专利名称：离线可钢低辐射镀膜玻璃及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种玻璃及其制造方法，特别是一种离线可钢低辐射镀膜玻璃及其制造方法。
背景技术：
现有普通离线低辐射镀膜玻璃由于膜系配置采用其他的材料，膜层耐侯性、耐酸碱性都较差，膜层质软，容易氧化，且很难实现异地加工。离线可钢低辐射镀膜玻璃，采用氮化硅Si3N4膜层作为保护层，其对氧气具有很低的扩散系数，有较好的稳定性，针孔密度非常低。磁控溅射沉积的氮化硅膜层致密、平整且硬度很高，对可动离子有非常强的阻挡能力，在1200°C时不发生氧化，有较好的抗蚀性，所以，使用Si3N4膜层作为离线可钢低辐射镀膜玻璃的顶层保护膜，实现离线可钢低辐射镀膜玻璃耐高温的性能，从而实现远程异地化的切割、磨边、钢化、中空等后续加工。
发明内容
本发明的目的是为了克服普通离线低辐射镀膜玻璃不能进行热处理的不足，提供一种够很强的阻隔红外线，具有很好的隔热功效，同时也能实现异地化后续深加工的离线可钢低辐射镀膜玻璃及其制造方法。本发明的目的通过以下技术方案来实现一种离线可钢低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片，玻璃基片上设有依次设有氮化硅Si3N4、金属镍铬NiCr、金属银Ag、金属镍铬NiCr、氮化娃Si3N4。玻璃基片的厚度为3mm 15mm,氮化娃Si3N4的厚度为35nm 45nm,金属镍铬NiCr的厚度为I. 5 2. 5nm,金属银Ag的厚度为6 10nm，金属镍铬NiCr的厚度为2 2. 5nm,氮化娃Si3N4的厚度为55 65nm。本发明的进一步改进在于玻璃基片的厚度为3mm 15mm,氮化娃Si3N4的厚度为37nm，金属镍铬NiCr的厚度为I. 9nm,金属银Ag的厚度为8nm，金属镍铬NiCr的厚度为
2.Inm,氮化娃Si3N4的厚度为57nm。一种离线可钢低辐射镀膜玻璃的制备方法，包括以下步骤
A :选择3 15mm玻璃基片，按预定尺寸切割，用清洗机对玻璃片进行清洗；
B :将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为IO3 Pa，线速度设置为3. 5米/分钟；C :将玻璃基片送入镀膜室，依次设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为49KW 60KW，在玻璃基片上溅射第一层35nm 45nm的氮化硅Si3N4 ；
D :设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为0. 5KW 0. 75KW，在玻璃基片上溅射第二层I. 5nm 2. 5nm的金属镍铬NiCr ；
E :设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为2. IKff 3. 2KW，在玻璃基片上溅射第三层6nm IOnm的金属银Ag ；
F :设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为0. 6KW 0. 80KW，在玻璃基片上溅射第四层2nm 2. 5nm的金属镍铬NiCr ；G :设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为77KW 85KW，在玻璃基片上溅射第五层55nm 65nm的氮化娃Si3N4。本发明的进一步改进在于
所述步骤A中，玻璃基片的厚度为6mm ；
所述步骤C中，设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为52KW，在玻璃基片上溅射第一层37nm的氮化娃Si3N4 ；
所述步骤D中，设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为0. 63KW，在玻璃基片上溅射第二层I. 9nm的金属镍铬NiCr ；
所述步骤E中，设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为2. 8KW，在玻璃基片上溅射第三层8nm的金属银Ag ；
所述步骤F中，设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为0. 69KW，在玻璃基片上溅射第四层2. Inm的金属镍铬NiCr ；
所述步骤G中，设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为80KW，在玻璃基片上溅射第五层57nm的氮化娃Si3N4。本发明与现有技术相比具有以下优点离线可钢低辐射镀膜玻璃的顶层采用扩散系数很低的氮化硅Si3N4作为保护层，能够使膜层在钢化炉中进行热处理而不使膜层破坏，且保持了原有热工性能，同时将原片也进行了钢化处理，而且生产出来的离线可钢低辐射镀膜玻璃能够很强的阻隔红外线、具有很好的隔热功效，同时也能实现异地化后续深加工。
具体实施例方式
为了加深对发明的理解，下面将结合实施例对本发明作进一步详述，该实施例仅用于解释本发明，并不构成对本发明保护范围的限定。本发明离线可钢低辐射镀膜玻璃的一种实施方式为离线可钢低辐射镀膜玻璃是在3mm 15mm的玻璃基片上依次设有35nm 45nm的氮化娃Si3N4,1. 5 2. 5nm的金属镍铬NiCr，6 IOnm的金属银Ag，2 2. 5nm的金属镍铬NiCr，55 65nm的氮化硅Si3N4,其中所述氮化娃Si3N4的最佳厚度为37nm,所述金属镍铬NiCr的最佳厚度为I. 9nm,所述金属银Ag的最佳厚度为8nm,所述金属镍铬NiCr的最佳厚度为2. Inm,所述氮化娃Si3N4的最佳厚度为57nm。离线可钢低辐射镀膜玻璃的制备方法，包括以下步骤
A :选择3 15mm玻璃基片，按预定尺寸切割，用清洗机对玻璃片进行清洗；
B :将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为IO3 Pa，线速度设置为3. 5米/分钟；C :将玻璃基片送入镀膜室，依次设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为49KW 60KW，在玻璃基片上溅射第一层35nm 45nm的氮化硅Si3N4 ；
D :设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为0. 5KW 0. 75KW，在玻璃基片上溅射第二层I. 5nm 2. 5nm的金属镍铬NiCr ；
E :设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为2. IKW 3. 2KW，在玻璃基片上溅射第三层6nm IOnm的金属银Ag ；
F :设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为0. 6KW 0. 80KW，在玻璃基片上溅射第四层2nm 2. 5nm的金属镍铬NiCr ；
G :设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为77KW 85KW，在玻璃基片上溅射第五层55nm 65nm的氮化娃Si3N4 ；
本发明具有在实现膜层的低辐射率和低传热性能的基础上，能够同时实现可进行异地热处理等深加工的优点。实施例I :
在双端离线高真空磁控溅射镀膜设备中，使其基础真空达到IO3Pa，线速度为3. 5米/ 分钟时，在6mm玻璃基片上依次溅射37nm的氮化硅Si3N4,1. 9nm的金属镍铬NiCr，8nm的金属银Ag, 2. Inm的金属镍铬NiCr, 57nm的氮化娃Si3N4。离线可钢低辐射镀膜玻璃的顶层采用扩散系数很低的氮化硅Si3N4作为保护层，能够使膜层在钢化炉中进行热处理而不使膜层破坏，且保持了原有热工性能，同时将原片也进行了钢化处理，而且生产出来的离线可钢低辐射镀膜玻璃能够很强的阻隔红外线、具有很好的隔热功效，同时也能实现异地化后续深加工。
权利要求
1.一种离线可钢低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片，其特征在于所述玻璃基片上依次设有氮化硅Si3N4、金属镍铬NiCr、金属银Ag、金属镍铬NiCr、氮化硅Si3N4。
2.根据权利要求I所述离线可钢低辐射镀膜玻璃，其特征在于所述玻璃基片的厚度为3mm 15mm,所述氮化娃Si3N4的厚度为35nm 45nm,所述金属镍铬NiCr的厚度为I. 5 2. 5nm,所述金属银Ag的厚度为6 IOnm,所述金属镍铬NiCr的厚度为2 2. 5nm,所述氮化娃Si3N4的厚度为55 65nm。
3.根据权利要求I或2所述离线可钢低辐射镀膜玻璃，其特征在于所述玻璃基片的厚度为3mm 15mm,所述氮化娃Si3N4的厚度为37nm,所述金属镍铬NiCr的厚度为I. 9nm,所述金属银Ag的厚度为8nm，所述金属镍铬NiCr的厚度为2. lnm，所述氮化硅Si3N4的厚度为 57nm。
4.一种离线可钢低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于包括以下步骤 A :选择3 15mm玻璃基片，按预定尺寸切割，用清洗机对玻璃片进行清洗； B :将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为IO3 Pa，线速度设置为3. 5米/分钟；C :将玻璃基片送入镀膜室，依次设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为49KW 60KW，在玻璃基片上溅射第一层35nm 45nm的氮化硅Si3N4 ； D :设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为0. 5KW 0. 75KW，在玻璃基片上溅射第二层I. 5nm 2. 5nm的金属镍铬NiCr ； E :设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为2. IKW 3. 2KW，在玻璃基片上溅射第三层6nm IOnm的金属银Ag ； F :设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为0. 6KW 0. 80KW，在玻璃基片上溅射第四层2nm 2. 5nm的金属镍铬NiCr ； G :设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为77KW 85KW，在玻璃基片上溅射第五层55nm 65nm的氮化娃Si3N4。
5.根据权利要求4所述离线可钢低辐射镀膜玻璃ALT160的制备方法，其特征在于 所述步骤A中，玻璃基片的厚度为6mm ； 所述步骤C中，设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为52KW，在玻璃基片上溅射第一层37nm的氮化娃Si3N4 ； 所述步骤D中，设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为0. 63KW，在玻璃基片上溅射第二层I. 9nm的金属镍铬NiCr ； 所述步骤E中，设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为2. 8KW，在玻璃基片上溅射第三层8nm的金属银Ag ； 所述步骤F中，设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为0. 69KW，在玻璃基片上溅射第四层2. Inm的金属镍铬NiCr ； 所述步骤G中，设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为80KW，在玻璃基片上溅射第五层57nm的氮化娃Si3N4。
全文摘要
本发明公开了一种离线可钢低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片，玻璃基片上设有依次设有氮化硅Si3N4、金属镍铬NiCr、金属银Ag、金属镍铬NiCr、氮化硅Si3N4；离线可钢低辐射镀膜玻璃的制备方法为在双端离线高真空磁控溅射镀膜设备中，使其基础真空达到10 3Pa，线速度为3.5米/分钟时，在玻璃上依次溅射氮化硅Si3N4、金属镍铬NiCr、金属银Ag、金属镍铬NiCr、氮化硅Si3N4。本发明具有在实现膜层的低辐射率和低传热性能的基础上，能够同时实现可进行异地热处理等深加工的优点。
文档编号B32B9/04GK102615877SQ2012100871
公开日2012年8月1日 申请日期2012年3月29日 优先权日2012年3月29日
发明者陈颖玺, 顾海波 申请人:江苏奥蓝工程玻璃有限公司