用于接触孔掩模的光学逼近校正设计的方法

专利名称：用于接触孔掩模的光学逼近校正设计的方法
技术领域：
本发明的领域一般涉及微光刻的一种方法和程序产品，用于优化衬底表面上形成的图案的照度分布。
背景技术：
光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，掩模可包含对应于IC的一个单层的电路图案，这种图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的衬底(硅片)的靶部(例如包括一个或者多个小片)上。一般地，单一的晶片将包含相邻靶部的整个网格，该相邻靶部由投影系统受到逐次辐射。在一种类型的光刻投影装置中，通过对靶部上的整个掩模图案进行一次曝光而辐射各靶部；这种装置通常称作晶片步进器。另一种装置—通常称作分步扫描装置——通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描衬底台来辐射各靶部；因为一般来说，投影系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此衬底台受到扫描的速度V是掩模台受到扫描的速度的M倍。如这里描述的关于光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,792中搜集，在这里引入供参考。
在使用光刻投影装置的制造工艺中，掩模图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的衬底上。在这种成像步骤之前，可以对衬底进行各种程序，如涂底胶，涂敷抗蚀剂并进行软烘烤。在曝光后，可以对衬底进行其它的程序，如曝光后烘烤(PEB)，显影，硬烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对器件例如IC的一个单层构成图案。这种构图后的层然后可进行各种处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学—机械抛光等完成一个单层所需的所有处理。如果需要若干层，那么对每一新层重复整个程序或者其一种变形。终于，在衬底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯断的技术将这些器件彼此分开，由此，单个器件可以安装在载体上，与管脚连接等。关于这些处理的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微芯片制造半导体加工实用入门(Microchip FabricationA Practical Guide toSemiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw Hill Publishing Co.，1997，ISBN0-07-067250-4)中获得，在这里引入供参考。
为了简单起见，投影系统在下文称为“镜头”；可是，该术语应广义地解释为包含各种类型的投影系统，例如包括折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统，辐射系统还可以包括根据这些设计类型中的任一设计而操作的部件，该部件用于对辐射的投射光束进行导向、整形或者控制，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外，光刻装置可以具有两个或多个衬底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多级”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其他台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述了两级光刻装置，在这里引入供参考。
上面提到的光刻掩模包括与集成到硅晶片上的电路元件对应的几何图案。利用CAD(计算机辅助设计)程序生成用于产生这种掩模的图案，这一过程通常称为EDA(电子设计自动化)。为了产生功能性掩模，大部分CAD程序遵从一组预定的设计规则。这些规则通过加工和设计限制来设定。例如，设计规则限定电路器件(如门电路，电容器等)之间或互连线之间的间隔公差，从而确保电路器件或互连线不会以不希望的方式互相影响。设计规则限制典型地称为“临界尺寸”(CD)。电路的临界尺寸可以定义为一条线或一个孔的最小宽度，或者定义为两条线之间或两个孔之间的最小距离。因此，CD确定设计电路的总尺寸和密度。
掩模中的“辅助部件”可以用于改进投影到抗蚀剂上并最终投射到显影过的器件上的图像。辅助部件是这样的部件，它不会出现在抗蚀剂中显影过的图案中而是被提供在掩模中利用衍射效应使显影图像极其类似于所希望的电路图案。辅助部件一般是“亚分辨率”或“深的亚分辨率”，指的是与晶片上实际分辨出来的掩模中的最小部件相比至少在一个维度上更小。辅助部件的尺寸可以定义为临界尺寸的几分之一。换句话说，因为掩模图案通常以小于1的放大倍数，如1/4或1/5被投影，因此掩模上的辅助部件的实体尺寸大于晶片上的最小部件。
可以使用至少两种类型的辅助部件。散射条(scattering bar)是具有亚分辨率宽度的线，置于在图案的密集充填区出现的具有模拟邻近效应的被隔离的导体的一边或两边。衬线是置于导线转角和端部，或者矩形部件的转角处的各种形状的附加区，用以随意地使线的端部或转角更接近直角或圆形(请注意，在本文中，辅助部件通常称为“锤头”，它被认为是衬线的一种形式)。有关利用散射条和衬线的进一步信息例如可以在美国专利5,242,770和5,707,765中找到，在此被引入供参考。
当然，集成电路制造的目的之一是将原始电路设计忠实地复制到晶片上(经掩模)，这借助于使用辅助部件而得到改进。这些辅助部件的位置一般遵从一组预先规定的规则。依据该方法，设计者确定例如怎样使线偏斜，并且依照一组预定的规则确定辅助部件的位置。建立这组规则时，将测试掩模反复暴露于不同的照明设置和NA设置下。根据这组测试掩模建立适用于辅助部件位置的一组规则。图11示出包括形成于衬底上的可分辨部件112和辅助部件114的掩模110，所述辅助部件114依照预定的一组规则置于掩模中。
然而还必须建立用于确定掩模中辅助部件的最优位置的优化和模型方法。因此，需要一种处于关键地位且最优放置辅助部件的方法。

发明内容
公开的概念包括一种使衬底表面上形成的图案的照度分布优化的方法。利用该方法，确定传递交叉系数(“TCC”)函数，所述函数以照明光瞳和投影透镜光瞳为基础。并且，可以用至少一个脉冲函数来表示印制在衬底上的掩模的至少一个可分辨部件。根据脉冲函数和TCC函数，可以产生预定级的干涉图，所述干涉图表示印制在衬底上的至少一个可分辨部件。此外，可以将辅助部件优化地放置在与干涉图的区域对应的掩模中，所述干涉图具有预定级的强度。对于亮场掩模，这一强度典型地表示引起相消干涉的光强，或者同样引起相消干涉的强度变化量。对于暗场掩模，这一强度典型地表示引起相长干涉的光强，或者同样引起相长干涉的强度变化量。
另一个公开的概念包括一种使衬底表面上形成的可分辨部件的图案的照度分布优化的方法。该方法包括建立具有至少两个坐标轴的笛卡儿坐标干涉图。依照脉冲函数和传递交叉系数函数来建立干涉图，所述脉冲函数表示衬底上形成的可分辨部件的图案。干涉图表示在衬底上形成的可分辨部件的图案和至少一个干涉区。所述干涉区相对于至少两个轴形成角度，轴的原点与所形成的图案的中心相对应，并且所述轴与干涉图的对应轴平行。基于该干涉图，可以将辅助部件放置在与干涉区对应的掩模区中。
本发明的前述和其他特征、方面和优点在结合附图时从本发明下面的详细描述中变得更加明白。


图1是用于通用成像系统的示范性传递交叉系数(TCC)函数的图。
图2是对于不同类型的照明用奇异值分解使TCC对角化之后的本征值曲线图。
图3表示对相干和的求和。
图4(a)-(d)分别是对于类星体，Cquad，环形和常规照明器的第一TCC本征函数的照度的图像表示。
图5是方程1的图像表示，其中要被建立的图案的接触孔用脉冲δ函数取代。
图6是方程5的图像表示，对应于图4(b)和5示出的卷积。
图7示出这里公开的新颖模型化方法的流程图。
图8是与干涉函数的二阶导数对应的照度。
图9示出对应于图6的照度的辅助部件的最佳位置。
图10示出方程5和利用图4(a)的类星体照明器的对应的照度强度的图像表示。
图11示意性描述适合于应用借助于本发明而设计的掩模的光刻投影装置。
图12示出依照预定的一组规则的辅助部件的位置。
具体实施例方式
这里描述的是一种用于亚波长接触孔掩模的光学逼近校正(OPC)设计方法，该方法利用新颖的模型化方法来预测辅助部件(AF)的位置。有限照明源的空中像对于确定辅助部件的最佳定位是有用的。这种立体像可以表示例如接触孔这种将要建立的部件和干涉区。与这些干涉区对应的掩模中辅助部件的关键位置有利于将光强聚焦在与将要建立的部件对应的衬底表面上。要注意，本发明的方法不限于形成接触孔图案。
有两种计算有限照明源的空中像的主要方法，它们已在美国专利申请公开号为US 2002/0152452 A1中公开，在此被引入供参考。其中所述的一种方法是Hopkins表示法。但是，这两种方法都需要大量的计算。
例如，Hopkins表示法使用表示图像强度的四维传递交叉系数(TCC)。更具体地，TCC由方程1以数学方式表示，TCC是用投影光瞳(K(α，β))乘照明光瞳(JS(α，β))的自相关函数。依照方程1并且如图1所示，最左边的圆10表示照明光瞳(JS(α，β))；中间的圆12表示以(-m/PxNA，-n/PyNA)为中心的投影光瞳(K(α，β))；最右边的圆14表示以(p/PxNA，q/PxNA)为中心的投影光瞳(K(α，β))。用圆10，12，14重叠的区域16表示TCC。
TCC(m,n,p,q)=∫∫α2+β2<σJs(α,β)K(α+mλPxNA,β+nλPyNA)K*(α-pλPxNA,β-qλPyNA)]]>方程1在方程1中，m，n，p和q对应于离散的衍射级，即，TCC是一个四维函数。X-方向的衍射级由m和p表示，y-方向的衍射级由n和q表示。
依据已公开的新颖原理，可以利用以奇异值分解(SVD)著称的熟知的数学运算将方程1分为一组两个2-D函数，其中涉及使4-D矩阵对角线化。根据TCC，形成以标量，即本征值λb乘本征矢量Φ(m，n)，Φ(p，q)的矩阵。因此，每个本征值λb与对应的所谓右本征矢量Φ(m，n)和对应的左本征矢量Φ(p，q)配成对，如方程2所示。
TCC(m,n,p,q)=ΣbλbΦb(m,n)Φb*(p,q)]]>方程2
图2示出对应于类星体，环形和常规照明的本征值λb的矩阵的曲线图。由于上述照明器与具有无穷小半径极的理想照明器相比具有一个有限的半径，因此会产生多于一个的本征值。但是，图2的曲线图也示出了每个照明器的本征值如何以快的速率衰减的。为了降低方程2和后续计算的复杂性，可以用第一本征值20取代TCC的充分通近。然而，为更高的精度可以使用多于一个本征值。考虑到多个本征值λb时，可以利用相干和的求和(SOCS)运算来计算空中像，相干和的求和运算由图3的流程图示出。
图4(a)-(d)分别用插图示出只考虑第一本征值λ1时对应类星体，Cquad，环形和常规照明的TCC的曲线图。利用常规照明(图4(d))，在接触孔410的外侧出现明显的干涉。然而，比较图4(a)-(c)，光主要聚焦于接触孔410，但是在接触孔410的外侧出现明显的干涉区412。根据所用的照明器，这些干涉区(也称为“侧瓣”)相对于接触孔410取不同的形状和位置。对于暗场掩模，这些干涉区对应于所谓的可能的相长干涉的区域，即，它们与表示将要建立的部件的光强发生正干涉。在图4(a)中，侧瓣412相对于接触孔410水平地和垂直地形成。在图4(b)中，侧瓣412相对于接触孔410斜对角地形成。在图4(c)中，侧瓣412形成环绕接触孔410的环形。为了增强干涉侧瓣的正效果，将辅助部件置于对应于每个侧瓣的掩模中，以便将光强聚焦于接触孔410上。
为了产生在衬底中形成的可分辨部件，如接触孔的空中像，方程2必须与接触孔和对应的照明器联系。脉冲δ函数可以用来表示接触孔，也可以用方程3表示，并由图5示出。
方程3o(x,y)=Σa=1Nδ(x-xa,y-ya)]]>为了确定例如使用图4(a)-(d)的任何照明时由接触孔图案引起的干涉，可以使本征矢量Φ(m，n)的傅里叶逆变换与表示接触孔图案的脉冲δ函数进行卷积，如方程4所表示的。
g(x，y)＝FT-1{Φ(m，n)}o(x，y) 方程4然而，方程4的计算可以通过进行傅里叶变换首先将脉冲δ函数o(x，y)转换为频率域而得到简化，如方程5所表示的。方程6表示频率域中最终得到的表达式。
O(m,n)=Σa=1Ne-imxaPxe-inyaPy]]>方程5G(m，n)＝O(m，n)Φ1(m，n)方程6为了确定空中像，必须进行方程6的傅里叶逆变换，由方程7表示。方程7表示空中像，也通过图6以插图示出。
g(x,y)=FT-1{G(m,n)}=Σm=1MΣn=1NG(m,n)eimxPxeinyPy]]>方程7为了得到最佳的辅助部件位置、可以使用不同类型的空中像。例如，取如方程8表示的方程6的二阶导数，以及如方程9表示的傅里叶逆变换，以建立说明强度级变化(即斜率)程度的空中像，例如如图8所示。图解说明变化程度的空中像有助于辅助部件的布置。
F(m,n)=O(m,n)Φ1(m,n)(mPx)2(mPy)2]]>方程8f(x,y)=FT-1{F(m,n)}=Σm=1MΣn=1NF(m,n)eimxPxeinyPy]]>方程9无铬阶段光刻法(Chromeless Phase Lithography)(CPL)接触掩模，高百分比透射衰减相移掩模(High Percentage Transmission Attenuated Phase ShiftMask)(PSM)，以及其他类型的PSM具有三种可能的透射条件Aa为0(没有光透射过掩模原版)，+1(100％透射，没有相移)，以及-1(100％透射，180度相移)，这些情况应当在产生空中像时予以考虑。为了说明部件透射水平，可以通过添加表示透射条件的变量Aa来修正方程3。
OCPL(x,y)=Σa=1NAaδ(x-xa,y-ya)]]>方程10因此，由方程11表示的空中像通过本征矢量Φ(m，n)的傅里叶逆变换与方程10的脉冲函数0CPL(x，y)进行卷积来确定。
g(x，y)＝FT-1{Φ(m，n)}OCPL(x，y) 方程11可以通过将脉冲函数位置(xa，ya)的最小峰强度最大化而有利地确定每个接触孔处的透射条件Aa，如方程12所示。
max[min{g(xa，ya)}] 方程12要注意，下面的讨论说明本发明利用暗场掩模类型的例子，然而，要注意的是，这里讨论的新颖的概念也可用于亮场掩模类型。图7是示范性的流程图，该图示出依照干涉图的产生而将光学逼近校正技术应用于掩模图案的方法。还要注意的是，可以用许多方法产生干涉图，例如，采用如在共同审理的申请(序列号待定)中公开的常规空中像模拟器(例如，由MaskTools有限公司提供的Lithocruiser或者Mask Weaver模拟产品)，或者如在即时申请中通过对该区域图像建立数学模型产生干涉图。
公开的概念可以通过如图7的流程图所说明的一系列步骤来表示。在步骤710中，建立包括至少一个接触孔的掩模模型。并且，可选择照明器的类型和相应的参数。在步骤712中，依照掩模类型(例如，相移掩模，规则掩模)建立脉冲函数(例如，方程3，方程10)，由此用脉冲δ函数表示掩模的每个接触孔。与此同时，在步骤714中，根据照明和投影透镜模型产生TCC(方程1)，在步骤716中，通过利用SVD将函数对角线化以得到本征矢量和本征值的函数(方程2)而将复杂的TCC函数简化。在步骤718中，通过用在步骤712(方程4-6)中建立的δ函数取代本征矢量而修正简化的TCC函数。在步骤720中，为了逼近TCC至少选择一个本征值。如果选择多于一个值，则在步骤722中，为每个选定的本征值计算傅里叶逆变换(方程9)，根据SOCs(参见图3)对计算结果求和，如在步骤724中所示。另一方面，如果只选择一个本征值，则在步骤726中，为选定值计算傅里叶逆变换(方程9)。步骤724或者726的结果表示与衬底上的照度对应的空中像或者干涉图。在步骤728中，在干涉图上识别干涉区，在步骤730中，最好将辅助部件置于与干涉区对应的掩模中。
实施例新颖的模型化方法精确而简单地预测出确定关键的辅助部件位置的干涉图案。假定掩模具有七个接触孔，Cquad照明器具有0.75的数值孔径NA，以及光源具有193nm的波长。首先，用脉冲δ函数取代接触孔，如方程2所表示和图5用插图所说明的。
当与Cquad照明的本征矢量Φ(m，n)进行卷积时，产生图6的空中像。图中示出多个侧瓣干涉区60。因此，可以将辅助部件与掩模中的这些干涉区对应地放置，以便限制侧瓣印刷。
图9示出依照新颖的成像方法和这里描述的例子而建立的掩模。掩模90包括如接触孔92之类的可分辨部件92，以及对应于图6的空中像所示出的干涉区60而放置的多个辅助部件94。
图10示出利用类星体照明器的七个接触孔图案的空中像。与图6和9比较，如所预期的那样，Cquad照明与类星体照明之间的干涉区不同。并且，同类星体照明相比较，Cquad照明产生更大的光强。因此，使用假定的参数时，利用Cquad照明会得到好的结果。
上述模型化方法的优点是不再需要无限地测试和分析用于掩模设计的多个辅助部件的位置。模型化方法预测出依照具体的照明器而出现的干涉或者侧瓣的类型。因此，辅助部件可以最优地和关键性地放置。
图11示意性描绘出适合于与通过本发明设计的掩模一起使用的光刻投影装置。该装置包括-辐射系统Ex，IL，用于提供辐射的投射束PB。在这种具体的情况下，辐射系统还包括辐射源LA；-第一目标台(掩模台)MT，配备用于保持掩模MA(例如掩模原版)的掩模保持器，并与用于将该掩模相对于元件PL精确定位的第一定位装置连接；-第二目标台(衬底台)WT，配备用于保持衬底W(例如涂覆抗蚀剂的硅晶片)的衬底保持器，并与用于将衬底相对于元件PL精确定位的第二定位装置连接；
-投影系统(“镜头”)PL(例如折射，反射或反折射光学系统)，用于将掩模MA的受辐照的部分成像在衬底W的靶部C(例如包括一个或多个小片)上。
如这里所指出的，该装置属于透射型(即具有透射掩模)。可是，一般来说，它还可以是例如反射型(具有反射掩模)。另外，该装置可以利用其他种类的构图部件来作为使用掩模的替换品，例如包括可编程反射镜阵列或LCD矩阵。
辐射源LA(例如汞灯或准分子激光器)产生辐射束。该射束例如直接或横过如扩束器Ex的调节装置后，再照射到照明系统(照明器)IL上。照明器IL可包括调节装置AM，用于设定射束强度分布的外径和/或内径值(通常分别称为σ-外和σ-内)。另外，它一般包括各种其他部件，如积分器IN和聚光器CO。这样，照射到掩模MA上的光束PB在其横截面上具有所要求的均匀性和强度分布。
应该注意，对图11而言，辐射源LA可以置于光刻投影装置的壳体中(例如当辐射源LA是汞灯时经常是这种情况)，但也可以远离光刻投影装置，其产生的辐射束(例如借助于合适的定向反射镜)被引导至该装置中；当辐射源LA是准分子激光器(例如，基于KrF，ArF或者F2发射激光)时通常是后面的那种情况。本发明包含至少这两种情况。
其后，光束PB与保持在掩模台MT上的掩模MA相交。光束PB横贯掩模MA，并通过镜头PL，该镜头将光束PB聚焦在衬底W的靶部C上。利用第二定位装置(和干涉测量装置IF)，衬底台WT可以精确地移动，例如在光束PB的光路中使不同的靶部C定位。类似地，例如在从掩模库中用机械取出掩模MA之后或在扫描期间，可以使用第一定位装置将掩模MA相对于射束PB的光路进行精确定位。一般地，用图11中未明确表示的长冲程模块(粗略定位)和短冲程模块(精确定位)，可以实现目标台MT，WT的移动。然而，在晶片步进器(与分步扫描装置对置)的情况下，掩模台MT可与短冲程执行装置连接，或者固定。
所示的装置可以按照两种不同模式使用-在步进模式中，掩模台MT基本保持不动，整个掩模图像被一次投影(即单“闪光”)到靶部C上。然后衬底台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的靶部C能够受到射束PB照射；-在扫描模式中，基本上为相同的情况，只是所给的靶部C没有暴露在单“闪光”中。可代之以，掩模台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向”，例如y方向)以速度v移动，以使投射束PB对整个掩模图像扫描；同时，衬底台WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同时移动，其中M是镜头PL的放大倍数(通常M＝1/4或1/5)。在这种方式中，可以使相对大的靶部C曝光，而不必损害分辨率。
这里公开的概念可以模拟用于使亚波长部件成像的任何普通的成像系统或者使之数学模型化，并且对于能够产生越来越小尺寸的波长的新兴成像技术特别有益。已经使用的新兴技术包括能够利用ArF激光器产生193nm波长，甚至是利用氟激光器产生157nm波长的的EUV(极远紫外)光刻技术。此外，EUV光刻技术能够通过利用同步加速器或者用高能电子撞击材料(固体或等离子体)产生在20-5nm范围内的波长，以产生该波长范围内的光子。由于大部分材料在该波长范围内是吸收性的，因此可以通过带多层层叠钼和硅的反射镜进行照明。多层层叠反射镜具有40层成对的钼和硅，每层的厚度是四分之一波长。利用X-射线光刻技术可以产生甚至更小的波长。典型情况下，利用同步加速器产生X射线波长。由于大多数材料在x射线波长处是吸收性的，因此吸收材料的薄片限定部件印制(正抗蚀剂)或不印制(负抗蚀剂)的位置。
尽管这里公开的概念可以用于在衬底如硅片上成像，但是应该理解，公开的概念也可以与任何类型的光刻成像系统一起使用，例如，用于在除硅片之外的衬底上成像的光刻成像系统。
涉及编程的计算机系统的软件功能性，包括可执行代码，可以用于实现上述成像模型。软件代码可以通过通用计算机执行。在运算中，代码和可能还有关联数据记录被存储在通用计算机平台中。然而，在另外的场合中，软件可以存储在其他地址和/或运送装载到适当的通用计算机系统中。因此，上述的实施方式包括一个或多个以至少一种机器可读入介质运载的一个或多个代码的模块的形式的软件产品。用计算机系统的处理器执行这样的代码，使平台基本上以这里讨论和示出的实施例中进行的方式实现分类和/或软件下载功能。
如这里所用的，术语如计算机或机器“可读入介质”指的是参与向处理器提供指令用于执行的任何介质。这样的介质可以采用许多形式，包括但不限于非易失性介质，易失性介质，以及传输介质。非易失性介质包括例如光盘或磁盘，诸如上面讨论的在作为服务器平台之一而运行的任何计算机中的任何存储器件。易失性介质包括动态存储器，诸如这样一种计算机平台的主存储器。物理传输介质包括同轴电缆；铜线和纤维光学装置，包括计算机系统中的总线在内的导线。载波传输介质可以采用以下形式电信号或电磁信号，或者如在无线电频率(RF)和红外(IR)数据通信中产生的声波或光波。因此，计算机可读入介质的普通形式包括，例如软盘，软磁盘，硬盘，磁带，任何其他磁性介质，CD-ROM，DVD，任何其他光学介质，如穿孔卡，纸带，带穿孔图案的任何其他物理介质这类不太常用的介质，RAM，PROM，和EPROM，FLASH-EPROM，任何其他的存储器芯片或盒式存储器，载波传输数据或指令，传输这种载波的电缆或连接线，或者计算机可以从中读取编程码和/或数据的任何其他介质。许多这些形式的计算机可读入介质可以包含将一个或多个指令的一种或多种程序运送到处理器来执行。
尽管已经对本发明做了详细的描述和图示说明，但是显而易见，上述情况仅仅是说明性和示范性的，并不能作为限制，本发明的范围仅仅通过附加的权利要求书的条款进行限定。
权利要求
1.一种使衬底表面上形成的图案的照度分布优化的方法，包括以下步骤确定传递交叉系数(“TCC”)函数，所述函数根据与照明器对应的照明光瞳和投影光瞳来确定；通过至少一个脉冲函数来表示衬底上印制的掩模的至少一个可分辨部件；以及根据至少一个脉冲函数和TCC函数建立预定级的干涉图，其中干涉图表示印制在衬底上的至少一个可分辨部件和相消干涉区。
2.根据权利要求1的优化照度分布的方法，将辅助部件放置在与相消干涉区对应的掩模中。
3.根据权利要求2的优化照度分布的方法，其中辅助部件是不可分辨的。
4.根据权利要求1的优化照度分布的方法，其中干涉图模拟入射在衬底上的光强。
5.根据权利要求4的优化照度分布的方法，进一步包括将至少一个辅助部件放置在与干涉图上的区域对应的掩模区上，所述干涉图上的区域具有与相消干涉区对应的预定级的光强。
6.根据权利要求6的优化照度分布的方法，其中预定的级对应于可分辨的光强。
7.根据权利要求1的优化照度分布的方法，其中干涉图表示入射在衬底上的光强的变化。
8.一种使衬底表面上形成的可分辨部件的图案的照度分布优化的方法，其步骤包括依照脉冲函数和传递交叉系数函数，建立具有至少两个坐标轴的笛卡儿坐标干涉图，所述脉冲函数表示衬底上形成的可分辨部件的图案，干涉图表示所形成的可分辨部件的图案和至少一个干涉区，其中至少一个干涉区相对于至少两个轴形成角度，所述轴的原点位于所形成的图案的中心，并且所述轴与干涉图的至少两个轴平行；根据该图，将辅助部件放置在与至少一个干涉区对应的掩模区上。
9.根据权利要求2的优化照度分布的方法，其中辅助部件是不可分辨的。
10.一种程序产品，包括可通过至少一种机器可读入介质而传送的可执行代码，其中通过至少一个可编程计算机执行代码导致至少一个可编程计算机执行一系列步骤，用以优化衬底表面上形成的图案的照度分布，所述一系列步骤包括确定传递交叉系数(“TCC”)函数，所述函数根据与照明器对应的照明光瞳和投影光瞳来确定；通过至少一个脉冲函数来表示衬底上印制的掩模的至少一个可分辨部件；以及根据至少一个脉冲函数和TCC函数生成预定级的干涉图，其中干涉图表示印制在衬底上的至少一个可分辨部件和相消干涉区。
11.根据权利要求10的程序产品，确定辅助部件在掩模中的位置，所述位置对应于由干涉图表示的相消干涉区。
12.一种使亚波长接触孔成像的方法，包括下述步骤确定传递交叉系数(“TCC”)函数，所述函数根据与照明器对应的照明光瞳和投影光瞳来确定；通过至少一个脉冲函数来表示衬底上印制的掩模的至少一个接触孔；以及根据至少一个脉冲函数和TCC函数建立预定级的干涉图，其中干涉图表示印制在衬底上的至少一个接触孔和相消干涉区。
13.根据权利要求12的方法，将辅助部件放置在与相消干涉区对应的掩模中。
14.根据权利要求13的方法，其中辅助部件是不可分辨的。
15.根据权利要求12的方法，其中干涉图模拟入射在衬底上的光强。
16.根据权利要求15的方法，进一步包括将至少一个辅助部件放置在与干涉图上的区域对应的掩模区上，所述干涉图上的区域具有与相消干涉区对应的预定级的光强。
17.根据权利要求15的方法，其中预定的级对应于可分辨的光强。
18.根据权利要求12的方法，其中干涉图表示入射在衬底上的光强的变化。
全文摘要
公开的概念包括一种使衬底表面上形成的图案的照度分布优化的方法。照度通过以下步骤进行优化确定传递交叉系数(“TCC”)函数，所述函数根据与照明器对应的照明光瞳和投影光瞳来确定，通过至少一个脉冲函数来表示衬底上印制的掩模的至少一个可分辨部件，以及根据至少一个脉冲函数和TCC函数建立预定级的干涉图，其中干涉图表示印制在衬底上的至少一个可分辨部件和相消干涉区。
文档编号G03F1/14GK1573554SQ200410006709
公开日2005年2月2日 申请日期2004年1月14日 优先权日2003年1月14日
发明者R·J·索查, X·施, D·范登布罗克, J·F·陈 申请人:Asml蒙片工具有限公司