各向异性导电膜及其制备方法

各向异性导电膜及其制备方法
【专利摘要】本发明的各向异性导电膜(100)具有在绝缘性粘结剂层(1)中分散或以规则图案排列有导电粒子(2)的结构。在各向异性导电膜(100)的一面的一部分形成粘附强度比绝缘性粘结剂层(1)低的低粘附性区域(3)。低粘附性区域(3)为在绝缘性粘结剂层(1)上形成的凹部(10)填充有低粘附性树脂的区域。
【专利说明】
各向异性导电膜及其制备方法
技术领域
[0001] 本发明设及各向异性导电膜及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 将1C忍片倒装忍片安装在基板上时广泛利用各向异性导电膜。在上述倒装忍片安 装中，由于在1C忍片的接合面边缘部区域形成高度为10~20皿的凸点，所W在各向异性导电 连接时将1C忍片挤到基板上，保持运种状态将各向异性导电膜固化。因此，未形成凸点的1C 忍片的中央部区域W向基板侧弯曲的状态固化，有无法缓和很可能引起尺寸精度降低、接 合面分离等问题的弯曲状态的问题。为了解决该问题，提出了在基板的背面设置作为抵抗 弯曲的增强材料的支撑部件(专利文献1)。
[0003] 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开2008-294396号公报。

【发明内容】

[0004] 发明所要解决的课题 但是，在专利文献1的情况下，必须加工高单价的基板，或全新地制备基板，有无法避免 制备成本高涨的问题。另外，在基板的背面形成配线的情况下必须避开支撑部件而形成，有 基板的设计自由度降低的问题。
[0005] 本发明的目的在于解决W上现有技术的问题，使得不对现有的1C忍片、基板加 W 变更，而可解决在各向异性导电连接时发生的1C忍片、基板中产生的弯曲的问题。
[0006] 解决课题的手段 本发明人为了用1C忍片和基板与作为其它部件的各向异性导电膜解决弯曲的问题，进 行了各种研究，结果发现，若在各向异性导电连接时将1C忍片挤到基板上时会弯曲的部分、 即1C忍片的未形成凸点的中央部区域不与各向异性导电膜粘附固定，则在各向异性导电连 接时产生的弯曲在各向异性导电连接后得到缓和，从而完成本发明。
[0007] 目P，本发明提供各向异性导电膜，其是在绝缘性粘结剂层中分散或W规则图案排 列有导电粒子的各向异性导电膜，其中，在一面的一部分形成粘附强度比绝缘性粘结剂层 低的低粘附性区域。优选的低粘附性区域的方式为在绝缘性粘结剂层上形成的凹部填充有 低粘附性树脂的区域。
[000引另外，本发明提供各向异性导电膜的制备方法，其特征在于，在绝缘性粘结剂层的 一面的一部分进行低粘附性区域形成处理。此外，作为低粘附性区域为在绝缘性粘结剂层 上形成的凹部填充有低粘附性树脂的区域的各向异性导电膜的制备方法，本发明提供具有 W下工序(A)~(C)的制备方法。
[0009]工序(A) 在形成有与低粘附性区域对应的凸部的模型上，涂布含有导电粒子的绝缘性粘结剂层 形成用组合物并通过加热或紫外线照射来干燥或成膜，由此形成在一面形成有凹部的绝缘 性粘结剂层的工序。
[0010]工序(B) 从模型取下绝缘性粘结剂层的工序。
[00川工序（C) 在绝缘性粘结剂层的凹部填充低粘附性区域形成材料的工序。
[0012] 另外，本发明提供连接结构体，其是用上述各向异性导电膜将第1电子零件与第2 电子零件各向异性导电连接而成的。
[0013] 此外，本发明提供连接方法，其是用上述各向异性导电膜将第1电子零件与第2电 子零件各向异性导电连接的连接方法，其中， 将各向异性导电膜从其绝缘性粘结剂层一侧对第2电子零件临时粘贴，对于临时粘贴 的各向异性导电膜，搭载第1电子零件，并从第1电子零件一侧进行压接。在进行该压接时， 可进行加热或光(紫外线等)照射，或可同时进行加热和光照射。
[0014] 发明的效果 本发明的各向异性导电膜中，在绝缘性粘结剂层中分散或W规则图案排列有导电粒 子，在一面的一部分形成有粘附强度比绝缘性粘结剂层低的低粘附性区域。因此，可使得1C 忍片的未形成凸点的中央部区域不与各向异性导电膜粘附固定，可缓和在各向异性导电连 接时产生的弯曲。
【附图说明】
[0015] [图1A]图1A为本发明的各向异性导电膜的截面图。
[0016] [图1B]图1B为本发明的各向异性导电膜的截面图。
[0017] [图2]图2为本发明的各向异性导电膜的截面图。
[0018] [图3]图3为用各向异性导电膜将1C忍片和玻璃基板各向异性导电连接的情况的 说明图。
[0019] [图4]图4为本发明的各向异性导电膜的平面图。
[0020] [图引图5为本发明的各向异性导电膜的平面图。
【具体实施方式】
[0021] W下详细地说明本发明的各向异性导电膜。
[0022] ?各向异性导电膜〉〉 如图1A所示，本发明的各向异性导电膜100为在绝缘性粘结剂层1中分散或W规则图案 排列有导电粒子2的各向异性导电膜，具有至少在一面的一部分形成有粘附强度比绝缘性 粘结剂层1低的低粘附性区域3的结构。
[0023] 在W规则图案排列有导电粒子2的情况下，如图1B所示，绝缘性粘结剂层1可由保 持导电粒子2的导电粒子保持层la和在其上层合的绝缘性粘接层lb构成。在该绝缘性粘接 层化上形成低粘附性区域3。
[0024] 另外，作为实现低粘附性区域3的低粘附性的方法，可列举出：应用低粘附性材料， 或利用公知的方法在绝缘性粘结剂层1上形成微细格栅结构、微细凹凸结构等。
[0025] 各向异性导电膜整体的总厚度优选为lOymW上且60ymW下。
[0026] <低粘附性区域〉 低粘附性区域3的优选的方式为应用低粘附性材料，具体而言，如图1A、1B所示，为W下 方式:在绝缘性粘结剂层1或绝缘性粘接层化上形成的、优选深度为上且30ymW下、更 优选为如mW上且15ymW下的凹部10中填充低粘附性树脂。凹部10优选为膜层厚度的10%W 上且50%W下，更优选为20%W上且50%W下。在运种情况下，如图2所示，在一面形成有凹部 10的绝缘性粘结剂层1的运一面的低粘附性区域3W外的区域，在不损害绝缘性粘结剂层1 的粘附强度的范围内（换言之，在各向异性导电连接时从连接区域排除的范围内），可由与 绝缘性粘结剂层1相同的材料形成比凹部10薄的层。具体而言，可形成该低粘附性树脂的优 选0.2ymW上且下、更优选0.3ymW上且下的薄膜3a。可得到与只在凹部10中填 充低粘附性树脂相比，制备条件得到缓和的效果。另外，由于低粘附性树脂不参与电气连 接，所W从经济上的理由出发也优选不含有导电粒子。需说明的是，薄膜3a相对于凹部10的 深度优选为3%W上且20%W下。其原因在于，在比运更厚的情况下，难W产生用于消除晓曲 的、粘接力在面内方向上的差异，在薄的情况下无法确保涂布厚度的均匀性，对长条化的情 况下的品质产生影响。
[0027] 低粘附性区域3优选在各向异性导电膜的总宽度的优选20%W上且80%W下、更优 选30% W上且70% W下的范围内存在。该范围优选在宽度方向的中央部存在。
[0028] 就凹部10的形状而言，在如图1A、1B所示的情况下，各向异性导电膜表面和凹部的 内侧侧面所成的角为直角，且凹部的内侧侧面和底面所成的角也为直角，但也可为从底部 向开口部变宽那样的凹部形状。另外，凹部的内侧侧面可在厚度方向呈直线地形成，但也可 呈曲线地形成。例如，凹部可为半圆球形状。由此，可精度良好且简易地制备低粘附性树脂 的形状。另外，也可局部地调整粘接力。其原因在于，使得在面方向不产生粘接力的急剧变 化。
[0029] 在运里，在绝缘性粘结剂层1的一面的一部分设置粘附强度比绝缘性粘结剂层1低 的低粘附性区域3。低粘附强度的程度指低至在各向异性导电连接时1C忍片产生的弯曲在 各向异性导电连接后可缓和的程度。低粘附性区域3优选为该区域W外的绝缘性粘结剂层1 的粘接强度的5%W上且50%W下，更优选为20%W上且40%W下。各自的粘接强度可使用忍片 剪切力测定机(商品名:Dage2400,化ge公司（尹斗公社）制)在室溫下进行测定。通常低粘附 性区域3的粘接强度优选为300NW下，该区域W外的绝缘性粘结剂层1的粘接强度优选为 600NW 上。
[0030] 另外，在低粘附区域3和除此W外的区域为相同组成的情况下，未固化状态下的低 粘附区域3的特定官能团的FT-IR检测峰的绝对值，相对于除此之外的区域的检测峰优选为 低于80%，更优选为70%W下，进一步更优选为50%W下。该检测峰的相对比可与在环氧化合 物或丙締酸单体的聚合中由官能团的减少率求得反应率时采用的公知方法相同地求得。
[0031] 另外，作为在如图2所示的凹部10中填充的低粘附性树脂，可使用不含有固化成 分、且不表现粘性的树脂。例如，作为上述低粘附性树脂，可列举出玻璃化转变溫度为-3(TC W上且7(TCW下的成膜性树脂。具体而言，可列举出苯氧基树脂或丙締酸橡胶等在ACF中使 用的公知的树脂。另外，可含有环氧化合物或丙締酸化合物等聚合性树脂，但凹部的含量为 凹部W外的区域的含量的优选50% W下、更优选5% W上且50% W下、进一步更优选10%W上且 40%W下。在不含有固化成分或固化成分过少的情况下，在固化后的膜内可形成粘接强度急 剧变化的部位，由此有产生松动等其它问题之虞。为了抑制上述变化，凹部的形状优选W使 得膜表面一侧比凹部底部宽的方式倾斜。
[0032] 需说明的是，低粘附性区域3可使用与其它区域相同的材料构成，但通过使环氧化 合物或丙締酸聚合物等固化成分的渗混量为其它区域的80%W下，或不含有反应引发剂，可 作为低粘附性区域起作用。低粘附性区域和除此W外的区域可用FT-IR测定中的官能团减 少率的变化比例来区分，低粘附性区域为该变化比例相对小的区域。
[0033] 另外，由于设置低粘附性区域3的位置是为了减少在各向异性导电连接时各向异 性导电膜中产生的残留应力而设置的位置，所W优选设置在W下区域，所述区域偏离直接 有助于各向异性连接的区域，且应力变化最大。例如，如图3所示，为在使用各向异性导电膜 100将在边缘部具有凸点B的1C忍片30与玻璃基板31的配线各向异性导电连接时，与产生弯 曲的部分(例如，在边缘部形成有凸点B的1C忍片30的该凸点B所包围的中央部分R)对应的 区域。
[0034] 另外，如图4所示，低粘附性区域3可在各向异性导电膜100的长度方向（箭头方向） 延伸设置(优选宽度为15皿W上，更优选为50皿W上，特别优选为150皿~5mm)，如图5所示， 也可在各向异性导电膜100的长度方向（箭头方向）呈踏脚石状地不连续地设置。
[0035] <绝缘性粘结剂层、导电粒子保持层〉 构成本发明的各向异性导电膜100的绝缘性粘结剂层1 (图1A)或导电粒子保持层la (图1B)为将苯氧基树脂、环氧树脂、不饱和聚醋树脂、饱和聚醋树脂、氨基甲酸醋树脂、下二 締树脂、聚酷亚胺树脂、聚酷胺树脂、聚締控树脂等成膜树脂和热或光阳离子、阴离子或自 由基聚合性树脂等热或光聚合性树脂的混合物成膜而得到的膜或其聚合膜。特别优选的绝 缘性粘结剂层1或导电粒子保持层la为将含有丙締酸醋化合物和光自由基聚合引发剂的混 合物成膜而得到的膜或其聚合膜。W下对绝缘性粘结剂层1或导电粒子保持层la含有光自 由基聚合树脂并聚合的情况进行说明。
[0036] (丙締酸醋化合物） 作为构成丙締酸醋单元的丙締酸醋化合物，可使用W往公知的光自由基聚合性丙締酸 醋。例如，可使用单官能（甲基）丙締酸醋（在运里，（甲基）丙締酸醋包含丙締酸醋和甲基丙 締酸醋）、双官能W上的多官能（甲基)丙締酸醋。在本发明中，为了将粘接剂制成热固性，优 选丙締酸类单体的至少一部分使用多官能（甲基)丙締酸醋。
[0037] 从凹部的形状稳定性的观点出发，绝缘性粘结剂层1或导电粒子保持层la中丙締 酸醋化合物的含量优选为2质量％W上且70质量％^下，更优选为10质量％W上且50质量％W 下。
[0038] (光自由基聚合引发剂） 作为光自由基聚合引发剂，可从公知的光自由基聚合引发剂中适宜选择使用。例如，可 列举出苯乙酬类光聚合引发剂、苯偶酷缩酬类光聚合引发剂、憐类光聚合引发剂等。
[0039] 从充分地进行光自由基聚合反应和抑制膜刚性降低的观点出发，相对于100质量 份的丙締酸醋化合物，光自由基聚合引发剂的使用量优选为0.1质量份W上且25质量份W 下，更优选为0.5质量份W上且15质量份W下。
[0040] 从抑制导电粒子捕捉效率降低和抑制导通电阻上升的观点出发，绝缘性粘结剂层 1的层厚度优选为扣mW上且60ymW下，更优选为上且40ymW下。另外，从相同的观点 出发，导电粒子保持层la的层厚度优选为1皿W上且20皿W下，更优选为2皿W上且15皿W 下。
[0041] 在绝缘性粘结剂层1或导电粒子保持层la中也可进一步含有环氧化合物和热或光 阳离子或阴离子聚合引发剂。在运种情况下，如下所述，绝缘性粘接层化也优选设为含有环 氧化合物和热或光阳离子或阴离子聚合引发剂的热或光阳离子或阴离子聚合性树脂层。由 此，可提高层间粘接强度。对于环氧化合物和热或光阳离子或阴离子聚合引发剂，在下面进 行叙述。
[0042] 绝缘性粘结剂层1的形成例如可通过W下方法形成:将含有光自由基聚合性丙締 酸醋、光自由基聚合引发剂和导电粒子的光自由基聚合性组合物涂布在具有为了形成低粘 附性区域3所需要的结构的模型上，通过加热或紫外线照射来进行干燥(或成膜）。另外，导 电粒子保持层la可通过W下方法形成:使用光自由基聚合性组合物，通过膜转印法、模具转 印法、喷墨法、静电附着法等方法附着导电粒子，从导电粒子一侧、其相反一侧或两侧照射 紫外线。
[0043] <绝缘性粘接层〉 在导电粒子保持层la上层合的绝缘性粘接层lb可使用与导电粒子保持层la相同的材 料。
[0044] 从保持凹部、且得到充分的粘接强度的观点出发，绝缘性粘接层lb的层厚度优选 tk 2皿大且低于30皿，更优选比如m大且低于15皿。
[0045] (环氧化合物） 在绝缘性粘接层lb为含有环氧化合物和热或光阳离子或阴离子聚合引发剂的热或光 阳离子或阴离子聚合性树脂层的情况下，作为环氧化合物，可优选列举出分子内具有2个W 上环氧基的化合物或树脂。它们可为液态或固态。
[0046] (热阳离子聚合引发剂） 作为热阳离子聚合引发剂，可采用作为环氧化合物的热阳离子聚合引发剂公知的引发 剂，例如为利用热产生能够使阳离子聚合性化合物阳离子聚合的酸的引发剂，可使用公知 的舰鐵盐、梳盐、鱗盐、二茂铁类等，可优选使用对溫度显示良好的潜伏性的芳族梳盐。
[0047] 从抑制固化不良，抑制制品寿命降低的观点出发，相对于100质量份的环氧化合 物，热阳离子聚合引发剂的渗混量优选为2~60质量份，更优选为5~40质量份。
[004引（热阴离子聚合引发剂） 作为热阴离子聚合引发剂，可采用作为环氧化合物的热阴离子聚合引发剂公知的引发 剂，例如为利用热产生能够使阴离子聚合性化合物阴离子聚合的碱的引发剂，可使用公知 的脂族胺类化合物、芳族胺类化合物、仲胺或叔胺类化合物、咪挫类化合物、聚硫醇类化合 物、Ξ氣化棚-胺络合物、双氯胺、有机酸酷阱等，可优选使用对溫度显示良好的潜伏性的胶 囊化咪挫类化合物。
[0049] 若热阴离子聚合引发剂的渗混量过少，则有导致固化不良的倾向，若过多，则有制 品寿命降低的倾向，因此相对于100质量份的环氧化合物，优选为2质量份W上且60质量份 W下，更优选为5质量份W上且40质量份W下。
[0050] (光阳离子聚合引发剂和光阴离子聚合引发剂） 作为环氧化合物用的光阳离子聚合引发剂或光阴离子聚合引发剂，可适宜使用公知的 引发剂。
[0051] (丙締酸醋化合物） 在绝缘性粘接层lb为含有丙締酸醋化合物和热或光自由基聚合引发剂的热或光自由 基聚合性树脂层的情况下，作为丙締酸醋化合物，可从关于绝缘性粘结剂层1说明的丙締酸 醋化合物中适宜选择使用。
[0052] (热自由基聚合引发剂） 另外，作为热自由基聚合引发剂，例如可列举出有机过氧化物或偶氮类化合物等，可优 选使用不产生导致气泡的氮的有机过氧化物。
[0053] 若热自由基聚合引发剂的使用量过少，则导致固化不良，若过多，则导致制品寿命 降低，因此相对于100质量份的丙締酸醋化合物，优选为2质量份W上且60质量份W下，更优 选为5质量份W上且40质量份W下。
[0054] (光自由基聚合引发剂） 作为丙締酸醋化合物用的光自由基聚合引发剂，可使用公知的光自由基聚合引发剂。
[0055] 若光自由基聚合引发剂的使用量过少，则导致固化不良，若过多，则导致制品寿命 降低，因此相对于100质量份的丙締酸醋化合物，优选为1质量份W上且60质量份W下，更优 选为3质量份W上且40质量份W下。
[0056] 需说明的是，在绝缘性粘结剂层1的另一面可层合其它的绝缘性粘接层。由此，可 得到能够更精细地控制层整体的流动性的效果。在运里，作为其它的绝缘性粘接层，可设为 与前述绝缘性粘接层化相同的构成。
[0化7] <导电粒子〉 作为导电粒子2,可从W往公知的在各向异性导电膜中使用的导电粒子中适宜地选择 使用。例如可列举出儀、钻、银、铜、金、钮等金属粒子，金属被覆树脂粒子等。也可并用巧中W 上。
[0058] 作为导电粒子2的平均粒径，为了使得可应对配线高度的偏差，另外为了抑制导通 电阻的上升，且抑制短路的发生，优选为UimW上且lOymW下，更优选为上且下。 平均粒径可利用通常的粒度分布测定装置进行测定。
[0059] 为了抑制导电粒子捕捉效率的降低，且抑制短路的发生，导电粒子2在绝缘性粘结 剂层1中的存在量优选每1平方mm为50个W上且40000个W下，更优选为200个W上且20000 个W下。
[0060] "导电粒子2的规则图案的排列" 导电粒子2的规则图案的排列中的规则图案指在从各向异性导电膜100的表面透视导 电粒子2时可识别的导电粒子2在长方形格子、正方格子、六方格子、菱形格子等的格点存在 的排列。构成运些格子的假想线不仅可W是直线，也可W是曲线、折线。
[0061] W导电粒子数为基准，为了使各向异性连接稳定，W规则图案排列的导电粒子2相 对于所有导电粒子2的比例优选为90%W上。该比例的测定可利用光学显微镜等进行。
[0062] 另外，导电粒子2的粒子间距离、即导电粒子间的最短距离为导电粒子2的平均粒 径的优选0.5倍W上、更优选1倍W上且5倍W下。
[0063] ?各向异性导电膜的制备方法〉〉 接着，说明本发明的各向异性导电膜的制备方法的一个实例。
[0064] 本发明的各向异性导电膜可通过在绝缘性粘结剂层的一面的一部分进行低粘附 性区域形成处理来制备。作为低粘附性区域形成处理，可列举出：灌注低粘附性区域形成材 料，并通过公知的方法进行平滑处理;利用激光实施格栅加工;或通过光刻法实施微细凹凸 加工等。
[0065] 本发明的各向异性导电膜的制备方法的优选的一个实例为具有W下工序(A)~(C) 的制备方法。W下对每道工序进行说明。
[0066] 工序(A) 首先，在形成有与低粘附性区域对应的凸部的模型上，涂布含有导电粒子的绝缘性粘 结剂层形成用组合物并通过加热或紫外线照射来干燥或成膜，由此形成在一面形成有凹部 的绝缘性粘结剂层。作为模型，可使用由玻璃、硬化树脂、金属等形成的模型。
[0067] 工序(B) 接着，利用公知的方法从模型取下绝缘性粘结剂层。在该工序中，优选预先在绝缘性粘 结剂层上临时粘贴转印片材，将转印片材作为支撑体从模型取下绝缘性粘结剂层。
[006引工序(C) 接着，利用公知的方法在绝缘性粘结剂层的凹部填充低粘附性区域形成材料。由此，得 到本发明的优选的方式的各向异性导电膜。
[0069] 可根据需要，剥离转印片材，在该面(绝缘性粘结剂层的另一面)层合其它的绝缘 性粘接层。
[0070] ?各向异性导电膜的用途〉〉 如上所述得到的各向异性导电膜可在利用热或光将1C忍片、I对莫块、柔性基板等第1电 子零件和柔性基板、刚性基板、玻璃基板等第2电子零件各向异性导电连接时优选应用（除 了 COG W外也可应用于C0F、COB、FOG、FOB等）。如上所述得到的连接结构体也是本发明的一 部分。在运种情况下，从提高连接可靠性的观点出发，优选将各向异性导电膜从其绝缘性粘 结剂层一侧对配线基板等第2电子零件进行临时粘贴，对于临时粘贴的各向异性导电膜，搭 载1C忍片等第1电子零件，从第1电子零件一侧进行热压接。另外，也可利用光固化进行连 接。 实施例
[0071 ] W下通过实施例来具体地说明本发明。
[0072] 实施例^5 用甲苯将60质量份的苯氧基树脂(YP-50,新日铁住金化学(株））、40质量份的丙締酸醋 化P600，Daicel-Allnex Ltd.(歹^电瓜?才瓜幸夕乂（株）））、2质量份的光自由基聚合引 发剂（IRGACURE 369，Ξ菱化学(株））和10质量份的平均粒径为4WI1的导电粒子(锻Ni/Au树 脂粒子，AUL704，积水化学工业(株)）制备混合液，使得树脂固体成分为50质量％。
[0073] 使用该混合液和形成有规定的凸部(在实施例^4的情况下为与图4对应的连续地 延伸设置的方式，在实施例5的情况下为与图5对应的呈踏脚石状地不连续的方式）的片型 模型，在切割后制备宽度为2mm的绝缘性粘结剂层。将该绝缘性粘结剂层从模型取下，在形 成有凹部的面涂布低粘附性树脂组合物使得凹部W外的干燥厚度为化m，照射波长为 365nm、累积光量为4000mL/cm2的紫外线，由此形成绝缘性粘结剂层。
[0074] 在得到的绝缘性粘结剂层的凹部一侧表面整体上，涂布用甲苯将94质量份的上述 苯氧基树脂、6质量份的丙締酸醋、0.3质量份的光自由基聚合引发剂稀释而得到的低粘附 性树脂组合物并干燥，使得凹部W外的干燥厚度为3μπι，由此得到总厚度为25WI1的各向异性 导电膜。
[0075] 需说明的是，使用光学显微镜测定得到的各向异性导电膜的凹部一侧表面的凹部 的面积比例(％)、凹部深度(μπι)相对于总厚度的深度比例(％)、从一侧的膜侧边缘至凹部边 缘为止的距离(μπι)和从另一侧的膜侧边缘至凹部边缘为止的距离(μπι)的总和。深度根据焦 点的调整计算求得。将得到的结果示出于表1中。
[0076] 实施例6 (排列有导电粒子的绝缘性粘结剂层的制备） 用甲苯将60质量份的苯氧基树脂(ΥΡ-50,新日铁住金化学(株））、40质量份的丙締酸醋 化P600，Daicel-Allnex Ltd.(歹斗电瓜?才瓜幸夕乂（株）））和2质量份的光自由基聚合 引发剂(IRGACURE 369，Ξ菱化学(株））制备混合液，使得固体成分为50质量％。在厚度为50μ m的聚对苯二甲酸乙二醇醋膜上涂布该混合液，使得干燥厚度为祉m，在80°C的烘箱中干燥5 分钟，由此形成光自由基聚合性树脂层。
[0077] 接着，对于得到的光自由基聚合性树脂层，将平均粒径为4WI1的导电粒子(锻Ni/Au 树脂粒子，A化704,积水化学工业(株））相互隔开4皿W单层排列。进而从该导电粒子一侧由 L抓光源对光自由基聚合性树脂层照射波长为365nm、累积光量为4000mJ/cm2的紫外线，由 此形成在表面固定有导电粒子的绝缘性粘结剂层。
[0078] (具有凹部的绝缘性粘接层的形成） 使用含有60质量份的上述苯氧基树脂、40质量份的丙締酸醋、2质量份的光自由基聚合 引发剂的绝缘性粘接层形成用组合物和形成有规定的凸部（与图4对应的连续地延伸设置 的方式)的片型模型，形成在切割后宽度为2mm、且在中央形成有凹部的绝缘性粘接层。
[0079] (各向异性导电膜的制备） 在得到的绝缘性粘接层上重叠绝缘性粘结剂层，在4(TC、0.1化的条件下进行层压。将 得到的层合体从模型取下，在绝缘性粘接层的凹部一侧表面整体上，涂布用甲苯将80质量 份的上述苯氧基树脂、20质量份的丙締酸醋、1质量份的光自由基聚合引发剂稀释而得到的 低粘附性树脂组合物并干燥，使得凹部W外的干燥厚度为3μπι，由此得到总厚度为2祉m的各 向异性导电膜。
[0080] 需说明的是，使用光学显微镜测定得到的各向异性导电膜的凹部一侧表面的凹部 的面积比例(％)、凹部深度(μπι)相对于总厚度的深度比例(％)、从一侧的膜边缘部至凹部边 缘为止的距离(μπι)和从另一侧的膜边缘部至凹部边缘为止的距离(μπι)的总和。深度根据焦 点的调整计算求得。将得到的结果示出于表1中。
[0081] 比较例1 使用未设置凹部的片状模型，且未设置非粘附性树脂层，除此之外，与实施例1相同地 制备总厚度为25WI1的各向异性导电膜。
[0082] 需说明的是，使用光学显微镜测定得到的各向异性导电膜的凹部一侧表面的凹部 的面积比例(％)、凹部深度(μπι)相对于总厚度的深度比例(％)、从一侧的膜侧边缘至凹部边 缘为止的距离(μπι)和从另一侧的膜侧边缘至凹部边缘为止的距离(μπι)的总和。深度根据焦 点的调整计算求得。将得到的结果示出于表1中。
[0083] < 评价〉 对于各实施例和比较例的各向异性导电性膜，分别如下所示地试验评价各向异性导电 连接时的(a)短路发生率和(b)弯曲量。将结果示出于表1中。
[0084] (a)短路发生率 在短路发生率的评价用1C和玻璃基板之间夹持各实施例和比较例的各向异性导电性 膜，加热加压（18(rC、80M化、5秒)得到各评价用连接物，求得该评价用连接物的短路发生 率。短路发生率用"短路的发生数/7.5WI1间隔总数"。
[0085] 短路发生率的评价用1C (7.5皿间隔的梳齿TEG (test element group))外径 1.5X13mm 厚度0.5mm 凸点规格锻金、高度为15μπι、尺寸为25 X 140μπι、凸点间距为7.5皿 玻璃基板 玻璃材质Corning Inc. (3-二シク社）审リ 外径 30 X 50mm 厚度0.5mm 电极IT0配线。
[00化](b)弯曲量 使用Ξ维测量仪化巧ence Coloration ((株）年一工シス））测定在(a)中制备的评价 用连接物的未安装1C忍片的一侧的玻璃配线基板表面的宽度20mm的弯曲。弯曲在实际使用 方面优选为低于15皿。需说明的是，该20mm的宽度相当于在背面安装的1C忍片的宽度。
[0087] [表1]
由表1可知，实施例1~6的各向异性导电膜未使短路发生率上升，与比较例1相比，可减 小弯曲量。另外，凹部深度相对于总厚度的比例在20~50%的范围内无大的变化(实施例1、 2)。若凹部面积相对于膜表面积变大，则有弯曲量减少的倾向（实施例2~4)。在连续地延伸 设置凹部的情况下和凹部散布的情况下，弯曲量无大的差异(实施例2、5)。另外，在导电粒 子无规地分散的情况下和导电粒子排列的情况下，弯曲量也无大的差异。
[0088] 产业上的可利用性 本发明的各向异性导电膜中，在绝缘性粘结剂层中分散或w规则图案排列有导电粒 子，在一面的一部分形成有粘附强度比绝缘性粘结剂层低的低粘附性区域。因此，可使得1C 忍片的未形成凸点的中央部区域不与各向异性导电膜粘附固定，可缓和在各向异性导电连 接时产生的弯曲。由此，对1C忍片等电子零件向配线基板的各向异性导电连接有用。
[0089] 符号说明 1绝缘性粘结剂层 la导电粒子保持层 化绝缘性粘接层 2导电粒子 3低粘附性区域 10凹部 30 1C忍片 31玻璃基板 B凸点 100各向异性导电膜
【主权项】
1. 各向异性导电膜，其是在绝缘性粘结剂层中分散有导电粒子或以规则图案排列有导 电粒子的各向异性导电膜，其中，在一面的一部分形成粘附强度比绝缘性粘结剂层低的低 粘附性区域。2. 权利要求1所述的各向异性导电膜，其中，低粘附性区域为在绝缘性粘结剂层上形成 的凹部填充有低粘附性树脂的区域。3. 权利要求2所述的各向异性导电膜，其中，在一面形成有凹部的绝缘性粘结剂层的该 一面的低粘附性区域以外的区域，也利用与绝缘性粘结剂层相同的材料形成比凹部薄的 层。4. 权利要求1~3中任一项所述的各向异性导电膜，其中，低粘附性树脂不含有导电粒 子。5. 权利要求1~4中任一项所述的各向异性导电膜，其中，低粘附性区域在各向异性导电 膜的长度方向延伸设置。6. 权利要求1~4中任一项所述的各向异性导电膜，其中，低粘附性区域在各向异性导电 膜的长度方向断续设置。7. 制备方法，其是权利要求1所述的各向异性导电膜的制备方法，其中，在绝缘性粘结 剂层的一面的一部分进行低粘附性区域形成处理。8. 制备方法，其是权利要求2所述的各向异性导电膜的制备方法，其具有以下工序(A) -(C)： 工序⑷ 在形成有与低粘附性区域对应的凸部的模型上，涂布含有导电粒子的绝缘性粘结剂层 形成用组合物，并通过加热或紫外线照射来干燥或成膜，由此形成在一面形成有凹部的绝 缘性粘结剂层的工序； 工序⑶ 从模型取下绝缘性粘结剂层的工序;和 工序(C) 在绝缘性粘结剂层的凹部填充低粘附性区域形成材料的工序。9. 连接结构体，其是用权利要求1~6中任一项所述的各向异性导电膜将第1电子零件与 第2电子零件各向异性导电连接而成的。10. 连接方法，其是用权利要求1~6中任一项所述的各向异性导电膜将第1电子零件与 第2电子零件各向异性导电连接的连接方法，其中， 将各向异性导电膜从其绝缘性粘结剂层一侧对第2电子零件临时粘贴，对于临时粘贴 的各向异性导电膜，搭载第1电子零件，并从第1电子零件一侧进行压接。
【文档编号】H01R11/01GK106063043SQ201580012608
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2015年2月6日 公开号201580012608.9, CN 106063043 A, CN 106063043A, CN 201580012608, CN-A-106063043, CN106063043 A, CN106063043A, CN201580012608, CN201580012608.9, PCT/2015/53340, PCT/JP/15/053340, PCT/JP/15/53340, PCT/JP/2015/053340, PCT/JP/2015/53340, PCT/JP15/053340, PCT/JP15/53340, PCT/JP15053340, PCT/JP1553340, PCT/JP2015/053340, PCT/JP2015/53340, PCT/JP2015053340, PCT/JP201553340
【发明人】服部正明, 塚尾怜司
【申请人】迪睿合株式会社