显示装置的制作方法

专利名称：显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种显示装置。
背景技术：
公知有一种显示器，该显示器在显示装置的各个像素中配置有基于MEMS(Micix)Electro Mechanical Systems、微机电系统)的光闸(快门)，并通过光闸的开闭来形成图像。作为这种显示装置，例如，在日本特开2008-197668号公报中公开了一种显示器，该显示器使用以MEMS为基础的机械式光调制器并带有背光源。另外，在日本特表2008-533510号公报中也公开了一种内装有以MEMS为基础的光调制器的显示器装置，并且该显示器装置的制造方法记载了与液晶显示器的制造工艺具有互换性的意思。在此，在于多个像素中具有作为光调制器的光闸组装体的显示装置中，光闸组装体由形成为板状的光闸板和通过静电力而对光闸板进行驱动的促动部(actuator)构成。由于需要使光闸板在基板上以能够移动的方式浮置，所以，作为制造光闸组装体的工艺，例如，考虑有利用牺牲层并通过光刻(lithography)工序进行加工的工艺。图8A 图8H是表示被考虑为利用牺牲层来制造光闸组装体的方法的一个参考例的图。在参考例的制造工序中，首先，如图8A以及图8B所不,通过两次光刻工序而形成有成为牺牲层的抗蚀膜(resist) RSa和抗蚀膜RSb ;接着，如图8C所示，成膜导体层AS和金属层AL。之后，经过进一步的光刻工序，而如图8D所示地加工出涂敷在金属层AL上的抗蚀膜RSc,进一步地,通过湿式蚀刻(wet etching)使金属层AL被除去(图8E),并通过各向异性干式蚀刻(dry etching)以使形成于抗蚀膜RSb的侧壁上的部分被除去的方式使导体层AS被除去(图8F)。而且，在该各向异性干式蚀刻过程中，使抗蚀膜RSa和抗蚀膜RSb被除去(图8G)，并且在剩余结构的整体上成膜绝缘层IS，形成第一支承部S I和光闸板SH等(图8H)。因此，在上述参考例中，如图8H的第一支承部S I所示，通过不同的光刻工序形成有以未浮置在基板上的方式而形成的结构的下侧部分和上侧部分。但是，当如图8A 图8H所示地制造光闸组装体时，以在不同的光刻工序之间可能产生的对位偏移为原因，而存在产生膜应力的不平均性，且在光闸组装体上发生变形的情况。

发明内容
本发明着眼于上述课题，以提供一种在具有以MEMS为基础的光闸组装体的显示装置上，能够抑制光闸组装体变形的发生的显示装置为目的。为了解决上述课题，本发明的显示装置具有多个像素，该多个像素具有形成为板状的光闸板；和通过静电力驱动所述光闸板的促动部，其特征在于，所述促动部具有与所述光闸板连接的梁部；通过施加电压而使所述梁部弯曲从而驱动所述光闸板的驱动电极；支承所述驱动电极并固定在基板上的第一支承部；和支承所述梁部并固定在所述基板上的第二支承部，所述第一支承部以及所述第二支承部的至少一方具有以从所述基板离开的方式形成为平面状的平面部分、和以从所述平面部分凹陷的方式形成，且与所述基板连接的凹部，所述凹部具有从所述平面部分大致垂直地倾斜形成的垂直形成部分；和从所述垂直形成部分开始，以随着向所述基板侧前进而使倾斜变缓的方式形成的部分。另外，在本发明的显示装置的其他方式中，还可以是，其特征在于，所述驱动电极以及所述梁部以所述平面部分为基准而在所述基板侧形成。另外，在本发明的显示装置的其他方式中，还可以是，其特征在于，所述驱动电极以及所述梁部通过与宽度方向相比在深度方向上较大的纵横尺寸比而形成。另外，在本发明的显示装置的其他方式中，还可以是，其特征在于，所述第一支承部具有所述凹部，所述驱动电极从俯视来看，以通过具有所述纵横尺寸比的结构形成外延，且内侧为中空的方式形成。 另外，在本发明的显示装置的其他方式中，还可以是，其特征在于，所述驱动电极以及所述梁部形成在比所述光闸板更深的位置上。另外，在本发明的显示装置的其他方式中，还可以是，其特征在于，所述驱动电极以及所述梁部的所述基板侧的前端尖细地形成。根据本发明，能够提供一种能够抑制光闸组装体上的变形的发生的显示装置。


图I是概略性地表示本发明的第一实施方式的显示装置的示意图。图2是表示第一实施方式的第一基板的等效电路的图。图3A是表示第一实施方式的显示装置中的像素区域的情况的俯视图。图3B是表示第一实施方式的显示装置中的像素区域的情况的俯视图。图4是表示图3A中的IV-IV截面的剖视图。图5A是表示制造第一实施方式中的光闸组装体的情况的图。图5B是表示制造第一实施方式中的光闸组装体的情况的图。图5C是表示制造第一实施方式中的光闸组装体的情况的图。图是表示制造第一实施方式中的光闸组装体的情况的图。图5E是表示制造第一实施方式中的光闸组装体的情况的图。图5F是表示制造第一实施方式中的光闸组装体的情况的图。图5G是表示制造第一实施方式中的光闸组装体的情况的图。图5H是表示制造第一实施方式中的光闸组装体的情况的图。图6是表示第二实施方式中的光闸组装体M的截面的情况的图。图7A是表示制造第二实施方式中的光闸组装体的情况的图。图7B是表示制造第二实施方式中的光闸组装体的情况的图。图7C是表示制造第二实施方式中的光闸组装体的情况的图。图8A是表示制造参考例中的光闸组装体的情况的图。图8B是表示制造参考例中的光闸组装体的情况的图。图8C是表示制造参考例中的光闸组装体的情况的图。
图8D是表示制造参考例中的光闸组装体的情况的图。图8E是表示制造参考例中的光闸组装体的情况的图。图8F是表示制造参考例中的光闸组装体的情况的图。图8G是表示制造参考例中的光闸组装体的情况的图。图8H是表示制造参考例中的光闸组装体的情况的图。附图标记说明 DP 显示装置，M 光闸组装体，PX1、PX2、PX3、PX4、PX 像素，AP 孔(aperture)，GL 扫描信号线，DL影像信号线，DLl第一影像信号线，DL2第二影像信号线，CL公共信号线，IM图像，T1、T2薄膜晶体管，C1、C2电容，SH光闸板，AC促动部，SI第一支承部，S2第二支承部，B梁部，E驱动电极，GR晶格部分，OP开口，BI第一基板，AS导体层，IS绝缘层，AL金属层，Sp平面部分，Sc凹部，Sv垂直形成部分，Sg倾斜部分，RSI、RS2、RSa, RSb, RSc抗蚀膜。
具体实施例方式以下，参照附图对本发明的各个实施方式进行说明。[第一实施方式]图I是本发明的第一实施方式的显示装置DP的示意图。显示装置DP在配置成矩阵状的多个像素的各自上都具有作为光调制器的光闸组装体M。在图I的示意图中，像素PXl以及PX4为打开状态且能够使来自孔AP的背光源BL的光透过，在图像頂上显示白色。另外，像素PX2以及PX3为闭合状态且阻挡背光源BL的光透过，在图像頂上显示黑色。另外，显示装置DP包括在多个像素的各自上都具有开关元件的第一基板和与第一基板相对配置的第二基板。光闸组装体M配置在第一基板和第二基板之间。图2是表示本实施方式中的第一基板的等效电路的图。如该图所示，多条扫描信号线GL以及公共信号线CL沿着图中横向延伸，而且，多条第一影像信号线DL I以及第二影像信号线DL2沿着图中纵向延伸。另外，各像素PX以包括两个薄膜晶体管T1、T2和两个电容器Cl、C2的方式构成。薄膜晶体管Tl的栅极(gate)与扫描信号线GL电连接，漏极(drain)与第一影像信号线DLl电连接,源极(source)与电容器Cl以及光闸组装体M的促动部电连接。薄膜晶体管T2也同样地被连接。扫描信号线GL通过在指定时间施加电压来进行像素行的选择。基于扫描信号线GL的像素行的选择依次进行，在光闸组装体M中与该选择的时间相符地，从第一影像信号线DLl以及第二影像信号线DL2的一方或两方供给有影像信号。第一影像信号线DLl以及第二影像信号线DL2(以下也将其简称为影像信号线DL)向光闸组装体M供给用于使光闸组装体M成为打开状态或闭合状态的影像信号。具体为，根据来自第一影像信号线DL I的影像信号，驱动光闸组装体M以使像素PX成为打开状态，根据来自第二影像信号线DL2的影像信号，驱动光闸组装体M以使像素PX成为闭合状态。在写入影像信号之后，与所写入的像素连接的扫描信号线GL被接地，而使光闸组装体M的状态被维持。公共信号线CL向光闸组装体M供给指定的基准电位。如后所述，本实施方式中的光闸组装体M是通过基于来自影像信号线DL的影像信号和来自公共信号线CL的基准电位之间的电位差而产生的静电力驱动的。
另外，在多个第一影像信号线DLl以及多个第二影像信号线DL2上，连接有图2中未图示的影像信号线驱动电路。首先，本实施方式中的影像信号线驱动电路根据输入有影像信号的像素的状态，决定应该使光闸组装体M所具有的光闸板向打开状态一侧移动，还是应该向闭合状态一侧移动。而且，在使光闸板向闭合状态一侧移动的情况下，向第一影像信号线DLl输出影像信号并供给光闸组装体M所具有的促动部的动作所需要的电压，并使第二影像信号线DL2接地。另一方面，当使光闸板向打开状态一侧移动的情况下，向第二影像信号线DL2输出影像信号并供给促动部的动作所需要的电压，并使第一影像信号线DLl接地。在此，对本实施方式中的光闸组装体M进行说明。图3A以及图3B是表示本实施方式的显示装置中的像素区域的情况的放大俯视图。光闸组装体M构成具有形成为板状的光闸板SH、和两个促动部AC，光闸板SH的位置由促动部AC来控制。另外，图3A表示未向两个促动部AC供给影像信号的状态，图3B表示从第一影像信号线DL I输入有影像信号并成为黑色显示的情况。
图3B中，在与光闸板SH重复的位置上配置有未图示的孔AP，来自背光源BL的光被光闸板SH遮挡而成为黑色显示。另外，与图3B相反地，当使光闸板SH向偏向图中右向的位置移动时，光闸板SH所具有的两个开口 OP和未图示的孔AP重复，使得来自背光源BL的光不受遮挡而成为白色显示。促动部AC具有根据来自影像信号线DL的信号产生静电力，而使光闸板SH的位置发生变化的功能。本实施方式中的促动部AC构成包含驱动电极E ;与光闸板SH连接的梁部B ;支承该驱动电极E的第一支承部SI ;和支承梁部B的第二支承部S2。如图3A等所示，梁部B是从光闸板SH的中央向上下派生的梁状的构造物，由在第一基板上形成的第二支承部S2支承。另外，驱动电极E由第一基板上的第一支承部SI支承且与梁部B相对地配置，并与上述薄膜晶体管Tl或T2的源极电连接。图4是表示图3A中的IV-IV截面的情况的图。如该图所示,促动部AC以及光闸板SH构成包括具有导电性的导体层AS ;金属层AL ;和覆盖在其周围的绝缘层IS。当来自影像信号线DL的影像信号输入至促动部AC中时，电荷经由第一支承部SI蓄积到驱动电极E的导体层AS中。另一方面，在光闸板SH上，经由第二支承部S2以及梁部B输入有来自公共信号线CL的基准电位，随着影像信号的输入，在驱动电极E和梁部B之间产生静电力而相互接触。而且，当接触时，通过绝缘层IS维持驱动电极E以及梁部B的绝缘性，并通过所产生的静电力，使梁部B被拉近至驱动电极E并发生变形，从而使光闸板SH沿着基板面内向滑动到基于变形所产生的复原力和静电力平衡的位置(参照图3B)。在此，特别地使用图5A 图5H，对本实施方式中的光闸组装体M的制造工序进行说明，并从制造工序的观点出发，对光闸组装体M的机械结构进行说明。图5A 图5H分别是表示与图3A中的IV-IV截面对应的部分的情况的图。制造光闸组装体M时，首先，如图5A所示，在第一基板BI上涂敷有膜厚较大的抗蚀膜RSl，并通过光刻工序来加工抗蚀膜RSl (第一光刻工序)。在本实施方式的第一光刻工序中，使用半色调掩模(half-tone mask)并通过一次光刻工序来进行抗蚀膜RSl的加工，该抗蚀膜RSl是为了分别形成第一支承部SI、第二支承部S2、驱动电极E、梁部B和光闸板SH所需要的。此外,本实施方式中的半色调掩模的掩模图形(mask pattern),全曝光部与图3A中的第一支承部SI以及第二支承部S2的孔形成位置对应，半曝光部与图3A中的驱动电极E的外侧即梁部B的内侧的区域和晶格部分GR的内侧的区域对应，非曝光部分与驱动电极E的内侧的区域、在第一支承部SI上形成为俯视呈-字形的部分的内侧、和梁部B以及晶格部分GR的外侧对应。接着，如图5B以及图5C所示，首先，在抗蚀膜RSl上形成导体层AS，并进一步地形成金属层AL。在本实施方式中，导体层AS是通过PECVD法(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition ;等离子增强化学气相沉积法)一边向非晶娃(amorphous silicon)添加杂质一边成膜的，但是也可以使用其他半导体，例如SiGe、GaAs, CdSe, InP等。另外，本实施方式的金属层AL是以铝(Al)为主体的合金，但是也可以使用其他金属，例如Cu、Ni、Mo、Ta等，通过该金属层AL使来自孔AP的光被遮挡。之后，如图所示，经由第二光刻工序，使抗蚀膜RS2涂敷、曝光、显影。此外，使第二光刻工序中的形成有抗蚀膜RS的区域与图3A中添加有颜色的区域(即第一支承部SI、第二支承部S2、光闸板SH的区域)对应。 接着，如图5E以及5F所示，通过湿式蚀刻而使从抗蚀膜RS2露出的部分的金属层AL被除去，并通过各向异性干式蚀刻而使导体层AS被除去。在图5F所示的各向异性干式蚀刻的工序中，使在抗蚀膜RSl上平面形成的导体层AS被清除掉，并使在抗蚀膜RS I的图形侧壁上形成的导体层AS被保留。通过上述那样地，能够使梁部B和驱动电极E上的导体层AS形成为，比第一光刻工序中使用的曝光装置的最小设计尺寸更小的宽度，并能够使梁部B和驱动电极E形成为易弹性变形的结构。在进行了图5F的各向异性干式蚀刻之后，使用作牺牲层的抗蚀膜RSl和抗蚀膜RS2被除去(图5G),并通过CVD法(Chemical Vapor Deposition ;化学气相沉积法),使得在被保留的导体层AS以及金属层AL的周围形成绝缘层IS (图5H)。本实施方式中的光闸组装体M经由上述制造工序而通过两次光刻工序形成。接着，在上述制造工序的基础上，对光闸组装体M的结构进彳丁进一步的具体说明。首先，如图4的剖视图所示，第一支承部SI具有形成为平面状的平面部分Sp，凹部Sc (固定部)以从平面部分Sp向第一基板BI侧(下侧)凹陷的方式形成，并在凹部Sc的底部连接在第一基板BI上。由于平面部分Sp形成在抗蚀膜RSl的上面，所以从第一基板BI离开地形成，且相对于第一基板BI大致平行。凹部Sc在第一光刻工序中，与被半色调掩模全曝光的部分对应，在抗蚀膜RSl的较浅部分上，使掩模的图形被忠实地复制，并且凹部Sc被加工，以使抗蚀膜RSl的侧壁大致垂直。另一方面，在抗蚀膜RSl的较深部分，根据曝光光线的衰减或焦点的偏移等而在抗蚀膜材料上产生的光学因素，难以使掩模的图形被忠实地复制。因此，凹部Sc形成具有以从平面部分Sp大致垂直地倾斜的方式形成的垂直形成部分Sv ;和从垂直形成部分Sv的下端开始，随着向第一基板BI侧前进而使倾斜逐渐变缓的倾斜部分Sg。该倾斜逐渐变缓的倾斜部分Sg由与垂直形成部分Sv连续地相连的曲面而形成，凹部Sc以前端变细的方式形成。此外，这里所说的大致垂直是指，在完全垂直的情况的基础上，还包括以90°为基准的±5.0度以下的范围的情况。另外，制造上的误差也是允许的。同样地，大致平行是指，在完全平行的情况的基础上，还包括以0°为基准的±5.0度以下的范围的情况。制造上的误差也是允许。
另外，第一支承部SI具有导体层AS ;叠层在导体层AS上的金属层AL ;和覆盖在其周围的绝缘层IS。在凹部Sc的底部，导体层AS以随着向第一基板BI侧前进而使倾斜逐渐变缓的方式形成，并以将下端向内侧拉的方式形成为锅底状。导体层AS在凹部Sc的底部与第一基板BI连接，从形成为锅底状的部分的上端到形成为平面状的部分，其相对于第一基板BI大致垂直地形成。由于如以上那样地形成有凹部Sc，所以无需形成用于对位边缘(margin)的、相对于第一基板BI平行的区域，而能够避免基于绝缘层IS的膜应力的非对称性的发生。另外，由于在凹部Sc的倾斜逐渐变缓的倾斜部分Sg上，绝缘层IS的分散性得到改善，由此，第一支承部SI的机械强度提高，难以产生裂纹等。此外，在本实施方式中，相对于一个促动部AC，在四处形成有第二支承部S2，在这些第二支承部S2上也形成有与第一支承部SI相同的凹部Sc。但是，只要在第一支承部SI以及四个第二支承部S2中的任意一个上，形成具有垂直形成部分Sv以及使倾斜逐渐变缓的倾斜部分Sg的凹部Sc即可，由此，能够使可能在促动部AC上产生的膜应力的非对称性的发生得到缓和，并且使机械强度提高。
另外，在本实施方式中，由于如上所述地使用半色调掩模，所以能够使对抗蚀膜RSl进行加工的工序通用化，该抗蚀膜RSl用于形成与第一基板BI连接的第一支承部SI的凹部Sc和从第一基板BI浮置的部分，并且使驱动电极E、梁部B和光闸板SH均形成在半曝光的位置。由此，驱动电极E以及梁部B以促动部AC的平面部分Sp为基准形成在第一基板BI侧，并位于垂直形成部分Sv的侧方。这样，通过使用半色调掩模来对成为牺牲层的抗蚀膜RSl进行加工，从而在实现膜应力的非对称性的缓和、和机械强度的提高的基础上，还进一步地使制造工序简化。另外，在本实施方式中，由于驱动电极E以及梁部B的导体层AS形成在半曝光的抗蚀膜RS I中的图形的侧壁上，所以驱动电极E等具有与宽度方向相比在深度方向上更大的纵横尺寸(aspect)比。由于驱动电极E等这样地以较细的线宽形成，所以也可以说是成为容易受到绝缘层IS的膜应力的不平均性的影响的结构。另外，由于驱动电极E和梁部B与凹部Sc的垂直形成部分Sv同样地，都形成在抗蚀膜RSl的图像的侧壁上，所以，如图4等所示，驱动电极E和梁部B位于垂直形成部分Sv的侧方，且相对于垂直形成部分Sv大致平行地形成。另外，进一步地，在本实施方式中，如图3A等所示，驱动电极E从俯视来看，以通过所述纵横尺寸比的结构使外延包边，且使其内侧为中空的方式形成。另一方面，关于梁部B，同样地，也通过所述纵横尺寸比的结构，以将指定区域(本实施方式中为配置有第一支承部SI以及驱动电极E的区域)包围的方式形成。由此，驱动电极E和梁部B以对膜应力的不平均性敏感的结构形成，并且通过两次光刻(photolithography)工序,能够形成具有所述纵横尺寸比的驱动电极E和梁部B的光闸组装体M。另外，如图3A等所示，形成为板状的光闸板SH形成具有晶格部分GR。该晶格部分GR与梁部B连接，晶格部分GR和梁部B通过半色调掩模中的连续的一个图形形状而形成。晶格部分GR在形成为板状的光闸板SH上具有槽状的形状，光闸板SH通过晶格部分GR被加强，当驱动时能够确保光闸板SH的刚性。另外，如图3A所示，晶格部分GR以将光闸板SH所具有的开口 OP包围的方式形成，也具有以横跨在开口 OP上的方式形成的部分。
[第2实施方式]接着，对本发明的第二实施方式进行说明。图6是表示第二实施方式中的驱动电极E、梁部B和光闸板SH的截面的图，并表示图3A的IV-IV剖面中的从驱动电极E到光闸板SH的部分。第二实施方式中，除了使驱动电极E的外侧即梁部B的内侧的区域，以通过第一光刻工序的半色调掩模而全曝光的方式形成的这一点之外，与第一实施方式的情况大致相同。图7A 图7C是说明制造第二实施方式中的光闸组装体M的情况的图。首先，如图7A所示，在成为牺牲层的抗蚀膜RS I上，将形成驱动电极E以及梁部B的部分与第一实施方式所说明的凹部Sc的部分相同地进行全曝光而加工。之后，经由与图5B 图5E相同的工序，当施行各向异性蚀刻时，如图7B所示，使抗蚀膜RSl的图形侧壁的内侧被加工，并使在抗蚀膜RSl的底部形成的导体层AS被排除。由此，当使抗蚀膜RSl被清除掉并形成绝缘层IS时，如图7C所示，驱动电极E以及梁部B在比光闸板SH更靠下侧的位置上形成，顶端变得尖细。由此，在由半色调掩模制造的驱动电极E以及梁部B上，虽然基于曝光不足而造成的平面方向以及纵方向的尺寸偏差很大，但是在本发明的第二实施方式中，由于是通 过全曝光来进行加工，所以能够以较好的平均性来进行制造。此外，上述各实施方式中的显示装置DP均具有背光源BL，但也可以是投射型的显示装置，还可以是通过从显示装置的观看者侧引起的环境光的反射来形成图像的反射型的
显示装置。此外，在上述各实施方式中的显示装置DP中，如图I所示，均将形成有薄膜晶体管的第一基板BI配置在背光源BL侧，但是，也可以在观看者侧配置形成有薄膜晶体管的第一基板BI，并将形成有孔AP的基板配置在背光源BL侧。此外，作为背光源BL,也可以米用FSC方式(Field Sequential Color、场序彩色)。另外，作为生成灰阶(gray scale)的方式，也可以使用对光闸板SH为打开状态的时间进行控制的时间分割方式，也可以是使从开口的像素入射的光在背光源BL侧反射，并使用其散射光的方式。 此外，在上述各实施方式中的显示装置DP中，光闸组装体M均具有两个促动部AC来控制光闸板SH的位置，但是也可以是仅具有一个促动部AC的光闸组装体M。在这种情况下，例如，当将像素PX从闭合状态转换到打开状态时，则向促动部AC输入影像信号，当从打开状态转换到闭合状态时，则关闭向促动部AC输入的影像信号，也可以通过梁部B的复原力来移动光闸板SH。如上所述，对本发明的各实施方式进行了说明，但是本发明并不限定于上述实施方式，还能进行各种变形。例如，实施方式中已说明的结构能够与实质上相同的结构、发挥相同作用效果的结构、或者能够达到相同目的的结构进行置换。
权利要求
1.一种显示装置，其具有多个像素，该多个像素具有 形成为板状的光闸板；和 通过静电力驱动所述光闸板的促动部，其特征在于， 所述促动部具有 与所述光闸板连接的梁部； 通过施加电压而使所述梁部弯曲从而驱动所述光闸板的驱动电极； 支承所述驱动电极并固定在基板上的第一支承部；和 支承所述梁部并固定在所述基板上的第二支承部， 所述第一支承部以及所述第二支承部的至少一方具有 以从所述基板离开的方式形成为平面状的平面部分；和 以从所述平面部分凹陷的方式形成，且与所述基板连接的凹部， 所述凹部具有 从所述平面部分大致垂直地倾斜形成的垂直形成部分；和 从所述垂直形成部分开始，以随着向所述基板侧前进而使倾斜变缓的方式形成的部分。
2.根据权利要求I所述的显示装置，其特征在于， 所述驱动电极以及所述梁部以所述平面部分为基准而在所述基板侧形成。
3.根据权利要求I所述的显示装置，其特征在于， 所述驱动电极以及所述梁部通过与宽度方向相比在深度方向上较大的纵横尺寸比而形成。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于， 所述第一支承部具有所述凹部， 所述驱动电极从俯视来看，以通过具有所述纵横尺寸比的结构形成有外延，且内侧为中空的方式形成。
5.根据权利要求I所述的显示装置，其特征在于， 所述驱动电极以及所述梁部形成在比所述光闸板更深的位置上。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于， 所述驱动电极以及所述梁部的所述基板侧的前端尖细地形成。
全文摘要
本发明提供一种显示装置，其具有多个像素，该多个像素具有形成为板状的光闸板(SH)和促动部(AC)，其特征在于，促动部(AC)具有与光闸板(SH)连接的梁部(B)；通过施加电压而使梁部(B)弯曲并驱动光闸板(SH)的驱动电极(E)；支承驱动电极(E)并固定在基板(B1)上的第一支承部(S1)；和支承梁部(B)并固定在基板上的第二支承部，第一支承部(S1)以及第二支承部的至少一方具有从基板离开的平面部分(Sp)；和以从平面部分(Sp)凹陷的方式形成，且与基板连接的凹部(Sc)，凹部(Sc)具有从平面部分大致垂直地倾斜形成的垂直形成部分(Sv)；和从垂直形成部分(Sv)开始，以随着向基板(B1)侧前进而倾斜变缓的方式形成的部分(Sg)。
文档编号G09G3/34GK102809816SQ20121018266
公开日2012年12月5日 申请日期2012年6月1日 优先权日2011年6月3日
发明者木村泰一, 藤吉纯, 栗谷川武, 园田大介 申请人:株式会社日本显示器东