专利名称：电光装置和电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及有源矩阵驱动方式的电光装置和电子设备的技术领域，特别涉及在基板上的层积结构中具备像素开关用的薄膜晶体管(以下简称TFT(Thin Film Transistor))的形式的电光装置和具备这样的电光装置的投影器等电子设备的技术领域。
因此，以往在设置于对置基板的各像素中，构成为通过对有助于显示的光透过或反射的开口区域进行规定的遮光膜，或者通过TFT之上并且由Al(铝)等金属膜构成的数据线，来对这样的沟道区域和其相邻区域进行遮光。而且，在TFT阵列基板上像素开关用TFT的下侧，例如有时还设置高熔点金属构成的遮光膜。这样，如果在TFT的下侧也设置遮光膜，则可预先防止来自TFT阵列基板一侧的里面反射光、在通过组合棱镜等将多个电光装置组合构成一个光学系统的情况下从其他电光装置穿过棱镜等过来的投射光等的返回光入射到该电光装置的TFT。
但是，根据上述的各种遮光技术，有以下的问题。
即，首先，根据在对置基板上、TFT阵列基板上等形成遮光膜的技术，在遮光膜和沟道区域之间，三维地观察，例如中间介有液晶层、电极、层间绝缘膜等形成相当大的间隙，对于向两者间倾斜入射的光的遮光不充分。特别是在用作投影机的光阀的小型电光装置中，入射光是将来自光源的光用透镜集中的光束，含有不能忽略的倾斜入射的分量。例如，包含10％左右从垂直于基板的方向倾斜10度到15度左右的分量，所以对这样的倾斜入射光的遮光不充分成为实际的问题。
此外，从没有遮光膜的区域侵入到电光装置内的光，由基板或基板上形成的遮光膜的上面、数据线等反射后，存在这样的反射光或使其再次由基板或遮光膜、数据线等反射的多重反射光最终到达TFT的沟道区域的情况。
特别是为了满足近年来显示图像的高质量化的一般需要，与实现电光装置的高清晰化或像素间距的微细化相关联，与为了显示更明亮的图像而提高入射光的光强度相关联，根据上述现有的各种遮光技术，施加充分的遮光更加困难，存在因TFT晶体管特性的变化而产生闪烁等，显示图像的质量下降的问题。
再有，为了提高这样的耐光性，也可考虑简单地扩大遮光膜的形成区域，但在这种方案中，提高各像素的开口率十分困难，存在显示图像变暗的问题。
为了解决上述课题，本发明的电光装置其特征在于，具备被夹置在一对第1和第2基板间的电光学物质；在所述第1基板上(above)，具备像素电极；对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；将图像信号供给该薄膜晶体管的数据线；以及将扫描信号供给所述薄膜晶体管的同时与所述数据线交叉的扫描线；在所述第2基板上，具备从上侧覆盖构成所述薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域的第1遮光膜；其中，所述第1遮光膜在平面地看所述数据线和所述扫描线相交叉的交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而在对应于所述像素电极的各像素的开口区域中规定切角；所述沟道区域被配置在所述交叉区域内。
根据本发明的电光装置，在其工作时，例如在薄膜晶体管的源极上，通过数据线来供给图像信号，在薄膜晶体管的栅极上通过扫描线来供给扫描信号。于是，例如通过对连接到薄膜晶体管的漏极的像素电极由薄膜晶体管进行开关控制，可进行有源矩阵驱动方式的驱动。再有，在第2基板上，例如设置与像素电极相对配置的对置电极，在该对置电极和像素电极之间进行电压施加。或者，在横向电场驱动方式的情况下，不需要这样的对置电极，可在相邻的像素电极间进行电压施加。
而且，因为构成薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域和其相邻区域被第2基板上形成的第1遮光膜从其上侧覆盖，所以基本上可以阻止相对于基板面来自上方的入射光入射到薄膜晶体管的沟道区域和其相邻区域。
这里，特别是第1遮光膜，在数据线和扫描线相交叉的交叉区域中具有伸出的伸出部，从而在各像素的开口区域中规定切角。例如，如果以四角形的开口区域为基准，则成为一至四个切角，可规定五角形至八角形的开口区域。然后，将沟道区域配置在有这样的切角的交叉区域内。因此，与不存在这样的伸出部的情况相比，通过具有伸出部的第1遮光膜，可以有效地阻止相对于基板面从上方垂直或倾斜行进的强的入射光、以及基于该入射光的内面反射光和多重反射光入射到薄膜晶体管的沟道区域和其相邻区域。
这些结果，可提高各像素的开口率，同时可有效地降低薄膜晶体管中的光漏泄电流的产生、偏差等引起的显示不匀或闪烁等，最终可显示明亮的高质量的图像。
在本发明的电光装置的另一方式中，所述沟道区域被配置在所述交叉区域的中央。
在该方式中，沟道区域被配置在交叉区域的中央，特别是从光通过的各像素的开口区域分离仅在存在切角的程度。因此，可高效率提高对于沟道区域的遮光性。再有，‘配置在交叉区域的中央’指除了沟道区域的中心点与交叉区域的重心等的中心点一致的情况以外，还包含沟道区域位于在交叉区域内从其边缘至少多少处于偏向其中心点一侧的情况。
在本发明的电光装置的另一方式中，在所述第2基板上(above)，还具备与所述像素电极相对配置的微透镜，将所述第1遮光膜形成在相对于所述交叉区域的区域中。
根据该方式，入射光通过微透镜被导入到各像素的开口区域的中央附近。这里，特别是入射到阵列状地排列的微透镜的靠边界的四角的入射光，因透镜的性质而难以适当聚光或不能适当聚光。但是，因为通过伸出部，可以将由这样的微透镜不能适当聚光的光分量进行遮光，所以可维持亮度，同时实现提高图像质量。
在本发明的电光装置的另一方式中，将所述第1遮光膜在所述交叉区域中分别形成为岛状。
根据该方式，通过在交叉区域形成岛状并且具有伸出部的第1遮光膜，可以集中遮光沟道区域和其相邻区域。特别是如果形成这样的岛状结构，则因为可以减小第2基板上形成的遮光膜的总面积，所以可以有效地阻止制造过程中的贴合第1及第2基板时的组装偏移造成的各像素开口区域变窄。此外，通过形成岛状，还可以降低在第2基板中第1遮光膜产生的应力。
或者在本发明的电光装置另一方式中，将所述第1遮光膜形成在包含所述交叉区域的沿所述扫描线或所述数据线延伸的条状的区域中。
根据该方式，通过在包含交叉区域的条状的区域中形成并且具有伸出部的第1遮光膜，可局部地提高对于沟道区域和其相邻区域的遮光性能。而且，还可以对沿扫描线或数据线的条状的整个区域进行遮光，通过第1遮光膜，还可规定在各像素的格子状的非开口区域中沿扫描线或数据线的区域。
在本发明的电光装置另一方式中，所述第1遮光膜，被形成在沿包含所述交叉区域的所述扫描线和所述数据线延长的格子状的区域中。
根据该方式，通过在包含交叉区域的格子状的区域中形成并具有伸出部的第1遮光膜，可局部地提高对于沟道区域和其相邻区域的遮光性能。而且，可对沿扫描线和数据线的格子状的所有区域进行遮光，通过第1遮光膜，还可完全规定各像素的非开口区域。
在本发明的电光装置另一方式中，在所述第1基板上(above)，还包括至少从上侧覆盖所述沟道区域的上侧遮光膜。
根据该方式，至少可以通过第1遮光膜和上侧遮光膜进一步可靠地阻止相对于基板面来自上方的入射光及由其引起的内面反射光或多重反射光入射到薄膜晶体管的沟道区域。而且，还可以单独通过这样的第1遮光膜或通过第1遮光膜和上侧遮光膜来规定各像素的非开口区域。
再有，这样的上侧遮光膜也可以同时兼作构成连接到像素电极的存储电容的固定电位侧电容电极或包含该固定电位侧电容电极的电容线。或者，也可以兼作存储电容的像素电位侧电容电极。而且，也可以由导电性的遮光膜来构成固定电位侧电容电极和像素电位侧电容电极两者。
在该方式的电光装置中，所述上侧遮光膜在所述交叉区域中有伸出来的伸出部，从而规定所述切角。
根据该结构，不仅第1遮光膜的伸出部，而且通过上侧遮光膜的伸出部，可在从光通过的各像素的开口区域隔开的位置双重遮光沟道区域和其相邻区域，所以可进一步提高对这些区域的遮光性能。
或者在上述的上侧遮光膜的方式中，所述第1遮光膜的平面形状构成为在所述交叉区域中覆盖所述上侧遮光膜的平面形状。
根据这样的结构，比普通返回光强的入射光，从第1遮光膜的旁边穿过并由上侧遮光膜的上面反射，可以有效地防止产生内面反射光的情况。此外，通过第2基板上形成的第1遮光膜，还可以规定各像素的非开口区域的一部分或全部。而且，即使制造过程中贴合第1及第2基板时产生组装偏移，也可以有效阻止由于上侧遮光膜的存在开口区域变窄。
或者，在上述的上侧遮光膜的方式中，构成为所述第1遮光膜的平面形状在所述交叉区域中，形成为比所述上侧遮光膜的平面形状更内侧。
根据这样的结构，通过上侧遮光膜，在第1基板上可规定各像素的非开口区域的全部或一部分。而且，即使制造过程中贴合第1及第2基板时产生组装偏移，也可以有效阻止由于上侧遮光膜的存在开口区域变窄。这种情况下，第1遮光膜的主要功能用于沟道区域和其相邻区域的遮光，并且特别是通过仅在第1基板侧进行遮光，来发挥降低在该电光装置内部产生的热的功能。
在本发明的电光装置的另一方式中，在所述第1基板上还具备从下侧覆盖所述沟道区域及其相邻区域的下侧遮光膜。
根据该方式，因为通过下侧遮光膜，将构成薄膜晶体管的半导体层的沟道区域和其相邻区域从其下侧被覆盖，所以可以基本上阻止相对于基板面来自下方的返回光和其引起的内面反射光或多重反射光入射到薄膜晶体管的沟道区域和其相邻区域。这里，‘返回光’例如指基板的里面反射、从将该电光装置作为光阀使用了多个的多板式投影机中的其它光阀射出的穿过合成光学系统的光等的，与入射光相反方向上返回的、无助于显示的光。
此外，通过这样的下侧遮光膜，可在第1基板上规定各像素的非开口区域的全部或一部分。
在该方式中，所述下侧遮光膜在所述交叉区域中有伸出的伸出部，以规定所述切角。
根据这样的结构，与在该下侧遮光膜中不存在伸出部的情况相比，可以通过具有伸出部的下侧遮光膜来有效地阻止相对于基板面从下方垂直或倾斜行进的返回光及基于它的内面反射光和多重反射光等入射到薄膜晶体管的沟道区域和其相邻区域。
再有，在下侧遮光膜的方式中，可以构成为所述下侧遮光膜的平面形状与上述上侧遮光膜的平面形状相比，在所述交叉区域中小一圈。
根据这样的结构，可以有效防止比普通返回光强的入射光，从第1遮光膜的旁边穿过并由上侧遮光膜的表面反射，产生内面反射光的情况。
但是，在下侧遮光膜的方式中，也可以构成为所述下侧遮光膜的平面形状与所述上侧遮光膜的平面形状相比，在所述交叉区域中大一圈。而且，在下侧遮光膜的方式中，可以构成为所述下侧遮光膜的平面形状与所述第1遮光膜的平面形状相比，在所述交叉区域中小一圈，也可以构成为大一圈。
在本发明的电光装置的另一方式中，在所述开口区域的四角中，至少在所述电光学物质的工作不良相对大的一个或多个角上，设置所述伸出部。
根据该方式，例如对于象液晶层的取向(定向)不良那样、电光学物质层的工作不良大的角，规定切角。因此，例如象由于在液晶层的取向不良与摩擦方向的关系不均等地发生于四角的情况那样，工作不良不均等地发生于四角的情况下，可主动地遮盖该工作不良的区域。
因此，通过防止各开口区域的角中的光透过，可以高效率地提高反差比。同时，因为对于工作不良小的角，进行正常工作或接近正常工作，所以通过不遮盖该部分来用作开口区域的一部分，可以抑制因伸出部的存在造成的各像素的开口率下降。
再有，这样的伸出部，对一个开口区域，可以按照工作不良的发生部位、程度等来设置一处、两处或三处。
或者在本发明的电光装置的另一方式中，在所述开口区域的四角上分别设置上下左右对称的伸出部。
根据该方式，在开口区域的四角上分别设置上下左右对称的伸出部，与不存在伸出部的情况相比，各像素的开口区域的平面形状接近圆形或多边形。其结果，使用接近圆形或多边形的平面形状的开口区域，也可进行在各开口区域内减少了光透过区域、工作不良区域等的良好的图像显示。特别是在使用圆形或接近圆形的微透镜的情况下，如果采用这样的结构，则因为可以通过开口区域来通过适当聚光的入射光的同时对没有适当聚光的入射光进行遮光，所以十分有效。
此外，本发明的电光装置可以具备被夹置在一对第1和第2基板间的电光学物质；在所述第1基板上，具备像素电极；对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；将图像信号供给该薄膜晶体管的数据线；以及将扫描信号供给所述薄膜晶体管的同时与所述数据线交叉的扫描线；在所述第2基板上，具备从上侧覆盖构成所述薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域的第1遮光膜；其中，所述第1遮光膜，在平面地看所述数据线和所述扫描线相交叉的交叉区域中，具有对所述像素电极的角部进行遮光的遮光区域；所述沟道区域被配置在所述交叉区域内。
再有，上述本发明的电光装置例如可作为液晶装置来构筑，也可以作为EL(场致发光)显示装置来构筑。
本发明的电子设备为了解决上述课题，具备上述本发明的电光装置(但，还包含其各种方式)。
本发明的电子设备因为具备上述本发明的电光装置，所以可以实现能够进行明亮高质量的图像显示的投射型显示装置、液晶电视、便携电话、电子笔记薄、文字处理机、取景器型或监视直视型的录像机、工作站、电视电话、POS终端、触摸面板等各种电子设备。
本发明的这样的作用和其他优点从以下说明的实施方式中将变得明显。
图2是形成了实施方式的电光装置中的数据线、扫描线、像素电极的TFT阵列基板的相邻接的多个像素组的平面图。
图3是图2的A-A’剖面图。
图4是摘录表示实施方式中对置基板一侧的遮光膜的平面图案的局部平面图。
图5是表示实施方式中可采用的对置基板一侧的遮光膜的平面图案的变形方式的局部平面图。
图6是表示实施方式中可采用的对置基板一侧的遮光膜的平面图案的变形方式的局部平面图。
图7是表示实施方式中可采用的对置基板一侧的遮光膜的平面图案的变形方式的局部平面图。
图8是表示实施方式中可采用的对置基板一侧的遮光膜的平面图案的变形方式的局部平面图。
图9是表示实施方式中可采用的对置基板一侧的遮光膜的平面图案的变形方式的局部平面图。
图10是表示实施方式中可采用的对置基板一侧的遮光膜的平面图案的变形方式的局部平面图。
图11是表示实施方式中可采用的对置基板一侧的遮光膜的平面图案的变形方式的局部平面图。
图12是表示图4的实施方式和图5至图7的变形方式的入射光等的路径与各种遮光膜的关系的示意性剖面图。
图13是表示图8至图11的变形方式的入射光等的路径与各种遮光膜的关系的示意性剖面图。
图14是提取展示变形方式中在对置基板20上组装的的微透镜的局部放大平面图(图14(a))，以及其E-E’剖面图(图14(b))。
图15是表示图14的微透镜和对置基板一侧的遮光膜的关系的局部放大剖面图(图15(a))，以及其E-E’剖面图(图15(b))。
图16是从对置基板一侧看实施方式的电光装置中的TFT阵列基板连同在其上形成的各构成零件的平面图。
图17是图16的H-H剖面图。
图18是表示作为本发明的电子设备的实施方式一例的彩色液晶投影机的示意性剖面图。符号说明1a...半导体层1a’...沟道区域1d...高浓度源极区域1d’...高浓度漏极区域3a...扫描线6a...数据线9a...像素电极10...TFT阵列基板11a...下侧遮光膜20...对置基板21...对置电极23...遮光膜30...TFT50...液晶层
70...蓄积容量71...中继层300...电容线401、402、411、423...伸出部501...微透镜电光装置的像素部的结构首先，参照图1至图4来说明本发明的实施方式中的电光装置的像素部的结构。图1是在构成电光装置中的图像显示区域的矩阵状地形成的多个像素中的各种元件、配线的等效电路。图2是形成有数据线、扫描线、像素电极的TFT阵列基板的相邻接的多个像素组的平面图。图3是图2的A-A’剖面图。图4是提取表示实施方式中对置基板上的遮光膜的平面图案的局部平面图。再有，在图3中，为了使各层、各部件等在图面上达到可识别程度的大小，对各层、各部件的每个采用不同的比例尺。
在图1中，在构成本实施方式中电光装置的图像显示区域的矩阵状形成的多个像素中，分别形成像素电极9a和用于对该像素电极9a进行开关控制的TFT30，将供给图像信号的数据线6a被电连接到该TFT30的源极。写入数据线6a的图像信号S1、S2、...、Sn，可以依次按线顺序供给，也可以对于相邻的多个数据线6a，供给每个组。此外，将扫描线3a电连接到TFT30的栅极，以规定的定时对扫描线3a依次按线顺序施加脉冲扫描信号G1、G2、...、Gm。将像素电极9a电连接到TFT30的漏极，通过使作为开关元件的TFT30仅在一定时间关闭其开关，以规定的定时写入从数据线6a供给的图像信号S1、S2、...、Sn。通过像素电极9a写入到作为电光学物质一例的液晶上的规定电平的图像信号S1、S2、...、Sn，在对置基板(将后述)上形成的对置电极(将后述)之间保持一定时间。通过液晶因施加的电压水平而变化分子集合的取向和次序，对光进行调制，可进行色调显示。如果是常白模式，则按照以各像素单位施加的电压来减少对入射光的透过率，如果是常黑模式，则按照以各像素单位施加的电压来增加对入射光的透过率，作为整体，从电光装置射出具有对应于图像信号的对比度的光。这里，为了防止保持的图像信号漏泄，与像素电极9a和对置电极之间形成的液晶电容并联地附加存储电容70。使存储电容70形成在TFT30的漏极区域和电容线300之间。
在图2中，在电光装置的TFT阵列基板上，矩阵状地设置多个透明的像素电极9a(由虚线部9a’来表示其轮廓)，分别沿像素电极9a的纵横边界设置数据线6a和扫描线3a。
另外，配置扫描线3a使得与半导体层1a中图中右上的细斜线区域所示的沟道区域1a’相对，扫描线3a具有作为栅电极的功能。特别是在本实施方式中，扫描线3a幅度宽地形成在成为该栅电极的部分中。这样，分别在扫描线3a和数据线6a的交叉的部位，设置有在沟道区域1a’中将扫描线3a作为栅电极相对配置的像素开关用TFT30。
如图2和图3所示，电容线300形成在扫描线3a上。电容线300平面地看包含沿扫描线3a条状伸展的本线部、以及从扫描线3a和数据线6a的交点的该本线部沿数据线6a在图2中上下突出的突出部。再有，扫描线3a也可以直线地形成而不包含突出部。
电容线300例如由包含金属或合金的导电性的遮光膜构成，构成上侧遮光膜的一例的同时还具有作为固定电位侧电容电极的功能。电容线300，例如由包含Ti(钛)、Cr(铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo(钼)等高熔点金属中的至少一种的，金属单体、合金、金属硅化物、聚硅化物、层积了它们的物质等构成。电容线300也可以包含Al(铝)、Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)等其他金属。或者，电容线300例如也可以具有层积了由导线性的多晶硅膜等构成的第1膜和由包含高熔点金属的金属硅化物膜等构成的第2膜的多层结构。
另一方面，相对于电容线300，通过电介质膜75相对配置的中继层71，具有作为存储电容70的像素电位侧电容电极的功能，而且，具有将像素电极9a和TFT30的高浓度漏极区域1e中继连接的中间导电层的功能。
这样，在本实施方式中，通过将连接到TFT30的高浓度漏极区域1e和像素电极9a的作为像素电位侧电容电极的中继层71、与作为固定电位侧电容电极的电容线300的一部分，以电介质膜75介于中间相对配置，从而构筑存储电容70。
而且，通过将图2中纵方向上分别伸出的数据线6a和图2中横方向上分别伸出的电容线300相交叉形成，在TFT阵列基板10上的TFT30的上侧，构成平面地看为格子状的上侧遮光膜，大致规定各像素的开口区域。
另一方面，在TFT阵列基板10上的TFT30的下侧，格子状地设置下侧遮光膜11a。有关下侧遮光膜11a，与电容线300同样，也由各种金属膜形成。
特别在本实施方式中，电容线300，在这样的格子状的遮光区域中扫描线3a和数据线6a进行交叉的交叉区域中，具有在各像素的开口区域中规定切角的伸出部401。而且，中继层71具有伸出部402，使得相对于规定这样的切角的伸出部401也形成电容。而且，下侧遮光膜11a在该交叉区域中，也具有在各像素的开口区域中规定切角的伸出部411。有关这样的伸出部401、402及411的结构和作用效果将在后面描述。
在图3中，在作为电容电极的中继层71和电容线300之间配置的电介质膜75，例如由膜厚5～200nm左右的比较薄的HTO膜、LTO膜等的氧化硅膜、或氮化硅膜等构成。从增大存储电容70的观点来看，在可充分获得膜的可靠性的限制中，电介质膜75越薄越好。
如图2和图3所示，像素电极9a，通过中继层71进行中继，通过接触孔83和85被电连接到半导体层1a中高浓度漏极区域1e。这样，如果将中继层71用作中继层，则即使层间距离例如增长到2000nm左右，也可以避免用一个接触孔连接两者间的技术上的困难性，并且可以用直径比较小的两个或两个以上的串联的接触孔对两者间进行良好连接，可提高像素开口率，还起到防止接触孔开孔时的蚀刻穿透的作用。
另一方面，数据线6a，通过接触孔81，例如电连接到多晶硅膜构成的半导体层1a中高浓度源极区域1d。再有，也可以通过中继层对数据线6a和高浓度源极区域1a进行中继。
电容线300，从配置有像素电极9a的图像显示区域延伸到其周围，通过与恒定电位源电连接而被设为固定电位。作为这样的恒定电位源，可以是向将用于驱动TFT30的扫描信号供给扫描线3a的扫描线驱动电路(将后述)、控制将图像信号供给数据线6a的采样电路的数据线驱动电路(将后述)提供的正电源、负电源的恒定电位源，也可以是供给到对置基板20的对置电极21上的恒定电位。而且，对于下侧遮光膜11a，为了避免其电位变动对TFT30产生不良影响，与电容线300同样，也可以从图像显示区域延长设置到其周围并连接到恒定电位源。
在图2和图3中，电光装置，具备透明的TFT阵列基板10、以及与其相对配置的透明的对置基板20。TFT阵列基板10，例如由石英基板、玻璃基板、硅基板构成，对置基板20，例如由玻璃基板、石英基板等构成。
如图3所示，在TFT阵列基板10，设置像素电极9a，在其上侧设置实施了摩擦处理等规定的取向(定向)处理的取向膜16。像素电极9a例如由ITO(Indium Tin Oxide；氧化铟锡)膜等透明导电性膜构成。而取向膜16例如由聚酰亚胺膜等有机膜构成。
另一方面，在对置基板20中，遍及其整个面设置对置电极21，在其下侧设置实施了摩擦处理等规定的定向处理的取向膜22。对置电极21例如由ITO膜等透明导电性膜构成。而取向膜22由聚酰亚胺膜等有机膜构成。
在使这样构成的像素电极9a和对置电极21面对配置的TFT阵列基板10和对置基板20之间，在由后述的密封材料包围的空间中封入作为电光学物质一例的液晶，形成液晶层50。液晶层50，在不施加来自像素电极9a的电场的状态下，通过取向膜16和22取得规定的取向状态。液晶层50例如由混合了一种或多种向列式液晶的液晶构成。密封材料，是用于使TFT阵列基板10和对置基板20在其周边贴合在一起的，例如由光固化性树脂、热固化性树脂等构成的粘结剂，混入有用于将两基板间的距离设为固定值的玻璃纤维或玻璃小珠等间隙(ギャップ)材料。
而且，在像素开关用TFT30的下面，设置有基底绝缘膜12。基底绝缘膜12，除了从下侧遮光膜11a对TFT30进行层间绝缘的功能以外，还具有通过形成在TFT阵列基板10的整个面上，来防止由于TFT阵列基板10的表面研磨时的破裂、因清洗后残留的污物等改变像素开关用TFT30特性的功能。
在图3中，像素开关用TFT30具有LDD(Lightly Doped Drain；轻掺杂漏区)结构，具备扫描线3a、由来自该扫描线3a的电场形成沟道的半导体层1a的沟道区域1a’、包含对扫描线3a和半导体层1a进行绝缘的栅绝缘膜的绝缘膜2、半导体层1a的低浓度源极区域1b及低浓度漏极区域1c、半导体层1a的高浓度源极区域1d和高浓度漏极区域1e。
在扫描线3a上，形成分别开孔了通向高浓度源极区域1d的接触孔81和通向高浓度漏极区域1e的接触孔83的第1层间绝缘膜41。
在第1层间绝缘膜41上形成中继层71和电容线300，在它们之上，形成有分别开孔了接触孔81和接触孔85的第2层间绝缘膜42。
在第2层间绝缘膜42上形成数据线6a，在它们之上，形成有形成了通向中继层71的接触孔85的第3层间绝缘膜43。将像素电极9a设置在这样构成的第3层间绝缘膜43的上面。
在本实施方式中，特别在对置基板20，在各像素的开口区域以外的区域中，作为第1遮光膜一例的遮光膜23被形成为岛状。
如图4所示，遮光膜23在格子状的遮光区域或非开口区域中，平面地看在数据线6a和扫描线3a相交叉的交叉区域中，大致与电容线300中的伸出部401或下侧遮光膜11a中的伸出部403(参照图2)同样，有伸出来的伸出部423，从而在对应于像素电极9a的各像素的开口区域中规定切角。而且，沟道区域1’被配置在该交叉区域内。
通过采用这样的结构，如上所述，通过构成上侧遮光膜的电容线300和数据线6a以及该遮光膜23，可以可靠地阻止来自对置基板20侧的入射光侵入到沟道区域1a’和其相邻区域。
关于遮光膜23的材料，与电容线300同样，例如由包含Ti、Cr、W、Ta、Mo等高熔点金属中的至少一种的，金属单体、合金、金属硅化物、聚硅化物、层积了它们的物质等构成。也可以包含Al、Ag、Au、Cu等其他金属。例如也可以具有层积了光吸收性的多晶硅膜等、以及光反射性的金属膜等的多层结构。这种情况下，从降低内面反射光的观点来看，将光吸收性多晶硅膜等配置在下侧(内侧)是有利的，同时，从防止电光装置的温度上升的观点来说，将光反射性的金属膜配置在上侧(外侧)是有利的。或者，这样的遮光膜23也可以由有色树脂形成。
再有，下面参照图5至图11来说明遮光膜23的平面图案的各种变形方式。
如以上参照图1至图4说明的那样，根据本实施方式，沟道区域1a’和其相邻区域(即图2和图3所示的低浓度源极区域1b和低浓度漏极区域1c)，从上侧被作为第1遮光膜一例的形成在对置基板20上的遮光膜23、以及形成在TFT阵列基板10上的作为上侧遮光膜的电容线300和数据线6a覆盖。因此，可以通过遮光膜23和作为上侧遮光膜的电容线300及数据线6a来提高对来自垂直于TFT阵列基板10方向的入射光的遮光。另一方面，沟道区域1a’和其相邻区域，从下侧被下侧遮光膜11a覆盖。因此，可以通过下侧遮光膜11来提高对返回光的遮光，返回光是TFT阵列基板10的里面反射光、从将多个电光装置用作光阀的多板式投影机中的其他电光装置射出的穿过合成光学系统的光等的返回光。
这里，入射光包含对TFT阵列基板10从倾斜方向入射的斜射光。例如，包含10％左右入射角从垂直偏移至10度～15度的分量。而且，这样的斜射光被形成在TFT阵列基板10上的下侧遮光膜11a的上面反射，在该电光装置内，生成斜射的内面反射光。此外，这样的斜射的内面反射光被该电光装置内的其它界面反射，生成斜射的多重反射光。特别是入射光与返回光相比强烈许多，基于这样的入射光的斜射内面反射光、多重反射光等也是强烈的。此外，对于返回光来说，包含从倾斜方向入射的光，也产生基于该光的内面反射光、多重反射光等。
但是，特别是在本实施方式中，遮光膜23在交叉区域中具有在各像素的开口区域中规定切角的伸出部423(参照图4)。而且，电容线300具有伸出部401，下侧遮光膜11a具有有伸出部411(参照图2)。之后，沟道区域1a’被配置在交叉区域内的中央，仅在存在切角的程度从入射光通过或返回光入射的各像素的开口区域分离。因此，由于存在伸出部423、401和411，对于沟道区域1a’和其相邻区域的遮光性能被极大提高。即，与不存在伸出部423、401和411的情况相比，可以有效地阻止倾斜行进的强烈的入射光、返回光等、以及基于它们的内面反射光和多重反射光等入射到沟道区域1a’和其相邻区域。
其结果，可以高效率地降低TFT30中光漏泄电流的发生、偏差等引起的显示不匀或闪烁等。
另外，在本实施方式中，如图4和图2所示，在开口区域的四角分别设置上下左右对称的伸出部。因此，各像素的开口区域的平面形状，与不存在伸出部401等的情况相比，接近圆形或多边形。因此，对于TFT30，可以进行获得对四角平衡的遮光，进行减少了各开口区域内漏光区域、工作不良区域等的良好的图像显示。
但是，也可以不象这样在所有四角设置伸出部423、401和411，而在四角中，在液晶层50中的取向不良相对大的一个或多个角上，设置伸出部423、401和411。例如，仅对于液晶层50的取向不良由于与对取向膜16和22摩擦方向的关系成为最显著的角，设置这样的伸出部423、401和411就可以。由此，通过抑制非开口区域过宽，并且遮盖液晶层50的取向不良，可以有效地提高对比度。
再有，在本实施方式中，虽然电容线300具有伸出部401，并且下侧遮光膜11a具有伸出部411，但没有它们也可以。或者，也可以仅有其中一个伸出部。无论哪种情况，在对置基板20上的遮光膜23中存在伸出部423的限制范围中，如果与不设置任何伸出部的情况比较，则都可提高遮光性能。
另一方面，根据本实施方式，存储电容70也被作入在规定这样的切角的遮光区域内，所以使电容值增大，并且可有效地避免各像素的开口区域变窄。同样，对于TFT30的漏电极，也配置在规定切角的遮光区域内，可不使各像素的开口区域狭窄。
如以上参照图1至图4说明的那样，根据本实施方式，通过晶体管特性优良的像素开关用TFT30，降低显示不匀、闪烁等，实现可以进行明亮高清晰或高质量的图像显示的电光装置。
在以上说明的实施方式中，虽然使下侧遮光膜11a在周边区域降低至固定电位设为浮置电位，但也可以使下侧遮光膜11a在图像显示区域内连接到电容线300而降低至固定电位。这种情况下，可以使下侧遮光膜11a具有作为电容线300的冗余配线的功能，可以实现电容线300的低电阻化。或者，也可以将下侧遮光膜11a沿扫描线3a每一个像素地或每多个像素地与扫描线3a连接，并且将下侧遮光膜11a形成为以被每条扫描线3a分断的大致条状，在这种情况下，可以使下侧遮光膜11a具有作为扫描线3a的冗余配线的功能，可实现扫描线3a的低电阻化。此外，通过这样将下侧遮光膜11a用作冗余配线，可缩小电容线300或沿扫描线3a的遮光区域的宽度。
在以上说明的实施方式中，可以通过在TFT阵列基板10中挖沟，或在基底绝缘膜12、第1层间绝缘膜41、第2层间绝缘膜42、第3层间绝缘膜43中挖沟，将数据线6a等配线、TFT30等埋入，进行将在沿像素电极9a的基底面的数据线6a、扫描线3a的区域中产生段差的平坦化处理。或者，也可以通过对第3层间绝缘膜43、第2层间绝缘膜42等用CMP(Chemical Mechanical Polishing；化学机械研磨)处理等进行研磨，或通过使用有机SOG(Spin On Glass)平坦地形成，进行该平坦化处理。
变形方式首先，参照图5至图13来说明上述实施方式中可采用的对置基板20上的遮光膜23的平面图案的各种变形方式。图5至图11分别是表示实施方式中可采用的对置基板20侧的遮光膜23的平面图案的变形方式的局部平面图。并且，图12是示意性地表示图4的实施方式和图5至图7的变形方式的入射光等路径和各种遮光膜的关系的图，图13是示意性地表示图8至图11的变形方式的入射光等的路径和各种遮光膜的关系的图。再有，在图5至图13中，对与图1至图4所示相同的主要构成部件附以相同的标号，并省略其说明。
在图4所示的上述实施方式和图5至图7的变形方式中，对置基板20上的遮光膜23及23b～23d被构成为与TFT阵列基板10上构筑的格子状的上侧遮光膜(即，规定格子状的遮光区域的电容线300和数据线6a)相比，至少局部地大一圈形成，至少可局部地规定各像素的非开口区域。而且，在这些的任何一个变形方式中，在相对于伸出部401的区域中都设置遮光膜作为伸出部423。
即，在图4的实施方式中，在存在的上侧遮光膜的遮光区域中，仅在交叉区域中，将遮光膜23岛状地设置在对置基板20上。如果使用这样的遮光膜23，则对于像素开关用TFT30，可极大地提高交叉区域附近的遮光性能。此外，可规定交叉区域中各像素的非开口区域。
在图5的变形实施方式中，在存在上侧遮光膜的遮光区域中仅在交叉区域和沿扫描线3a的带状区域中，将遮光膜23大致横条状地设置在对置基板20上。如果使用这样的遮光膜23，则对于像素开关用TFT30，可极大地提高交叉区域附近和沿扫描线3a的区域中的遮光性能。此外，可规定交叉区域和沿扫描线3a的带状区域中的各像素的非开口区域。
在图6的变形实施方式中，在存在上侧遮光膜的遮光区域中，仅在交叉区域和沿数据线6a的区域中，将遮光膜23c大致纵条状地设置在对置基板20上。如果使用这样的遮光膜23c’则对于像素开关用TFT30，可极大提高交叉区域附近和沿数据线6a的区域中的遮光性能。此外，可以规定交叉区域和沿数据线6a的区域中的各像素的非开口区域。
在图7的变形方式中，在存在上侧遮光膜的区域中，将遮光膜23d大致格子状地设置在对置基板20上。如果使用这样的遮光膜23d’则对于像素开关用TFT30，可极大地提高格子状的非开口区域整体的遮光性能。此外，可以规定该格子状的非开口区域。
如以上那样，在图4的实施方式和图5至图7的变形方式中，通过对置基板20上的遮光膜23和23b～23d’至少局部地规定格子状的非开口区域。相反，在图8至图11的变形方式中，将对置基板20上的遮光膜23’和23b’～23d’比上述的上侧遮光膜小一圈地形成，构成为不规定非开口区域。而且，无论在这些变形方式的哪个方式中，在相对于伸出部401的区域中，都设置遮光膜作为比其小一圈的伸出部423’。
即，在图8的变形方式中，在存在上侧遮光膜(即电容线300和数据线6a)的遮光区域中，仅在交叉区域中，将遮光膜23’岛状地设置在对置基板20上。如果使用这样的遮光膜23’，则对于像素开关用TFT30，可极大地提高交叉区域附近的遮光性能。而且，遮光膜23’的伸出部423’比伸出部401小一圈地形成，所以可有效地避免因制造时的TFT阵列基板10和对置基板20的机械性的组装偏差造成遮光膜23’使开口区域变窄的情况。
在图9的变形方式中，在存在上侧遮光膜的遮光区域中，仅在交叉区域和沿扫描线3a的区域中，将遮光膜23b’大致横条状地设置在对置基板20上。如果使用这样的遮光膜23b’，则对于像素开关用TFT30，可极大地提高交叉区域附近和沿扫描线3a的区域的遮光性能。而且，因为遮光膜23b’比伸出部401和电容线300小一圈地形成，所以可有效地避免因制造时的TFT阵列基板10和对置基板20的机械性的组装偏差造成遮光膜3b’使开口区域变窄的情况。
在图10的变形方式中，在存在上侧遮光膜的遮光区域中，仅在交叉区域和沿数据线6a的区域中，将遮光膜23c’大致纵条状地设置在对置基板20上。如果使用这样的遮光膜23c’，则对于像素开关用TFT30，可极大地提高交叉区域附近和沿数据线6a的区域的遮光性能。而且，因为遮光膜23c’比伸出部401和数据线6a小一圈地形成，所以可有效地避免因制造时的TFT阵列基板10和对置基板20的机械性的组装偏差造成遮光膜23c’使开口区域变窄的情况。
在图11的变形方式中，在存在上侧遮光膜的遮光区域中，将遮光膜23d’大致格子状地设置在对置基板20上。如果使用这样的遮光膜23d’，则对于像素开关用TFT30，可极大地提高格子状的非开口区域整体的遮光性能。而且，因为遮光膜23d’比伸出部401和电容线300及数据线6a小一圈地形成，所以可有效地避免因制造时的TFT阵列基板10和对置基板20的机械性的组装偏差造成遮光膜23d’使开口区域变窄的情况。
这里，如图12所示，在图4的实施方式和图5至图7的变形方式的情况下，对置基板20上的遮光膜(即遮光膜23、23b～23d)比TFT阵列基板10上的遮光膜(即电容线300和数据线6a、以及下侧遮光膜11a)大一圈。因此，可通过对置基板20上的遮光膜大致实现TFT30对于垂直的入射光L1、倾斜的入射光L2等的遮光。对于返回光L3来说，可通过下侧遮光膜11a进行遮光。此外，即使在两基板间多少有一些组装偏差，但平面地看，TFT阵列基板10上的遮光膜从对置基板20上的遮光膜突出，使各像素的开口区域变窄的可能性低。
另一方面，如图13所示，在图8至图11的变形方式的情况下，对置基板20上的遮光膜(即遮光膜23’、23b’～23d’)比TFT阵列基板10上的遮光膜(即电容线300和数据线6a、以及下侧遮光膜11a)小一圈。因此，可通过对置基板20上的遮光膜和TFT阵列基板10上的遮光膜实现TFT30对于垂直的入射光L1、倾斜的入射光L2等的遮光。此外，即使在两基板间多少有一些组装偏差，但平面地看，对置基板200上的遮光膜从TFT阵列基板10上的遮光膜突出，使各像素的开口区域变窄的可能性低。
如以上参照图4至图13说明的那样，在本实施方式中，对于电容线300、中继层402和下侧遮光膜11a的伸出部、像素电极9a的切角部等，可采用各种方式，可以是它们的各种各样的组合。而且，对于采用任意一种组合，可鉴于实际的装置规格，实验性地或经验性地确定最好的组合，并采用该组合就可以。
下面参照图14和图15来说明使用了微透镜的变形方式。这里，图14(a)是提取表示装配在对置基板20中的微透镜的局部放大平面图，图14(b)是其E-E’剖面图。而图15(a)是表示图14的微透镜和遮光膜23(参照图4)的关系的局部放大剖面图，图15(b)是其E-E’剖面图。
在本实施方式中，在对置基板20的内部与各像素一一对应地装配微透镜，或者在上侧或下侧表面与玻璃盖等一起，与各像素一一对应地安装微透镜。
如图14所示，微透镜501是以各像素的中心作为透镜中心，对光进行聚光的微小的凸透镜。因此，在图14(a)中用等高线表示表面高度的微透镜501的中央附近，如图14(b)所示，可将入射光L1适当地聚光。另一方面，在图14(a)所示的上下左右相邻的微透镜501的间隙区域501(图中用阴影区域表示)中，在透镜的性质上，难以或不能适当进行入射光的聚光。因此，如图14(b)所示，在不能适当地聚光时，会产生散射光L4。
如图15(a)所示，在本实施方式中，间隙区域502由具有伸出部423的遮光膜23来遮盖。因此，如图15(b)所示，可以基本上阻止散射光L4混入到入射光L1中。此时，因为微透镜501将各像素开口区域的入射光L1聚光成大致的圆形，所以将伸出部423形成在各像素开口区域的四角，使各像素开口区域接近圆形是有利的。
如参照图14和图15说明的那样，根据本实施方式，利用微透镜501，通过提高光的利用效率，可进行更明亮的图像显示。同时，可由具有伸出部423的遮光膜23来消除微透镜501的透镜特性差的间隙区域502造成的不适情况，所以最终可进行非常高质量的图像显示。
如上所述，也可以说，设置在对置基板上的遮光膜的伸出部具有对像素电极的角部进行遮光的遮光区域。此外，也可以说，对置基板上设置的遮光膜的伸出部，在扫描线和数据线的交叉区域中覆盖其它遮光膜，或者在该交叉区域中形成在其它遮光膜的内侧。
电光装置的整体结构下面参照图16和图17来说明如上那样构成的各实施方式中的电光装置的整体结构。再有，图16是从对置基板一侧看TFT阵列基板及在其上形成的各构成要件的平面图，图17是图16的H-H’剖面图。
在图16中，在TFT阵列基板10上，沿其边缘设置密封材料52，在其内侧并行，设置作为规定图像显示区域10a的周边的框的遮光膜53。在密封材料52外侧的区域中，沿TFT阵列基板10的一边设置数据线驱动电路101和外部电路连接端子102，沿相邻于这一边的两边设置扫描线驱动电路104，其中数据线驱动电路101通过按规定定时向数据线6a供给图像信号来驱动数据线6a，而扫描线驱动电路104通过按规定定时向扫描线3a供给扫描信号来驱动扫描线3a。如果供给到扫描线3a的扫描信号延迟没有成为问题，则不用说，扫描线驱动电路104仅在单侧也可以。此外，也可以沿图像显示区域10a的边两侧地排列数据线驱动电路101。而且，在TFT阵列基板10的剩余一边，设置用于将设置于图像显示区域10a两侧的扫描线驱动电路104间连接的多个配线105。此外，在对置基板20角部的至少一个部位，设置用于在TFT阵列基板10和对置基板20之间获得电气导通的导通材料106。然后，如图17所示，具有与图16所示密封材料52大致相同轮廓的对置基板20通过该密封材料52被固定在TFT阵列基板10上。
再有，在TFT阵列基板10上，除了这些数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104等以外，还可以形成按规定的定时向多个数据线6a施加图像信号的采样电路、先于图像信号向多个数据线6a分别供给规定电压水平的预充电电路、用于检查制造途中、出厂等时的该电光装置的质量、缺陷等的检查电路等。
在以上参照图1至图17说明的实施方式中，例如也可以在安装于TAB(Tape Automated bonding；带式自动键合)基板上的驱动用LSI中，通过设置于TFT阵列基板10周边部的各向异性导电膜来进行电气和机械连接，取代将数据线驱动电路101和扫描线驱动电路104设置在TFT阵列基板10上。此外，在对置基板20的投射光入射的一侧和TFT阵列基板10的射出光射出的一侧，例如分别对应于TN(Twisted Nematic；扭转向列)模式、STN(Super Twisted Nematic；超扭转向列)模式、VA(VerticallyAligned；垂直对准)模式、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)模式等的工作模式、常白模式/常黑模式，将偏振膜、相位差膜、偏振板等按规定的方向配置。
以上说明的实施方式的电光装置，为了应用于投影器，将三枚的电光装置分别用作RGB用的光阀，在各光阀中，通过各个RGB色分解用的分色镜分解的各色光作为投射光被分别入射。因此，在各实施方式中，在对置基板10上不设置彩色滤光器。但是，在相对于像素电极9a的规定区域中也可以将RGB的彩色滤光器和其保护膜一起形成在对置基板20上。这样的话，对于投影机以外的直视型、反射型等的彩色电光装置，可应用各实施方式的电光装置。或者，也可以在TFT阵列基板10上的相对于RGB的像素电极9a下，由彩色抗蚀剂等形成彩色滤光器层。这样的话，通过提高入射光的聚光效率，可实现明亮的电光装置。
而且，也可以在对置基板20上，通过堆积几层折射率不同的干涉层，利用光的干涉，形成产生RGB色的分色滤光器。根据带有该分色滤光器的对置基板，可实现更明亮的彩色电光装置。
电子设备的实施方式以下，说明作为将以上详细说明的电光装置用作光阀的电子设备一例的投射型彩色显示装置的实施方式，说明其整体结构，特别是光学的结构。这里，图18是投射型彩色显示装置的示意性剖面图。
在图18中，作为本实施方式的投射型彩色显示装置一例的液晶投影机1100，准备三个包含将驱动电路装载在TFT阵列基板上的液晶装置100的液晶模块，构成为分别用作RGB用的光阀100R、100G和100B的投影器。在液晶投影器1100中，如果从金属卤化物灯等的白色光源的灯单元1102发出投射光，则通过三枚反射镜1106和两枚分色镜1108，分成对应于RGB三基色的光分量R、G、B，被分别导入对应于各色的光阀100R、100G和100B。此时，特别是B光通过由入射透镜1122、中继透镜1123和射出透镜1124构成的中继透镜系统1121被导入，以便防止长光路造成的光损失。之后，由光阀100R、100G和100B分别调制的对应于三基色的光分量，由分色棱镜1112再度合成后，通过投射透镜1114作为彩色图像投射到屏幕1120上。
本发明不限于上述实施方式，在从权利要求和说明书整体读取的本发明的主要精神或思想的范围中，可进行适当变更，伴随这样的变更的电光装置和电子设备也包含在本发明的技术范围中。
权利要求
1.一种电光装置，其特征在于，具备被夹置在一对第1和第2基板间的电光学物质；在所述第1基板上，具备像素电极；对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；将图像信号供给该薄膜晶体管的数据线；以及将扫描信号供给所述薄膜晶体管的同时与所述数据线交叉的扫描线；在所述第2基板上，具备从上侧覆盖构成所述薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域的第1遮光膜；其中，所述第1遮光膜在平面地看所述数据线和所述扫描线相交叉的交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而在对应于所述像素电极的各像素的开口区域中规定切角；所述沟道区域被配置在所述交叉区域内。
2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，所述沟道区域被配置在所述交叉区域的中央。
3.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，在所述第2基板上，还具备与所述像素电极相对配置的微透镜；所述第1遮光膜，被形成在相对于所述交叉区域的区域中。
4.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，所述第1遮光膜，在所述交叉区域中分别被形成为岛状。
5.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，所述第1遮光膜，被形成在沿包含所述交叉区域的所述扫描线或所述数据线延长的条状的区域中。
6.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，所述第1遮光膜，被形成在沿包含所述交叉区域的所述扫描线和所述数据线延长的格子状的区域中。
7.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，在所述第1基板上，还具备从上侧覆盖至少所述沟道区域的上侧遮光膜。
8.根据权利要求7所述的电光装置，其特征在于，所述上侧遮光膜在所述交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而规定所述切角。
9.根据权利要求7所述的电光装置，其特征在于，所述第1遮光膜的平面形状，在所述交叉区域中，覆盖所述上侧遮光膜的平面形状。
10.根据权利要求7所述的电光装置，其特征在于，所述第1遮光膜的平面形状，在所述交叉区域中，形成为比所述上侧遮光膜的平面形状更内侧。
11.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，在所述第1基板上还具备从下侧至少覆盖所述沟道区域的下侧遮光膜。
12.根据权利要求11所述的电光装置，其特征在于，所述下侧遮光膜在所述交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而规定所述切角。
13.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，在所述开口区域的四角中，至少在所述电光学物质的动作不良相对大的一个或多个角上，设置有所述伸出部。
14.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，在所述开口区域的四角上分别设置有上下左右对称的伸出部。
15.一种电光装置，其特征在于，具备被夹置在一对第1和第2基板间的电光学物质；在所述第1基板上，具备像素电极；对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；将图像信号供给该薄膜晶体管的数据线；以及将扫描信号供给所述薄膜晶体管的同时与所述数据线交叉的扫描线；在所述第2基板上，具备从上侧覆盖构成所述薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域的第1遮光膜；其中，所述第1遮光膜，在平面地看所述数据线和所述扫描线相交叉的交叉区域中，具有对所述像素电极的角部进行遮光的遮光区域；所述沟道区域被配置在所述交叉区域内。
16.一种电子设备，其特征在于，具备电光装置，该电光装置，具备被夹置在一对第1和第2基板间的电光学物质；在所述第1基板上，具备像素电极；对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；将图像信号供给该薄膜晶体管的数据线；以及将扫描信号供给所述薄膜晶体管的同时与所述数据线交叉的扫描线；在所述第2基板上，具备从上侧覆盖构成所述薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域的第1遮光膜；其中，所述第1遮光膜在平面地看所述数据线和所述扫描线相交叉的交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而在对应于所述像素电极的各像素的开口区域中规定切角，所述沟道区域被配置在所述交叉区域内。
全文摘要
一种电光装置，在一方的基板上(above)具备像素电极、以及与其连接的薄膜晶体管。而且，在另一方的基板上，具备遮光膜。该遮光膜在数据线和扫描线相交叉的交叉区域中具有在各像素的开口区域中规定切角的伸出部。薄膜晶体管的沟道区域被配置在所述交叉区域内。由此，在电光装置中可提高抗光性，显示高质量的图像。
文档编号G02F1/1368GK1460882SQ03136048
公开日2003年12月10日 申请日期2003年5月20日 优先权日2002年5月21日
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