电光学装置以及电子设备的制造方法

本发明的几个方式例如涉及以电光学元件显示图像时防止显示品质的降低的技术。

背景技术：
近几年，提出有各种使用有机发光二极管（OrganicLightEmittingDiode，以下称为“OLED”）元件等发光元件的电光学装置。在该电光学装置中，一般采用对应于扫描线与数据线的交叉而设置像素电路的构成。像素电路包括上述发光元件、驱动晶体管等，与应显示的图像的像素对应设置。在这样的构成中，若与像素的灰度电平对应的电位的数据信号施加于驱动晶体管的栅极，则该驱动晶体管将与栅极/源极间的电压对应的电流向发光元件供给。由此，该发光元件以与灰度电平对应的亮度发光。此时，若驱动晶体管的阈值电压等特性按每个像素电路产生偏差，则产生损坏显示画面的一致性的显示不匀。因此，提出了补偿像素电路的驱动晶体管的特性的技术（例如，参照专利文献1）。专利文献1：日本特开2011-53635号公报然而，若电光学装置趋于微细化，则由于各种布线、端子、电极等接近，则相互容易产生电容耦合。因此，若在某个电极中电位变动，则影响其它的电极的电位，结果成为使显示品质降低的重要原因。

技术实现要素：
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的之一是提供一种即使电光学装置微细化、也能够防止显示品质的降低的电光学装置以及电子设备。为了实现上述目的本发明实施方式的电光学装置具有：多个数据线；第一像素电路，其与上述多个数据线中的第一数据线对应设置；和第二像素电路，其与上述多个数据线中的第二数据线对应设置，上述第一像素电路以及第二像素电路分别包括：发光元件；和驱动晶体管，其将与栅极/源极间的电压对应的电流向上述发光元件供给，上述电光学装置具有：第一保持电容，其一端与上述第一数据线连接，另一端与应向上述第一像素电路的发光元件供给的电流对应地进行电位移位；第二保持电容，其一端与上述第二数据线连接，另一端与应向上述第二像素电路的发光元件供给的电流对应地进行电位移位；定电位线，俯视状态下，其设置于上述第一保持电容与上述第二保持电容之间。根据本发明方式，设置于第一保持电容与第二保持电容之间的定电位线作为屏蔽线起作用。因此，经由第一保持电容的第一数据线、经由第二保持电容的第二数据线相互不容易受电位变动的影响，从而能够防止显示品质降低。在上述方式中，也可以构成为，上述第一保持电容的一端以及上述第二保持电容的一端以第一导电层或者第二导电层中的任意一方形成，上述第一保持电容的另一端以及上述第二保持电容的另一端以上述第一导电层或者上述第二导电层中的任意另一方形成，上述定电位线至少以上述第一导电层的布线以及第二导电层的布线来形成。根据该构成，由构成第一保持电容以及第二保持电容的第一导电层、第二导电层构成。定电位线也由第一导电层、第二导电层构成。作为屏蔽线的功能提高。在该构成中，优选构成为，上述定电位线的上述第一导电层的布线以及第二导电层的布线相互电连接。根据该构成，剖面方向的屏蔽功能也提高。此外，定电位线的第一导电层的布线以及第二导电层的布线也可以是相互不电连接。不连接的情况下，定电位线的第一导电层的布线以及第二导电层的布线可以是相互相同或者不相同的电位。在上述方式中，也可以构成为，作为定电位线，使用供给复位电位的布线。即，也可以构成为，上述发光元件是双端子型元件，上述发光元件与上述驱动晶体管在不同的2个电源电位之间以串联的方式电连接，上述发光元件两端子中的、上述驱动晶体管侧的端子被该驱动晶体管供给电流之后，变为规定的复位电位，向上述定电位线供给上述复位电位。另外，在上述方式中，也可以构成为，作为定电位线，使用发光元件的电源线。即，也可以构成为，上述发光元件与上述驱动晶体管在不同的2个电源电位之间以串联的方式连接，上述2个电源电位中的一方被供给至所述定电位线。在本发明的方式中，除了电光学装置之外，还能够定义为具有电光学装置的电子设备。作为电子设备，典型地能够例举出头戴式显示器（HMD）、电子取景器等显示装置。附图说明图1是表示本发明的实施方式的电光学装置的构成的立体图。图2是表示该电光学装置的电构成的图。图3是表示该电光学装置中的像素电路的图。图4是表示该像素电路的构成的俯视图。图5是表示图4的等效电路的俯视图。图6是表示该电光学装置的电平移位电路的要部构成的俯视图。图7是表示图6的等效电路的俯视图。图8是表示以图6的P-p线剖开的局部剖视图。图9是表示以图6的Q-q线以及R-r线剖开的局部剖视图。图10是表示该电光学装置的动作的时序图。图11是该电光学装置的动作说明图。图12是该电光学装置的动作说明图。图13是该电光学装置的动作说明图。图14是该电光学装置的动作说明图。图15是表示该电光学装置的数据信号的振幅压缩的图。图16是表示该电光学装置的晶体管的特性的图。图17是表示应用方式的电平移位电路的要部构成的俯视图。图18是表示使用了实施方式等的电光学装置的HMD的立体图。图19是表示HMD的光学构成的图。具体实施方式以下，参照附图，对用于实施本发明的方式进行说明。图1是表示本发明的实施方式的电光学装置10的构成的立体图。该电光学装置10例如是在HMD（HeadMountDisplay）等中显示彩色图像的微型显示器。电光学装置10是多个像素电路、驱动该像素电路的驱动电路等例如形成于半导体硅基板上而构成的有机EL装置，在像素电路中作为发光元件的一个例子使用OLED，电光学装置10的详细说明在后面进行叙述。电光学装置10收纳在显示区域开口的框状的壳体72中，并且连接有FPC（FlexiblePrintedCircuits，柔性印刷电路）基板74的一端。在FPC基板74的另一端设置有多个端子76，与省略图示的上位电路连接。在FPC基板上，通过COF（ChipOnFilm）技术安装半导体晶片的控制电路5，并且从该上位电路经由多个端子76且与同步信号同步地供给图像（映像）数据。同步信号包括垂直同步信号、水平同步信号、点时钟信号。另外，对于图像数据而言，按照每个RGB例如以8比特来规定应显示的图像的像素的灰度电平。控制电路5兼具电光学装置10的电源电路和数据信号输出电路的功能。即，控制电路5除了将根据同步信号生成的各种控制信号、各种电位（电压）向电光学装置10供给之外，还将数字的图像数据变换为模拟的数据信号而向电光学装置10供给。图2是表示实施方式的电光学装置10的电构成的图。如该图所示，电光学装置10大致包括扫描线驱动电路20、多路分离器30、电平移位电路40、显示部100。其中，在显示部100矩阵状地排列有与应显示的图像的像素对应的像素电路110。详细而言，在显示部100中，m行的扫描线12在图中沿横向延伸设置，另外，例如，每3列分组的（3n）列的数据线14在图中沿纵向延伸，并且，与各扫描线12保持相互电绝缘地交叉设置。而且，在对应于m行的扫描线12与（3n）列的数据线14的交叉的位置设置有像素电路110。这里，m、n是任一自然数。扫描线12以及像素电路110的矩阵中，为了区别行（row），有在图中从上按顺序称作1、2、3、…、（m-1）、m行的情况。同样，为了区别数据线14以及像素电路110的矩阵的列（column），有在图中从左按顺序称作1、2、3、…、（3n-1）、（3n）列的情况。另外，为了将数据线14的组通用地进行说明，若使用1以上n以下的整数j，则从左数第j组从属有第（3j-2）列、第（3j-1）列以及第（3j）列的数据线14。此外，对应于同一行的扫描线12与属于同一组的3列数据线14的交叉的3个像素电路110，分别与R、G、B的像素对应。因此，在本实施方式中，像素电路110的矩阵排列为纵m行×横（3n）列，从显示图像的点排列来看为纵m行×横n列。为便于说明，例如在将与R对应的第（3j-2）列的数据线14设为第一数据线时，有将与G对应的第（3j-1）列的数据线14称为第二数据线的情况。对于像素电路110而言，与R的数据线14（第一数据线）对应的像素电路成为第一像素电路，与G的数据线14（第二数据线）对应的像素电路成为第二像素电路。那么，在电光学装置10，如下所述的控制信号由控制电路5供给。详细而言，向电光学装置10供给：用于控制扫描线驱动电路20的控制信号Ctr；用于控制在多路分离器30的选择的控制信号Sel（1）、Sel（2）、Sel（3）；与这些信号有逻辑反转的关系的控制信号/Sel（1）、/Sel（2）、/Sel（3）；用于控制电平移位电路40的控制信号/Gini、Gref、Gcpl；与控制信号Gcpl有逻辑反转的关系的控制信号/Gcpl。此外，控制信号Ctr实际上包括脉冲信号、时钟信号、使能信号等多个信号。另外，数据信号Vd（1）、Vd（2）、…、Vd（n）与在多路分离器30的选择时机一致地从控制电路5经由与第1、2、…、n组对应的共用端子78向电光学装置10供给。这里，在本实施方式中，规定应显示的像素的灰度的灰度电平例如被指定为从最暗0电平到最亮255电平的范围，此时，在从相当于0电平的电位Vmax到相当于255电平的电位Vmin的范围内阶段性地取得数据信号Vd（1）～Vd（n）。这里，因为将控制针对OLED的电流的晶体管设为P沟道型，指定越亮的灰度电平，则数据信号从电位Vmax降低。另外，在数据线14分别设置保持电容50。保持电容50的一端与数据线14连接，保持电容50的另一端与定电位的、例如电位Vorst的供电线16共通连接。作为保持电容50，也可以使用寄生于数据线14的电容，也可以使用该寄生电容与由构成数据线14的布线和另外的布线夹持绝缘体（电介质）而形成的电容元件的合成电容。这里，将保持电容50的电容设为Cdt。扫描线驱动电路20根据控制信号Ctr而生成在横跨帧期间对扫描线12每一行按顺序进行扫描的扫描信号。这里，将向第1、2、3、…、（m-1）、m行的扫描线12供给的扫描信号分别标记为Gwr（1）、Gwr（2）、Gwr（3）、…、Gwr（m-1）、Gwr（m）。此外，扫描线驱动电路20除了扫描信号Gwr（1）～Gwr（m）之外，还按每行生成与该扫描信号同步的各种控制信号并向显示部100供给，但在图2中省略图示。另外，所谓帧期间为电光学装置10显示1个镜头（画面）大小的图像所需要的时间，例如若同步信号所包含的垂直同步信号的频率是120Hz的话，则其1个周期为8.3毫秒。多路分离器30是设置于每列的传输门34的集合体。与属于第j组的（3j-2）列、（3j-1）列、（3j）列对应的传输门34的输入端相互与共用端子78连接，并且数据信号Vd（j）以时分割方式供给。在第j组中，设置于作为左端列的（3j-2）列的传输门34在控制信号Sel（1）为H电平（控制信号/Sel（1）为L电平）时接通（导通）。同样，在第j组中，设置于作为中央列的（3j-1）列的传输门34在控制信号Sel（2）为H电平（控制信号/Sel（2）为L电平）时接通，在第j组中设置于作为右端列的（3j）列的传输门34在控制信号Sel（3）为H电平时（控制信号/Sel（3）为L电平时）接通。电平移位电路40是使该数据信号的电位向将从各列的传输门34的输出端输出的数据信号的电位振幅压缩的方向移位的器件。因此，电平移位电路40每列具有保持电容41、传输门42、N沟道型的晶体管43、保持电容44、P沟道型的晶体管45的组合。在各列中，多路分离器30的传输门34的输出端在电平移位电路40中、分别与保持电容41的一端、电平移位电路40中传输门42的输入端连接。保持电容41的另一端在各列中相互与作为固定电位的Gnd共通接地。此外，对于电压而言，只要没有特别说明，保持电容的两端电压、栅极/源极间的电压、OLED150的阳极/阴极间的电压的电位Gnd以零伏为基准。各列的传输门42在控制信号Gcpl为H电平时（控制信号/Gcpl为L电平时）接通。传输门42的输出端经由保持电容44与数据线14连接。这里，对于保持电容44的一端以及另一端而言，为便于说明，将一端设为数据线14一侧，将另一端设为传输门42一侧。此时，保持电容44的一端除了与数据线14连接之外，也与晶体管45的漏极节点连接，另一方面，保持电容44的另一端也与晶体管43的漏极节点连接。为便于说明，图2中虽然省略表示，但将保持电容44的电容设为Cref1，将保持电容44的另一端设为节点h。另外，在以列区别保持电容44的情况下，与R列对应的保持电容为第一保持电容，与G列对应的保持电容为第二保持电容。此外，如图2所示，供电线16以纵贯电平移位电路40的内部的方式延伸配置。对于晶体管43而言，源极节点遍及各列与作为规定的基准电位而供给电位Vref的供电线62共通地连接，栅极节点遍及各列与供给控制信号Gref的控制线64共通地连接。因此，节点h和供电线62在控制信号Gref为H电平时由于晶体管45的接通而电连接，另一方面，在控制信号Gref为L电平时由于晶体管45的断开而成为非电连接。另外，对于晶体管45而言，源极节点遍及各列地与作为初始电位而供给电位Vini的供电线61共通地连接，栅极节点遍及各列与供给控制信号/Gini的控制线63共通地连接。因此，数据线14和供电线61在控制信号/Gini为L电平时由于晶体管45的接通而电连接，另一方面，在控制信号/Gini为H电平时由于晶体管45的断开而成为非电连接。在本实施方式中，为便于说明，将扫描线驱动电路20、多路分离器30以及电平移位电路40分开，但是这些能够作为驱动像素电路110的驱动电路而整合定义。参照图3对像素电路110进行说明。因为从电学来看，各像素电路110是互相相同的构成，所以这里以位于第i行、第j组中的左端列的第（3j-2）列的i行（3j-2）列的像素电路110为例进行说明。此外，图3仅限于表示像素电路110的等效电路，并不是反应实际的电路布局的图。另外i是一般地表示像素电路110排列的行的情况下的符号，是1以上m以下的整数。如图3所示，像素电路110包括P沟道型的晶体管121～125、保持电容140、OLED150。向该像素电路110供给扫描信号Gwr（i）、控制信号Gel（i）、Gcmp（i）、Gorst（i）。这里，扫描信号Gwr（i）、控制信号Gel（i）、Gcmp（i）、Gorst（i）分别与第i行对应而由扫描线驱动电路20供给。其中，经由控制线134供给控制信号Gel（i），同样，分别经由控制线133、135供给控制信号Gcmp（i）、Gorst（i）。此外，因为扫描信号Gwr（i）、控制信号Gel（i）、Gcmp（i）、Gorst（i）与第i行对应地供给，从而若是第i行，则也共通地向着眼的（3j-2）列以外的其它列的像素电路供给。那么，对于在i行（3j-2）列的像素电路110中的晶体管122而言，栅极节点与第i行的扫描线12连接，漏极或者源极节点的一方与第（3j-2）列的数据线14连接，另一方分别与晶体管121的栅极节点、保持电容140的一端、晶体管123的漏极节点连接。这里，为了与其它节点区别而将晶体管121的栅极节点标记为g。在晶体管121，源极节点与供电线116连接，漏极节点分别与晶体管123的源极节点、晶体管124的源极节点连接。这里，在像素电路110中成为电源的高位侧的电位Vel向供电线116供给。在晶体管123中，栅极节点与第i行的控制线133连接并供给控制信号Gcmp（i）。在晶体管124中，栅极节点与第i行的控制线134连接并供给控制信号Gel（i），漏极节点分别与晶体管125的源极节点、OLED150的阳极Ad连接。在晶体管125中，栅极节点与第i行的控制线135连接并供给与第i行对应的控制信号Gorst（i），漏极节点和与第（3j-2）列对应的供电线16连接并保持为电位Vorst。此外，在晶体管121～125中，有因沟道型的变更等引起电位关系变化的情况。在电位关系变化的情况下，有作为漏极节点说明的节点成为源极节点、作为源极节点说明的节点成为漏极节点的可能。例如，晶体管121的源极节点以及漏极节点的任意一方与供电线116电连接，任意另一方能够经由晶体管123与OLED150的阳极Ad电连接。保持电容140的另一端与供电线116连接。因此，保持电容140保持晶体管121的源极/漏极间的电压。这里，将保持电容140的电容标记为Cpix时，保持电容50的电容Cdt、保持电容44的电容Cref1、保持电容140的电容Cpix设定为：Cdt、Cref1＞＞Cpix。即，Cpix比Cdt以及Cref1小很多。此外，Cref2是与Cref1相同的程度，或者是比Cref1稍微小。另外，作为保持电容140，也可以使用寄生于晶体管121的栅极节点g的电容，也可以使用通过在半导体硅基板中用相互不同的导电层夹持绝缘层而形成的电...