专利名称：一种防止雾化的光罩板及其制造方法
技术领域：
本发明属于光刻过程光罩板雾化技术领域，具体涉及一种防止雾化的光罩板及其制造方法。
背景技术：
光罩版雾化是光刻过程不可避免的问题，光刻间环境中含有少量NH4-和清洗光罩板时残留的Cl—或SO4-离子反应生成结晶体，该结晶体的尺寸随着时间推移以及曝光时间的增加而慢慢扩散变大使光罩板雾化，当到达一定程度时，成像就会影响到晶圆曝光的质量。因此在成像之前及时清理和防止光罩版雾化就会显得很重要，通常情况下，每过一段时间要更换一次光罩版，使得光罩版的使用寿命很短，导致生产效率降低和成本增大。目前解决光罩版雾化的方法有两种，其一是早期侦测，通常的做法是在空的晶圆上曝出该光罩的图形，也叫做光罩版印刷，再做缺陷扫描，看其是否成像出现重复缺陷，但是能扫描出重复缺陷时往往产品已经受到影响，其时效性有待提高；其二是通过在传统光掩模清洗后引入加热处理和热去离子水的冲洗，可以有效减少光掩模表面离子残留，从而防止和减少光掩模在光刻应用中生成雾状。采用上述早期侦测技术和引入加热处理和热去离子水的冲洗只能早期侦测和预防，不能从根本上解决光罩版雾化问题。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种防止雾化的光罩板及其制造方法，该光罩板具有防止结晶体尺寸长大，防止光罩板雾化，提高其使用寿命，降低光刻生产成本的特点；该光罩板的制造方法具有操作简单，不受光刻生产环境的条件限制的特点。为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是—种防止雾化的光罩板，从内到外依次包括防光罩层、粘胶层、感光乳胶层以及保护膜，其特征在于所述光罩板还包括在所述保护膜的外面镀一层抗腐蚀的透明纳米等离子保护层。所述抗腐蚀的透明纳米等离子保护层的材料为稀有金属化合物。所述稀有金属化合物为In203:Sn、In203:Mo、Sn02:Sb、Sn02:F、ai0:Al 或者 CdO: h。抗腐蚀的透明纳米等离子保护层的厚度为50-100nm。所述防止雾化的光罩板的制造方法，包括如下步骤步骤1 清洗贴好保护膜的光罩板首先将贴好保护膜的光罩板用硫酸双氧水水的体积比为5 1 1的混合溶液，在50-80°C下浸泡5-10分钟，然后用去离子水冲洗甩干，随后用HCl H2O的体积比为1 5的酸溶液浸泡5-10分钟，再用去离子水冲洗甩干；步骤2 镀抗腐蚀的透明纳米等离子保护层将清洗干净的贴好保护膜的光罩板通过物理气相沉积法沉积一层抗腐蚀的透明纳米等离子保护层；步骤3 退火处理将镀有抗腐蚀的透明纳米等离子保护层的光罩板在300-500°C 退火处理25-35min。步骤2所述的物理气相沉积法的沉积条件为镀率10-15nm/min ；功率 15-28KW ；氧气流量0. 5-0. 7sccm ；温度 250_280°C ；电子束电流 50_70mA。本发明与现有技术相比，具有如下优点1、通过在光罩板上镀一层透明的纳米等离子保护膜，可有效防止光罩板上的结晶体尺寸长大，防止光罩板雾化，提高其使用寿命，降低光刻生产成本。2、本发明制造方法是在光罩板制作后，在其表面镀一层透明的纳米等离子保护膜，其方法的实施不受光刻生产环境的条件限制且操作方法简单。
具体实施例方式下面用实施例对本发明作进一步详细说明。本发明的一种防止雾化的光罩板，从内到外依次包括防光罩层、粘胶层、感光乳胶层以及保护膜，还包括在所述保护膜的外面镀一层抗腐蚀的透明纳米等离子保护层，保护层的材料为稀有金属化合物，厚度为50-100nm。实施例一本实施例防止雾化的光罩板的制造方法，包括如下步骤步骤1 清洗贴好保护膜的光罩板首先将贴好保护膜的光罩板用硫酸双氧水水的体积比为5 1 1的混合溶液，在50°C下浸泡lOmin，然后用去离子水冲洗并甩干，随后用HCl H2O的体积比为1 5的酸溶液浸泡5min，再用去离子水冲洗并甩干；步骤2 镀抗腐蚀的透明纳米等离子保护层将清洗干净的贴好保护膜的光罩板通过物理气相沉积法沉积一层抗腐蚀的透明纳米等离子保护层，沉积材料In2O3: Sn，物理气相沉积法的沉积条件为镀率:10nm/min ；功率15KW ；氧气流量0. 5sccm ；温度250°C ；电子束电流50mA ；步骤3 退火处理将镀抗腐蚀的透明纳米等离子保护层的光罩板在300°C下退火处理35min。本实施例制造方法所得的防止雾化的光罩板，其厚度为50nm。实施例二本实施例防止雾化的光罩板的制造方法，包括如下步骤步骤1 清洗贴好保护膜的光罩板首先将贴好保护膜的光罩板用硫酸双氧水水的体积比为5 1 1的混合溶液，在60°C下浸泡8min，然后用去离子水冲洗并甩干，随后用HCl H2O的体积比为1 5的酸溶液浸泡8min，再用去离子水冲洗并甩干；步骤2 镀抗腐蚀的透明纳米等离子保护层将清洗干净的贴好保护膜的光罩板通过物理气相沉积法沉积一层抗腐蚀的透明纳米等离子保护层，沉积材料为SnO2 Sb，物理气相沉积法的沉积条件为镀率:12nm/min ；功率2IKff ；氧气流量0. 6sccm ；温度265°C ； 电子束电流60mA ；步骤3 退火处理将镀抗腐蚀的透明纳米等离子保护层的光罩板在400°C下退火处理30min。
本实施例制造方法所得的防止雾化的光罩板，其厚度为70nm。实施例三本实施例防止雾化的光罩板的制造方法，包括如下步骤步骤1 清洗贴好保护膜的光罩板首先将贴好保护膜的光罩板用硫酸双氧水水的体积比为5 1 1的混合溶液，在80°C下浸泡5min，然后用去离子水冲洗并甩干，随后用HCl H2O的体积比为1 5的酸溶液浸泡lOmin，再用去离子水冲洗并甩干；步骤2 镀抗腐蚀的透明纳米等离子保护层将清洗干净的贴好保护膜的光罩板通过物理气相沉积法沉积一层抗腐蚀的透明纳米等离子保护层，沉积材料为&ιθ:Α ，物理气相沉积法的沉积条件为镀率15nm/min ；功率J8KW ；氧气流量0. 7sccm ；温度280°C ； 电子束电流70mA ；步骤3 退火处理，将镀抗腐蚀的透明纳米等离子保护层的光罩板在500°C下退火处理25min。本实施例制造方法所得的防止雾化的光罩板，其厚度为lOOnm。
权利要求
1.一种防止雾化的光罩板，从内到外依次包括防光罩层、粘胶层、感光乳胶层以及保护膜，其特征在于所述光罩板还包括在所述保护膜的外面镀一层抗腐蚀的透明纳米等离子保护层。
2.根据权利要求1所述的光罩板，其特征在于所述抗腐蚀的透明纳米等离子保护层的材料为稀有金属化合物。
3.根据权利要求2所述的光罩板，其特征在于所述稀有金属化合物为^i2O3= Sru In2O3Mo、SnO2 Sb、SnO2:F、SiO Al 或者 CdOiIn0
4.根据权利要求1所述的光罩板，其特征在于抗腐蚀的透明纳米等离子保护层的厚度为 50-100nm。
5.一种权利要求1所述防止雾化的光罩板的制造方法，包括如下步骤步骤1 清洗贴好保护膜的光罩板首先将贴好保护膜的光罩板用硫酸双氧水水的体积比为5 1 1的混合溶液，在50-80°C下浸泡5-10分钟，然后用去离子水冲洗甩干，随后用HCl H2O的体积比为1 5的酸溶液浸泡5-10分钟，再用去离子水冲洗甩干；步骤2 镀抗腐蚀的透明纳米等离子保护层将清洗干净的贴好保护膜的光罩板通过物理气相沉积法沉积一层抗腐蚀的透明纳米等离子保护层；步骤3 退火处理将镀有抗腐蚀的透明纳米等离子保护层的光罩板在300-500°C退火处理 25-35min。
6.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于步骤2所述的物理气相沉积法的沉积条件为镀率:10-15nm/min ；功率:15-28KW ；氧气流量0. 5-0. 7sccm ；温度 250-280°C ； 电子束电流50-70mA。
全文摘要
一种防止雾化的光罩板及其制造方法，该光罩板从内到外依次包括防光罩层、粘胶层、感光乳胶层以及保护膜，所述光罩板还包括在所述保护膜的外面镀一层抗腐蚀的透明纳米等离子保护层，其制造方法包括如下步骤清洗贴好保护膜的光罩板、镀抗腐蚀的透明纳米等离子保护层、退火处理；该光罩板具有防止结晶体尺寸长大，防止光罩板雾化，提高其使用寿命，降低光刻生产成本的特点；该光罩板的制造方法具有操作简单，不受光刻生产环境的条件限制的特点。
文档编号G03F1/48GK102323715SQ201110276460
公开日2012年1月18日 申请日期2011年9月16日 优先权日2011年9月16日
发明者刘大为, 刘波波, 李伟霖, 李建婷, 王省莲 申请人:西安中为光电科技有限公司