发光二极管芯片的制作方法

专利名称:发光二极管芯片的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种发光二极管芯片，包括第一类型半导体层、发光层、第二类型半导体层、一个第一电极及x个第二电极，所述发光层和第二类型半导体层划分为x个相互电隔离的发光区（x为大于等于2的正整数），所述第一电极与所述第一类型半导体层连接；所述x个第二电极分别与x个发光区的第二类型半导体层连接，所述x个发光区共用所述第一电极，并通过设于各个发光区上的x个第二电极独立控制各个发光区的电流注入，实现各个发光区独立发光或者同时发光。本实用新型所述的发光二极管芯片可以实现芯片级白光照明和紫外光消毒的功能，并且照明颜色可根据实际需要进行设计，应用前景高；避免传统LED照明灯和紫外LED消毒灯分开设计制造所产生的额外工艺和成本。
【专利说明】
发光二极管芯片
技术领域
[0001]本实用新型属于LED制造技术领域，具体涉及一种发光二极管芯片。
【背景技术】
[0002]发光二极管(LED)照明灯、紫外LED消毒灯以其绿色环保且优越的性能，已经越来越多地应用于人们的日常生活中、医院等公共场所中、以及工矿企业中。但是，目前的LED照明灯和紫外LED消毒灯通常是分开设计制造的，或者是在一承载基板上分别设置可见光LED芯片组和紫外光LED芯片组来实现LED照明和紫外LED消毒的功能，这样会造成生产成本高、组装成本高、安装成本高。因此，有必要设计一种新型的发光二极管芯片来解决以上问题。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的为:设计一种可以同时具有照明和紫外消毒功能的发光二极管芯片。
[0004]本实用新型的技术方案为:发光二极管芯片，包括第一类型半导体层、发光层、第二类型半导体层、一个第一电极及X个第二电极，所述发光层和第二类型半导体层划分为X个相互电隔离的发光区，其中X为大于等于2的正整数，所述第一电极与所述第一类型半导体层连接;所述X个第二电极分别与X个发光区的第二类型半导体层连接，所述X个发光区共用所述第一电极，并通过设于各个发光区上的X个第二电极独立控制各个发光区的电流注入，实现各个发光区独立发光或者同时发光。
[0005]进一步地，所述发光层发射紫外光，所述X个相互电隔离的发光区的第一个发光区直接发射紫外光，第i个发光区发射可见光，其中X多i>2。
[0006]进一步地，所述第i个发光区发射的可见光为蓝光、绿光、黄光、红光、白光或其任意组合，波长范围为380?770 nm。
[0007]进一步地，所述X个相互电隔离的发光区的第一个发光区发射的紫外光的波长范围为200?380 nm。
[0008]进一步地，所述第i个发光区的第二类型半导体层的上表面具有光转换层。
[0009]进一步地，所述光转换层为蓝光转换层、绿光转换层、黄光转换层、红光转换层或其任意组合。
[0010]本实用新型至少具备以下有益效果:可以实现发光二极管芯片级具有照明和紫外光消毒的功能，并且照明颜色可根据实际需要进行设计，应用前景高;避免传统LED照明灯和紫外LED消毒灯分开设计制造所产生的额外工艺和成本。
【附图说明】

[0011]附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。此外，附图是描述概要，不是按比例绘制。
[0012]图1为实施例所提供的发光二极管芯片的示意图。
[0013]图中标示:100:衬底；101:缓冲层；102:N型AlGaN层；103:紫外MQW发光层；104:P型AlGaN层；105:隔离层；106:透明导电层；107:光转换层；108:N电极；109:第一 P电极;110:第二 P电极。
【具体实施方式】
[0014]下面将结合附图对本实用新型公开的一种发光二极管芯片的优选实施例进行更详细的描述。
[0015]如图1所示，本实用新型所设计的发光二极管芯片的示意图，包括衬底100、缓冲层101、N型AlGaN层102、紫外MQW发光层103、P型AlGaN层104、透明导电层106、N电极108和P电极。所述衬底100可以为GaN衬底、蓝宝石衬底或SiC衬底，衬底100之上的外延层可以采用MOCVD或MBE依次生长而成;所述缓冲层101可以为GaN或AlGaN或其交替堆叠结构;所述紫外MQW发光层103可以为AlGaN、InGaN或InAlGaN交替堆叠而成；所述透明导电层106可以为ITO、IZO等透明导电氧化物。
[0016]在本实施例中，发光二极管芯片至少具有第一发光区和第二发光区，其中第一发光区与第二发光区的面积比例为1: X，其中0.01<X<100，X优选1，所述第一发光区和第二发光区通过一隔离层105进行隔离，隔离层105可以为Si02。其中，第一发光区上具有第一P电极109，用于发射紫外光(UV)实现消毒功能，所述发射紫外光的波长范围为200?380 nm；第二发光区上具有光转换层107和第二 P电极110，用于发射可见光实现照明功能，所发射的可见光可以为蓝光、绿光、黄光、红光、白光或其任意组合。第二发光区上的光转换层107可以为蓝光转换层、绿光转换层、黄光转换层、红光转换层或其任意组合，本实施例选用蓝光转换层、绿光转换层和红光转换层的组合，发射白光(W)用于室内外照明。
[0017]以上所述发光二极管芯片可以实现芯片级的照明和紫外光消毒的功能，并且照明颜色可根据实际需要进行设计，应用前景高;避免传统LED照明灯和紫外LED消毒灯分开设计制造所产生的额外工艺和成本。
[0018]以上表示了本实用新型的优选实施例，应该理解的是，本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有益效果。因此，以上描述不作为对本实用新型的限制，凡依本实用新型所做的任何变更，皆属本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.发光二极管芯片，包括第一类型半导体层、发光层、第二类型半导体层、一个第一电极及X个第二电极，其特征在于:所述发光层和第二类型半导体层划分为X个相互电隔离的发光区，其中X为大于等于2的正整数，所述第一电极与所述第一类型半导体层连接;所述X个第二电极分别与X个发光区的第二类型半导体层连接，所述X个发光区共用所述第一电极，并通过设于各个发光区上的X个第二电极独立控制各个发光区的电流注入，实现各个发光区独立发光或者同时发光。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于:所述发光层发射紫外光，所述X个相互电隔离的发光区的第一个发光区直接发射紫外光，第i个发光区发射可见光，其中X多i多2。3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于:所述X个相互电隔离的发光区的第一个发光区发射的紫外光的波长范围为200?380 nm。4.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于:所述第i个发光区发射的可见光为蓝光、绿光、黄光、红光、白光或其任意组合，波长范围为380?770 nm。5.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于:所述第i个发光区的第二类型半导体层的上表面具有光转换层。6.根据权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于:所述光转换层为蓝光转换层、绿光转换层、黄光转换层、红光转换层或其任意组合。
【文档编号】H01L33/08GK205692850SQ201620392112
【公开日】2016年11月16日
【申请日】2016年5月4日 公开号201620392112.0, CN 201620392112, CN 205692850 U, CN 205692850U, CN-U-205692850, CN201620392112, CN201620392112.0, CN205692850 U, CN205692850U
【发明人】申利莹, 张君逸, 谢创宇, 林仕尉, 潘冠甫, 吴超瑜, 王笃祥
【申请人】天津三安光电有限公司