玻璃上芯片型液晶显示器及其检查方法

专利名称：玻璃上芯片型液晶显示器及其检查方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示器(IXD)，更具体地，涉及一种玻璃上芯片(COG)型IXD
及其检查方法。
背景技术：
随着信息科技的快速发展，提出并发展了厚度薄、重量轻且功耗低的平板显示设 备(FPD)。在这些显示设备中，液晶显示器(LCD)由于具有高清晰度、高质量、优异的运动图 像显示和高对比率的优点，被广泛地应用于笔记本电脑的监视器、个人电脑的监视器和电 视中。LCD包括两个基板和插入在两个基板之间的液晶层。电极形成在各个基板上，基板 设置为使电极彼此面对。当提供电压给电极时，就在电极之间产生电场。通过改变电场的 强度来控制液晶分子的排列方向，并改变通过液晶层的光的透射率以显示图像。图1是根据现有技术的IXD分解透视图。如图1所示，IXD包括阵列基板10、滤色 器基板20和液晶层30。阵列基板10和滤色器基板20彼此面对，液晶层30插入在两者之 间。阵列基板10包括在透明基板12的内侧表面上的栅线14和数据线16。栅线14和 数据线16彼此交叉以将形成在栅线14和数据线16之间的区域界定为像素区P。薄膜晶体 管Tr形成在栅线14和数据线16的各个交叉部分，像素电极18形成在每个像素区P中并 且连接到薄膜晶体管Tr。滤色器基板20包括在面对阵列基板10的透明基板22的内侧表面上的黑矩阵25、 滤色器层26和公共电极28。黑矩阵25具有格子的形状以覆盖例如栅线14、数据线16、薄 膜晶体管Tr等的非显示区。滤色器层26包括按顺序重复排列的红、绿和蓝色滤色器图案 26a、26b和26c。每个滤色器图案26a、26b和26c与每个像素区P对应。公共电极28形成 在黑矩阵25和滤色器层26上，并在基板22的整个表面的上方。密封剂(未示出)沿着阵列基板10和滤色器基板20的外围形成以防止液晶层30 的液晶分子泄露。取向层(未示出)形成在液晶层30和阵列基板10之间以及液晶层30 和滤色器基板20之间，以确定液晶分子的初始方向。偏振器(未示出)设置在阵列基板10 和滤色器基板20的至少一个的外侧表面上。背光单元(未示出)设置在阵列基板10的外 侧表面上方以提供光。将用于导通/截止薄膜晶体管Tr的扫描信号顺序地提供给栅线14，将数据信号通 过数据线16提供给被选中的像素区域P内的像素电极18。在像素电极18和公共电极28 之间产生垂直于基板12和22的电场。电场控制液晶分子的排列，通过改变液晶分子的排列来改变透光率从而显示图像。在IXD中，可以将阵列基板、滤色器基板和液晶层定义为液晶面板。IXD还包括在 液晶面板的外围驱动液晶面板的驱动单元。驱动单元包括印刷电路板(PCB)和驱动集成电 路(IC)。PCB上安装有产生控制信号和数据信号的元件，驱动IC连接到液晶面板和PCB并 给液晶面板的信号线提供信号。根据液晶面板上的驱动IC的封装方式，可以将IXD分类为玻璃上芯片型(COG)、载 带封装型(TCP)和膜上芯片型(COF)。与TCP型和COF型相比，COG型具有简单的结构，并提高了液晶面板占据IXD的比 率。因此，近期以来，COG型广泛地应用于小尺寸的IXD。在COG型IXD中，驱动IC连接至阵列基板的非显示区。在连接驱动IC之前，对 COG型LCD进行检查以检测缺陷。因此，测试线和焊盘形成在阵列基板的非显示区。图2是示意性示出根据现有技术的COG型LCD的检查结构的示图。图2中示出了 测试线、测试焊盘和测试薄膜晶体管。在图2中，现有技术COG型IXD 50包括显示区DA和基本上包围显示区DA的非 显示区。栅线GL和数据线DL形成在显示区DA中。在图中所示的情况下，栅连接线(link line)GLLU GLL2、GLL3和GLL4形成在显示区DA的左侧和右侧的非显示区中，并且栅连接 线GLL1、GLL2、GLL3和GLL4连接到栅线GL。在图中所示的情况下，数据连接线DLL形成在 显示区DA的下侧的非显示区中，并且数据连接线DLL连接到数据线DL。第一、第二和第三 测试晶体管ITrl、ITr2和ITr3与测试焊盘IPl至IP12形成在非显示区中。第一、第二和 第三测试晶体管ITrl、ITr2和ITr3形成在栅连接线GLL1、GLL2、GLL3和GLL4与测试焊盘 IPl至IP12之间，或者形成在数据连接线DLL与测试焊盘IPl至IP12之间。在显示区域DA内的栅线GL包括奇数栅线GLl和GL3与偶数栅线GL2和GL4。奇 数栅线GLl和GL3交替地连接到在显示区DA左侧的非显示区内的第一栅连接线GLLl和第 二栅连接线GLL2。偶数栅线GL2和GL4交替地连接到在显示区DA右侧的非显示区内的第 三栅连接线GLL3和第四栅连接线GLL4。此处，第一测试薄膜晶体管ITrl分别连接到第一栅连接线GLLl和第二栅连接线 GLL2，第一栅使能线60连接到第一测试薄膜晶体管ITrl的栅电极并控制第一测试薄膜晶 体管ITrl的导通/截止。第一栅使能焊盘IP3连接到第一栅使能线60。第二测试薄膜晶 体管ITr2分别连接到第三栅连接线GLL3和第四栅连接线GLL4，第二栅使能线62连接到第 二测试薄膜晶体管ITr2的栅电极并控制第二测试薄膜晶体管ITr2的导通/截止。第二栅 使能焊盘IP4连接到第二栅使能线62。此外，第一栅测试线51和第二栅测试线52通过第一测试薄膜晶体管ITrl电连接 到第一栅连接线GLLl和第二栅连接线GLL2。第三栅测试线53和第四栅测试线54通过第 二测试薄膜晶体管ITr2电连接到第三栅连接线GLL3和第四栅连接线GLL4。第一、第二、 第三和第四栅测试焊盘IP1、IP2、IP5和IP6分别设置在第一、第二、第三和第四栅连接线 GLL1、GLL2、GLL3 和 GLL4 的末端。在图中所示的情况下，在显示区DA的下侧的非显示区中，第一数据测试线64通过 第三测试薄膜晶体管ITr3和数据连接线DLL电连接到与红色子像素R连接的第一数据线 DL1，第一数据测试焊盘IP8连接到第一数据测试线64。第二数据测试线66通过第三测试薄膜晶体管ITr3和数据连接线DLL电连接到与绿色子像素G连接的第二数据线DL2，第二 数据测试焊盘IP9连接到第二数据测试线66。第三数据测试线68通过第三测试薄膜晶体 管ITr3和数据连接线DLL电连接到与蓝色子像素B连接的第三数据线DL3，第三数据测试 焊盘IPlO连接到第三数据测试线68。数据使能线70连接到与第一、第二和第三数据线DL1、DL2和DL3电连接的第三测 试薄膜晶体管ITr3的栅电极，并控制第三测试薄膜晶体管ITr3的导通/截止。数据使能 焊盘IPll连接到数据使能线70。第一公共连接线71和第二公共连接线72形成在非显示区中，以将公共电压提供 给形成在滤色器基板(未示出)上的公共电极(未示出)。第一公共焊盘IP7和第二公共 焊盘IP12分别连接到第一公共连接线71和第二公共连接线72。此处，连接到数据连接线DLL的第三测试薄膜晶体管ITr3位于连接有驱动集成电 路(IC)的区域中。将电压提供给测试焊盘IPl至IP12，并控制第一、第二和第三测试薄膜晶体管 ITrUITr2和ITr3的导通/截止。从而进行检查处理以检测显示区DA中的子像素R、G和 B的缺陷。然而，在现有技术COG型IXD 50中，当根据驱动IC的隆起焊盘(bumppad)的布 置进行检查处理时，会连续地出现由显示区DA中亮度的部分差异所导致的块模糊(block dim)效应。图3是根据现有技术COG型IXD的阵列基板的驱动IC区域的放大图。具体地，如 图3所示，若COG型LCD包括驱动IC，使得在用于连接驱动IC的区域中，中间部分的相邻隆 起焊盘之间的间距比其它部分的间距大，则在坏点检查(lighting inspection)过程中将 严重地产生块模糊效应。在图3中，在中间部分显示出不同于其它部分的约2mm的空闲空 间(vacant space)0在现有技术中，由于隆起焊盘之间的空间的负载作用，第一、第二和第三测试薄膜 晶体管被非均勻地干法刻蚀，并且第一、第二和第三测试薄膜晶体管可以具有不同的沟道 长宽比。因此，第一、第二和第三测试薄膜晶体管具有不同的特性，这导致了在COG型IXD 的坏点检查过程中的块模糊效应。更具体地，为了连接用于坏点检查的栅线和数据线，将栅线和数据线连接到设置 在驱动IC区域中并且连接到驱动IC的输出隆起焊盘。测试线、测试焊盘以及第一、第二和 第三测试薄膜晶体管连接到输出隆起焊盘并设置在输出隆起焊盘和输入隆起焊盘之间。此 时，在隆起焊盘之间的间距较宽的部分，第一、第二和第三测试薄膜晶体管之间的间距被改 变。由于非均勻地刻蚀，薄膜晶体管之间存在着差异。因此，很难精确地判断块模糊效应是在连接驱动IC时产生的还是在连接驱动IC 之前进行的坏点检查过程中产生的。于是，即使在坏点检查过程中存在块模糊效应，COG型 LCD仍被检测为优质产品。随后，在连接驱动IC之后出现块模糊效应时，COG型LCD被检测 为劣质产品并被舍弃。这增加了制造成本。

发明内容
因此，本发明涉及一种COG型IXD及其检查方法，该COG型IXD及其检查方法基本上避免了由于现有技术的限制和不足导致的一个或多个问题。本发明的优点在于提供一种具有在连接驱动IC之前检测块模糊效应的测试线和 测试焊盘的COG型IXD及其检查方法。本发明的其它的特征和优点将在随后的说明书中列出，在说明书中这些特征和优 点的一部分将是显而易见的，并可以通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求书和 所附附图中特别指出的结构，可以实现和获得本发明的目的和其它优点。为了实现这些和其它优点并依照本发明的目的，如此处具体和广泛描述的，一种 COG型IXD包括具有显示区和包围所述显示区的非显示区的第一基板，其中所述非显示区 包括第一、第二、第三和第四非显示区；在所述第一基板上的所述显示区中并且彼此交叉以 界定像素区的栅线和数据线；在所述栅线和数据线的每个交叉部分处并且连接到所述栅线 和数据线的开关薄膜晶体管；在每个所述像素区中并且连接到所述开关薄膜晶体管的像素 电极；在所述第二非显示区中并且连接到所述数据线的第一测试薄膜晶体管，所述第一测 试薄膜晶体管以固定的间距彼此隔开；通过所述第一测试薄膜晶体管连接到所述数据线的 一端的第一、第二和第三数据测试线，其中所述第一数据测试线连接到第3n-2数据线，所 述第二数据测试线连接到第3n-l数据线，所述第三数据测试线连接到第3η数据线，η是自 然数；分别连接到所述第一、第二和第三数据测试线的第一、第二和第三数据测试焊盘；在 所述第一非显示区中并且连接到所述数据线的另一端的数据连接线；在所述第一非显示区 中并且连接到所述数据连接线的第二测试薄膜晶体管；连接到所述栅线的栅连接线；连接 到所述栅连接线的第三测试薄膜晶体管；通过所述第三测试薄膜晶体管连接到所述栅线的 栅测试线；连接到所述栅测试线的栅测试焊盘；在所述非显示区中的公共测试线和公共焊 盘；与所述第一基板隔开的第二基板；顺序地形成在所述第二基板的内侧表面上的滤色器 层和公共电极，其中所述公共电极连接到所述公共测试线；以及在所述第一和第二基板之 间的液晶层，其中驱动IC被连接在所述第一非显示区中。另一方面，一种玻璃上芯片型液晶显示器的检查方法，其中所述显示器包括具有 在像素区中的像素电极的第一基板、具有公共电极的第二基板以及在所述第一和第二基板 之间的液晶层，其中所述第一基板具有显示区和非显示区，所述非显示区包括第一、第二、 第三和第四非显示区，所述检查方法包括通过第一栅测试焊盘将电压提供给栅线并导通 在所述显示区中的开关薄膜晶体管；通过第一和第二公共焊盘之一将公共电压提供给所述 公共电极；将第一电压提供给第一、第二和第三数据测试焊盘和通过第一、第二和第三数据 测试线以及数据线将第一像素电压提供给所述像素电极，由此在所述像素电极和所述公共 电极之间产生第一电场，其中所述第一数据测试线连接到第3η-2数据线，所述第二数据测 试线连接到第3η-1数据线，所述第三数据测试线连接到第3η数据线，η是自然数；首次将 光提供到所述显示器并根据所述第一电场引起的光的透射检查所述像素区的缺陷；停止将 所述第一电压提供给所述第一、第二和第三数据测试焊盘；将第二电压提供到第四数据测 试焊盘和通过数据连接线和所述数据线将第二像素电压提供给所述像素电极，由此在所述 像素电极和所述公共电极之间产生第二电场；以及再次将光提供到所述显示器并根据所述 第二电场引起的光的透射检查所述数据连接线的断开。显而易见的是，所有前面的概括性描述和后面的具体描述都是示例性和解释性 的，并意在于提供权利要求所保护的本发明的进一步解释。


用于提供对本发明的进一步的理解并组成本申请的一部分的附解了本发明 的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。图1是根据现有技术IXD的分解透视图。图2是示意性表示根据现有技术的COG型LCD的检查结构的示图。图3是根据现有技术的COG型IXD的阵列基板的驱动IC区域的放大图。图4是示意性表示根据本发明的实施例的COG型LCD的示图。图5是示意性表示根据本发明的实施例的COG型LCD的检查结构的示图。
具体实施例方式在下文中，将具体描述本发明的优选实施例，附示了实施例的例子。图4是示意性表示根据本发明的实施例的COG型LCD的示图。为了解释的方便， 图4主要表示了阵列基板的结构。在图4中，COG型IXD 100包括显示区DA以及在显示区DA外侧的第一、第二、第三 和第四非显示区NDAl、NDA2、NDA3和NDA4。第一、第二、第三和第四非显示区NDAl、NDA2、 NDA3和NDA4包围显示区DA。在附图所示的情况下，第一、第二、第三和第四非显示区NDA1、 NDA2、NDA3和NDA4可以分别设置在显示区DA的下侧、上侧、左侧和右侧。栅线GL和数据线DL形成在阵列基板上的显示区DA中且彼此交叉以界定像素区 P。作为开关元件的开关薄膜晶体管STr和像素电极120形成在每个像素区P处。开关薄 膜晶体管STr连接到栅线GL和数据线DL，并且包括栅电极、栅绝缘层、半导体层、源电极和 漏电极。像素电极120连接到开关薄膜晶体管STr的漏电极。驱动IC 190设置在第一非显示区NDAl中。输入隆起193a和输出隆起193b形成 在连接有驱动IC 190的区域内，在下文中将此区域称为驱动IC区域。输出隆起193b通过 栅连接线GLL和数据连接线DLL分别电连接到显示区DA中的栅线GL和数据线DL。虽然没有在图中示出，但是第二测试薄膜晶体管形成在驱动IC区域中的输入隆 起193a和输出隆起193b之间。第二测试薄膜晶体管控制测试线的接通/断开。连接到第 二测试薄膜晶体管的测试焊盘可以形成在驱动IC区域中或者可以形成在除了驱动IC区域 之外的第一非显示区NDAl中。第一测试薄膜晶体管(未示出)形成在第二非显示区NDA2中并且连接到显示区 DA中的数据线DL以及第一、第二和第三数据测试线(未示出)。连接到显示区DA中的栅线 GL的栅连接线GLL以及第一、第二和第三数据测试线(未示出)形成在第三非显示区NDA3 和第四非显示区NDA4中。下面将参考附图具体描述根据本发明的COG型LCD的检查结构。图5是示意性表示根据本发明的实施例的COG型LCD的检查结构的示图。为了解 释的方便，相比于显示区而言非显示区被放大表示。在图5中，COG型IXD 100包括显示区DA以及第一、第二、第三和第四非显示区 NDAU NDA2、NDA3和NDA4。在附图所示的情况下，第一、第二、第三和第四非显示区NDA1、 NDA2.NDA3和NDA4可以分别设置在显示区DA的下侧、上侧、左侧和右侧。
栅连接线GLL、第一、第二和第三数据测试线IDL1、IDL2和IDL3以及第一数据使 能线DELl形成在第三非显示区NDA3和第四非显示区NDA4中。栅连接线GLL连接到形成 在显示区DA中的栅线GL。第一、第二和第三数据测试线IDL1、IDL2和IDL3电连接到形成 在显示区DA中的数据线DL。第一测试薄膜晶体管ITrl形成在第二非显示区NDA2。第一测试薄膜晶体管ITrl 可以连接到数据线DL，并且按照与数据线DL相同的间距彼此隔开。第一测试薄膜晶体管 ITrl可以排列为两行。测试焊盘IPl至IP14、数据连接线DLL、第二数据使能线DEL2和第四数据测试线 IDL4形成在第一非显示区NDAl中。第一测试薄膜晶体管ITrl的每个都通过第一、第二和 第三数据测试线IDL1、IDL2和IDL3电连接到第一、第二和第三数据测试焊盘IP1、IP2和 IP3的其中之一。测试焊盘IPl至IP14的其中一部分通过第二、第三和第四测试薄膜晶体 管ITr2、ITr3和ITr4电连接到栅连接线GLL和数据连接线DLL。数据连接线DLL连接到数 据线DL。第二数据使能线DEL2连接到与数据连接线DLL连接的第二测试薄膜晶体管ITr2 的栅电极。第四数据测试线IDL4连接到第二测试薄膜晶体管ITr2的源电极。本发明的COG型IXD具有比现有技术的COG型IXD更多的测试焊盘。在本发明中，测试焊盘包括第一、第二和第三数据测试焊盘IP1、IP2和IP3，第一 和第二数据使能焊盘IP4和IP5，第一和第二栅使能焊盘IP6和IP7，第一、第二、第三和第 四栅测试焊盘IP8、IP9、IPlO和IP11，第一和第二公共焊盘IP12和IP13，以及第四数据测 试焊盘IP14。第一、第二和第三数据测试焊盘IP1、IP2和IP3分别电连接到红、绿和蓝色 子像素R、G和B的数据线DL。第四数据测试焊盘IP14电连接到数据连接线DLL。更具体地，第一数据测试焊盘IPl电连接到与红色子像素R连接的第一数据线 DLl0第二数据测试焊盘IP2电连接到与绿色子像素G连接的第二数据线DL2。第三数据测 试焊盘IP3电连接到与蓝色子像素B连接的第三数据线DL3。同时，与第一数据线DLl连接 的第一测试薄膜晶体管ITrl连接到与第一数据测试焊盘IPl连接的第一数据测试线IDLl。 与第二数据线DL2连接的第一测试薄膜晶体管ITrl连接到与第二数据测试焊盘IP2连接 的第二数据测试线IDL2。与第三数据线DL3连接的第一测试薄膜晶体管ITrl连接到与第 三数据测试焊盘IP3连接的第三数据测试线IDL3。第一测试薄膜晶体管ITrl的栅电极连接到与第一数据使能焊盘IP4连接的第一 数据使能线DELl。因为显示区域DA中的数据线DL以固定的间距彼此隔开，所以与现有技术不同，设 置在第二非显示区NDA2中且连接到数据线DL末端的第一测试薄膜晶体管ITrl可以具有 固定的间距且具有足够的大小。因此，在进行干法刻蚀工艺时，由负载作用导致的非均勻性 不再出现，可以形成具有一致的特性的薄膜晶体管。于是，在检查过程中不会产生块模糊效 应。沟道的宽与长的比值(W/L)会影响薄膜晶体管的特性。在现有技术中，由于所有的测 试薄膜晶体管都限制地形成在驱动IC区域中，所以间距和大小也会受到限制。另一方面， 在本发明中，第一测试薄膜晶体管ITrl可以形成在比驱动IC区域大的整个的第二非显示 区NDA2中，因此第一测试薄膜晶体管ITrl可以具有比现有技术中的薄膜晶体管大的尺寸。 从而，第一测试薄膜晶体管ITrl可以稳定地形成为具有一致的特性。同时，在本发明中，在第一非显示区NDAl中的数据连接线DLL连接到在显示区DA中的数据线DL的末端。数据连接线DLL也连接到形成在驱动IC区域中输出隆起(未示出) 和设置在输出隆起(未示出)与输入隆起(未示出)之间的第二测试薄膜晶体管ITr2。如上所述，第四数据测试线IDL4设置在第一非显示区NDAl中。第四数据测试线 IDL4连接到第二测试薄膜晶体管ITr2和第四数据测试焊盘IP14。第四数据测试线IDL4 可以连接到第二测试薄膜晶体管ITr2的源电极。此外，第二数据使能线DEL2位于第一非显示区NDAl中。第二数据使能线DEL2连 接到第二测试薄膜晶体管ITr2的栅电极和第二数据使能焊盘IP5。尽管第二测试薄膜晶体管ITr2示出为具有与第一测试薄膜晶体管ITrl类似的固 定的间距，然而在形成有输出隆起(未示出)的区域的中间部分存在空闲空间时，在驱动IC 区域中的第二测试薄膜晶体管ITr2可以具有不同的间距。此处，第二测试薄膜晶体管ITr2不连接到分别用于红、绿和蓝色子像素R、G和B 的坏点检查的第一、第二和第三测试线IDL1、IDL2和IDL3。第二测试薄膜晶体管ITr2连 接到与数据线DL电连接的第四数据测试线IDL4。第四数据测试焊盘IP14形成在第四数据 测试线IDL4的末端。第四数据测试线IDL4和第四数据测试焊盘IP14并不用于子像素R、 G和B的坏点检查，而是用于检查将数据线DL和与驱动IC (未示出)接触的输出隆起连接 起来的数据连接线DLL的断开。因此，在利用第四数据测试焊盘IP14进行坏点检查时，即使第二测试薄膜晶体管 ITr2的特性改变并产生了块模糊效应，由于利用第一、第二和第三数据测试焊盘IP1、IP2 和IP3检测了实际存在的块模糊效应，所以将不会存在问题。此处，进行利用第四测试焊盘IP14的坏点检查以检测将数据线DL和与驱动 IC(未示出)接触的输出隆起(未示出)连接起来的数据连接线DLL的缺陷。在现有技术中，因为利用连接到数据线的数据连接线进行用于检测红、绿和蓝色 子像素的缺陷的坏点检查，所以除了块模糊效应以外，还检查了数据连接线和数据线的缺 陷。然而，在本发明中，没有利用数据连接线DLL，而是利用从数据线DL延伸并设置在 第二非显示区NDA2中的部分检测红、绿和蓝色子像素R、G和B的缺陷。因此，能够检测出 数据线DL的断开，而不能检测出将数据线DL和与驱动IC(未示出)连接的输出隆起(未 示出)连接在一起的数据连接线DLL的缺陷。因此，附加地形成第四数据测试焊盘IP14和 第二数据使能焊盘IP5以检测数据连接线DLL的例如断开等的缺陷。这里，即使第二测试薄膜晶体管ITr2具有不同的特性，也不会存在问题。不同于 第一测试薄膜晶体管ITrl，第二测试薄膜晶体管ITr2可以具有相对较低的沟道宽与长的 比值，因此第二测试薄膜晶体管ITr2可以具有比现有技术小的尺寸。于是，与现有技术 相比，可以减小输入隆起(未示出)和输出隆起(未示出)之间的距离，也可以减小驱动 IC(未示出)的尺寸。同时，第一栅使能焊盘IP6以及第一栅测试焊盘IP8和第二栅测试焊盘IP9形成 在第一非显示区NDAl的左侧。第二栅使能焊盘IP7以及第三栅测试焊盘IPlO和第四栅测 试焊盘IPll形成在第一非显示区NDAl的右侧。第一栅测试焊盘IP8和第二栅测试焊盘 IP9通过在显示区DA左侧的第一栅连接线GLLl和第二栅连接线GLL2电连接到奇数栅线 GLl和GL3。第三栅测试焊盘IPlO和第四栅测试焊盘IPll通过在显示区DA右侧的第三栅
10连接线GLL3和第四栅连接线GLL4电连接到偶数栅线GL2和GL4。同时，第一栅测试焊盘 IP8和第二栅测试焊盘IP9通过未在图中标出的第一和第二栅测试线连接到第三测试薄膜 晶体管ITr3，第三栅测试焊盘IPlO和第四栅测试焊盘IPll通过未在图中标出的第三和第 四栅测试线连接到第四测试薄膜晶体管ITr4。第一栅连接线GLLl连接到第一奇数栅线GLl和第三测试薄膜晶体管ITr3，其中第 一奇数栅线GLl是第4n-3栅线，η是自然数。第二栅连接线GLL2连接到第二奇数栅线GL3 和第三测试薄膜晶体管ITr3，其中第二奇数栅线GL3是第4n_l栅线。第三栅连接线GLL3 连接到第一偶数栅线GL2和第四测试薄膜晶体管ITr4，其中第一偶数栅线GL2是第4n_2栅 线。第四栅连接线GLL4连接到第二偶数栅线GL4和第四测试薄膜晶体管ITr4，其中第二偶 数栅线GL4是第4η栅线。第一栅使能线GELl连接到与第一栅连接线GLLl或第二栅连接线GLL2连接的全 部第三测试薄膜晶体管ITr3的栅电极。第一栅使能焊盘IP6设置在第一栅使能线GELl的 末端。第二栅使能线GEL2连接到与第三栅连接线GLL3或第四栅连接线GLL4连接的全部 第四测试薄膜晶体管ITr4的栅电极。第二栅使能焊盘IP7设置在第二栅使能线GEL2的末端。此外，第一公共焊盘IP12和第二公共焊盘IP13设置在第一非显示区NDAl中，以 将作为基准电压的公共电压提供给形成在与阵列基板相对并相隔的滤色器基板(未示出) 上的公共电极(未示出)。可以形成在非显示区中的第一和第二公共测试线(未示出)连 接到第一公共焊盘IP12和第二公共焊盘IP13。滤色器基板(未示出)包括在面对阵列基板的表面上的滤色器层(未示出)和公 共电极(未示出)。滤色器层具有顺序地重复排列的红、绿和蓝色滤色器图案以分别地对应 于红、绿和蓝色子像素。公共电极与整个显示区DA对应。滤色器基板设置在阵列基板的上 方，液晶层(未示出)在两者之间，从而构成了根据本发明的COG型LCD 100。在根据本发明的COG型IXD中，在显示区DA外侧的非显示区NDA1、NDA2、NDA3和 NDA4中，第一测试薄膜晶体管ITrl以固定的间距形成在与第一非显示区NDAl相对的第二 非显示区NDA2中，其中在第一非显示区NDAl中将驱动IC(未示出)连接到显示区DA。因 此，在进行坏点检查时，可以防止由连接到数据线DL的第一测试薄膜晶体管ITrl形成在驱 动IC区域中的驱动IC(未示出)设计导致的间距不同引起的薄膜晶体管的特征差异所造 成的块模糊效应。此外，在驱动IC区域中，相比于现有技术，可以减小形成在输入隆起(未示出)和 输出隆起(未示出)之间的薄膜晶体管的尺寸，从而可以减小输入隆起和输出隆起之间的 距离。因此，可以使用紧凑的驱动IC，而且可以降低制造成本。下面将描述根据本发明的COG型IXD的检查方法。将比第三测试薄膜晶体管ITr3的阈值电压高的预定电压通过第一栅使能焊盘 IP6提供给第三测试薄膜晶体管ITr3，第三测试薄膜晶体管ITr3导通。随后，将比像素区P 中的开关薄膜晶体管的阈值电压高的预定电压提供给第一栅测试焊盘IP8，连接到与第一 栅连接线GLLl连接的第4n-3栅线GLl的开关薄膜晶体管导通。随后，将比第一测试薄膜 晶体管ITrl的阈值电压高的预定电压通过第一数据使能焊盘IP4提供给第一测试薄膜晶 体管ITrl，设置在第二非显示区NDA2中并且连接到数据线DL的末端的第一测试薄膜晶体管ITrl导通。通过第一公共焊盘IP12将公共电压提供给滤色器基板(未示出)上的公共 电极(未示出)，并将预定电压提供给第一、第二和第三数据测试焊盘IP1、IP2和IP3。这 样，就通过第一、第二和第三数据线DL1、DL2和DL3将像素电压提供给像素区中与第4n_3 栅线、即第一奇数栅线GLl连接的像素电极(未示出)。可以顺序地提供像素电压。因此，在滤色器基板(未示出)上的公共电极(未示出)与像素电极(未示出) 之间产生电场，在阵列基板和滤色器基板之间的液晶层(未示出)的液晶分子重新排列，由 此从检查设备的发光装置(未示出)发出的光被透过，从而显示红、绿和蓝色的光。这里， 因为在有缺陷的子像素中没有光透过，所以可以检测出子像素的缺陷。此外，如果数据线或 者栅线断开，连接到这些断开的线的像素区中没有光透过，所以也可以检测出线的缺陷。通过重复相同的步骤，检查连接到第二奇数栅线GL3的像素区P的缺陷、连接到第 一偶数栅线GL2和第二偶数栅线GL4的像素区P的缺陷以及线的断开，完成第一次坏点检 查。在检测像素区P的缺陷的第一次坏点检查之后，可以进行第二次坏点检查。在第 二坏点检查中，通过第一栅使能焊盘IP6和第二栅使能焊盘IP7将预定电压提供给第三测 试薄膜晶体管ITr3和第四测试薄膜晶体管ITr4，第三测试薄膜晶体管ITr3和第四测试薄 膜晶体管ITr4导通。通过第二数据使能焊盘IP5将预定电压提供给第二测试薄膜晶体管 ITr2，第二测试薄膜晶体管ITr2导通。随后，将预定电压提供给第四数据测试焊盘IP14， 检测连接到数据线DL的数据连接线DLL的断开。这里，如果不存在断开，则在显示区DA的 所有像素区P中将会发出光。如果存在数据连接线DLL的断开，则在与断开的数据连接线 DLL连接的像素区P中将不会发出光。这样，在根据本发明的COG型IXD中，进行第一次和第二次坏点检查，可以在连接 驱动IC之前在没有块模糊效应的情况下精确地检测出缺陷。在根据本发明的COG型LCD中，连接到数据线和数据测试线的测试薄膜晶体管设 置在与连接显示区的驱动IC区域相对的非显示区中，而使测试薄膜晶体管无论驱动IC的 设计如何都具有固定的间距。因此，可以防止块模糊效应。此外，可以精确地判断块模糊效应，并且可以防止由于误判断造成的制造成本增 加。此外，提供了检测数据连接线的断开的附加的测试线和焊盘，可以实现阵列基板 的更加详细的检查。此外，可以减少输入隆起和输出隆起之间的距离，并可以减小驱动IC的尺寸。因 此，可以降低制造成本。对本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在不脱离本发明的精神或范围的情 况下，在本发明的COG型LCD中可以进行各种变化和变型。因此，本发明意在覆盖由所附权 利要求及其等价物所保护的本发明的变化和变型。
权利要求
一种玻璃上芯片型液晶显示器，包括具有显示区和包围所述显示区的非显示区的第一基板，其中所述非显示区包括第一、第二、第三和第四非显示区；在所述第一基板上的所述显示区中并且彼此交叉以界定像素区的栅线和数据线；在所述栅线和数据线的每个交叉部分处并且连接到所述栅线和数据线的开关薄膜晶体管；在每个所述像素区中并且连接到所述开关薄膜晶体管的像素电极；在所述第二非显示区中并且连接到所述数据线的第一测试薄膜晶体管，所述第一测试薄膜晶体管以固定的间距彼此隔开；通过所述第一测试薄膜晶体管连接到所述数据线的一端的第一、第二和第三数据测试线，其中所述第一数据测试线连接到第3n 2数据线，所述第二数据测试线连接到第3n 1数据线，所述第三数据测试线连接到第3n数据线，n是自然数；分别连接到所述第一、第二和第三数据测试线的第一、第二和第三数据测试焊盘；在所述第一非显示区中并且连接到所述数据线的另一端的数据连接线；在所述第一非显示区中并且连接到所述数据连接线的第二测试薄膜晶体管；连接到所述栅线的栅连接线；连接到所述栅连接线的第三测试薄膜晶体管；通过所述第三测试薄膜晶体管连接到所述栅线的栅测试线；连接到所述栅测试线的栅测试焊盘；在所述非显示区中的公共测试线和公共焊盘；与所述第一基板隔开的第二基板；顺序地形成在所述第二基板的内侧表面上的滤色器层和公共电极，其中所述公共电极连接到所述公共测试线；以及在所述第一和第二基板之间的液晶层，其中驱动IC被连接在所述第一非显示区中。
2.根据权利要求1所述的显示器，其中所述第一非显示区与所述第二非显示区关于所 述显示区相对。
3.根据权利要求1所述的显示器，还包括连接到所述第一测试薄膜晶体管的栅电极的第一数据使能线； 连接到所述第一数据使能线的第一数据使能焊盘； 连接到所述第二测试薄膜晶体管的栅电极的第二数据使能线； 连接到所述第二数据使能线的第二数据使能焊盘； 连接到所述第二测试薄膜晶体管的源电极的第四数据测试线；以及 连接到所述第四数据测试线的第四数据测试焊盘。
4.根据权利要求2所述的显示器，其中所述栅线包括第一和第二奇数栅线以及第一 和第二偶数栅线，其中所述第一奇数栅线对应于第4m-3栅线，所述第二奇数栅线对应于第 4m-l栅线，所述第一偶数栅线对应于第4m-2栅线，所述第二偶数栅线对应于第4m栅线，m 是自然数。
5.根据权利要求4所述的显示器，其中所述栅连接线包括分别连接到所述第一奇数、第二奇数、第一偶数和第二偶数栅线的第一、第二、第三和第四栅连接线。
6.根据权利要求5所述的显示器，还包括连接到所述栅连接线的第四测试薄膜晶体 管，其中所述第三测试薄膜晶体管连接到所述第一和第二栅连接线，所述第四测试薄膜晶 体管连接到所述第三和第四栅连接线。
7.根据权利要求6所述的显示器，其中所述栅测试线包括通过所述第三和第四测试薄 膜晶体管分别连接到所述第一、第二、第三和第四栅连接线的第一、第二、第三和第四栅测 试线ο
8.根据权利要求7所述的显示器，其中所述栅测试焊盘包括分别连接到所述第一、第 二、第三和第四栅测试线的第一、第二、第三和第四栅测试焊盘。
9.根据权利要求8所述的显示器，还包括连接到所述第三测试薄膜晶体管的栅电极的第一栅使能线； 连接到所述第一栅使能线的第一栅使能焊盘； 连接到所述第四测试薄膜晶体管的栅电极的第二栅使能线；以及 连接到所述第二栅使能线的第二栅使能焊盘。
10.根据权利要求9所述的显示器，其中所述第一、第二、第三和第四数据测试焊盘、所 述第一和第二数据使能焊盘、所述第一、第二、第三和第四栅测试焊盘、所述第一和第二栅 使能焊盘以及所述公共焊盘设置在所述第一非显示区中。
11.根据权利要求9所述的显示器，其中所述第二测试薄膜晶体管设置在用于连接所 述驱动IC的区域中的输出隆起和输入隆起之间。
12.—种玻璃上芯片型液晶显示器的检查方法，所述显示器包括具有在像素区中的 像素电极的第一基板、具有公共电极的第二基板以及在所述第一和第二基板之间的液晶 层，所述第一基板具有显示区和非显示区，所述非显示区包括第一、第二、第三和第四非显 示区，所述检查方法包括通过栅测试焊盘将电压提供给栅线并导通在所述显示区中的开关薄膜晶体管； 通过公共焊盘将公共电压提供给所述公共电极；将第一电压提供给第一、第二和第三数据测试焊盘和通过第一、第二和第三数据测试 线以及数据线将第一像素电压提供给所述像素电极，由此在所述像素电极和所述公共电极 之间产生第一电场，其中所述第一数据测试线连接到第3n-2数据线，所述第二数据测试线 连接到第3n-l数据线，所述第三数据测试线连接到第3η数据线，η是自然数；首次将光提供到所述显示器并根据所述第一电场引起的光的透射检查所述像素区的 缺陷；停止将所述第一电压提供给所述第一、第二和第三数据测试焊盘； 将第二电压提供给第四数据测试焊盘和通过数据连接线和所述数据线将第二像素电 压提供给所述像素电极，由此在所述像素电极和所述公共电极之间产生第二电场；以及再次将光提供到所述显示器并根据所述第二电场引起的光的透射检查所述数据连接 线的断开。
全文摘要
一种玻璃上芯片型液晶显示器，具有在连接驱动IC之前检测块模糊效应的测试线和测试焊盘，可以精确地判断块模糊效应，实现阵列基板的更加详细的检查并且可以防止由于误判断造成的制造成本增加。还公开一种玻璃上芯片型液晶显示器的检查方法，提供了检测数据连接线的断开的附加的测试线和焊盘。
文档编号G02F1/1362GK101963709SQ20091026065
公开日2011年2月2日 申请日期2009年12月18日 优先权日2009年7月21日
发明者金可卿, 金炳究 申请人:乐金显示有限公司