液体排出头的制造方法和排出口部件的制造方法

文档序号:2509513阅读:165来源:国知局
专利名称:液体排出头的制造方法和排出口部件的制造方法
技术领域
本发明涉及具有排出液体的排出口的液体排出头的制造方法和用于液体排出头 的排出口部件的制造方法。
背景技术
液体排出头可被用作安装在喷墨打印机上的喷墨头。日本专利申请公开 NO.H03-049960公开了通过电铸法(electroforming)形成具有排出墨水的排出口并被用 于喷墨打印机的排出口部件的方法。将详细描述通过使用电铸法形成排出口部件的方法。图11是液体排出头1中的 排出口和液体流路的部分的放大截面图。排出口部件11具有多个排出口 12,并且,排出口 部件11通过粘接剂16被固定到流路壁13上。流路壁13被布置在元件基板10上,元件基 板10具有产生用于排出墨水的能量的能量产生元件14。作为被流路壁13、元件基板10和 排出口部件11包围的区域的液体室被墨水填充。通过由能量产生元件14产生的能量,使 液体室内的墨水作为墨滴从排出口部件11的排出12飞行并粘附于打印纸上。作为在排出口部件11中形成排出口 12的方法,存在大量的方法,例如,钻孔、放电 加工、激光加工和电铸法等是通常已知的。在这些方法中,电铸法具有可以以低成本形成多 个排出口 12的优点。图4A 4C是用于描述通过电铸法形成排出口 12的例子的示图。首先,如图4A 所示,在导电基板21上涂敷由感光树脂制成的抗蚀剂17。然后,在抗蚀剂17上布置具有开 口的掩模18。另外,在掩模18中,一开口和与其相邻的另一开口之间的距离(图4A中的箭 头部分)为D。然后,通过使用曝光光19,抗蚀剂17的与开口对应的部分被曝光。当这些 部分经受显影处理时,抗蚀剂17如图4B所示的那样被显影。另外,抗蚀剂17的厚度为定 义为tD。然后,当通过电铸法在导电基板21上镀覆M(镍)时,如图4C所示,镀镍20被层 叠。此时,在镀镍20之间形成具有直径d的排出口。当镀镍20的厚度(参照图4C)被定 义为tN时,直径d基本上由下式表达。d=D-2(tN-tD)(式 ι)因此,d由掩模中的一开口和与其相邻的另一开口之间的距离D、抗蚀剂17的厚度 tD和镀镍20的厚度tN确定。由于tD是可忽略不计的,因此,在d不变的情况下,当排出口 之间的距离变小时,镀层的厚度必须变小。换句话说,随着排出口的密度变高,排出口部件变薄。这里,引向通过镀覆形成的排出口部件的排出口 12的流路由曲面形成,使得其直 径向着排出口 12逐渐变小。当排出口部件被形成为使得该部件的厚度变小的形状时,变得 难以使排出液滴沿着该液滴向基板101直进的方向飞行。

发明内容
因此,本发明的目的是提供一种通过使用电铸法有效地制造具有高排出性能的排出口形成部件的方法。一种液体排出头的制造方法,该液体排出头具有基板和排出口部件,该基板包含 产生用于排出液体的能量的能量产生元件,该排出口部件具有排出液体的排出口并与基板 接合,由此形成与排出口连通的液体流路,该方法依次执行以下的步骤制备导电基底,在 该导电基底上依次层叠有用于形成排出口的第一绝缘抗蚀剂和第二绝缘抗蚀剂;通过使用 第一抗蚀剂和第二抗蚀剂作为掩模执行镀覆,并形成第一镀层,使得第一镀层的顶面距基 底的高度比第一抗蚀剂的顶面距基底的高度高并比第二抗蚀剂的顶面距基底的高度低;去 除第二抗蚀剂;通过使用第一抗蚀剂作为掩模在基底上执行镀覆,由此形成第二镀层以覆 盖第一镀层;去除基底和第一抗蚀剂,由此形成排出口部件;和将基板和排出口部件接合 在一起。根据本发明,可有效地通过使用电铸法制造具有高排出性能的排出口形成部件。参照附图阅读示例性实施例的以下说明,本发明的其它特征将变得显而易见。


图1是示出液体排出头中的排出口形成部件的周边的示意图。图2是图1的线II-II的截面示意图。图3A、图3B、图3C、图3D、图3E、图3F和图3G是用于描述本实施例的排出口形成 部件的制造过程的过程截面图。图4A、图4B和图4C是用于描述常规排出口形成部件的形成过程流程的过程截面 图。图5A、图5B、图5C、图5D、图5E和图5F是用于描述本发明的排出口形成部件的制 造方法的过程截面图。图6是示出在本实施例中制造的排出口形成部件的配置例子的示意图。图7是图6的线VII-VII的截面示意图,该图示出具有在本实施例中制造的排出 口形成部件的液体排出头的配置例子。图8A、图8B、图8C、图8D、图8E、图8F和图8G是用于描述本实施例的排出口形成 部件的制造过程的过程截面图。图9A、图9B、图9C、图9D、图9E和图9F是用于描述本实施例的排出口形成部件的 制造过程的过程截面图。图10是示出具有在本实施例中制造的排出口形成部件的液体排出头的配置例子 的截面示意图。图11是具有常规排出口形成部件的液体排出头的截面示意图。
具体实施例方式现在将根据附图详细描述本发明的优选实施例。本发明涉及具有排出液体的排出口的用于液体排出头的排出口形成部件的制造 方法。另外,通过使用电铸法执行至少两个镀覆处理,形成排出口形成部件。将参照图5A 5F描述与本发明有关的排出口形成部件的制造过程。首先,如图5A所示,制备导电基板(基底)1408。然后,如图5B所示,在导电基板上的排出口的形成位置处形成包含第一抗蚀剂层1409'和第一抗蚀剂层上的第二抗蚀剂 层1410'的结构,该第一抗蚀剂层1409'和第二抗蚀剂层1410'成为形成排出口的尖端 部分的成型材料(molding material) 0即,在导电基板上在要形成排出口的位置处形成包 含第一抗蚀剂层1409'和第二抗蚀剂层1410'的结构。第一抗蚀剂层1409'的厚度可被设为例如0.01 ΙΟμπκ优选被设为0.01 3 μ m、更优选被设为0. 1 2 μ m。第二抗蚀剂层1410'的厚度可被设为例如1 1000 μ m、优选被设为5 200 μ m、 更优选被设为10 100 μ m。作为导电基板的材料,可以使用具有导电性的任何材料。例如,可以使用金属基 板或在诸如树脂、陶瓷和玻璃的材料上形成导电层的基板。通过使用诸如铜、镍、铬和铁的 导电金属作为材料,通过诸如溅射方法、气相沉积方法、镀覆和离子镀覆方法的薄膜形成方 法,形成导电层。然后,如图5C所示,通过使用电铸法在导电基板的露出导电表面上形成第一镀层 1413,使得高度高于第一抗蚀剂层的顶面并低于第二抗蚀剂层的顶面。S卩,通过执行第一镀 覆处理,在导电基板1408的露出表面上形成第一镀层1413。此时,形成第一镀层,使得其高 度高于第一抗蚀剂层的顶面并低于第二抗蚀剂层的顶面。第一镀层1413的高度可被设为例如2 500 μ m、优选被设为5 80 μ m。通过在
该范围中设定第一镀层,可进一步提高液滴的直进性能。通过使用电铸法执行镀覆处理。作为电铸法,例子可以是将导电基板浸入诸如氨 基磺酸镍浴液的镀覆浴液中并向导电基板施加电流由此电析镍等的方法。然后,如图5D所示,去除第二抗蚀剂层。然后,如图5E所示,通过使用电铸法在第一镀层1413周围形成第二镀层1413', 并且形成排出口。即,执行第二镀覆处理,以形成第二镀层1413'、形成排出口并形成排出 口形成部件。虽然作为第二镀层的材料可以使用与上述的第一镀层的材料不同的材料,但是, 从第二镀层和第一镀层之间的紧密接触的观点看,优选由相同的材料形成第二镀层和第一 镀层。可以使用相同的材料。如图5F所示,由于由本发明形成的排出口形成部件不具有边缘,并且排出口的截 面形状具有直线部分,因此,可以提高液滴的直进性能。另外,即使喷嘴的密度为极高的密 度,也可保证排出口形成部件所需要的厚度。因此,可以通过本发明使用电铸法制造具有优 异的排出性能的排出口形成部件。另外,本发明可通过使用电铸法制造具有高密度排出口 的排出口形成部件。以下,将参照附图描述本发明的实施例。另外,虽然将以喷墨记录头为本发明的应 用例进行以下的描述,但是,本发明的应用范围不限于此,并且也可被应用于生物芯片的制 造或者用于电子电路印刷的液体排出头的制造。除了喷墨记录头以外,液体排出头还包含 例如用于制造滤色器的头。(实施例1)以下,将参照附图描述本发明的实施例1。图1是示出在本实施例中制造的用于液体排出头的排出口形成部件的周边的示意图。另外,图2是图1的线II-II的示意性截面图。在图2中,液体排出头100具有元件基板101和构成与排出口 104连通的流路115 的流路壁103。另外,元件基板101包含产生用于排出墨水的能量的多个能量产生元件(例 如,加热元件)102。另外,能量产生元件102位于流路115下面。另外,通过光刻法在元件 基板101上形成流路壁103。另外,排出口形成部件105形成有排出墨水的排出口 104,并 且,排出口形成部件105接合到流路壁103的顶部上。在图1中,元件基板101具有电极部分(未示出),并且与电气布线带106电连接。 另外,元件基板101和电气布线带106之间的电连接部分被涂覆有保护电连接部分免受墨 水影响的铅密封剂107。虽然元件基板101的材料不被特别限制,但是Si可以是例子。另外,元件基板的 厚度可被设为例如0. 2 1mm。作为流路壁103的材料,例如,可以使用感光树脂,该感光树脂是可由光构图的材 料。另外,流路壁的材料优选具有作为可耐受包含于诸如墨水的液体中的溶剂的材料的环 氧树脂。另外,可对于流路壁103和排出口形成部件105之间的接合使用粘接剂。另外,在 流路壁103被光学构图之后,在不使用粘接剂的情况下,流路壁103和排出口形成部件105 可被连接在一起,并通过加热被接合在一起。虽然铅密封剂107的材料优选为通过热或光固化的环氧树脂或丙烯酸酯树脂,但 是,该材料不限于此,并且可被适当地选择。在本实施例中,例如,喷嘴之间的间距可被设为1200dpi,并且,排出口的孔径d' 可被设为10 μ m。在图3A 3G中示出用于制造排出口形成部件105的过程图。首先,如图3A所示,在导电基板108上层叠第一抗蚀剂材料109和第二抗蚀剂材 料110。另外,以下,第一抗蚀剂材料也被称为下层抗蚀剂材料,并且,第二抗蚀剂材料也被 称为上层抗蚀剂材料。虽然负或正抗蚀剂材料可被用作第二抗蚀剂材料,但是,当考虑易去除性时,正抗 蚀剂是所希望的。作为正抗蚀剂,例如,可以使用作为溶剂显影型抗蚀剂并在250nm的敏感 波长区域附近具有峰值的诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的甲基丙烯酸酯树脂;作为溶剂 显影型抗蚀剂并在290nm的敏感波长区域附近具有峰值的聚甲基异丙烯酮树脂;或作为碱 显影型抗蚀剂的重氮基萘醌树脂等。作为第一抗蚀剂材料,可以使用与第二抗蚀剂材料不同的抗蚀剂材料。作为第二抗蚀剂材料和第一抗蚀剂材料的组合,例子可以如下重氮基萘醌树脂 和PMMA树脂;PMMA树脂和甲基异丙烯酮树脂;或者甲基异丙烯酮树脂和PMMA树脂等。在 使用重氮基萘醌树脂作为第一抗蚀剂材料的情况下,由于作为第二抗蚀剂材料的显影剂的 溶剂显影剂溶解重氮基萘醌树脂,因此,重氮基萘醌树脂仅被用作第二抗蚀剂材料。在本实施例中,例如,下层抗蚀剂材料109的厚度可被设为1 μ m,并且,上层抗蚀 剂材料110的厚度可被设为12 μ m。然后,如图:3B所示,通过使用掩模111,用曝光光112 —并照射下层抗蚀剂材料和 上层抗蚀剂材料的预定位置。
然后,如图3C所示,通过去除溶液显影用曝光光112照射了的下层抗蚀剂材料和 上层抗蚀剂材料的区域,并且,形成第一抗蚀剂层109'和第二抗蚀剂层110'的层叠结 构。即,下层抗蚀剂材料和上层抗蚀剂材料被构图,以至少留下与排出口的形成位置对应的 部分,并且,形成包含第一抗蚀剂层和第二抗蚀剂层的层叠结构。以下,第一抗蚀剂层也被称为下层抗蚀剂,并且,第二抗蚀剂层也被称为上层抗蚀 剂。此时,例如,在抗蚀剂为溶剂显影正抗蚀剂的情况下,作为去除溶液,可以使用甲 基异丁基酮或环己酮等,并且,例如,在抗蚀剂为碱显影正抗蚀剂的情况下,作为去除溶液, 可以使用2 10%的TMAH溶液等。另外,第一抗蚀剂层成为用于形成排出口的尖端部分的第一抗蚀剂层。另外,在本 实施例中制造的排出口形成部件中,排出口的尖端部分具有弯月结构。在本实施例中,例如,留下的下层抗蚀剂109'和上层抗蚀剂110'的宽度D'(参 见图3D)可被设为14 μ m。然后,如图3D所示,执行第一镀覆处理,以在通过去除下层抗蚀剂材料和上层抗 蚀剂材料露出的导电基板的部分上形成第一镀层113。此时,执行第一镀覆处理,使得第一 镀层113的顶面位于下层抗蚀剂109'的顶面之上并位于上层抗蚀剂110'的顶面以下。作为镀覆材料,即排出口形成部件的材料,例如,可以使用Ni。另外,除了 Ni以外, 可以使用Pd、Cu或Au或它们的复合材料。除这些以夕卜,例如,可以选择诸如Ti、&、Hf、V、 Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Fe、Co、Ni、Ru、Os、Rh、Ir、Pt、Ag、Au、Ge、SiO2, Si3N4, Al2O3 禾口 BeO 的 材料。另外,诸如特氟纶的树脂成分可被共同沉积于各金属中。作为镀覆处理,例如,可以执行电解镀覆或无电镀覆。例如,通过溅射方法在玻璃 基板上形成Pd或Ni的薄膜,以制造导电基板。随后,通过溅射方法形成成为第一抗蚀剂层 的Si02。使用导电基板作为工件,并且,通过以导电基板为阴极使用氨基磺酸镍浴液执行电 镀,使得Ni电镀物质在导电基板上生长。此时,浴液中的pH值为3 5,浴液温度为40 60°C,并且,阴极电流密度为2 50A/dm2。在本实施例中,例如,第一镀层的厚度t可被设为10 μ m。然后,如图3E所示,上层抗蚀剂110'被去除。此时,作为去除上层抗蚀剂110'的方法,可以使用采用不溶解第一抗蚀剂层但溶 解第二抗蚀剂层的溶解溶液的方法。在上层抗蚀剂和下层抗蚀剂中,存在利用感光波长的 差异的方法或用不同显影剂执行显影的方法,具体而言,存在使用碱显影材料和溶剂显影 材料的方法。然后,如图3F所示,执行第二镀覆处理,以在第一镀层113周围形成第二镀层 113'并且形成排出口形成部件105。例如,通过以第一镀层为阴极用Ni电镀浴液执行电镀来执行第二镀覆处理,由此 可进一步使得镀覆物质在第一镀层上各向同性生长,从而形成排出口形成部件。在本实施例中,例如,通过使得镀覆物质在第一镀层上各向同性地仅生长到2 μ m 的厚度,排出口直径d'可被设为ΙΟμπι。另外,在本实施例中,排出口形成部件的厚度T可 被设为12 μ m。然后,如图3G所示,去除下层抗蚀剂109',并且,从导电基板108去除排出口形成部件105。另外,排出口形成部件的排出口直径d'可由下式表达。d^D’-2 (T-t)(式 2)图3G所示的由本发明的方法制造的排出口形成部件105具有在弯曲部分114处 不具有边缘的形状。另外,即使喷嘴的密度为极高的密度,也可保证所需要的排出口形成部 件厚度。因此,通过将排出口形成部件105接合到流路壁103上获得的液体排出头具有明 显优异的排出性能,这是由于排出的墨滴变为具有显著直进力的点。(实施例2)另外,在图6和图7中示出以交错方式布置排出口的情况下的具有排出口形成部 件的液体排出头的示意图。例如,在本实施例中,喷嘴之间的间距被设为1200dpi。此时,由于以交错的方式布置排出口,因此,排出口之间的间距变为600dpi。但是, 在相邻的排出口之间存在交错布置中的不同行的墨水流路(液体流路)。由于与流路壁303 和排出口形成部件305接合的排出口形成部件的部分是平着形成的,因此,流路壁303的接 合可靠性极高,并且也不存在关于串扰等的担心。(实施例3)在图8A 8G中示出在实施例1中的下层抗蚀剂中使用无机材料的排出口形成部 件的制造过程。在本实施例中,描述使用为绝缘材料的SiO2膜作为第一抗蚀剂层的方面。首先,如图8A所示,在导电基板408上形成作为固定部件的具有绝缘性能的SW2 膜409。然后,构图抗蚀剂411在5丨02膜409上形成为膜并被构图。然后,SiO2膜409通过 蚀刻气体412被蚀刻和构图。图8B示出构图的SiO2膜409'。作为固定部件的材料,可以使用可在导电基板上固定和形成的任何绝缘材料,并 且,除了 SiA以外,例子为诸如SiN和SiC的无机材料或诸如聚酰亚胺树脂和环氧树脂的 树脂材料等。然后,如图8C所示,在3丨02膜409'上形成第二抗蚀剂层410‘。此时,在本实施 例中,使得第二抗蚀剂层410'的宽度与SiO2膜409'的宽度相同。即,成为第一抗蚀剂层 的SiO2膜409'和第二抗蚀剂层具有层叠的结构,使得其侧端面是连续的。通过层叠成为 第一抗蚀剂层的第一抗蚀剂材料和成为第二抗蚀剂层的第二抗蚀剂材料并将两个层一并 构图以形成第一抗蚀剂层和第二抗蚀剂层,可使得抗蚀剂层都变成相同的形状,并且,可使 得这些层的侧端面的位置相互一致。第二抗蚀剂层由树脂材料形成。然后,如图8D所示,执行第一镀覆处理,以在导电基板上形成第一镀层413。此时, 执行第一镀覆处理,使得第一镀层413的顶面位于SiO2膜409 ‘的顶面上面并位于第二抗 蚀剂层410'的顶面下面。例如,镀镍在不存在第二抗蚀剂层和成为第一抗蚀剂层的S^2 膜409'的区域中生长,并且,镀覆处理停在处于3丨02层409'的顶面之上和第二抗蚀剂层 410'的顶面之下的区域中。然后,如图8E所示,仅去除第二抗蚀剂层410'。然后,如图8F所示,执行第二镀覆处理,以在第一镀层413周围形成第二镀层 413'并且形成排出口形成部件405。图8G示出从导电基板408和SiO2膜(固定部件)409'去除了排出口形成部件 405的状态。
导电部件和固定部件坚固接合在一起,并且可在本发明的制造方法中被重新使 用。当通过再次使用该基板制造排出口形成部件时,能够从图8C的过程开始,并且,可实现 过程的简化和成本的降低。(实施例4)以下将描述本发明的实施例4。图9A示出在导电基板2108上构图并形成下层抗蚀剂2109'的状态。然后,如图9B所示,在下层抗蚀剂2109'上施加并构图上层抗蚀剂材料以形成上 层抗蚀剂2110'。此时,上层抗蚀剂材料被构图,使得上层抗蚀剂覆盖下层抗蚀剂的顶面和 侧端面。然后,如图9C所示,在导电基板2108上形成第一镀层2113。例如,在导电基板 2108上的不存在抗蚀剂的区域中形成Ni镀。然后,如图9D所示,去除上层抗蚀剂2110'。然后,如图9E所示,执行第二镀覆处理,以在第一镀层2113周围形成第二镀层 2113'并形成排出口形成部件2105。此时,在下层抗蚀剂2109'上形成突起2106。然后,如图9F所示,去除下层抗蚀剂2109',并且,从导电基板2108去除排出口形 成部件2105。图10示出排出口形成部件2105与流路壁2103接合的状态。流路壁2103与元件 基板2101接合。由于在排出口形成部件2105中存在突起2106,因此,与在排出口 2104附近 没有突起2106并且具有相同排出口面积的排出口的排出口形成部件相比,在排出口 2104 的附近存在更多的墨水。因此,可进一步从存在于下面的墨水补充已从排出口 2104的表面 蒸发的液体成分。因此,在不排出墨水时出现的排出口的干燥化减少。因此,通过使用排出 口形成部件2105,可望提高排出效率。如以上的实施例所示,可通过使用第一抗蚀剂层给予排出口所谓的弯月结构。图8C所示的包含第一抗蚀剂层和第二抗蚀剂层的结构也可以是表面相互一致并 且相互重叠的层叠结构。另外,如图9B所示,也可采用第二抗蚀剂层的形状沿平面方向比 第一抗蚀剂层的形状大并且第二抗蚀剂层覆盖第一抗蚀剂层的结构。此外,也可采用第一 抗蚀剂层的形状沿平面方向比第二抗蚀剂层的形状大并且在排出尖端成型材料内形成第 二抗蚀剂层的层叠结构。可考虑排出口的希望形状,适当地选择哪一个结构被选择作为包 含第一抗蚀剂层和第二抗蚀剂层的结构。虽然已参照示例性实施例说明了本发明,但应理解,本发明不限于公开的示例性 实施例。以下的权利要求的范围应被赋予最宽的解释以包含所有的变更方式以及等同的结 构和功能。
权利要求
1.一种液体排出头的制造方法,该液体排出头具有基板和排出口部件,该基板包含产 生用于排出液体的能量的能量产生元件,该排出口部件具有排出液体的排出口并与基板接 合,由此形成与排出口连通的液体流路,该方法依次执行以下的步骤制备具有导电表面的基底,依次在导电表面上层叠有用于形成排出口的绝缘性的第一 抗蚀剂和绝缘性的第二抗蚀剂;通过使用第一抗蚀剂和第二抗蚀剂作为掩模执行镀覆,以在导电表面上形成第一镀 层,使得第一镀层的顶面距基底的高度比第一抗蚀剂的顶面距基底的高度高并比第二抗蚀 剂的顶面距基底的高度低; 去除第二抗蚀剂;通过使用第一抗蚀剂作为掩模在导电表面上执行镀覆,由此形成第二镀层以覆盖第一 镀层;去除基底和第一抗蚀剂,由此形成排出口部件;和 将基板和排出口部件接合在一起。
2.根据权利要求1的液体排出头的制造方法,其中,第一抗蚀剂和第二抗蚀剂被层叠,使得第一抗蚀剂的侧端面和第二抗蚀剂的侧 端面连续。
3.根据权利要求1的液体排出头的制造方法, 其中,第二抗蚀剂被布置在第一抗蚀剂内。
4.根据权利要求1的液体排出头的制造方法,其中,第二抗蚀剂被设置为覆盖第一抗蚀剂的侧端面和顶面。
5.根据权利要求1的液体排出头的制造方法, 其中,第一抗蚀剂由S^2制成。
6.一种排出口部件的制造方法,该排出口部件被用于排出液体的液体排出头并具有排 出口,该方法依次执行以下的步骤制备具有导电表面的基底,依次在导电表面上层叠有用于形成排出口的绝缘性的第一 抗蚀剂和绝缘性的第二抗蚀剂;通过使用第一抗蚀剂和第二抗蚀剂作为掩模执行镀覆,以在导电表面上形成第一镀 层,使得第一镀层的顶面距基底的高度比第一抗蚀剂的顶面距基底的高度高并比第二抗蚀 剂的顶面距基底的高度低; 去除第二抗蚀剂;通过使用第一抗蚀剂作为掩模在导电表面上执行镀覆,由此形成第二镀层以覆盖第一 镀层;和去除基底和第一抗蚀剂,由此形成排出口部件。
7.根据权利要求6的排出口部件的制造方法,其中,第一抗蚀剂和第二抗蚀剂被层叠,使得第一抗蚀剂的侧端面和第二抗蚀剂的侧 端面连续。
8.根据权利要求6的排出口部件的制造方法, 其中,第二抗蚀剂被设置为被布置在第一抗蚀剂的内部。
9.根据权利要求6的排出口部件的制造方法,其中,第二抗蚀剂被布置为覆盖第一抗蚀剂的侧端面和顶面。
10.根据权利要求6的排出口部件的制造方法, 其中,第一抗蚀剂由SiO2制成。
全文摘要
本申请涉及液体排出头的制造方法和排出口部件的制造方法。提供一种液体排出头的制造方法,该液体排出头具有包含能量产生元件的基板和排出口部件,该排出口部件具有排出口并与基板接合,由此形成与排出口连通的液体流路。该方法依次执行以下的步骤制备导电基底,在该导电基底上依次层叠用于形成排出口的第一绝缘抗蚀剂和第二绝缘抗蚀剂;通过使用第一抗蚀剂和第二抗蚀剂作为掩模执行镀覆,并形成第一镀层;去除第二抗蚀剂;通过使用第一抗蚀剂作为掩模在基底上执行镀覆,由此形成第二镀层以覆盖第一镀层;去除基底和第一抗蚀剂,由此形成排出口部件;和将基板和排出口部件接合在一起。
文档编号B41J2/16GK102139568SQ20101055
公开日2011年8月3日 申请日期2010年11月23日 优先权日2009年11月26日
发明者三原弘明, 池亀健 申请人:佳能株式会社
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