专利名称:动态矩阵型显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种动态矩阵型显示装置，尤其涉及各像素及配线的布局。
背景技术：
使用自发光元件的电场发光(Electroluminescence，简称为EL)元件为各像素的发光元件的EL显示装置，因具有自发光及薄型省电等的优点，而被视为替代液晶显示装置(LCD)或CRT等的显示装置，现今正由业界予以加紧研发中。
尤其是，于各像素设置分别控制EL元件的薄膜晶体管(TFT)等的开关元件，就每一像素控制EL元件的动态矩阵型显示装置，可期待高精细的显示装置。
图4为表示m行(row)n列(column)的动态矩阵型EL显示装置中，一个像素的电路构成图。在该EL显示装置中，于基板上设有多条向行方向延伸的栅极线GL，以及多条向列方向延伸的数据线DL及电源线VL。各像素即由栅极GL与数据线DL围绕成为一领域，而具备有机EL元件50；开关用薄膜晶体管(第1薄膜晶体管)10；EL元件驱动用薄膜晶体管(第2薄膜晶体管)20，及保持电容Cs。
第1TFT10连接于栅极线GL及数据线DL，于栅极电极收受栅极信号(选择信号)后导通(on)。此时，供给于数据线DL的数据信号，即由连接于第1TFT10及第2TFT20间的保持电容Cs保持。而于第2TFT20的栅极电极，即经由第1TFT10提供对应于数据信号的电压。而由第2TFT20，将对应于该电压值的电流由电源线VL供给于有机EL元件50。由上述动作，得以于各像素由有机EL元件50发出对应于数据信号的亮度光线，以显示所需的图像。
目前，作为平面显示板使用的液晶显示装置(LCD)，已实现彩色显示，而于该彩色LCD是将配置于基板上的多个像素，分配红(R)、绿(G)、蓝(B)的任何一色。因此，在使用有机EL元件的显示装置中，也同样需要彩色显示，而于实现彩色显示时，该红(R)、绿(G)、蓝(B)像素的基本排列也须与彩色LCD使用的排列相同。
如于彩色LCD，其对基板上对应于各颜色，多就每色以不同的数据线提供数据信号(显示信号)。这是为了显示信号处理及驱动电路的简化，以及使不同颜色的显示内容不易受到影响的缘故。于是在彩色显示装置时的像素排列中，有一种所谓条纹式(stripe)排列者。而于采用该条纹式排列的动态矩阵型彩色LCD，于控制各像素液晶容量的薄膜晶体管提供数据信号(显示信号)的数据线，是与单色时的情形一样，在同一列方向作为略直线状的延伸，因而，可由一条数据线对应并排于同一列方向的同色多个像素提供数据信号。
如为实现采用图4所示电路构成的动态矩阵型彩色有机EL显示装置时，若采用条纹式排列，得以将具备同色有机EL元件50的像素并排于同一列方向的略直线上。因此，可将对各像素提供数据信号的数据线DL，及提供电流的驱动电源线VL，同时沿像素排列的列方向予以延伸排列。
为使图像得以高解像度显示的彩色显示装置的像素排列，有将同色像素于每列的列方向偏移规定节距间隔排列的所谓三角形(Δ，delta)排列者。在动态矩阵型LCD中，已有采用Δ排列的装置，是将同色像素以偏移1.5个像素配置于行方向。因此，在该同色像素提供数据信号的数据线，即在每行的偏移像素间，以蛇行方式延伸于列方向。
另外，于有机EL显示装置，今后也将必对应于解像度提高等要求，而用Δ排列。唯因动态矩阵型有机EL显示装置系如图4所示，对其列方向各像素须连接数据线DL及驱动电源线VL，因此，于采用Δ排列时，其配线将比LCD复杂。更因该两配线系由于工艺的共通化，多是使用同一材料，于制作图案(patterning)时同时形成，此时更有使两配线不互为交叉而配置于列方向的必要，且至少须使数据线DL以上述理由连接于同色的像素为宜。
图5是在动态矩阵型有机EL显示装置中，采用Δ型排列时，能思及的像素布局示例。于图5中，以同一数据线DL连接的同色像素，对该数据线DL设计成对称方式。如图中第1行的红(R)像素，是将第1薄膜晶体管10配置在像素右侧，且连接于红像素数据线43r，但第2行红(R)像素即将第1薄膜晶体管10配置于像素左侧，且同样连接于红像素数据线43r。如上所述，以每行像素内的图案作成左右逆向，在图5中，是使每行有2像素偏移位置时，使数据线(DL)43在行间的蛇行抑制于1像素分。这是由于蛇行距离愈短，愈可使因配线电阻而发生信号的迟延及衰减等问题为最小限的缘故。
另一方面于驱动电源线(VL)45，连接于共通驱动电源Pvdd虽无须连接于同色的像素，唯要以与数据线(DL)43相同材料，且同时于制作图案时形成，有使的不交叉的必要。因此，如图5所示，在第1行中，该通过红(R)像素及绿(G)像素中间，与绿(G)像素的第2薄膜晶体管20连接的驱动电源线(VL)通过绿像素数据线43g与红像素数据线43r中间，经过第2行的红(R)像素及绿(G)像素间而连接于红(R)像素的第2薄膜晶体管20。
如图5所示的布局中，将数据线DL以最短配线连接于同色像素，以及使驱动电源线VL得以满足无须与数据线DL交叉为条件的各像素连接。但是，也由图5可知，行间的配线必将形成较复杂的迂回，其行间配线所占有面积相当大。若如上述，该配线占有面积过多时，于有限的基板面积内，该像素发光领域(有机EL元件形成领域)将必受极大的限制，因此，无法提高开口率(pertare)，也就是说，无法实现较为明亮的显示。
形成复杂的迂回配线表示配线长度的加长，因而配线电阻也增大。例如，驱动电源线45对显示装置任何位置的像素均需提供可能的同一最大电流，方不致使显示面内的有机EL元件50发生发光亮度不均，因此，若驱动电源线45的配线电阻增大，将使远离驱动电源位置的像素由于驱动电源线45的配线电阻而产生电压降，致使发光亮度降低。
发明内容
本发明是有鉴于上述问题而创作的。其是于使用有机EL元件的动态矩阵型显示装置中，以使配线布局简单化为目的。
为实现上述目的，本发明提供一种动态矩阵型显示装置，于配置成矩阵状的多个像素中的每一个像素，分别至少具备被驱动元件；将来自驱动电源线的电力供给于该被驱动元件的元件驱动用薄膜晶体管；以及于选择时，依据自数据线供给的数据信号，控制上述元件驱动用薄膜晶体管的开关用薄膜晶体管，在其各像素中，上述驱动电源线系在上述开关用薄膜晶体管与数据线连接的领域，是配置于该像素的相对的第1及第2边中与上述数据线相反侧的第2边的一方，而在将元件驱动用薄膜晶体管与该驱动电源线连接领域则配置于上述数据线侧的第1边侧的一方。
本发明的另一方式，是在上述动态矩阵型显示装置中，上述驱动电源线，由像素的第2边的一方横贯像素内的上述开关用薄膜晶体管与上述被驱动元件间，延伸至该像素的第1边的一方。
本发明另一方式，是在上述动态矩阵型显示装置中，上述驱动电源线，由像素的第2边的一方，在于上述开关用薄膜晶体管与上述被驱动元件间，对上述开关用薄膜晶体管提供选择信号的选择线延伸方向延伸至该像素的第1边的一方。
如配置上述驱动电源线，可不因驱动电源线的存在，使其它电路元件产生寄生电容等的不良电气影响，而能在矩阵的邻接行间形成相当简化的配线布局。又因该驱动电源线系于像素领域内，由第2边的一方横贯至该第1边的一方，若能如上述，在开关用薄膜晶体管及被驱动元件间形成为于向选择线的延伸方向延伸的延伸图案，即可去除矩阵排列的配线效率容易下降的倾斜方向配线部分。由此得以提高配线效率，也可增加像素的发光领域。
本发明的另一方式，是配置成矩阵状的每一多个像素中，分别至少具备被驱动元件；将来自驱动电源线的电力供于该被驱动元件的元件驱动用薄膜晶体管；以及于选择时，依据自数据线供给的数据信号控制上述元件驱动用薄膜晶体管的开关用薄膜晶体管，于各像素中，将上述开关用薄膜晶体管与上述数据线连接领域，及上述元件驱动用薄膜晶体管与该驱动电源线连接领域配置于该像素第1边附近。
数据线与开关用薄膜晶体管的连接领域，可配置于不妨碍驱动电源线的像素第2边的一方，且将形成于第1边的一方的元件驱动用薄膜晶体管连接于由上述像素第2边侧横贯至第1边的一方的延伸驱动电源线。若依上述方式的配置，可于Δ排列时，无须在驱动电源线上使用特别的迂回用配线，也不需要行间的倾斜方向配线，因此，得以将驱动电源线的布局予以简化，且容易缩短配线长度。
本发明的另一方式，是配置成矩阵状的每一多个像素中，分别至少具备被驱动元件；将来自驱动电源线的电力供于该被驱动元件的元件驱动用薄膜晶体管；以及于选择时依据自数据线供给的数据信号控制上述元件驱动用薄膜晶体管的开关用薄膜晶体管，其中，上述元件驱动用薄膜晶体管的栅极，连接于对应上述开关用薄膜晶体管，且将上述驱动电源线在各像素中横贯于该像素内，与上述元件驱动用薄膜晶体管的栅极及上述开关用薄膜晶体管的连接配线经路交叉。
在驱动电源线配置为横贯于像素领域的情形，例如上述连接配线路径与元件驱动用薄膜晶体管的栅极为一体时，虽该配线路径与驱动电源交叉，但因栅极与驱动电源线是使用不同材枓，分别在不同的工艺，以不同层次，且于层间形成绝缘的状态构成，因此，得以不采取特别绝缘构造而使该两构件交叉。故得以最短配线配置驱动电源线，以对应Δ排列。
本发明的另一方式，是在上述的任何动态矩阵型显示装置中，将上述多个像素于矩阵的列方向，将邻接行的同色像素相互于行方向予以偏移的配置。
本发明的另一方式，是在上述动态矩阵型显示装置中，将上述数据线贯通于矩阵的列方向各像素间延伸，且于该数据线的每一行的数据线左侧及右侧连接，以交互方式配置同色像素的上述开关用薄膜晶体管。
本发明的另一方式，是在上述动态矩阵型显示装置中，为使上述驱动电源线不与上述数据线交叉而向列方向延伸，且连接于对应像素的上述元件驱动用薄膜晶体管。
在成为矩阵配置的像素领域间，若有形成为蛇行于像素领域内的数据线及驱动电源线时，也得以将该两线作为不交叉配线布局，且于该线使用同一材料、同时形成的，因而，可为工艺的共通化，以节减制造成本。
图1表示有关本发明实施形态的像素排列概略图。
图2是较图1排列为具体化的平面图。
图3(a)及(b)表示沿图2中A-A线及B-B线的剖面构造图。
图4表示动态矩阵型有机EL显示装置每一像素的电路构成图。
图5采用Δ型排列时，能予以思及的动态矩阵型有机EL显示装置的布局示例图。
图号说明
1 基板 2 栅极电极4 栅极绝缘膜 6 致动层6c 沟道领域 6d 漏极领域6s 源极领域 7 保持电容第1电极8 保持电容第2电极10 第1薄膜晶体管(TFT)(切换用TFT)14 层间绝缘膜 16 致动层16c 沟道领域 16d 漏极领域16s 源极领域 18 第1平坦化绝缘层20 第2薄膜晶体管 24 栅极电极26 连接具 40 栅极线(GL，选择线)42、43 数据线(DL) 43b 蓝像素数据线43g 绿像素数据线 43r 红像素数据线44、45 驱动电源线(VL) 46 电容线(SL)48 连接具 50 有机EL元件51 发光元件层 52 阳极54 空穴输送层 55 有机发光层56 电子输送层 57 阴极61 第2平坦化绝缘层具体实施方式
兹以图式说明该发明的最适合的实施形态(简称为以下实施形态)如下图1表示有关本发明实施形态的m行n列动态矩阵型EL显示装置的像素布局。于图1中，该像素分别以一点参考线围绕的领域表示，电路构成即如图4所示。且各该像素具备被驱动元件的有机EL元件50；开关(switching)用薄膜晶体管(第1TFT)10；元件驱动用薄膜晶体管(第2TFT)20及保持电容Cs。
第1TFT10将栅极连接于该栅极线GL，以n沟道构成的第1TFT10于漏极连接数据线(DL)42，而将源极连于保持电容Cs。保持电容Cs由与上述源极为一体的第1电极及相对于第1电极的第2电极构成，第2电极与配线于行方向的电容线(SL)46形成为一体。而该第1TFT10的源极及保持电Cs的第1电极连于第2TFT20的栅极，以p沟道构成的第2TFT20将该源极连接于驱动电源线(VL)44，而将漏极接于有机EL元件50。
各像素具有上述电路构成。该像素对应红(R)、绿(G)、蓝(B)的任何一个，且将同色像素以每行偏移规定的节距并列为行方向的Δ排列。而于数据线(DL)42即于每行偏移，且以数据线42为基准，将数据线42连接于在该左右交互配置的同色像素的第1TFT10。以蛇行于像素间向列方向延伸。
然后，在本实施形态中，驱动电源线44以横贯各像素的形成领域内向列方向延伸，且连接于各像素第2TFT20。通过该第2TFT20将电流供于有机EL元件50。
具体而言，例如以图1第1行中的红(R)像素为例予以说明在红(R)像素的第1TFT10与红(R)数据线42连接的领域中，驱动电源线44配置于与红(R)像素的数据线配置边(第1边，该像素左侧)相反的第2边(像素右侧)。
又于本实施形态，该各像素的第1及第2TFT10及20，沿像素的列方向的相对边(第1及第2边)内，配置于同边的附近(本例系配置数据线的第1边的一方)。因此，驱动电源线44为与第2TFT20连接，由第2边的一方向配置数据线的第1边的一方，横贯于红(R)像素内延伸。而与第2TFT20的连接领域，系配置于像素的第1边的一方，向并列在红(R)像素用数据线42的列方向延伸。
邻接于第1行的红(R)像素的线(G)像素中也一样，在驱动电源线44为不妨碍该连接，而配置于绿(G)数据线42与相反侧像素的第2边的一方(右侧)，而于绿(G)像素的第2TFT20连接领域，驱动电源线44配置在与绿(G)像素用数据线42为同像素的第1边的一方(左侧)。
于图1的第2行，其相当于第1行红(R)像素的次行的绿(G)像素为对象，在该第2行绿(G)像素的第1TFT10与绿(G)数据线42连接的领域中，由第1行的红(R)像素第一边的一方(此处为左侧)，以略直线状予以延伸的驱动电源线44即配置于第2行绿(G)像素的第2边侧，也就是与配置绿(G)用数据线42第1边侧为相反侧的一方(左侧)。
然后，驱动电源线44也于第2行的绿(G)像素领域，由第2边的一方横贯至第1边的一方，而在绿(G)像素的第2TFT20与该驱动电源线44的连接领域，配置于绿(G)像素的第1边侧(右侧)，并列于配置在绿(G)像素的第1边的一方的绿(G)用数据线42，向列方向延伸。
驱动电源线44横贯各像素的位置，以实质上不影响规定为有机EL元件50形成的领域为宜。于动态矩阵型有机EL显示装置中，各像素的发光领域为实质上的有机EL元件50形成领域，尤其是由每一像素分别形成的阳极延伸领域所限定。而于像素的其它残存领域，即配置为驱动该有机EL元件50的第1及第2TFT10及20，以及保持电容Cs，而该残存领域即不参与发光作业。因此，驱动电源线44，配置于利用该像素内的不参与发光领域予以通过，以防止发光面积的缩减。为此，于本实施形态中，采用驱动电源线44由像素的第2边的一方，在像素内的第1TFT10与有机EL元件50间，沿栅极线40的延伸方向予以横贯，且在该像素第1边的一方并列数据线42，向列方向延伸的布局。
第2TFT20对有机EL元件50提供来自驱动电源线44的电流。多配置于有机EL元件50的形成领域附近。另一方面，由栅极线40收受选择信号以取入数据信号的第1TFT10多是配置于栅极线40附近。因此，应尽量避开有机EL元件50的形成领域，且使驱动电源线44为与数据线42不交叉的配置，因而，将驱动电源线44通过发光领域(有机EL元件50的形成领域)及第1TFT10的形成领域间为宜。
此时，第2TFT20的栅极电极连接于第1TFT10的源极(或漏极)，有如上述，其横贯于有机EL元件50及第1TFT10间的驱动电源线44，将与该第2TFT20的栅极及第1TFT10源极间的配线经路为交叉。另如图1所示，使驱动电源线44得不与数据线42交叉，该两线42及44也将使用A1等的同一材料，制作图案(patterning)时同时形成。又因为，栅极线40、保持电容线46及第2TFT20的栅极，是在上述驱动电源线44及数据线42间，以挟持层间绝缘层的下方，使用Cr等以同时布局化形成。因此，如上述，驱动电源线44横贯像素内时，虽使该驱动电源线44与第2TFT20的栅极交叉，但因第2TFT20的栅极与上述驱动电源线44的层间，为层间绝缘层予以绝缘，故该驱动电源线44是在该第2TFT20的栅极、或与该栅极电极为一体的配线层上层，得以较自由的配线。然而因为将有偶合电容(coupling capacitance)生成，应尽量不使配线重叠为宜。
图2表示基于上述电路布局的像素平面构造的一示例。于图3的(a)、(b)分别表示沿图2中A-A线的剖面(第1TFT剖面)及B-B线剖面(第2TFT剖面)。而于图2的示例，表示同色像素以每行偏移1.5个像素的Δ排列。而于图2，该构成一像素的有机EL元件50、第1、第2TFT10、20及保持电容Cs，将构成于由栅极线40及数据线42规定的领域内。
第1TFT10形成于栅极线GL，与数据线DL的交叉部附近。如图2的示例，分别将第1行各像素的第1TFT10配置于该像素左侧(像素第1边的一方)，第2行各像素的第1TFT10即配置于该像素右侧(像素第1边的一方)。
在玻璃等透明绝缘基板1上，形成如图3(a)所示的第1TFT10，而于致动层6使用由激光退火处理方式使a-Si予以多晶化所得的p-Si。形成由栅极线40突出的与该栅极线40为一体的栅极电极2，在包覆致动层6形成的栅极绝缘膜4上，配置2个栅极电极2形成电路上的双栅极构造的TFT。致动层6将栅极电极2下方领域作为沟道领域6c，且于沟道领域6c两侧的由磷(P)等杂质予以掺杂的漏极领域6d形成源极领域6s，以构成n沟道TFT。
另外，第1TFT10的漏极领域6d，形成于形成为包覆第1TFT10全体的层间绝缘膜14上，且连接于提供对应于像素颜色的数据信号的数据线42，与开口为该层间绝缘膜14与门极绝缘膜4的接触孔。
在第1TFT10的源极领域6s连接保持电容Cs。该保持电容Cs由第1电极7及第2电极8形成于层间挟持栅极绝缘膜4重叠的领域。第1电极7系如图2所示，向与栅极线40同样的行方向延伸，而且由与栅极为同一材料形成的电容线46一体形成。第2电极8与第1TFT10的致动层6为一体，而该致动层6是延伸至第1电极7的形成位置予以构成的。而该第2电极8即如图2所示，于配置第1及第2TFT10、20的像素第1边侧，通过连接具48连接于第2TFT20的栅极电极24。
于本实施形态中，第2TFT20是在一像素内，与上述第1TFT10一样，形成于对该像素提供数据信号的数据线42配置边。也就是说在延伸于略为四边形的像素行方向相对的2边中，于配置有数据线42的第1边侧上配置第1TFT10及第2TFT20中的任何一个。而且于该第2TFT20具有如图3(b)所示的剖面构造，在本实施形态，具有沿数据线42延伸方向(列方向)的长沟道16c。第2TFT20的致动层16与第1TFT10的致动层6同时形成于基板1上，经由激光退火处理，使a-Si予以多晶化形成多晶硅使用。
第2TFT20的沟道长方向，配置为沿一细长形状的像素长方向。但该方向不需要设定于沟道长方向，不需如图标，将沟道长度设定为极长的形状，仅使长沟道于数据线的延伸方向延伸，且为较长沟道即可于脉冲状激光扫描于沟道长方向时，使第2TFT20的全致动层领域可不因1次脉冲而多晶化，且需接受数次激光照射始为多晶化。为此，其于不同位置像素的第2TFT20间可防止晶体管特性上的较大差异。
在多晶硅所成的致动层16上形成栅极绝缘膜4，再于该栅极绝缘膜4上，与第1TFT10一样形成第2TFT20的栅极电极24。而于该栅极电极24，由上述连接具48连接于与第1TFT10的致动层6为一体的保持电容Cs的第2电极8上，且由配置于像素第1边侧端部的连接具48延伸，以覆盖栅极绝缘膜4上的致动层16上方制作图案。
该第2TFT20的致动层16，以栅极电极24由上方覆盖的领域为沟道领域16c，而于该沟道领域16c两侧分别形成源极领域16s及漏极领域16d。致动层16的源极领域16s于像素第1边侧(图2中为像素第1边的一方，且为连接具48与有机EL元件50中间)，通过贯通致动层16上栅极绝缘膜4及层间绝缘膜14的接触孔，与驱动电源线44相接。如上述，驱动电源线44在第1TFT10与数据线42的连接领域中，配置于像素第2边的一方，但在第2TFT20与驱动电源线44的连接领域的下方位置(图中下方)是在像素第1边的一方即延伸于与数据线42并列的列方向。然后，如图2第2行的像素，该驱动电源线44是在保持电容Cs与有机EL元件50中间，由该像素第2边的一方向第1边以行方向横贯后连接于第2TFT20的致动层16，与提供该第2行像素数据信号的数据线42并列延伸于列方向。
又因为，第1TFT10及第2TFT20虽不限制于如图2及图3的形状构造，为使驱动电源线44简化配线，至少需将第1TFT10与数据线42的连接位置，以及第2TFT20与驱动电源线44的连接位置，分别配置于像素的同一边的一方(如第1边的一方)。
连接具48，如图2所示，配置在数据线42及致动层16与驱动电源线44连接位置中间，以避开驱动电源线44。得以于连接具48使用与数据线42及上述驱动电源线44为同一的A1材，且与该线等制作图案的同时形成。于图2的示例中，将连接具48迂回于驱动电源线44及致动层16的连接而予以配置，使各像素因第1TFT10与保持电容Cs的形成领域，以及第2TFT20与有机EL元件50的形成领域，而构成由该行方向中心的稍微偏移，但以全体形状观察仍不失为略矩形或近似于矩形的形状。虽不限定于矩形或近似的形状，唯以采用在像素数据线通过的边的一方配置第1及第2TFT10、20，且有部分驱动电源线VL也同时通过的构造为宜。
而且，由连接具48向致动层16的延伸领域引出的第2TFT20栅极电极24，于连接具48，以中间挟持层间绝缘膜14与驱动电源线44交叉。
第2TFT20的漏极领域16d，在相当于矩阵次行的栅极线40近傍，通过贯通栅极绝缘膜4及层间绝缘膜14形成的接触孔，与上述驱动电源线44等为同一的材料，且同时形成的连接具26连接。该连接具26由致动层16的连接位置延伸于有机EL元件50的后述阳极形成领域，通过开口在覆盖上述驱动电源线44、数据线42及连接具48、26等的基板全面予以形成的第1平坦化绝缘层18的连接孔，与有机EL元件50的阳极52予以电气连接。
并且，如图3(b)所示，在上述第1平坦化绝缘层18上，仅开口为有机EL元件50的阳极52形成的中央领域，且覆盖阳极52的端缘部。再以覆盖配线领域与第1及第2TFT10及20的形成领域形成第2平坦化绝缘层61。然后，将有机EL元件50的发光元件层51形成于阳极52及第2平坦化绝缘层61上。再于发光元件层51上形成全像素共通的金属电极57。
有机EL元件50在由ITO(Indium tin Oxide)等所成的透明阳极52，与如A1等金属所成的阴极57间，构成使用有机化合物的发光层(有机层)51，而于本实施形态中，系如图3(b)所示，由基板1侧依阳极52、发光元件层51、阴极57的顺序堆积而成。
在本示例中，发光元件层51以真空蒸镀方式，由阳极侧依空穴输送层54、有机发光层55、电子输送层56的顺序堆积。虽于发光层55依发光色的不同而用不同材料，但于其多的空穴输送层54、电子输送层56，即可如图3所示，对像素全面依共通方式予以形成。各层使用的材料例如下空穴输送层54NBP。
发光层55红(R)··主材(Alq3)掺红色(DCJTB)杂质。
绿(G)··主材(Alq3)掺绿色(Coumarin6)杂质。
蓝(B)··主材(Alq3)掺蓝色(Perylene)杂质。
电子输送层56Alq3。
并且，于阴极57与电子输送层56间，可使用氟化(LiF)形成电子植入层。于空穴输送层也可分别使用不同材料，以构成第1及第2空穴输送层。各发光元件层51至少需具备含有发光材料的发光层55，唯因使用材料上该空穴输送层及电子输送层不一定需要。以略称记载的上述材料名称有NBP…N，N’-Di((naphthalene-1-yl)-N，N’-diphenyl-benzpdine)。
Alq3…Tris(B-hydroxyquinolinato)alumonum。
DCJTB…(2-(1，1-Dimethylethyl)-6-(2-(2，3，6，7-tetrahydro-1，1，7，7-tetramethyl-1H，5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl)ethenyl)-4H-PYRAN-4-ylidene)propanedinitile。
Coumarin6…3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin。
RAlq…
(1，1’-Bisphenyl-4-Olato)bis(2-methyl-8-quinolinplate-N1，08)Aluminum等。
但不限定于上述构成。
如图2所示，虽采用为Δ排列，但没有配线斜方向的迂回领域。而于本实施形态的各像素，尤因该有机EL元件50的形成领域为一略矩形状，因此，如图5所示的布局中，该Δ排列的像素偏移量愈大，该像素形状必将弯曲如「＞」或「＜」状，因而，也使有机EL元件的形成领域为同样的弯曲布局。为此，如上述，该发光元件层51目前系以真空蒸镀形成。且以每一像素方式形成单独图案的蒸镀层形成，故须将对应于布局具备开口部的蒸镀屏蔽，配置于基板及蒸镀源中间，进行蒸镀作业。由上述蒸镀屏蔽形成的开口部将有机层作成图案时，该中途弯曲的复杂开口布局必较单纯的矩形状布局，在其蒸镀作业上难以获得均匀一致的蒸镀品。因此，需如本实施形态，将像素各元件的布局以及驱动电源线44的配线布局予以适当改善，使有机EL元件50的有机层(蒸镀层)得以均匀形成。
如上述于本发明中，在配置如Δ排列的同色像素分别以所定节距偏移时，可使该提供数据信号于各像素的数据线，及向各像素提供电力的驱动电源线的配线简化。尤于驱动电源线的配线布局上，得以能如数据线一样使该配线长度为最小限的配线，且能确保各像素的最大发光领域，以实现明亮且为高解像度的彩色显示装置。
权利要求
1.一种动态矩阵型显示装置，其特征在于配置成矩阵状多个像素中的每一个像素分别具备被驱动元件；将来自驱动电源线的电力供给于该被驱动元件的元件驱动用薄膜晶体管；以及于选择时依据自数据线供给的数据信号控制上述元件驱动用薄膜晶体管的开关用薄膜晶体管，其中，于各像素中，该像素具有相对的第1和第2边侧，其中第2边侧为数据线的相反侧，在上述开关用薄膜晶体管与上述数据线连接的领域中，上述驱动电源线配置于该像素的第2边侧，且在上述元件驱动用薄膜晶体管与上述驱动电源线连接的领域中，上述驱动电源线配置于上述数据线侧的第1边侧。
2.如权利要求
1所述的动态矩阵型显示装置，其特征在于上述驱动电源线，由像素的第2边侧横贯像素内上述开关用薄膜晶体管与上述被驱动元件之间而延伸至该像素的第1边侧。
3.如权利要求
1所述的动态矩阵型显示装置，其特征在于上述驱动电源线于上述开关用薄膜晶体管与上述被驱动元件之间，由像素的第2边侧沿着为上述开关用薄膜晶体管提供选择信号的选择线延伸的方向延伸至该像素的第1边侧。
4.一种动态矩阵型显示装置，其特征在于配置成矩阵状的多个像素中的每一个像素分别具备被驱动元件；将来自驱动电源线的电力供给于该被驱动元件的元件驱动用薄膜晶体管；以及于选择时依据自数据线供给的数据信号控制上述元件驱动用薄膜晶体管的开关用薄膜晶体管，其中，于各像素中，在该像素的第1边附近配置有上述开关用薄膜晶体管与上述数据线连接的领域以及上述元件驱动用薄膜晶体管与上述驱动电源线连接的领域。
5.一种动态矩阵型显示装置，其特征在于配置成矩阵状的多个像素中的每一个像素，分别具备被驱动元件；将来自驱动电源线的电力供给于该被驱动元件的元件驱动用薄膜晶体管；以及于选择时依据自数据线供给的数据信号控制上述元件驱动用薄膜晶体管的开关用薄膜晶体管，其中，上述元件驱动用薄膜晶体管的栅极连接于相对应的上述开关用薄膜晶体管，而上述驱动电源线横贯于该像素内，并且该驱动电源线与连接上述元件驱动用薄膜晶体管的栅极和上述开关用薄膜晶体管之间的连接配线经路交叉。
6.如权利要求
1至5中任何一项所述的动态矩阵型显示装置，其特征在于上述多个像素于矩阵的列方向，将邻接行的同色像素互相于行方向予以偏移配置。
7.如权利要求
6所述的动态矩阵型显示装置，其特征在于上述数据线沿着矩阵的列方向在各像素间贯通延伸，而像素则配置于上述驱动电源线沿着行方向延伸的部分与数据线的交叉处，并且同色像素在相邻的两行分别位于上述数据线的左侧和右侧，且上述同色像素的上述开关用薄膜晶体管连接于上述数据线。
8.如权利要求
6所述的动态矩阵型显示装置，其特征在于上述驱动电源线，不与上述数据线交叉而向列方向延伸，且连接于对应像素的上述元件驱动用薄膜晶体管。
专利摘要
一种动态矩阵型显示装置，其为简化配线布局而采用Δ(Delta)排列的动态矩阵型显示装置，其中配置成矩阵状的多个像素(pixel)的每一个分别至少具有做为显示元件的有机EL元件50；将来自驱动电源线44的电流供于上述有机EL元件50的第2TFT20，及于选择时，依据自数据线42供给的数据信号控制上述第2TFT20的第1TFT10的动态矩阵型显示装置，其中设有横贯各像素领域内的驱动电源线44。具体而言，在第1TFT10与数据线42连接的领域，于像素的相对向的第1及第2边中，驱动电源线44配置于与数据线42相反的第2边的一方，而于第2TFT20与该驱动电源线44连接的领域，则配置于第1边的一方。由此，得以将每行的像素偏位连接为简洁的配线布局图。
文档编号H01L51/50GKCN1251165SQ02143381
公开日2006年4月12日 申请日期2002年9月26日
发明者安齐胜矢 申请人:三洋电机株式会社导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan