专利名称：一种塞曼效应实验装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及实验装置技术领域，尤其设计ー种新型的塞曼效应实验装置。
背景技术：
目前各大院校的近代物理实验课程均开设塞曼效应实验，通过该实验可以使学生更深入的观察塞曼效应现象，认识到能级分裂的本质原因，对于深刻体会量子力学和原子的结构具有极其重要的意义。而目前大多数塞曼效应实验装置光学部件都是独立的，集成度低，造成学生在做实验过程中调节各个光学部件的等光轴性，难度大，使学生把大量的实验时间和精力浪费在实验光路的调试上，同时因为准直透镜、偏振片、546. Inm干渉滤光片和F-P标准具都是独立的，増加了学生触摸相应光学表面的几率，容易造成这些精密光学元件的污染和损坏。其次是通用低，造成实验室设备复杂，不利于存放，维护成本高昂。
发明内容为了解决学生在做塞曼效应实验过程中各个光学部件等光轴调整困难、易造成光学部件的污染和损坏，并解决物理实验室实验装置通用性低、维护成本高的问题，本实用新型提供了ー种使用方便、操作简单、通用性强，可维护性高的新型塞曼效应实验装置。ー种塞曼效应实验装置，包括导轨、连接件、光源组件、准直偏振系统组件、滤光干涉系统组件和成像系统。所述导轨通过连接件与光源组件连接，所述的导轨上设有若干个由拖板、升降调节架和支撑杆组成的调整基座，所述的调整基座有至少三个，从靠近光源组件的一端起的三个调整基座上依次安装有准直偏振系统组件、滤光干渉系统组件和成像系统。所述的准直偏振系统组件与调整基座之间设有ー维横向调节架。所述的横向调节架可确保与其他部件的等光轴性。所述的光源组件包括笔形汞灯、笔形汞灯支架和磁流线圈，所述的笔形汞灯安装于笔形汞灯支架上，所述的笔形汞灯置于磁流线圈中心。所述的准直偏振系统组件包括准直透镜、偏振片和精密调整架，所述准直透镜和偏振片分别装在精密调整架的两侧。采用精密调整架可保证准直透镜和偏振片的等光轴性。所述的滤光干渉系统组件包括546. Inm干涉滤光片、F-P标准具和精密调整架。所述546. Inm干涉滤光片装于F-P标准具进光ロ处，所述F-P标准具安装于精密调整架内。采用精密调整架可保证546. Inm干涉滤光片和F-P标准具的等光轴性。所述的成像系统包括相机和镜头。所述的导轨长度优选为600mm。所述的拖板长度优选为50mm。所述拖板带有锁紧装置，确保光学部件的对准，稳固，使得实验稳定，精确。所述导轨、拖板、精密调整架、支撑杆和升降调节架均为通用器件，亦可用于光电效应实验装置、激光原理实验装置等其他物理实验装置中可同时满足其他物理实验的需要。[0012]本实用新型装置使用时，将笔形汞灯7接通电源，其发出的光线由准直透镜11准直后，通过偏振片12，成为线偏振光，进入546. Inm干渉滤光片13后成为単色光，进入F-P标准具14形成干涉圆环，通过镜头成像于CXD中；而当磁流线圈9通电后，产生足够强的磁场，汞原子产生能级分裂，相应的成像于CCD中的每ー级干涉圆环也会产生相应的分裂，塞曼效应即可被观测。本实用新型的有益效果主要表现在(I)将准直透镜、偏振片和精密调整架集成为准直偏振系统组件，保证了准直透镜和偏振片的等光轴性，減少了独立的光学部件，易于实验装置的等光轴性的调整，不易造成光学部件的污染和损坏。(2)将546. Inm干涉滤光片、F-P标准具和精密调整架集成为滤光干渉系统组件，保证了干渉滤光片和F-P标准具的等光轴性，減少了独立的光学部件，易于实验装置的等光轴性的调整。(3)通用化的导轨、拖板、精密调整架、支撑杆和升降调节架解决了物理实验仪器通用性差，维护成本高的问题。(4)带锁紧装置的拖板确保实验的稳定性和精确性。
图I是本实用新型装置的结构示意图。
具体实施方式
如图I所示的塞曼效应实验装置，包括导轨I、连接件2、光源组件、准直偏振系统组件、滤光干渉系统组件和成像系统。所述导轨I通过连接件2与光源组件连接，导轨I上设有三个由拖板3、升降调节架4和支撑杆5组成的调整基座，从靠近光源组件的一端起，三个调整基座上依次安装有准直偏振系统组件、滤光干渉系统组件和成像系统。所述的准直偏振系统组件与调整基座之间设有ー维横向调节架6，所述的成像系统为相机和镜头10。所述的光源组件包括笔形汞灯7、笔形汞灯支架8和磁流线圈9，笔形汞灯7安装于笔形汞灯支架8上后置于磁流线圈9中心。所述的准直偏振系统组件包括准直透镜11、偏振片12和精密调整架15，准直透镜11和偏振片12分别装在精密调整架15的两侧。所述的滤光干渉系统组件包括546. Inm干渉滤光片13、F_P标准具14和精密调整架15。546. Inm干涉滤光片13装于F-P标准具14的进光ロ处，F-P标准具14装于精密调整架15内。导轨I长度为600mm。拖板3长度为50mm。拖板3上设有由锁紧螺钉组成的锁紧装置。所述导轨I、拖板3、精密调整架15、支撑杆5和升降调节架4均为通用器件。本实用新型装置使用时，将笔形汞灯7接通电源，其发出的光线由准直透镜11准直后，通过偏振片12，成为线偏振光，进入546. Inm干渉滤光片13后成为単色光，进入F-P标准具14形成干涉圆环，通过镜头成像于CXD中；而当磁流线圈9通电后，产生足够强的磁场，汞原子产生 能级分裂，相应的成像于CCD中的每ー级干涉圆环也会产生相应的分裂，塞曼效应即可被观测。
权利要求1.一种塞曼效应实验装置，包括导轨、连接件、光源组件、准直偏振系统组件、滤光干涉系统组件和成像系统，其特征在于所述导轨与光源组件连接，所述的导轨上设有若干个由拖板、升降调节架和支撑杆组成的调整基座；所述的调整基座有至少三个，从靠近光源组件的一端起的三个调整基座上依次安装有准直偏振系统组件、滤光干涉系统组件和成像系统；所述的准直偏振系统组件与调整基座之间设有一维横向调节架。
2.如权利要求I所述的塞曼效应实验装置，其特征在于所述的光源组件包括笔形汞灯、笔形汞灯支架和磁流线圈，所述的笔形汞灯安装于笔形汞灯支架上，所述的笔形汞灯置于磁流线圈中心。
3.如权利要求I所述的塞曼效应实验装置，其特征在于所述的准直偏振系统组件包括准直透镜、偏振片和精密调整架，所述准直透镜和偏振片分别装在精密调整架的两侧。
4.如权利要求I所述的塞曼效应实验装置，其特征在于所述的滤光干涉系统组件包括546. Inm干涉滤光片、F-P标准具和精密调整架，所述546. Inm干涉滤光片装于F-P标准具进光口处，所述的F-P标准具安装于精密调整架内。
5.如权利要求I所述的塞曼效应实验装置，其特征在于所述的成像系统包括相机和镜头。
6.如权利要求I所述的塞曼效应实验装置，其特征在于所述的导轨通过连接件与光源组件连接。
7.如权利要求I所述的塞曼效应实验装置，其特征在于所述的导轨长度为600_。
8.如权利要求I所述的塞曼效应实验装置，其特征在于所述的拖板长度为50_。
9.如权利要求I所述的塞曼效应实验装置，其特征在于所述的拖板带有锁紧装置。
专利摘要本实用新型公开了一种塞曼效应实验装置，包括导轨、连接件、光源组件、准直偏振系统组件、滤光干涉系统组件、成像系统；所述导轨通过连接件与光源组件连接，所述的导轨上设有若干个由拖板、升降调节架和支撑杆组成的调整基座；所述的调整基座有至少三块，从靠近光源组件的一端起，三个调整基座上依次安装有准直偏振系统组件、滤光干涉系统组件和成像系统。本实用新型装置的准直偏振系统组件和滤光干涉系统组件减少了独立的光学部件，易于实验装置的等光轴性的调整，同时采用通用化的导轨、拖板、精密调整架、支撑杆和升降调节架，解决了物理实验仪器通用性差，维护成本高的问题。
文档编号G09B23/06GK202394419SQ201120468878
公开日2012年8月22日 申请日期2011年11月23日 优先权日2011年11月23日
发明者乐培界, 岑华平, 汪超, 汪飞, 申屠蕃, 石文渊, 童建平, 陈晓明, 隋成华, 魏高尧 申请人:杭州博光科技有限公司