F上。
[0058] 接下来，对在半导体晶片2上沿分割预定线21形成断裂起点的实施方式进行说 明。形成该断裂起点的实施方式实施如下的改质层形成工序：从半导体晶片2的背面将聚 光点定位于内部并沿分割预定线21照射对于半导体晶片2具有透过性的波长的激光光线， 在半导体晶片10的内部沿分割预定线21形成作为断裂起点的改质层。使用图7所示的激 光加工装置7来实施该改质层形成工序。图7所示的激光加工装置7具备：卡盘工作台71， 其保持被加工物；激光光线照射机构72,其对保持于该卡盘工作台71上的被加工物照射激 光光线；以及拍摄机构73,其对保持于卡盘工作台71上的被加工物进行拍摄。卡盘工作台 71构成为对被加工物进行吸引保持，并通过未图示的移动机构使卡盘工作台71在图7中向 箭头X所示的加工进给方向以及箭头Y所示的分度进给方向移动。
[0059] 上述激光光线照射机构72从安装于配置为实质上水平的圆筒形状的外壳721的 末端的聚光器722照射脉冲激光光线。此外，在本实施方式中作为安装在构成上述激光光 线照射机构72的外壳721的末端部的拍摄机构73,除了通过可视光线进行拍摄的通常的拍 摄元件（CXD)以外还包括：红外线照明机构，其对被加工物照射红外线；光学系统，其捕捉 通过该红外线照明机构而照射的红外线；以及拍摄元件（红外线CCD)等，其输出与通过该 光学系统捕捉到的红外线相对应的电子信号，并将拍摄到的图像信号发送至未图示的控制 机构。
[0060] 参照图7以及图8对使用上述激光加工装置7而实施的改质层形成工序进行说 明。
[0061] 作为该改质层形成工序，首先将半导体晶片2的正面2a侧载置于上述图7所示的 激光加工装置7的卡盘工作台71上。并且，通过未图示的吸引机构将半导体晶片2吸附保 持于卡盘工作台71上（晶片保持工序）。因此，对于保持于卡盘工作台71上的半导体晶片 2而言，背面2b是上侧。这样，对半导体晶片2进行吸引保持的卡盘工作台71通过未图示 的加工进给机构被定位于拍摄机构73的正下方。
[0062] 如果卡盘工作台71被定位于拍摄机构73的正下方，则通过拍摄机构73以及未图 示的控制机构来执行对半导体晶片2的要进行激光加工的加工区域进行检测的对准作业。 即，拍摄机构73以及未图示的控制机构执行模式匹配等图像处理，该模式匹配等图像处理 用于进行形成在半导体晶片2的第1方向上的分割预定线21与沿分割预定线21照射激光 光线的激光光线照射机构72的聚光器722的对位，从而实现激光光线照射位置的对准。此 外，针对在第2方向延伸的分割预定线21也同样执行激光光线照射位置的对准，所述第2 方向相对于形成在半导体晶片2的上述第1方向垂直。此时，半导体晶片2的形成有分割 预定线21的正面2a位于下侧，但是由于拍摄机构73如上述那样具有由红外线照明机构和 捕捉红外线的光学系统以及输出与红外线相对应的电子信号的拍摄元件（红外线CCD)等 构成的拍摄机构，因此能够从背面2b透过并拍摄分割预定线21。
[0063] 像上述那样，如果对保持于卡盘工作台71上的半导体晶片2上形成的分割预定线 21进行了检测，并进行了激光光线照射位置的对准，则如图8的（a)所示，将卡盘工作台71 移动至照射激光光线的激光光线照射机构72的聚光器722所在的激光光线照射区域，将规 定的分割预定线21的一端（图8的（a)中的左端）定位于激光光线照射机构72的聚光器 722的正下方。接下来，将从聚光器722照射的脉冲激光光线的聚光点P定位于半导体晶 片2的厚度方向的中间部。并且，一边从聚光器722照射对于硅晶片具有透过性的波长的 脉冲激光光线，一边使卡盘工作台71以规定的进给速度向图8的（a)中箭头XI所示的方 向移动。并且，如图8的（b)所示，如果激光光线照射机构72的聚光器722的照射位置到 达分割预定线21的另一端的位置，则停止脉冲激光光线的照射，并且停止卡盘工作台71的 移动。结果，在半导体晶片2的内部沿分割预定线21形成改质层23。
[0064] 另外，上述改质层形成工序中的加工条件例如被设定为如下。
[0065] 光源 ：YAG脉冲激光 波 ： 1064nm 重复频率 ：100kHz 平均输出 ：0.3W 聚光光斑直径 ：φ?μιη 加工进给速度 ：100mm/.秒
[0066] 如果如上述那样沿规定的分割预定线21实施上述改质层形成工序，则使卡盘工 作台71向箭头Y所示的方向以形成在半导体晶片2上的分割预定线21的间隔的量分度进 给（分度进给工序），执行上述改质层形成工序。如果像这样，沿着形成在第1方向上的全 部的分割预定线21实施了上述改质层形成工序，则使卡盘工作台51转动90度，沿着在相 对于形成在上述第1方向上的分割预定线21垂直的第2方向上延伸的分割预定线21执行 上述改质层形成工序。
[0067] 接下来，实施晶片支承工序，将粘合膜安装到实施了上述改质层形成工序的半导 体晶片2的背面，并且在粘合膜侧粘贴划片带，并通过环状的框架支承该划片带的外周部。 在该晶片支承工序中的实施方式中，如图9的（a)以及（b)所示，将粘合膜6安装到半导体 晶片2的背面2b(粘合膜安装工序）。其中，粘合膜6为了可靠地安装于半导体晶片2的整 个背面而形成为比半导体晶片2稍大。如果像这样将粘合膜6安装到半导体晶片2的背面 2b，如图9的（c)所示，将安装有粘合膜6的半导体晶片2的粘合膜6侧粘贴到安装于环状 的框架F的能够伸展的划片带T上。另外，在图9的（a)至（c)所示的实施方式中，示出了 将安装有粘合膜6的半导体晶片2的粘合膜6侧粘贴到安装于环状的框架F的划片带T上 的例子，但是也可以将划片带T粘贴到安装有粘合膜6的半导体晶片2的粘合膜6侧并且 同时将划片带T的外周部安装于环状的框架F。
[0068] 参照图10对上述晶片支承工序的其他的实施方式进行说明。
[0069] 图10所示的实施方式使用带有粘合膜的划片带，在该划片带T的表面上预先粘贴 有粘合膜6。即，如图10的（a)、（b)所示，将半导体晶片2的背面2b安装到粘贴于划片带 T的表面的粘合膜6上，所述划片带T的外周部以覆盖环状的框架F的内侧开口部的方式安 装。这样，在使用带有粘合膜的划片带的情况下，通过将半导体晶片2的背面2b安装到粘 贴于划片带T的表面的粘合膜6上，从而安装有粘合膜6的半导体晶片2通过安装于环状 的框架F的划片带T而被支承。另外，为了对半导体晶片2的整个背面可靠地进行安装，预 先粘贴于划片带T的表面的粘合膜6也形成为比半导体晶片2稍大。在上述图10的（a)、 (b)所示的实施方式中示出了将半导体晶片2的背面2b安装到粘贴在外周部安装于环状 的框架F的划片带T的表面的粘合膜6上的例子，但是也可以将粘贴于划片带T的粘合膜 6安装到半导体晶片2的背面2b上并且将划片带T的外周部同时安装到环状的框架F上。
[0070] 接下来，实施保护膜形成工序，将水溶性树脂覆盖于半导体晶片2的正面2a、或者 从半导体晶片2的外周缘伸出的粘合膜6的外周部、或者半导体晶片2的正面2a以及从半 导体晶片2的外周缘伸出的粘合膜6的外周部来形成保护膜。参照图11至图13对该保护 膜形成工序的实施方式进行说明。
[0071] 图11所示的第1实施方式是将水溶性树脂涂敷到实施了上述晶片支承工序的半 导体晶片2的正面2a上来形成保护膜8。形成该保护膜8的水溶性树脂能够使用聚乙烯醇 (PVA)、水溶性酚醛树脂、丙烯酸系水溶性树脂等。另外，第1实施方式中的保护膜形成工序 也可以在上述分割槽形成工序和保护部件粘贴工序之间实施。此外，第1实施方式中的保 护膜形成工序也可以在上述改质层形成工序和晶片支承工序之间实施。
[0072] 图12所示的第2实施方式是将水溶性树脂涂敷到从实施了上述晶片支承工序的 半导体晶片2的外周缘伸出的粘合膜6的外周部61上来形成保护膜8。
[0073] 图13所示的第3实施方式是将水溶性树脂涂敷到实施了上述晶片支承工序的半 导体晶片2的正面2a以及从半导体晶片2的外周缘伸出的粘合膜6的外周部61上来形成 保护膜8。
[0074] 如果如上述那样实施了保护膜形成工序，则实施粘合膜断裂工序，通过扩展划片 带T而使粘合膜6沿一个个器件芯片22断裂。该粘合膜断裂工序使用图14所示的带扩展 装置9来实施。图14所示的带扩展装置9具备：框架保持机构91，其保持上述环状的框架 F;以及带扩展机构92,其对安装在保持于该框架保持机构91的环状的框架F上的划片带Τ 进行扩展。框架保持机构91由环状的框架保持部件911以及作为配设于该框架保持部件 911的外周的固定机构的多个夹具912构成。框架保持部件911的上表面形成有对环状的 框架F进行载置的载置面911a，在该载置面911a上载置环状的框架F。并且，载置在载置 面911a上的环状的框架F通过夹具912被固定于框架保持部件911。这样构成的框架保持 机构91通过带扩展机构92而被支承为能够在上下方向上进退。
[0075] 带扩展机构92具备配设于上述环状的框架保持部件911的内侧的扩展鼓921。该 扩展鼓921具有比环状的框架F的内径小而比粘贴在安装于该环状的框架F的划片带T上 的半导体晶片2的外径大的内径以及外径。此外，扩展鼓921在下端具备支承凸缘922。本 实施方式中的带扩展机构92具备能够使上述环状的框架保持部件911在上下方向上进退 的支