液晶显示面板及斩波型比较器的制作方法

专利名称：液晶显示面板及斩波型比较器的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有接触式传感器功能的液晶显示面板以及适于安装在这种液晶显 示面板上等的斩波型比较器(chopper-typecomparator)。
背景技术：
专利文献1 :美国专利申请公开第2006/0262100号说明书 近年来，提出了各种通过使液晶面板中具有传感器功能而实现基于触摸面板操作 的输入的显示器。 然而，这种显示器大部分都采用了将传感器输出作为模拟信号送出到面板外部并 通过外置的IC执行A/D转换、然后执行后续的各种数据处理的方式。 在这种情况下，比如想要在各液晶像素电路中设置传感器并检测各传感器的信息 时，从面板到外部IC的配线数量要与传感器数量相同，从而产生了面板的框架(frame)和 IC的尺寸增大等问题。 对具体例子进行阐述。首先，如上述专利文献1所述，提出了一种通过向像素电路 施加显示数据信号的信号线利用外置IC来检测设置在像素内的接触式传感器的输出的方 式。 图16示出了其结构例。 呈矩阵形地配置有像素电路101的像素阵列100被设置作为液晶显示面板。
该像素阵列100中，在列方向上设置有多条信号线LS，并且在行方向上设置有多 条栅极线GL。 而且，在栅极线GL和信号线LS的各交点处形成有像素电路101。 各像素电路101具有在对置的电极(像素电极和COM电极(共用电极))之间封
入液晶所形成的液晶元件(liquid crystal cell)LC。 而且，像素电路101具有像素晶体管Tr。像素晶体管Tr的栅极节点上连接有栅极 线GL，源极节点上连接有信号线LS，漏极节点上连接有液晶元件LC的像素电极。
在各像素电路101中还设有传感器S。传感器S被构造成通过用户手指的按压等 外部压力使像素电极和COM电极电连接。 对于这种像素阵列100，各信号线LS与外部IC 102连接。如图所示，外部IC 102 内部相对于一条信号线LS设置有运算放大器121、A/D转换器122、开关123以及电容124。
开关123被设置为用于切换向信号线LS写入显示数据和从信号线LS读出传感器 S的信息这两个操作。 在写入时，开关123导通，从而来自未图示的写入电路系统的信号值通过运算放 大器121输出至信号线LS，此时，在像素晶体管Tr通过栅极线GL导通的像素中写入信号 值。 读出时，开关123断开，从而运算放大器的输出与信号线LS断开。然后，用运算放 大器121放大信号线LS上出现的传感器输出，并用A/D转换器122将其转换成数字数据。
相对于这样的结构，减少从液晶面板到外部IC 102之间的配线的方法比如被面 向便携设备的小型面板等采用。比如，如图17所示，为了减少信号线LS的条数以实现面板 的窄框架化并减小外部IC 102的芯片尺寸，通过选择器方式进行信号写入的面板正在成 为主流。 在图17的结构例中，在各信号线LS上设有对应于B、 G、 R各种颜色的写入开关 103， 104， 105，通过作为选择器的写入开关103， 104， 105将三条信号线汇集成一条信号线 LSrgb并引到外部IC 102。 比如，在形成有用于B的写入开关103的信号线LS上连接着B(蓝)像素电路。同 样，在形成有用于G的写入开关104的信号线LS上连接着G(绿)像素电路，在形成有用于 R的写入开关105的信号线LS上连接着R(红)像素电路。 在这种情况下，对于经由栅极线GL与信号线连接的一水平行上的像素电路 101 (B、 G、 R各像素电路)，在一个水平期间内，写入开关103， 104， 105按照时间分割顺序依 次被导通，B信号值、G信号值、R信号值分别被写入对应的像素电路101中。
通过这样的结构，能够减少从液晶显示面板到外部IC 102之间的配线数。特别 是，选择器的数量越多，效果越好，成本优势越大。 然而，随着选择器数量的增加，外部IC 102的驱动器电路与面板内的一条信号线 的连接时间(写入时间)将縮短。
因此，如果想要将信号线LS如图16中所示共用于传感器S的信息读出，则读出时 间将非常之短，不现实。

发明内容
如上所述，现有技术中，在像素电路中设有用于触摸检测的传感器的结构中，采用 信号线LS通过外部IC读出各传感器信息。 这里比如可以考虑采用图17所示的选择器方式，以减少到显示面板外的配线数 量。但是，在这种情况下，传感器信息读出期间非常之短，作为设置触摸面板功能的显示面 板结构是不现实的。 因此，本发明的目的在于实现一种既能在显示面板内部具有接触式传感器功能， 同时又能实现配线减少和窄框架化的液晶显示面板，进而提供一种适于这种液晶显示面板 的比较器。 本发明的液晶显示面板包括栅极线，作为行方向线被多行设置；信号线，作为列 方向线被多列设置；多个液晶像素部，形成在上述栅极线与上述信号线的各交点处，上述液 晶像素部被构成为在像素电极和对置电极间封入有液晶，并且形成有根据上述像素电极与 对置电极之间的接触/非接触来检测压力施加的压力传感器，在根据通过上述栅极线施加 的控制信号使上述像素电极与上述信号线连接的期间内，从上述信号线向上述液晶像素部 施加液晶驱动信号，并且通过上述信号线从上述液晶像素部读出对应于上述压力传感器的 接触/非接触的传感器信号；多个斩波型比较器，连接于各条上述信号线，用于对从各个上 述液晶像素部读出的上述传感器信号进行二值化；以及移位寄存器，用于将各个上述斩波 型比较器的输出进行并行/串行转换后输出。 上述斩波型比较器包括第一电容，在上述第一电容的一个节点上选择性地施加有上述传感器信号和第一复位电位；第二电容，在上述第二电容的一个节点上选择性地施 加有上述传感器信号和电位不同于上述第一复位电位的第二复位电位，并且，上述第二电 容的另一个节点与上述第一电容的另一个节点连接，且电容值与上述第一电容的电容值不 同；倒相器，连接于上述第一电容的上述另一个节点和上述第二电容的上述另一个节点； 以及开关元件，用于连接和断开上述倒相器的输出和输入。 上述第一复位电位为对置电极电位的反相电位，上述第二复位电位为对置电极电 位。 上述斩波型比较器在复位状态下，通过上述开关元件使上述倒相器的输出和输入 短路，并且在上述第一电容的一个节点上施加有上述反相电位，在上述第二电容的一个节 点上施加有上述对置电极电位；在比较状态下，上述斩波型比较器通过上述开关元件切断 上述倒相器的输出和输入，并在上述第一电容的一个节点和上述第二电容的一个节点上施 加有上述传感器信号，从而输出将上述传感器信号二值化后的数字数据作为上述倒相器的 输出。 上述斩波型比较器构成为在省电状态下，使上述第一电容的一个节点、上述第二 电容的一个节点、上述第一电容的另一个节点和上述第二电容的另一个节点处于浮动状态 后，对各节点进行下拉或上拉。 本发明的斩波型比较器包括第一电容，在上述第一电容的一个节点上选择性地 施加有输入信号和第一复位电位；第二电容，在上述第二电容的一个节点上选择性地施加 有上述输入信号和电位不同于上述第一复位电位的第二复位电位，并且，上述第二电容的 另一个节点与上述第一电容的另一个节点连接，且电容值与上述第一电容的电容值不同； 倒相器，连接于上述第一电容的上述另一个节点和上述第二电容的上述另一个节点；以及 开关元件，用于连接和断开上述倒相器的输出和输入。 上述斩波型比较器在复位状态下，通过上述开关元件使上述倒相器的输出和输入 短路，并且在上述第一电容的一个节点上施加有上述第一复位电位，在上述第二电容的一 个节点上施加有上述第二复位电位；在比较状态下，上述斩波型比较器通过上述开关元件 切断上述倒相器的输出和输入，并在上述第一电容的一个节点和上述第二电容的一个节点 上施加有上述输入信号，从而输出上述输入信号的二值化信号作为上述倒相器的输出。
在这样的本发明中，首先在液晶显示面板中通过信号线读出像素中所形成的压力 传感器的信息，这里，将斩波型比较器连接于信号线，并在面板内部将传感器输出转换为数 字数据。 于是，可以在面板内部通过移位寄存器对一行的传感器输出进行并行/串行转换 后传送至外部。 由于传感器读出通过斩波型比较器和移位寄存器来进行，因此可以利用选择器方 式减少信号线的条数并与外部电路连接。 在这种情况下，通过在斩波型比较器中检测信号线电位是变化了还是保持不变来 对基于压力传感器的接触/非接触的传感器信息进行二值化处理。这时，在常规的斩波型 比较器、即在对电位的上升/下降响应性良好的比较器中经常出现误检。因此，根据上述结 构确保了二值化的稳定性。 根据本发明，可以减少面板内外之间的配线数量，并能实现随之而来的窄框架化。
此外，根据本发明所涉及的斩波型比较器，可提供一种能够实现传感器接触时的 高速响应性和传感器非接触时的稳定动作性的比较器电路，从而可靠地实现了液晶显示面 板的触摸面板操作检测。


图1是本发明实施方式的液晶显示面板的基本结构说明图； 图2是实施方式的液晶显示面板的动作时序图； 图3A和图3B是常规斩波型比较器的电路图； 图4A和图4B是斩波型比较器的动作特性说明图； 图5A和图5B是采用常规斩波型比较器时的错误动作说明图； 图6A和图6B是实施方式的斩波型比较器的电路图； 图7是实施方式的斩波型比较器的特性说明图； 图8A和图8B是采用实施方式的斩波型比较器时的动作说明图； 图9是实施方式的液晶显示面板的结构例I的框图； 图10是实施方式的液晶显示面板中的读出电路的框图； 图11是实施方式的结构例I的动作时序图； 图12是实施方式的液晶显示面板的结构例II的框图； 图13是实施方式的结构例II的动作时序图； 图14A 图14C是实施方式的其他斩波型比较器的电路图； 图15是采用实施方式的其他斩波型比较器时的时序图； 图16是现有技术的液晶显示面板的结构说明图；以及 图17是现有技术的液晶显示面板的结构说明图。
具体实施例方式
下面，按下列顺序对本发明的实施方式进行说明。
1、实施方式的液晶显示面板的基本结构
2、将常规比较器用于传感器信息读出的情况
3、实施方式的比较器的结构和动作
4、实施方式的液晶显示面板的具体结构例I
5、实施方式的液晶显示面板的具体结构例II
6、实施方式的比较器的其他结构例
7、实施方式的效果 [1、实施方式的液晶显示面板的基本结构] 根据图l对本发明的实施方式的基本结构进行阐述。另外，液晶显示面板的整体 结构将参照图9等在下文中描述。 实施方式的液晶显示面板中设有像素阵列l，像素电路2呈矩阵形设置在该像素 阵列1中。 图1中仅示出了一部分，该像素阵列1中，在列方向上设有多条信号线LS，并且在 行方向上设有多条栅极线GL。而且，像素电路2形成在栅极线GL和信号线LS的各交点处。
各像素电路2具有在对置的电极(像素电极和COM电极(共用电极))之间封入 液晶所形成的液晶元件LC。 而且，像素电路2具有像素晶体管Tr。像素晶体管Tr的栅极节点上连接有栅极线 GL，源极节点上连接有信号线LS，漏极节点上连接有液晶元件LC的像素电极。
而且，在各像素电路2中还设有传感器S。传感器S被构造成通过用户手指的按压 等外部压力使设置有液晶元件LC的玻璃基板变形从而使像素电极和COM电极电连接。
对于这种像素阵列l，各信号线LS与未图示的外部电路连接。这时，采用基于图 17所描述的选择器方式的结构，各信号线LS被设置成三条一组，对应于B、G、R各颜色的写 入开关SwB， SwG， SwR被设置作为选择器。该三条一组的信号线通过写入开关SwB， SwG， SwR 被汇集成一条信号线LSrgb后连接到外部电路。 在形成有用于B的写入开关SwB的信号线LS上连接着B(蓝)像素电路。同样， 在形成有用于G的写入开关SwG的信号线LS上连接着G(绿)像素电路，在形成有用于R 的写入开关SwR的信号线LS上连接着R(红)像素电路。 在这种情况下，对于经由栅极线GL与信号线连接的一水平行上的像素电路2(B、 G、 R各像素电路)，在一个水平期间内，写入开关SwB， SwG， SwR按照时间分割顺序依次被导 通，从外部电路施加到信号线LSrgb上的B信号值、G信号值、R信号值分别被写入对应的像 素电路2中。 如图17中所述，通过这种选择器方式的结构可以减少从液晶显示面板到外部电 路的配线数量，但是在这种情况下，难以进行设置在各像素电路2中的传感器S的读出动 作。 因此，需要专用于传感器S的读出的读出用配线，但是这时，配线数量大幅度增 加，选择器方式的优点消失殆尽。当然，也阻碍了窄框架化的实现。 这里，如果在显示面板内部具有将传感器输出转换为数字数据的装置，就能在显 示面板内部进行数据的并行/串行转换等数字处理，从而可以抑制由增加传感器读出功能 而引起的配线条数的增多。 因此，在本实施方式中，如图l所示构成。即，对各信号线LS设置读出开关Sr，通 过读出开关Sr将比较器10连接于信号线LS。 传感器S是进行对置电极与COM电极之间的接触/非接触的结构，传感器S的接触 /非接触信息表示为信号线LS的电位变化。用比较器10对该信息进行二值化(数字化)。 然后，通过由多个锁存电路3构成的移位寄存器向外部电路传送各比较器IO的输出。
图2表示动作定时(时序图)。 图2中示出了由水平同步信号HD规定的一个水平期间的各信号波形。作为各信 号波形，示出了通过未图示的栅极驱动电路施加到某条栅极线GL上的栅电极脉冲(Gate)、 用于控制写入开关SwB，SwG，SwR的导通/截止的写入信号(SelB、SelG、SelR)以及用于控 制所有读出开关Sr的导通/截止的传感器读出信号(RD)。
此外，还示出了 COM电极的电位和信号线LS的电位Sig。 传感器读出信号RD和写入信号SelB、 SelG、 SelR分别由未图示的控制电路部产
生，以在水平期间内的规定定时将读出开关Sr、写入开关SwB， SwG， SwR导通。 作为基本驱动定时，首先COM电极反转。就是在液晶驱动中通常进行的所谓1H反转。图2示出了从L(Low，低)电平向H(High，高)电平变化的情况。 然后，写入信号SelB、 SelG、 SelR均变成H电平，从而写入开关SwB， SwG， SwR全部 导通。此时，所有信号线LS均被预充电至COM电极的反相电位。 然后，写入信号SelB、 SelG、 SelR变成L电平，从而写入开关SwB， SwG， SwR全部截止。 随后，栅电极脉冲Gate变成H电平，从而与该栅极线GL连接的水平方向上的各像 素电路2中的像素晶体管Tr导通。由此，像素电极与信号线LS连接。
然后，传感器读入信号RD变成H电平，从而所有的读出开关Sr导通。此时，与像 素晶体管Tr通过当前的栅电极脉冲Gate而导通的某水平行上的像素电路2有关的传感器 S的信息(传感器接触/非接触的信息)被输入至比较器10。 比如，对于不存在来自面板外部的输入(压力)的部分的像素电路2中的传感器 S， COM电极和像素电极处于电切断状态(传感器S处于截止状态)，从该传感器S向比较器 10的输入、即信号线LS的电位不从预充电电平发生任何变化(用实线"非接触"表示)。
另一方面，对于存在来自面板外部的输入(压力)的部分的像素电路2中的传感 器S， COM电极与像素电极电连接(传感器S处于导通状态)，从该传感器S向比较器10的 输入、即信号线LS的电平从预充电电平上升至COM电极电平(用虚线"接触"表示)。
比较器10在读出期间中(传感器读出信号RD为H电平的期间)将伴随COM电极 与像素电极之间的接触/非接触状态的信号线电平的变化二值化为1/0的数字数据并进行 检测。 如上所述，在一个水平期间中的读出期间，通过各比较器10对一水平行上的各像 素电路2的传感器信息进行数字数据化，并将各数字数据提供给各个锁存电路3。然后，通 过由各锁存电路3构成的移位寄存器进行并行/串行转换后传送输出至外部电路。
各比较器10和各锁存电路3在每个水平期间对一行的像素电路2进行这样的传 感器读出，从而可以在一帧期间将与显示面板中的所有像素电路2有关的传感器S的信息 传送输出至外部电路。 然后，在外部电路中，根据传送来的一个画面的像素电路2的各传感器信息的结 果来判定画面上的触摸操作位置。 在一个水平期间内，当传感器S的信息的读出期间结束，传感器读出信号RD变为 L电平时，接着向像素电路2写入信号值。 即，每当写入信号SelB、 SelG、 SelR依次变为H电平，从而写入开关SwB， SwG， SwR 分别导通时，从外部电路施加到信号线LSrgb上的B信号值、G信号值、R信号值被分别写入 蓝色像素、绿色像素、红色像素各自的像素电路2。 在本实施方式中，基本上通过上述结构和动作，可以减少面板内外之间的配线数， 并且能够根据对设置在各像素电路2中的传感器S的适当读出来正确检测触摸面板的操作 输入。 [2、将常规比较器用于传感器信息读出的情况] 这里，对采用常规斩波型比较器作为图1所示的比较器10的情况进行说明。
为了实现上述系统，在接触时要求高速响应，而在非接触时需要防止由噪声等影 响引起的错误动作。
斩波型比较器由于能够以较少的元件数量来消除温度或晶体管偏差的影B向，因此 被用于各种系统。 图3示出了电路图以及适用于本实施方式时的信号连接。 如图3(a)所示，斩波型比较器包括开关51，52，54、电容53以及具有P沟道FET 55 和N沟道FET 56的倒相器50。 当开关51导通时，向电容53的一个节点提供COM电极的反转电位xC0M。开关51 根据未图示的控制电路发出的复位信号RST而导通/截止。 而当开关52导通时，向电容53的一个节点提供信号线LS的电位Sig。开关52根 据未图示的控制电路发出的传感器读出信号RD而导通/截止。需要说明的是该开关52 相当于图1所示的读出开关Sr。 电容53的另一个节点(节点IN)作为倒相器50的输入连接于FET 55， 56的各个
栅极(节点)。 开关54根据复位信号RST而导通/截止，利用开关54的导通使倒相器50的输入 输出短路。 图3(a)示出了复位状态的情况，图3(b)示出了在上述读出期间进行信号线电位 Sig的二值化的比较状态。 如图3 (a)所示，该斩波型比较器在复位时，开关51根据复位信号RST而成为导通 状态，从而电容53的一个节点被设置为预充电电平、即反转电位xC0M的电平。
同时，开关54也成为on(导通)状态，从而倒相器50的输入输出被短路，倒相器 50的输入电平被设置在阈值附近。 当在上述图2所示的读出期间进行比较动作时，如图3(b)所示，开关51，54处于
截止状态。而开关52根据传感器读出信号RD而处于导通状态，从而电容53的一个节点与
信号线LS连接，从xC0M电位变成作为传感器输出节点的信号线电位Sig。 此时，比如如果反转电位xCOM是L电平，则信号线LS也被预充电至L电平(参见
图2)。 而且，如果传感器S是导通(接触)状态，则信号线LS的电位Sig从预充电电平 上升到C0M电极电平。 相反，如果传感器S是截止(非接触)状态，信号线LS的电位Sig不从预充电电 平发生任何变化。 这里，图4(a)表示常规的斩波型比较器的输入输出特性。而且，图4(b)表示图3 中的倒相器50的输入节点(IN)和输出节点(OUT)上的特性。 如上所述，如果反转电位xCOM变为L电平(即COM电位二H时)、并且传感器S导 通，则信号线电位Sig从预充电电平(这时为L电平)上升到COM电极电平(这时为H电 平)。 因此，如图4(b)中的实线A所示，信号线电位Sig的电平(横轴)仅仅上升微小 的电位，输出电平(纵轴)就会反转(invert)，从而与图4(a)中的常规倒相器相比，可以实 现高速响应。 另外，如果反转电位xCOM变为H电平(即COM电位=L时)、并且传感器S导通， 则信号线电位Sig从预充电电平(这时为H电平)下降到COM电极电平(这时为L电平)。
因此，如图4(b)中的虚线B所示，信号线电位Sig的电平(横轴)仅仅下降微小 的电位，输出电平(纵轴)就会反转，从而实现了高速响应。 这样，斩波型比较器由于是用于读取并放大输入信号从基准电压的正(plus)方
向或负(minus)方向上的微小变化的电路，因此可以实现感应速度的高速化。 但是，如果像这次的系统那样在输入中存在浮动状态(COM电极与像素电极非接
触时)，其动作将得不到保障。 利用图5对此进行说明。 图5(a)示出了在COM电位二H的情况下传感器S截止(非接触)时发生的错误 动作的情形，图5(b)示出了在COM电位二L的情况下传感器S截止(非接触)时发生的错 误动作的情形。 实线为倒相器50的输出(0UT)，虚线为倒相器50的输入(IN)，点划线为信号线电 位Sig。 预充电期间处于上述图3(a)中的复位状态，倒相器50的输入输出被短路，变成相 同电位。在表现为栅极启动(gate open)的定时中，像素电路2的像素晶体管Tr被导通， 从而像素电极(以及传感器S)与信号线LS连接。 然后，在读出期间，开关52被导通，从而信号线电位Sig被施加到倒相器50的输 入节点(IN)上。 这里，如果传感器S截止，信号线电位Sig理应不从预充电电平发生任何变化。然 而，如图5(a)所示，当栅极启动后，信号线电位Sig发生了少许变化。这是因为栅极启动后 在一个垂直期间(vertical period)之前写入的像素电位表现在了信号线LS上。
然后到读出期间时，响应于该信号线电位Sig的细微变化，倒相器50如图示那样 进行错误动作的输出(OUT)。 图5(b)也是一样，即使传感器S截止，也会因为栅极启动后的信号线电位Sig的 细微变化而使倒相器50的输出(OUT)成为错误动作的输出。 由图4(a)所示的特性可知，常规的斩波型比较器虽然进行判定输入电位向正方 向或负方向变化的动作，但在本例中，传感器S的接触/非接触构成判定信号线电位Sig有 无变化的动作。 这时，即使传感器S截止、信号线电位Sig不发生变化，但实际上也会向上述那样 产生细微的电位变化。这导致传感器S截止时倒相器50的输出不稳定。
[3、实施方式的比较器的结构和动作] 鉴于上述情况，采用图6所示的斩波型比较器作为本实施方式的比较器10。
这是一种对输出到信号线LS上的传感器S的输出实现传感器接触时的高速响应 性和传感器非接触时的稳定动作性的比较器电路。 如图6(a)所示，本例中的斩波型比较器包括开关H，12，14，17，18、电容13，19以
及具有p沟道FET 15和N沟道FET 16的倒相器20。 电容13，19的电容值互不相同。下面，将电容13称作辅助电容，以作区别。
当开关12被导通时，向辅助电容13的一个节点提供COM电位。开关12根据未图 示的控制电路发出的复位信号RST而导通/截止。 而当开关11被导通时，向该辅助电容 的一个节点提供信号线LS的电位Sig。开关11根据未图示的控制电路发出的传感器读出信号RD而导通/截止。 当开关18被导通时，向电容19的一个节点提供C0M电位的反转电位xC0M。开关
18与开关12 —道根据复位信号RST而导通/截止。 而当开关17被导通时，向该电容19的一个节点提供信号线LS的电位Sig。开关 17与开关11 一道根据传感器读出信号RD而导通/截止。 电容13， 19的另一个节点(节点IN)相互连接，并作为倒相器20的输入连接于 FET 55， 56的各个栅极。 此外，开关14根据复位信号RST而导通/截止，通过开关14的导通，使倒相器20 的输入输出短路。 与上述图3中的斩波型比较器的区别点在于附加了一个辅助电容13，并且新增 了用于将该辅助电容13的一个节点充电至不同于电容19的电位、本例中为COM电位的装置。 通过该附加电路，可以根据充到辅助电容13中的电荷量来移位(shift)斩波型比 较器的阈值电压。 因此，通过调整辅助电容13的值，可以设置一个适当的无感区域(an insensible zone)，从而可以实现接触时的高速响应和非接触时的稳定动作。 图6(a)示出了复位状态的情况，图6(b)示出了在上述读出期间进行信号线电位 Sig的二值化的比较状态。 如图6 (a)所示，该斩波型比较器在复位时，开关12， 18根据复位信号RST而导通。 由此，电容19的一个节点被设置为预充电电平、即反转电位xCOM的电平，进而辅助电容13 的一个节点被设置为预充电电平的反相、即COM电位的电平。 同时，开关14也处于导通状态，倒相器20的输入输出被短路，倒相器20的输入电 平被设置在阈值附近。 然后，当在上述图2所示的读出期间进行比较动作时，如图6(b)所示，开关12，18 变成截止状态。而且开关14也截止。 随后，根据传感器读出信号RD，开关11，17变成导通状态，从而电容19的一个节点 和辅助电容13的一个节点短路，并且被连接到作为传感器输出节点的信号线LS (信号线电 位Sig)上。 这里，将电容19的电容值设为Cl，将辅助电容13的电容值设为C2，将信号线LS 的配线负载电容设为Cs，将复位时的倒相器输入节点IN的电平设为Vt，将比较动作时的倒 相器输入节点IN的电平设为Vt'，并将信号线电位Sig设为Vs。 于是，根据复位动作时和比较动作时之间的电荷守恒原理(lawof electric
charge conservation)，以下公式成立 CI (xCOM-Vt)+C2(COM-Vt)+Cs xCOM = Cl(Vs-Vt， )+C2(Vs-Vt， )+Cs Vs .(式1) CI (Vt-xCOM) +C2 (Vt-COM) = Cl(Vt， -Vs)+C2(Vt， -Vs) (式2)。 根据式2可以得到 Vt' = Vt- (CI xC0M+C2 COM) / (C1+C2) +Vs…(式3)。
将式3代入式1，则式1的右边=CI (xCOM-Vt) +C2 (COM-Vt) +Cs *Vs.(式4)，从
而可以得到Vs = xCOM。 通过将式4代入式3，可以求得从复位动作切换至比较动作时的倒相器输入电平 Vt'，见下式5 : Vt' = Vt- {(CI xC0M+C2 COM) / (Cl+C2) -x国
.(式5) 该式5意味着从复位动作切换至比较动作时的倒相器输入节点(IN)的电平移位 了 (CI xC0M+C2 C0M)/(Cl+C2)-x匿 (式6)。 换而言之，如图7所示，可以说能使比较器的阈值移位式6所表示的量(Y)。即、实 线A'和虚线B'是输入输出特性。
利用图8对动作进行描述。 图8(a)示出了在COM电位二H的情况下传感器S截止(非接触)和导通(接触) 时倒相器20的输入输出情况，图8(b)示出了在COM电位=L的情况下传感器S截止(非 接触)和导通(接触)时倒相器20的输入输出情况。 实线为倒相器20的输出(0UT)，虚线为倒相器20的输入(IN)，点划线为信号线电 位Sig。 预充电期间处于上述图6(a)中的复位状态，倒相器20的输入输出被短路，变成相 同电位。在表现为栅极启动(gate open)的定时中，像素电路2的像素晶体管Tr被导通， 从而像素电极(以及传感器S)与信号线LS连接。 然后，在读出期间，如图6(b)所示，开关11，17被导通，从而信号线电位Sig被施 加到倒相器20的输入节点(IN)上。 如果传感器S截止，信号线电位Sig理应不从预充电电平发生任何变化。然而，前 面已经阐述过如图8(a)中的传感器非接触的情况所示，在栅极启动后，由于在一个垂直期 间前写入的像素电位表现在了信号线LS上，使得信号线电位Sig发生了少许变化。
这里，在本例中，如图8(a)中的偏移量(offset)OFS所示，相当于施加图7中的Y 的量的阈值偏移量。因此，在读出期间中，输入(IN)上的信号线电位Sig少许上升的影响 表现为从偏移量电平上升，如虚线所示。 而且，对于倒相器20的阈值，输入不是"有电位变化"的电位，从而可以得到正确 的输出OUT(图8(a)中为表示非接触的H电平输出)。 需要说明的是在传感器接触的情况下，如图8(a)中的下部分所示，信号线电位 Sig上升，从而可以得到正确的输出OUT(图8(a)中为表示接触的L电平输出)。
图8(b)中的COM电位=L的情况也是如此。即，对于传感器非接触时信号线电位 Sig的变化，如偏移量0FS所示，相当于施加图7中的Y的量的阈值偏移量。因此，在读出期 间中，输入(IN)上的信号线电位Sig少许下降的影响表现为从偏移量电平下降，如虚线所 示。因此可以得到正确的输出0UT(图8(b)中为表示非接触的L电平输出)。而在传感器 接触的情况下，如图8(b)中的下部分所示，信号线电位Sig下降，从而可以得到正确的输出 0UT(图8(b)中为表示接触的H电平输出)。 这样，图6中的斩波型比较器在将信号线电位Sig有无变化作为传感器S的导通 /截止来检测的情况下，可以实现基于正确检测的二值化。
需要说明的是图7所示的移位量Y可以根据电容19， 13的电容值Cl， C2的电容 比来调整。 另夕卜，COM振幅越高，噪声电平(必须识别为非接触的电平)越高，COM振幅越低，
该噪声电平越低，上述移位量Y也会因为COM振幅而发生变化，COM的振幅越高，无感区域
的宽度(图7中的移位量Y)越宽，相反COM的振幅越低，无感区域的宽度越窄。因此，可以
对应于由COM振幅引起的噪声量的增减来自动调整阈值电压的移位量。 如上所述，采用图6的斩波型比较器作为比较器10的本实施方式为优选实施方式。 S卩、附加了辅助电容13和开关11， 12，并新增了用于将辅助电容13的一个电极连 接到与电容19不同的电位(图6的例子中为C0M电位)的装置。由此，可以根据电容19 和辅助电容13的电容比以及COM振幅来移位斩波型比较器的阈值电压，以设置一个适当的 无感区域，从而能够实现接触时的高速响应和非接触时的稳定动作。
[4、实施方式的液晶显示面板的具体结构例I]
图9表示实施方式的液晶显示面板的具体结构例I。 如前面参照图1描述的基本结构那样，本实施方式的液晶显示面板中设有像素阵 列l，像素电路2呈矩阵形设置在该像素阵列1中。各像素电路2形成在栅极线GL和信号 线LS的各个交点处。 对于这种像素阵列l，各信号线LS与外部IC 90连接。这时，根据选择器方式将 三条一组的信号线通过写入开关SwB， SwG， SwR汇集成一条信号线LSrgb并连接到外部IC 90。 而且，各信号线LS通过读出开关Sr与读出电路30连接。 外部IC 90在一个水平期间内按照时间分割顺序向各信号线LSrgb提供B信号 值、G信号值、R信号值。 而且，外部IC 90还输出用于控制写入开关SwB， SwG， SwR的导通/截止的写入 信号(SelB、SelG、 SelR)以及用于控制所有读出开关Sr的导通/截止的传感器读出信号 (RD)。 而且，通过未图示的栅极驱动电路向各栅极线GL施加栅电极脉冲(Gate)，将每一 水平行上的像素电路2与信号线LS连接。 图11示出了这些信号在一个水平期间内的信号波形，其中栅电极脉冲(Gate)、写 入信号(SelB、SelG、SelR)以及传感器读出信号(RD)与参照图2所描述的相同。此外，C0M 电位和信号线电位Sig也与参照图2所描述的相同，预充电、传感器读出以及B信号值写 入、G信号值写入、R信号值写入分别在规定的定时进行。 图10表示读出电路30的结构。读出电路30包括分别对应于各信号线LS的比
较器IO，IO......以及由用于锁存各比较器10，10......的二值化输出的锁存电路3，
3......构成的移位寄存器(并行/串行转换部)31。 图6所示的斩波型比较器被设置作为各比较器10， 10......。 此夕卜，作为锁存电路3，3......，可以采用D型触发器，如
TGFF(Transmission-Gate Flip-Flop,传输门触发器)等。 信号线LS的电位Sig作为输入in通过传感器读出开关Sr提供到比较器10上。
而且，提供反转电位xCOM，作为输入refl。该反转电位xC0M通过图6中的开关18 被施加到电容19的一个节点上。 此外，提供COM电位，作为输入ref2。该COM电位通过图6中的开关12被施加到 辅助电容13的一个节点上。 另外，传感器读出信号RD被提供到图6中的开关11， 17上，复位信号RST被提供 到开关12， 14， 18上。 比较器10在图11中的预充电期间进行图6(a)所示的复位动作，并在读出期间进 行图6(b)所示的比较动作。 各比较器10的二值化输出构成各锁存电路3的D2输入。 各锁存电路(latch circuit) 3中，第一个锁存电路3的D 1输入为COM电位，后 续的锁存电路3的Dl输入为前一个锁存电路3的Q输出。然后，将各比较器10的二值化 输出进行并行/串行转换后传送，作为输出DO。该输出DO被提供到外部IC 90，外部IC 90
据此检测各传感器S的信息。需要说明的是施加到各锁存电路3，3......上的时钟SCK
由外部IC 90提供。 在此先对传感器S的信息读出和传送的定时进行阐述。 由图ll(以及上述对图2的说明)可知，通过用比较器10检测读出期间中信号线 电位Sig的变化来进行传感器信息的读出。 而且，来自一水平行上的各像素电路2的传感器信息的传送输出在图11中表示为 传送输出D0，该传送输出在写入期间进行。 试对信号线LS的充电速度进行考虑。在低温多晶硅TFT的情况下，像素晶体管Tr 的导通电阻为几百KQ左右。而且，如果是针对几英寸左右的便携设备的小型显示器，信号 线的寄生电容为几十pF左右。因此，只要10ii sec左右的时间就足以使倒相器20接通。
相反，在非晶硅TFT的情况下，由于像素晶体管Tr的导通电阻约为MQ ，因此很难 检测信号线LS上的信号变化。 SP，如果采用低温多晶硅TFT，就能以10ii sec左右的时间将出现在信号线LS上的 传感器输出读出，并可以在传感器读出信号RD为H电平的期间(即读出期间)将对应于来 自面板外部的输入(压力)状态的传感器S的导通/截止信息读入到构成移位寄存器31 的锁存电路3，3......中。 如上述结构那样，本例中，在液晶显示面板中在各信号线LS上设置传感器读出开 关Sr，并通过具有比较器10和移位寄存器31的读出电路30读出各像素电路2中的传感器 S的信息。这样，可以在采用基于选择器方式的写入系统来减少信号线条数的同时，将用于 读出设置在像素中的传感器的输出的配线数量抑制到最少。 此外，通过用低温多晶硅TFT来构成显示面板，可以在写入图像信号动作前的几 P sec左右的时间内将像素中的传感器信息读入移位寄存器(并行/串行转换部)31。从 而，可以在之后的向各像素电路2写入B、 G、 R各信号值的写入动作过程中将传感器信息串 行输出(D0)到面板外部。 [5、实施方式的液晶显示面板的具体结构例II]
图12表示实施方式的液晶显示面板的具体结构例II。 当在像素中设置有传感器S时，从原理上讲，最大传感器密度=像素数。但如果使用传感器S以实现触摸面板功能时，只要能够检测出手指或触笔等的接触/非接触即可，无 需与数百Pm等的像素间距(pitch)同等的密度。 此外，如果还要考虑之后的数据处理负荷等，则将传感器数量减少一定程度比较 现实。 因此，图12中的结构例II的构成前提为并不是所有像素电路2中都存在像素内 传感器S，而且最多是隔一个像素设置一个传感器。 在图12的结构中，作为像素阵列1中的像素电路2，示出了偶数列的像素电路2e 和奇数列的像素电路20。 像素电路2e、20中均包括具有传感器S的像素电路和未设有传感器S的像素电 路。而且，作为整体地在行方向和列方向上观察，采用的是隔一个像素设有一个传感器S的 结构。 作为栅极线GL，示出了偶数行的栅极线GLe和奇数行的栅极线GLo。 从图中可知，连接于偶数行栅极线GLe的像素电路2e，2o中的偶数列像素电路2e
是设有传感器S的像素。 而且，连接于奇数行栅极线GLo的像素电路2e，2Q中的奇数列像素电路2o是设有 传感器S的像素。 而且，设置了两个读出电路30e、30o作为如上所述由比较器10和移位寄存器31 构成的读出电路30。 读出电路30e上通过读出开关Sr连接着偶数列信号线LSe。 而在读出电路30o上通过读出开关Sr连接着奇数列信号线LSo。 0/E时钟生成部33从来自外部IC 90的时钟(clock) SCK、传感器读出信号RD以
及比如由水平同步信号生成的偶数/奇数时钟OECK生成所需要的信号。S卩，生成奇数时钟
SCK—o、偶数时钟SCK—e、奇数用传感器读出信号RD_o以及偶数用传感器读出信号RD_e。 偶数时钟SCK_e被作为读出电路30e中的移位寄存器31的传送时钟。 奇数时钟SCK_o被作为读出电路30o中的移位寄存器31的传送时钟。 偶数用传感器读出信号RD_e为设置在偶数列信号线LSe上的读出开关Sr的导通
/截止控制信号。 奇数用传感器读出信号RD_o为设置在奇数列信号线LSo上的读出开关Sr的导通 /截止控制信号。 输出选择器32基于偶数/奇数时钟OECK来选择读出电路30e，30o的传送输出， 作为对外部IC 90的传感器信息的串行输出D0。 图13示出了两个水平期间的时序图。根据该图对动作进行阐述。
首先，在预充电期间进行信号线LSe、 LSo的预充电动作，然后对应于奇数行上的 某条栅极线GLo的栅电极脉冲Gate_o变成H电平，从而像素电极和信号线LSe、 LSo连接。
接着，当奇数用传感器读出信号RD_o变成H电平时，奇数列的信号线LSo的读出 开关Sr导通，从而由当前的栅电极脉冲Gate_o所选择的行中的奇数列像素电路2o的传感 器信息被输入到读出电路30o中。 然后，理应进行B、G、R各信号值的写入动作，但此时奇数时钟SCK_o继续保持L电 平，并且读出电路30o不进行所读入的奇数行的传感器信息的传送。
该奇数行传感器信息的传送在下一个水平期间进行。即，在下一个水平期间中，读 出电路30o中的移位寄存器31根据奇数时钟SCK_o来传送上一个水平期间中锁存的传感 器信息。此时，输出选择器32选择读出电路30o侧，并将其的传送输出作为传感器信息的 串行输出DO输出。 在像这样地进行来自读出电路300的传送输出的水平期间，同时进行着下列动作。 S卩，在预充电期间进行信号线LSe、 LSo的预充电动作，然后对应于偶数行上的某 条栅极线GLe的栅电极脉冲Gate_e变成H电平，从而像素电极和信号线LSe、 LSo连接。
接着，当偶数用传感器读出信号RD_e变成H电平时，偶数列的信号线LSe的读出 开关Sr导通，从而由当前的栅电极脉冲Gate_e所选择的行中的偶数列像素电路2e的传感 器信息被输入到读出电路30e中。 然后，理应进行B、G、R各信号值的写入动作，但此时偶数时钟SCK_e继续保持L电 平，从而读出电路30e不进行所读入的偶数行的传感器信息的传送。 该偶数行传感器信息的传送在下一个水平期间进行。即，在下一个水平期间中，读 出电路30e中的移位寄存器31根据偶数时钟SCK_e来传送上一个水平期间中锁存的传感 器信息。此时，输出选择器32选择读出电路30e侧，并将其的传送输出作为传感器信息的 串行输出DO输出。 这样，在每一行(奇数行/偶数行)上错开像素内部的传感器S的设置位置，并且 具备用于偶数行/用于奇数行的两个读出电路30e、30o，从而使奇数行和偶数行交替动作。 由此，由于能够分别在连续的不同水平期间进行传感器信息的读入动作和串行传送动作， 因此，使传送动作时的频率下降，实现了更稳定的动作。
[6、实施方式的比较器的其他结构例] 接下来，用图14对基于图6所描述的实施方式涉及的比较器10的其他结构例进 行说明。 如图14(a)所示，比较器10的特征在于在图6的结构的基础上增加了 N沟道晶 体管41 ， 42， 43，并且设置了这些晶体管41 ， 42， 43导通的省电期间。 晶体管41的漏极和源极连接在辅助电容13的一个节点ND2和地线(ground)之 间。 晶体管42的漏极和源极连接在电容19的一个节点ND3和地线之间。
晶体管43的漏极和源极连接在倒相器20的输入节点ND1和地线之间。
通过省电信号PS来导通/截止各晶体管41， 42， 43。
图15表示动作时序图。 预充电期间中，根据复位信号RST，开关12， 18， 14导通。由于省电信号PS为L电 平，晶体管41 ，42， 43截止，因此上述各节点ND1， ND2， ND3与地线断开。
从而处于图14(b)所示的状态，其与图6(a)等效。 在接下来的读出期间，复位信号RST变成L电平，从而开关12，18，14截止。而开 关11， 17根据传感器读出信号RD而导通。由于此时省电信号PS仍为L电平，晶体管41， 42，43截止，因此上述各节点ND1， ND2， ND3与地线断开。
从而处于图14(c)所示的状态，其与图6(b)等效。
因此，预充电期间和读出期间的动作与图6所示的情况完全相同。 在预充电期间和读出期间以外的期间，开关11，12，14，17，18均截止。 这里，在本例中，省电信号PS变为H电平，从而上述各节点ND1 ， ND2， ND3与地线连接。 这就成为了图14(a)所示的省电状态。 斩波型比较器在复位动作时，由于开关14处于导通状态，因此倒相器20的输入节 点ND1被设置为倒相器20的阈值电压，电源和GND之间有贯通电流通过。
而且，如果在比较动作时也是信号线电位Sig的电平在电源和GND之间的中间电 压附近，则倒相器20中仍然有贯通电流通过。因此，可以将复位动作和比较动作的时间抑 制到所需的最低值，并能够在其他时间带通过抑制倒相器20的贯通电流来实现低功耗。
SP，在预充电期间和读出期间以外的期间，处于省电信号PS为H电平、复位信号 RST为L电平、传感器读出信号RD为L电平的省电状态，此时所有开关均为off (截止)状 态。 此时，通过晶体管41 ，42， 43将处于浮动状态的节点ND1， ND2， ND3固定在L电平，
从而比较器中无功耗。 SP，一旦比较动作结束，省电信号PS即变为H电平，从而变为省电状态，切断比较 器中的功耗直到下一个周期来临。 如上所述，通过在复位动作时和比较动作时以外的时间带，使构成比较器的所有
开关截止，并通过在此时处于浮动状态的节点上增加下拉(pull down)或上拉(pull up)
装置，从而能够将比较器中的功耗抑制到最低。 [7、实施方式的效果] 根据上述实施方式，可以获得下列效果。 根据图6或图14所示的比较器10的结构，设置有在一个节点上选择性地施加有 作为传感器信号的信号线电位Sig和第一复位电位(xCOM电位)的电容19。而且，还包括 一个节点上选择性地施加有信号线电位Sig和电位不同于第一复位电位(xCOM电位)的第 二复位电位(COM电位)的辅助电容13。而且，电容19和辅助电容13的另一个节点相互连 接，并且电容19和辅助电容13具有不同的电容值。并且，该另一个节点构成倒相器20的 输入节点。倒相器20的输入输出由开关14进行连接和断开。 通过上述结构，可以根据辅助电容13和电容19的电容比以及预充电电平的振幅 使斩波型比较器的阈值电压移位，以设置一个适当的无感区域。由此，得以实现传感器S接 触时的高速响应以及非接触时的稳定动作。 此外，通过将两个电容13， 19的预充电电平设为COM和xCOM，可以使比较器10的
无感区域的宽度随着COM电压振幅发生变化，振幅越大，无感区域的宽度越宽，另一方面，
噪声电平(必须识别为非接触的电平)也随着COM振幅而增大或减小，振幅越大，噪声电平
也越高。因此，可以对应噪声量的增减来自动调整阈值电压的移位量。 此外，根据图14所示例子的结构和动作，在复位动作时和比较动作时以外的时间
带，使构成比较器的所有开关截止。并且，在此时处于浮动状态的节点上增加下拉(pull
down)或上拉(pull up)装置。由此，能够将比较器10中的功耗抑制到最低。 其次，根据图9中的液晶显示面板结构，在采用基于选择器方式的写入系统而减少信号线条数的同时，也可以将用于读出设置在像素中的传感器的输出的配线数量抑制到最低。 特别是，通过在该结构中用低温多晶硅TFT来构成面板，从而可以在写入映像信
号动作前的几ysec左右的时间内将像素中的传感器信息读入并行/串行转换部31。从
而，可以在之后的写入动作过程中将传感器信息串行输出到面板的外部。 此外，在图12的实施例中，在每一行上错开像素内传感器S的设置位置，并且具备
用于偶数行/用于奇数行的两个读出电路30e、30o，从而使奇数行和偶数行交替动作。由
此，由于能够分别在连续的不同水平期间进行传感器输出的读入动作和串行传送动作，因
此传送动作时的频率下降，实现了更稳定的动作。 不言而喻地，本发明不限于上述实施方式，可以考虑多种变形例的电路结构。 附图标记 1像素阵列 2、2e、2o像素电路 3锁存电路 10比较器 11、12、14、17、18开关 13辅助电容 19电容 20倒相器 30、30e、30o读出电路 31移位寄存器
权利要求
一种液晶显示面板，包括栅极线，作为行方向线被多行设置；信号线，作为列方向线被多列设置；多个液晶像素部，形成在所述栅极线与所述信号线的各交点处，所述液晶像素部被构成为在像素电极和对置电极间封入有液晶，并且形成有根据所述像素电极与对置电极之间的接触/非接触来检测压力施加的压力传感器，在根据通过所述栅极线施加的控制信号使所述像素电极与所述信号线连接的期间内，从所述信号线向所述液晶像素部施加液晶驱动信号，并且通过所述信号线从所述液晶像素部读出对应于所述压力传感器的接触/非接触的传感器信号；多个斩波型比较器，连接于各条所述信号线，用于对从各个所述液晶像素部读出的所述传感器信号进行二值化；以及移位寄存器，用于将各个所述斩波型比较器的输出进行并行/串行转换后输出。
2. 根据权利要求1所述的液晶显示面板，其中，所述斩波型比较器包括第一电容，在所述第一电容的一个节点上选择性地施加有所述传感器信号和第一复位电位；第二电容，在所述第二电容的一个节点上选择性地施加有所述传感器信号和电位不同于所述第一复位电位的第二复位电位，并且，所述第二电容的另一个节点与所述第一电容的另一个节点连接，且电容值与所述第一电容的电容值不同；倒相器，连接于所述第一电容的所述另一个节点和所述第二电容的所述另一个节点；以及开关元件，用于连接和断开所述倒相器的输出和输入。
3. 根据权利要求2所述的液晶显示面板，其中，所述第一复位电位为对置电极电位的反相电位，所述第二复位电位为对置电极电位。
4. 根据权利要求3所述的液晶显示面板，其中，所述斩波型比较器在复位状态下，通过所述开关元件使所述倒相器的输出和输入短路，并且在所述第一电容的一个节点上施加有所述反相电位，在所述第二电容的一个节点上施加有所述对置电极电位；所述斩波型比较器在比较状态下，通过所述开关元件切断所述倒相器的输出和输入，并在所述第一电容的一个节点和所述第二电容的一个节点上施加有所述传感器信号，从而输出将所述传感器信号二值化后的数字数据作为所述倒相器的输出。
5. 根据权利要求2所述的液晶显示面板，其中，所述斩波型比较器构成为在省电状态下，使所述第一电容的一个节点、所述第二电容的一个节点、所述第一电容的另一个节点和所述第二电容的另一个节点处于浮动状态后，对各节点进行下拉或上拉。
6. —种斩波型比较器，包括第一电容，在所述第一电容的一个节点上选择性地施加有输入信号和第一复位电位；第二电容，在所述第二电容的一个节点上选择性地施加有所述输入信号和电位不同于所述第一复位电位的第二复位电位，并且，所述第二电容的另一个节点与所述第一电容的另一个节点连接，且电容值与所述第一电容的电容值不同；倒相器，连接于所述第一电容的所述另一个节点和所述第二电容的所述另一个节点；以及开关元件，用于连接和断开所述倒相器的输出和输入。
7.根据权利要求6所述的斩波型比较器，其中，所述斩波型比较器在复位状态下，通过所述开关元件使所述倒相器的输出和输入短路，并且在所述第一电容的一个节点上施加有所述第一复位电位，在所述第二电容的一个节点上施加有所述第二复位电位；所述斩波型比较器在比较状态下，通过所述开关元件切断所述倒相器的输出和输入，并在所述第一电容的一个节点和所述第二电容的一个节点上施加有所述输入信号，从而输出所述输入信号的二值化信号作为所述倒相器的输出。
全文摘要
本发明提供了一种液晶显示面板及斩波型比较器，其目的在于在显示面板内部具有接触式传感器功能的同时，减少配线并进行稳定的传感器读出。本发明在通过信号线读出像素中的传感器信息时，通过斩波型比较器在面板内部将传感器输出转换为数字数据。然后，通过移位寄存器进行并行/串行转换后传送至外部。此时，通过在斩波型比较器中检测信号线电位是变化了还是保持不变来对基于压力传感器的接触/非接触的传感器信息进行二值化处理。这种情况下，由于将比较器构成为使阈值电压偏移，因而可以进行稳定的检测。
文档编号G09G3/20GK101727863SQ200910179889
公开日2010年6月9日 申请日期2009年10月19日 优先权日2008年10月20日
发明者仲岛义晴, 小糸健夫, 山内木绵子, 林宗治, 水桥比吕志, 猪野益充, 田中勉 申请人:索尼株式会社