1.为器件确定或生成唯一识别符的方法，该器件呈现量子力学约束，所述方法包括：
对由所述量子力学约束造成的所述器件的唯一量子力学效应进行电测量；以及
使用上述测量值确定或生成所述唯一识别符。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测量值包括测量所述器件的唯一量子力学谱。
3.根据以上任意一项权利要求所述的方法，其特征在于，使用所述测量值生成所述唯一识别符包括将所述测量值编码和/或存储为所述唯一识别符。
4.根据以上任意一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述方法包括加热呈现量子力学约束的所述器件以改变所述器件的所述唯一量子力学效应，并从而有助于提供用于所述器件的新的唯一识别符。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，使用专用的加热器，和/或通过向所述器件通入电流，来进行所述加热。
6.根据以上任意一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述方法的至少一部分由其他器件进行，该其他器件包括呈现量子力学约束的器件，和/或该其他器件与呈现量子力学约束的器件连接。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，至少在使用中，使用呈现量子力学约束的所述器件的所述唯一识别符，能够安排通过所述其他器件来测量所述效应，以便为所述其他器件确定或生成唯一识别符。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述其他器件编码和/或存储所述唯一识别符。
9.根据权利要求6到8中任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括将呈现量子力学约束的所述器件的确定或生成的所述唯一识别符与由所述其他器件存储和/或存储在所述其他器件中的一个或多个识别符进行比较，并且若呈现量子力学约束的所述器件的确定或生成的所述唯一识别符与所存储的一个或多个识别符是相同的，则阻止或允许所述其他器件的某些功能。
10.根据以上任意一项权利要求所述的方法，其特征在于，呈现量子力学约束的所述器件在至少一个维度、在至少两个维度，或者在至少三个维度中呈现量子约束。
11.根据以上任意一项权利要求所述的器件，其特征在于，呈现量子力学约束的所述器件包括、是、和/或提供以下中的一个或多个：
一个或多个隧穿势垒；
共振隧穿二极管；
肖特基势垒；
石墨烯纳米带；
在层中的量子力学约束；
在环中的量子力学约束；
在点中的量子力学约束。
12.根据以上任意一项权利要求所述的器件，其特征在于，呈现量子力学约束的所述器件包括：
在掺杂的GaAs结构中的GaSb量子环；或者
在掺杂的GaAs结构中带有AlGaAs隧穿势垒的GaSb量子环。
13.器件的用途，该器件呈现量子力学约束，所述用途包括：
使用所述器件来确定和生成从由所述量子力学约束造成的所述器件的可测量的电的唯一量子力学效应派生出或可派生出的唯一识别符。
14.一种装置，包括：
第一器件，所述第一器件包括第二器件和/或与该第二器件连接；
其中，所述第二器件是呈现量子力学约束的器件，并且，所述第二器件具有由所述量子力学约束造成的可测量的电的唯一量子力学效应；以及
至少在使用中，所述效应布置为能够由所述第一器件进行电测量，以便为所述第二器件、以及从而为所述第一器件确定或生成唯一识别符。
15.根据权利要求14所述的器件，其特征在于，所述第一器件是集成电路，并且：
所述第二器件形成所述集成电路的一部分；和/或
所述第二器件将所述集成电路的一个引脚连接至所述集成电路的另一个引脚。
16.大致如本文所述的，或者大致如本文参照附图所述的，或者大致如附图所示的方法、用途或装置。