的同时，层叠改性层(例如，参照专利文献2)。
[0007]之所以像这样在使聚光点从晶片的正面侧依次向背面侧移动的同时，层叠形成改性层，是考虑到:当首先在背面附近形成了改性层时，使激光光线的聚光点接近正面侧时，已经形成的改性层会妨碍激光光线的照射。
[0008]现有技术文献
[0009]专利文献1:日本专利第3408805号公报
[0010]专利文献2:日本特开2009-140947号公报
[0011]而且，在晶片的内部形成了改性层时，会在入射激光光线的背面侧产生裂纹，因此，若首先将激光光线的聚光点定位在正面附近进行照射，之后，在使聚光点依次向背面侧移动的同时形成改性层的话，则存在这样的问题:裂纹会在背面侧等方向地生长而在背面附近的切断面形成凹凸，使器件的抗弯强度降低，并且粉尘飞散而污染焊盘(结合区)，使器件的品质降低。
【发明内容】
[0012]本发明正是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术的课题在于提供一种晶片的加工方法，能够将晶片分割成一个个器件而不会在晶片的背面附近的切断面产生凹凸。
[0013]为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种晶片的加工方法，是将晶片沿分割预定线分割成一个个器件的方法，所述晶片在正面呈格子状地形成有多个分割预定线，并且在由多个分割预定线划分出的多个区域形成有器件，
[0014]所述晶片的加工方法的特征在于，具备:
[0015]改性层形成工序，从晶片的背面侧沿分割预定线照射对晶片具有透射性的波长的激光光线，沿分割预定线在晶片的内部形成改性层；以及
[0016]分割工序，对实施了该改性层形成工序的晶片施加外力，由此将晶片沿形成了改性层的分割预定线分割成一个个器件，
[0017]该改性层形成工序包括:
[0018]第I改性层形成工序，将激光光线的聚光点定位在晶片的背面附近进行照射，由此在晶片的背面附近形成第I改性层；以及
[0019]第2改性层形成工序，将激光光线的聚光点定位在实施了该第I改性层形成工序的晶片的远离该第I改性层的正面侧进行照射，之后，在使聚光点依次移动至到达该第I改性层的区域的同时，层叠形成多个第2改性层。
[0020]优选的是，在实施了上述第2改性层形成工序之后，实施第3改性层形成工序，在所述第3改性层形成工序中，将激光光线的聚光点定位在比该第2改性层靠晶片的正面侧的位置进行照射，由此在晶片的正面附近形成第3改性层。
[0021]发明效果
[0022]本发明的晶片的分割方法包括:第I改性层形成工序，在晶片的背面附近形成第I改性层；以及第2改性层形成工序，将激光光线的聚光点定位在实施了该第I改性层形成工序的晶片的远离第I改性层的正面侧进行照射，之后，在使聚光点依次移动至到达第I改性层的区域的同时，层叠形成多个第2改性层，因此，在实施第2改性层形成工序时，第2改性层从晶片的远离第I改性层的正面侧朝向第I改性层依次形成，从该第2改性层产生的裂纹被导向首先在背面附近形成的第I改性层而成为各向异性被吸收。因此，晶片在沿形成有第I改性层和第2改性层的分割预定线被切断的状态下，能够抑制在背面附近的切断面形成凹凸，因此，解决了以下问题:使器件的抗弯强度降低，并且粉尘飞散而污染焊盘，使得器件的品质降低。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]图1是利用本发明的晶片的加工方法加工的半导体晶片的立体图。
[0024]图2是表示在图1所示的半导体晶片的正面粘贴有保护带的状态的立体图。
[0025]图3是用于实施改性层形成工序的激光加工装置的主要部分立体图。
[0026]图4是第I改性层形成工序的说明图。
[0027]图5是第2改性层形成工序的说明图。
[0028]图6是实施了第2改性层形成工序的半导体晶片的剖视图。
[0029]图7是第3改性层形成工序的说明图。
[0030]图8是晶片支承工序的说明图。
[0031]图9是用于实施分割工序的分割装置的立体图。
[0032]图10是分割工序的说明图。
[0033]标号说明
[0034]2:半导体晶片
[0035]21: 分割预定线
[0036]22:器件
[0037]210:第I改性层
[0038]220:第2改性层
[0039]230:第3改性层
[0040]3: 保护带
[0041]4: 激光加工装置
[0042]41: 激光加工装置的卡盘工作台
[0043]42: 激光光线照射构件
[0044]422:聚光器
[0045]5: 分割装置
[0046]51: 框架保持构件
[0047]52: 带扩张构件
[0048]53: 拾取夹头
[0049]F: 环状框架
[0050]T: 切割带。
【具体实施方式】
[0051]下面，参照附图对本发明的晶片的加工方法的优选实施方式进行详细说明。
[0052]图1中示出了按照本发明进行加工的作为晶片的半导体晶片的立体图。图1所示的半导体晶片2由直径为200mm、厚度例如为600 μ m的硅晶片构成，在半导体晶片2的正面2a呈格子状形成有多个分割预定线21，并且，在由该多个分割预定线21划分出的多个区域形成有IC、LSI等器件22。以下，对将上述的半导体晶片2沿分割预定线21分割成一个个器件22的晶片的加工方法进行说明。
[0053]如图2所示地将保护带3粘贴在上述的半导体晶片2的正面2a以保护器件22(保护带粘贴工序)。
[0054]在实施了上述的保护带粘贴工序之后，实施改性层形成工序，该改性层形成工序是这样的工序:从半导体晶片2的背面侧沿分割预定线21照射对半导体晶片2具有透射性的波长的激光光线，沿分割预定线21在晶片的内部形成改性层。该改性层形成工序使用图3所示的激光加工装置4来实施。图3所示的激光加工装置4具备:卡盘工作台41，其用于保持被加工物；激光光线照射构件42，其用于对在该卡盘工作台41上保持的被加工物照射激光光线；以及摄像构件43，其用于对在卡盘工作台41上保持的被加工物进行拍摄。卡盘工作台41构成为抽吸保持被加工物，借助于未图示的移动机构使卡盘工作台41在图3中用箭头X表示的加工进给方向和用箭头Y表示的分度进给方向上移动。
[0055]上述激光光线照射构件42包括实质上水平地配置的圆筒形状的壳体421。在壳体421内配设有脉冲激光光线振荡构件，该脉冲激光光线振荡构件具备由未图示的YAG激光振荡器或YV04激光振荡器构成的脉冲激光光线振荡器和重复频率设定构件。在上述壳体421的末端部安装有聚光器422,该聚光器422用于对从脉冲激光光线振荡构件振荡出的脉冲激光光线进行聚光。
[0056]关于在壳体421安装的摄像构件43，在本实施方式中除了利用可视光线进行拍摄的普通的摄像元件(CXD)以外，还包括以下等部分:红外线照明构件，其用于对被加工物照射红外线；光学系统，其捕捉由该红外线照明构件照射的红外线；以及摄像元件(红外线CCD)，其输出与由该光学系统捕捉的红外线对应的电信号，摄像构件43将拍摄到的图像信号发送到未图示的控制构件。
[0057]参照图4至图7，对使用上述的激光加工装置4来实施的改性层形成工序进行说明。
[0058]在该改性层形成工序中，首先实施第I改性层形成工序，该第I改性层形成工序是这样的工序:将激光光线的聚光点定位在半导体晶片2的背面附近进行照射，从而在半导体晶片2的背面附近形成第I改性层。为了实施该第I改性层形成工序，将在半导体晶片2的正面2a粘贴的保护带3侧载置到上述图3所示的激光加工装置4的卡盘工作台41上。然后，使未图示的抽吸构件工作，从而将半导体晶片2抽吸保持在卡盘工作台41上(晶片保持工序)。因此，隔着保护带3保持在卡盘工作台41上的半导体晶片2的背面2b成为上侧。这样抽吸保持了半导体晶片2的卡盘工作台41借助于未图示的加工进给构件被定位在摄像构件43的正下方。
[0059]当卡盘工作台41被定位在摄像构件43的正下方时，利用摄像构件43和未图示的控制构件来执行检测半导体晶片2的应进行激光加工的加工区域的校准作业。即，摄像构件43和未图示的控制构件执行图案匹配等图像处理，完成激光光线照射位置的校准，所述图案匹配等图像处理用于使半导体晶片2的形成于第I方向的分割预定线21、与沿分割预定线21照射激光光线的激光光线照射构件42的聚光器422的位置对准。并且，对于形成于半导体晶片2的在与上述第I方向正交的方向延伸的分割预定线21，也同样地完成激光光线照射位置的校准。这时，半导体晶片2的形成有分割预定线21的正面2a位于下侧，但由于摄像构件43具备如上述那样的摄像构件，该摄像构件由红外线照明构件、捕捉红外线的光学系统、和输出与红外线对应的电信号的摄像元件(红外线CCD)等构成，因此，能够从背面2b透过，对分割预定线21进行摄像。
[0060]如上述那样，在检测出形成于卡盘工作台41上所保持的半导体晶片2的分割预定线21，进行了激光光线照射位置的校准后，如图4的(a)所示，使卡盘工作台41移动到照射激光光线的激光光线照射构件42的聚光器422所在的激光光线照射区域，将规定的分割预定线21的一端(图4的(a)中为左端)定位在激光光线照射构件42的聚光器422的正下方。接下来，将从聚光器422照射的脉冲激光光线的聚光点P定位在半导体晶片2的背面2b (作为上表面的照射面)附近(例如，从背面2b向正面2a侧30 μ m的位置)。然后，从聚光器422照射对硅晶片具有透射性的波长的脉冲激光光线，同时使卡盘工作台41以规定的进给速度向图4的(a)中用箭头Xl表示的方向移动。然后，在如图4的(b)所示激光光线照射构件42的聚光器422的照射位置到达分割预定线21的另一端的位置之后，停止脉冲激光光线的照射，并且停止卡盘工作台41的移动。其结果是，如图4的(c)所示那样在半导体晶片2的背面2b (作为上表面的照射面)附近，以从背面2b向正面2a侧30 μ m的位置为中心沿分割预定线21形成了第I改性层210 (第I改性层形成工序)。
[0061]上述第I改性层形成工序的加工条件例如设定为如下。
[0062]光源:LD激励Q开关Nd:YV04脉冲激光
[0063]波长:1064nm
[0064]重复频率:IMHz
[0065]平均输出:0.7W
[0066]聚光点直径:Φ I μ m
[0067]加工进给速度:700mm /秒
[0068]在像上述那样沿规定的分割预定线21实施了上述第I改性层形成工序之后，将卡盘工作台41向用箭头Y表示的方向进行分度移动，移动量为形成于半导体晶片2的分割预定线21的间隔(分度工序)，完成上述第I改性层形成工序。在这样沿形成于第I方向的所有分割预定线21实施了上述第I改性层形成工序之后，使卡盘工作台41转动90度，沿在与形成于上述第I方向的分割预定线21正交的方向延伸的分割预定线21执行上述第I改性层形成工序。
[0069]在实施了上述的第I改性层形成工序之后，实施第2改性层形成工序，该第2改性层形成工序是这样的工序:将激光光线的聚光点定位在半导体晶片2的远离第I改性层210的正面2a侧进行照射，之后，在使聚光点依次移动至到达第I改性层210的区域的同时，层叠形成多个第2改性层。
[0070]在第2改性层形成工序中，如图5的(a)所示，使卡盘工作台41移动至照射激光光线的激光光线照射构件42的聚光器422所在的激光光线照射区域移动，将规定的分割预定线21的一端(图5的(a)中为左端)定位在激光光线照射构件42的聚光器422的正下方。接下来，将从聚光器422照射的脉冲激光光线的聚光点P定位在半导体晶片2的远离第I改性层210的正面2a侧。这时，在本实施方式中，将脉冲激光光线的聚光点P定位在从正面2a向背面2b侧例如60 μ m的位置。然后，从聚光器422照射对硅晶片具有透射性的波长的脉冲激光光线，同时使卡盘工作台41以规定的进给速度向图5的(a)中用箭头Xl表不的方向移动。然后，在如图5的(b)所不激光光线照射构件42的聚光器422的照射位置到达分割预定线21的另一端的位置之后，停止脉冲激光光线的照射，并且停止卡盘工作台41的移动。其结果是，如图5的(c)所示，以半导体晶片2的从正面2a向背面2b侧例如60 μ m的位置为中心，沿分割预定线21形成了第2改性层220 (第2改性层形成工序)。
[0071]上述第2改性层形成工序的加工条件例如设定为如下。
[0072]光源:LD激励Q开关Nd:YV04脉冲激光
[0073]波长:1064nm
[0074]重复频率:IMHz
[0075]平均输出:0.5W
[0076]聚光点直径:Φ I μ m
[0077]加工进给速度:700mm /秒
[0078]在像上述那样沿规定的分割预定线21实施了上述第2改性层形成工序之后，将卡盘工作台41向用箭头Y表示的方向进行分度移动，移动量为形成于半导体晶片2的分割预定线21的间隔(分度工序)，完成上述第2改性层形成工序。这样，在沿形成于第I方向的所有分割预定线21实施了上述第2改性层形成工序之后，使卡盘工作台41转动90度，沿在与形成于上述第I方向的分割预定线21正交的方向延伸的分割预定线21执行上述第2改性层形成工序。
[0079]如上述那样在半导体晶片2的远离第I改性层210的正面2a侧形成第2改性层220之后，在使脉冲激光光线的聚光点P以例如40 μ m的间隔依次移动至到达第I改性层210的区域的同时，实施上述第2改性层形成工序。其结果是，如图6所示那样在半导体晶片2的直至第I改性层210的区域层叠形成了多个第2改性层220。另外，在第2改性层形成工序中，构成为穿过第I改性层210照射脉冲激光光线，但根据本发明人的实验可知能够可靠地形成第2改性层220。在像这样实施了第2改性层形成工序时，第2改性层220从半导体晶片2的比第I改性层210靠正面2a侧的位置依次形成，从该第2改性层220产生的裂纹被导向首先在背面2b附近形成的第I改性层210而成为各向异性而被吸收。因此，半导体晶片2在沿形成有第I改性层210和第2改性层220的分割预定线21被切断的状态下，能够抑制在背面2b附近的切断面形成凹凸，因此，解决了使器件的抗弯强度降低、并且粉尘飞散而污染焊盘，使得器件的品质降低的问题。
[0080]在实施了上述的第2改性层形成工序之后，虽然不是必要的，但可以实施第3改性层形成工序，该第3改性层形成工序是这样的工序:将脉冲激光光线的聚光点定位在比第2改性层220靠半导体晶片2的正面2a侧的位置进行照射，由此在半导体晶片2的正面2a附近形成第3改性层。
[0081]在第3改性层形成工序中，如图7的(a)所示，使卡盘工作台41移动至照射激光光线的激光光线照射构件42的聚光器422所在的激光光线照射区域，将规定的分割预定线21的一端(图7的(a)中为左端)定位在激光光线照射构件42的聚光器422的正下方。接下来，将从聚光器422照射的脉冲激光光线的聚光点P定位在半导体晶片2的比第2改性层220靠正面2a侧的位置。这时，在本实施方式中，将脉冲激光光线的聚光点P定位在半导体晶片2的从正面2a向背面2b侧例如20 μ m的位置。然后，从聚光器422照射对硅晶片具有透射性的波长的脉冲激光光线，同时使卡盘工作台41以规定的进给速度向图7的(a)中用箭头Xl表示的方向移动。然后，在如图7的(b)所示激光光线照射构件42的聚光器422的照射位置到达分割预定线21的另一端的位置之后，停止脉冲激光光线的照射，并且停止卡盘工作台41的移动。其结果是，如图7的(c)所示，以半导体晶片2的从正面2a向背面2b侧例如20 μ m的位置为中心，沿分割预定线21形成了第3改性层230 (第3改性层形成工序)。
[0082]另外，上述第3改性层形成工序的加工条件在图示的实施方式中被设定为与上述第2改性层形成工序的加工条件相同。
[0083]在像上述那样沿规定的分割预定线21实施了上述第3改性层形成工序之后，使卡盘工作台41向用箭头Y表示的方向进行分度移动，移动量为形成于半导体晶片2的分割预定线21的间隔(分度工序)，完成上述第3改性层形成工序。这样，在沿形成于第I方向的所有分割预定线21实施了上述第3改性层形成工序之后，使卡盘工作台41转动90度，沿在与形成于上述第I方向的分割预定线21正交的方向延伸的分割预定线21执行上述第3改性层形成工序。
[0084]通过像这样在半导体晶片2的正面2a附近形成第3改性层230，能够顺畅地进行后述的分割工序中的晶片的分割。
[0085]在实施了由上述的第I改性层形成工序、第2改性层形成工序和第3改性层形成工序构成的改性层形成工序之后，实施晶片支承工序，该晶片支承工序是这样的工序:将实施了改性层形成工序的半导体晶片2的背面2b粘贴于在环状框架安装的粘贴带的表面，并且将在半导体晶片2的正面2a粘贴的保护带3剥离。S卩，如图8所示那样将半导体晶片2的背面2b侧粘贴在切割带T上，该切割带T为安装于环状框架F的粘贴带。因此，粘贴于半导体晶片2的正面2a的保护带3成为上侧。然后，将粘贴于半导体晶片2的正面2a的作为保护部件的保护带3剥离。
[0086]接下来，实施分割工序，该分割工序是这样的工序:对半导体晶片2施加外力，由此将半导体晶片2沿形成有第I改性层210、第2改性层220和第3改性层230的分割预定线21分割成一个个器件。该分割工序使用图9所示的分割装置5来实施。图9所示的分割装置5具备:框架保持构件51，其用于保持上述环状框架F ;带扩张构件52，其用于对切割带T进行扩张，该切割带T安装于由该框架保持构件51保持的环状框架F ;以及拾取夹头53。框架保持构件51由环状的框架保持部件511和作为固定构件的多个夹紧器512构成，该多个夹紧器512配设在该框架保持部件511的外周。框架保持部件511的上表面形成了用于载置环状框架F的载置面511a，在该载置面511a上载置有环状框架F。并且，在载置面511a上载置的环状框架F被夹紧器512固定于框架保持部件511。这样构成的框架保持构件51被支承成能够借助于带扩张构件52而在上下方向上进退。
[0087]带扩张构件52具备扩张鼓521，该扩张鼓521配设在上述环状的框架保持部件511的内侧。该扩张鼓521具有比环状框架F的内径小、且比粘贴于在该环状框架F安装的切割带T上的半导体晶片2的外径大的内径和外径。并且，扩张鼓521在下端具备支承凸缘522。图示的实施方式中的带扩张构件52具备支承构件523，该支承构件523能够使上述环状的框架保持部件511在上下方向上进退。该支承构件523由配设于上述支承凸缘522上的多个气缸523a构成，其该支承构件523的活塞杆523b与上述环状的框架保持部件511的下表面连结。这样由多个气缸523a构成的支承构件523使环状的框架保持部件511在基准位置和扩张位置之间在上下方向上移动，在基准位置，如图10的(a)所示，载置面511a与扩张鼓521的上端处于大致相同高度，在扩张位置，如图10的(b)所示，载置面511a比扩张鼓521的上端靠下方规定的量。
[0088]参照图10，对使用如上那样构成的分割装置5来实施的分割工序进行说明。S卩，将环状框架F (在该框架F安装有切割带T，在切割带T粘贴有半导体晶片2)如图10的(a)所示地载置在构成框架保持构件51的框架保持部件511的载置面511a上，并利用夹紧器512固定于框架保持部件511框架保持工序)。这时，框架保持部件511被定位在图10的(a)所示的基准位置。接下来，使构成带扩张构件52的作为支承构件523的多个气缸523a工作，使环状的框架保持部件511下降到图10的(b)所示的扩张位置。因此，在框架保持部件511的载置面511a上固定的环状框架F也下降，因此，如图10的(b)所示那样，在环状框架F上安装的切割带T与扩张鼓521的上端缘接触而扩张(带扩张工序)。其结果是，拉伸力呈放射状地作用于在切割带T上粘贴的半导体晶片2，因此，沿形成有第I改性层210、第2改性层220和第3改性层230而强度降低了的分割预定线21分离成一个个器件22，并且在器件间形成有间隔S。
[0089]接下来，如图10的(C)所示那样，使拾取夹头53工作来吸附器件22，将器件22从切割带T剥离并进行拾取，搬送到未图示的托盘或者芯片结合工序。另外，在拾取工序中，像上述那样在切割带T上粘贴的一个个器件22间的间隙S扩大，因此，能够在不与相邻的器件22接触的情况下容易地进行拾取。
【权利要求】
1.一种晶片的加工方法，是将晶片沿分割预定线分割成一个个器件的方法，所述晶片在正面呈格子状地形成有多个分割预定线，并且在由多个分割预定线划分出的多个区域形成有器件， 所述晶片的加工方法的特征在于，具备: 改性层形成工序，从晶片的背面侧沿分割预定线照射对晶片具有透射性的波长的激光光线，沿分割预定线在晶片的内部形成改性层；以及 分割工序，对实施了该改性层形成工序的晶片施加外力，由此将晶片沿形成了改性层的分割预定线分割成一个个器件， 该改性层形成工序包括: 第I改性层形成工序，将激光光线的聚光点定位在晶片的背面附近进行照射，由此在晶片的背面附近形成第I改性层；以及 第2改性层形成工序，将激光光线的聚光点定位在实施了该第I改性层形成工序的晶片的远离该第I改性层的正面侧进行照射，之后，在使聚光点依次移动至到达该第I改性层的区域的同时，层叠形成多个第2改性层。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中， 在实施了该第2改性层形成工序之后，实施第3改性层形成工序，在所述第3改性层形成工序中，将激光光线的聚光点定位在比该第2改性层靠晶片的正面侧的位置进行照射，由此在晶片的正面附近形成第3改性层。
【文档编号】H01L21/78GK104078425SQ201410103838
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2014年3月20日 优先权日:2013年3月27日
【发明者】中村胜 申请人:株式会社迪思科