时序的栅极控制信号GDC。时序控制器11对从外部主机系统接收的输入图像的数据RGB进行重置并且将重置的数据RGB提供到数据驱动电路12。
[0035]具体地，时序控制器11可以包括对输入图像的数据RGB进行分析并且产生参考电压控制数据RCD的图像分析器111 (参照图6和7)。
[0036]数据驱动电路12响应数据控制信号DDC将从时序控制器11接收的输入图像数据RGB转化成数据电压，并且将数据电压提供到数据线14A。数据驱动电路12可以包括参考电压调节器20。
[0037]参考电压调节器20基于来自时序控制器11的参考电压控制数据RCD产生根据输入图像而变化的参考电压，并且将参考电压施加到连接至像素P的参考线14B。参考电压调节器20可以通过图6和图7中所示的连接结构来以每个像素为基础单独地调节参考电压。可替代地，参考电压调节器20可以通过图14中所示的连接结构来以每个块为基础单独地调节参考电压，其中一个块包括至少两个像素。
[0038]栅极驱动电路13响应栅极控制信号GDC产生栅极脉冲，然后可以依次将栅极脉冲提供到栅极线15。栅极脉冲用于控制像素的开关薄膜晶体管(TFT)，并且可以包括第一栅极脉冲和第二栅极脉冲。
[0039]图6示出嵌入有图像分析器和参考电压调节器的源极驱动器集成电路(1C)与显示面板之间的连接结构的一个实例。图7示出图像分析器、参考电压调节器、源极驱动器1C与显示面板之间的连接结构的一个实例。
[0040]数据驱动电路12包括至少一个源极驱动器IC SDIC，并且时序控制器11包括图像分析器111。图像分析器111通过各种已知方法对输入图像的数据RGB进行分析，并且根据输入图像的显示灰度级产生不同的参考电压控制数据RCD1至RCD6。
[0041]参照图6，源极驱动器IC SDIC包括:分别连接到数据线14A的多个第一数模转换器(DAC);以及通过提供通道CH1至CH6连接至参考线14B的参考电压调节器20。
[0042]第一 DAC响应数据控制信号DDC将输入图像数据RGB转换成数据电压，并且将数据电压提供到连接至像素P的数据线14A。
[0043]参考电压调节器20嵌入源极驱动器IC SDIC中，并且基于来自图像分析器111的参考电压控制数据RCD1至RCD6产生根据输入图像变化的参考电压VREF1至VREF6。参考电压调节器20将参考电压VREF1至VREF6施加到连接至像素P的参考线14B。具体地，基于参考电压控制数据RCD1至RCD6，参考电压调节器20可以产生调节为随着输入图像变暗而增加的参考电压，并且可以产生调节为随着输入图像变亮而降低的参考电压，以便改善灰度级表现。这将参照图9至图11进行详细描述。
[0044]参考电压调节器20可以包括多个调节装置26，每个调节装置26可以包括第二DAC 22和放大器24。调节装置26可以通过提供通道CHI至CH6分别连接至参考线14B，使得参考电压可以以每个像素为基础被单独地调节。提供至参考线14B的参考电压VREF1至VREF6可以以与栅极脉冲同步的线序列方式施加线L#1、L#2、......中的每一个上的像素P。
[0045]本发明的实施方案可以采用外部补偿方法作为用于对驱动TFT的电特性的变化进行补偿的方法，该方法在与本申请对应的下列韩国专利申请中得到详细公开:韩国专利申请第 10-2013-0134256 号(2013 年 11 月 6 日)、第 10-2013-0141334 号(2013 年 11 月 20日)、第 10-2013-0166678 号(2013 年 12 月 30 日)、第 10-2013-0149395 号(2013 年 12 月3 日)、第 10-2014-0079255 号(2014 年 6 月 26 日)和第 10-2014-0079587 号(2014 年 6月27日)，并且在此通过引用将其全部内容并入本文。外部补偿方法使用电压感测方法或电流感测方法来感测驱动TFT的电特性的变化。为此，在源极驱动器1C中包括有放大器。
[0046]如图6所示，在源极驱动器1C中嵌入有参考电压调节器20的情况下，对于上述外部补偿方法所设置的放大器可以作为单位增益缓冲器来操作。结果，作为单位增益缓冲器操作的放大器可以使用放大器24来提供参考电压。换言之，根据本发明的实施方案的放大器24根据其所用于的目的可以用作单位增益缓冲器或感测放大器。当放大器24可以用作感测放大器时，放大器24以如与本申请对应的上述应用中的预先设定的感测模式用于感测驱动TFT的电特性的变化。
[0047]参照图7，参考电压调节器20不嵌入在源极驱动器IC SDIC中而是可以与源极驱动器IC SDIC分离地安装在构成数据驱动电路12的源极印刷电路板(PCB)上。在这种情况下，由于第二 DAC 22不需要被嵌入到源极驱动器IC SDIC中，所以可以简化源极驱动器IC SDIC的结构。
[0048]图8为示出在显示面板中形成的像素的结构的一个实例的电路图。图8的像素结构仅为一个实例，其配置为使得根据数据电压与参考电压之间的差Vgs来控制在有机发光二极管(0LED)中流动的电流的量。因此，根据本发明的实施方案的像素结构可以进行各种改变。
[0049]参照图8，像素P从发电机(未示出)接收高电位驱动电压EVDD和低电位驱动电压EVSS。像素P可以包括0LED、驱动TFT DT、存储电容器Cst、第一开关TFT ST 1和第二开关TFT ST2。构成像素P的TFT可以被实现为p型TFT或η型TFT。TFT的半导体层可以包括非晶硅、多晶硅或氧化物。
[0050]0LED包括:连接到驱动TFT DT的栅极节点Ng的阳极电极；连接到低电位驱动电压EVSS的输入终端的阴极电极；以及形成在阳极电极与阴极电极之间的有机化合物层。[0051 ] 驱动TFT DT根据驱动TFT DT的栅极-源极电压Vgs来控制在0LED中流动的电流的量。驱动TFT DT包括:连接到栅极节点Ng的栅电极；连接到高电位驱动电压EVDD的输入终端的漏电极；以及连接到驱动TFT DT的源极节点Ns的源电极。存储电容器Cst连接在驱动TFT DT的栅极节点Ng与源极节点Ns之间并且保持驱动TFT DT的栅极-源极电压Vgs预定的时间段。
[0052]第一个开关TFT ST1响应第一栅极脉冲SCAN而导通，并且将数据电压Vdata施加到驱动TFT DT的栅极节点Ng。第一开关TFT ST1包括:连接到栅极线15的栅电极；连接到数据线14A的漏电极；以及连接到栅极节点Ng的源电极。第二开关TFT ST2响应第二栅极脉冲SEN而导通，并且将参考电压VREFa施加到驱动TFT DT的源极节点Ns。在本文公开的实施方案中，参考电压VREFa基于参考电压控制数据RCDa通过参考电压调节器20而产生，并且被提供至参考线14B。第二开关TFT ST2包括:连接到栅极线15的栅电极；连接到参考线14B的漏电极；以及连接到源极节点Ns的源电极。
[0053]驱动TFT DT根据存储在存储电容器Cst中的数据电压Vdata与参考电压VREFa之间的差来控制提供给0LED的驱动电流的大小，并且调节由0LED发射的光的量。由0LED发射的光的量与从驱动TFT DT提供的电流成比例。
[0054]图9示出灰度级表现通过根据本发明的实施方案的根据输入图像而调节的参考电压而被改善。图10为示出当参考电压为0V和3V时在有机发光二极管中流动的电流的变化的图。