专利名称：一种抗弯曲多模光纤的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于FTTx，数据中心和小型化光器件中的抗弯曲多模光纤，该光 纤具有优异的抗弯曲性能和高的带宽，属于光通信技术领域。
背景技术：
多模光纤在中短距离光纤网络系统(如数据中心，局域网、高性能计算中心和存 储区域网等)中得到了广泛的应用。在室内及狭窄环境下的布线，特别是在应用中过长的 光纤通常缠绕在越来越小型化的存储盒中，此时光纤很可能会经受很小的弯曲半径。因此 需要设计开发具有弯曲不敏感性能的多模光纤，以满足室内光纤网络铺设和器件小型化的 要求。
目前降低光纤弯曲附加衰减较普遍的方法是采用下陷包层(“壕沟型”)设计，此 设计有两个显著的问题，一是较多的高阶模能量会被限制在光纤芯层的边界位置，对多模 带宽产生较大的负面影响；二是光纤抗弯曲性能会随着波长增加逐渐变差(见附图
2)，光 纤在1300nm波长的宏弯性能会明显差于850nm波长的宏弯性能，不能很好地满足双窗口 (850nm和1300nm)的通信需要。之前公开的中国专利CN 101738681A在一定程度上解决了 上述问题，但光纤的整体带宽和宏弯性能还有待进一步提高，才能更好满足10(ib/S，40(;b/S 和100(ib/S高速数据传输，以及狭窄环境下布线的需要。
发明内容
本发明一些术语的定义 为方便介绍本发明内容，定义部分术语 芯棒含有芯层和部分包层的预制件； 半径该层外边界与中心点之间的距离；折射率剖面光纤或光纤预制棒(包括芯棒)玻璃折射率与其半径之间的关系； 相对折射率差
权利要求
1.一种抗弯曲多模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于芯层半径Rl为23 27微米， 芯层折射率剖面呈抛物线，分布指数α为1.9 2. 2，最大相对折射率差Δ Imax为0.9% 1. 1%，芯层外的包层从内到外依次为内包层、下陷环、上升环、下陷外包层；内包层单边 厚度W2为0 2. 5微米，内包层相对折射率差Δ2为-0. 0. 1 % ；下陷环单边厚度W3 为0. 5 6微米，下陷环最小相对折射率差Δ 3min为-0. 1 % -0. 3 %，上升环单边厚度W4 为0. 5 10微米，上升环为纯二氧化硅层；下陷外包层单边厚度W5为17 39微米，下陷 外包层最小相对折射率差Δ5π η为-0. 15% -0. 6% ；且Δ 3min > A5min。
2.按权利要求1所述的抗弯曲多模光纤，其特征在于所述的内包层单边厚度W2为 0. 5 2. 5微米。
3.按权利要求1或2所述的抗弯曲多模光纤，其特征在于所述的下陷环单边厚度W3为 1 3微米，下陷环面积小于或等于80% -Um20
4.按权利要求3所述的抗弯曲多模光纤，其特征在于所述的下陷环最小相对折射率差 A3min 为-0. -0. 2% 0
5.按权利要求1或2所述的抗弯曲多模光纤，其特征在于所述的上升环的单边厚度W4 为1 3微米。
6.按权利要求1或2所述的抗弯曲多模光纤，其特征在于所述的下陷外包层最小相对 折射率差Δ 5min为-Q.2% -0. 4% ；所述的下陷外包层单边厚度W5在25微米或25微米 以上。
7.按权利要求6所述的抗弯曲多模光纤，其特征在于所述的下陷外包层折射率沿径向 为恒定的。
8.按权利要求6所述的抗弯曲多模光纤，其特征在于所述的下陷外包层折射率沿径向 为渐变的，包括从内向外递增渐变或从内向外递减渐变。
9.按权利要求1或2所述的抗弯曲多模光纤，其特征在于Δ^ι η比A5min大0. 0. 3%。
10.按权利要求1或2所述的抗弯曲多模光纤，其特征在于在850nm波长具有 3000MHz-km或3000MHz-km以上的带宽；光纤的数值孔径为0. 185 0. 230 ；在850nm禾口 1300nm波长处，以15毫米弯曲半径绕1圈导致的弯曲附加损耗小于或等于0. OldB ；以7. 5 毫米弯曲半径绕1圈导致的弯曲附加损耗小于或等于0. IdB ；以5毫米弯曲半径绕1圈导 致的弯曲附加损耗小于或等于0. 3dB ；且在850nm和1300nm波长处，具有同等的宏弯附加 衰减。
全文摘要
本发明涉及一种抗弯曲多模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于芯层半径R1为23～27微米，芯层折射率剖面呈抛物线，芯层外的包层从内到外依次为内包层、下陷环、上升环、下陷外包层；内包层单边厚度W2为0～2.5微米，内包层相对折射率差Δ2为-0.1％～0.1％；下陷环单边厚度W3为0.5～6微米，下陷环最小相对折射率差Δ3min为-0.1％～-0.3％；上升环单边厚度W4为0.5～10微米，上升环为纯二氧化硅层；下陷外包层单边厚度W5为17～39微米，下陷外包层最小相对折射率差Δ5min为-0.15％～-0.6％；且Δ3min＞Δ5min。本发明具有很低的宏弯附加衰减，并且在双通信窗口(850nm和1300nm)具有同等的宏弯性能，具有“宏弯平坦”特性；光纤包层中下陷环的折射率比下陷外包层的折射率高，可以有效提高弯曲不敏感多模光纤的带宽。
文档编号G02B6/028GK102043197SQ20111002999
公开日2011年5月4日 申请日期2011年1月26日 优先权日2011年1月26日
发明者倪先元, 刘泳涛, 张方海, 拉吉·马泰, 曹蓓蓓, 童维军, 罗杰 申请人:长飞光纤光缆有限公司