具有减小的偏振相关损耗的硅基光电集成电路的制作方法与工艺

技术特征：
1.一种硅基光电电路，形成在硅衬底上，该电路包括：预定长度的光波导，所述光波导在所述硅衬底中形成并被配置为在所述光波导的输入处接收光信号，所述光信号表现出横电波(TE)和横磁波(TM)成分两者，并且所述光信号的传播方向与所述光波导的输入和所述光波导的输出对齐；以及毗邻所述光波导部署的光电检测器件，用于捕捉离开所述光波导的输出的所述光信号并将所捕捉的所述光信号转换成电等同物，其中所述光波导的所述预定长度被选择成使得与所述接收光信号的TM成分相关联的偏振相关损耗可忽略。2.如权利要求1中限定的硅基光电电路，其中，所述光波导包括硅纳米锥光波导。3.如权利要求1中限定的硅基光电电路，其中，所述光电电路还包括部署在所述光波导的输入处的透镜状元件。4.如权利要求1中限定的硅基光电电路，还包括用于支持所述光信号的传播的光纤，所述光纤的输出耦合到所述光波导的输入。5.如权利要求1中限定的硅基光电电路，还包括用于支持所述光信号的传播的平面光波导，所述平面光波导的输出耦合到所述光波导的输入。6.如权利要求1中限定的硅基光电电路，其中，所述光波导的所述预定长度被选择为将TM模式损耗限制到小于1分贝的值。7.如权利要求1中限定的硅基光电电路，其中，所述光波导的所述预定长度被选择为将TM模式损耗限制到使对信号变化的可允许系统级容限最大化的水平。8.如权利要求1中限定的硅基光电电路，其中，所述光波导和所述光电检测器件由相同材料形成。9.如权利要求8中限定的硅基光电电路，其中，所述光波导和所述光电检测器件包括锗。