专利名称：滤波范围430～630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器及其制作方法
技术领域：
本发明涉及光子晶体领域，具体涉及实现对选定频率単色光高透过的ー维光子晶体光学滤波器及其该滤波器的制作方法。
背景技术：
自1987年E. Yablonovitch在研究如何抑制自发辐射时和S. John在研究光子局域时分别独立提出光子晶体的概念以来，光子晶体的结构、制备和量子电动力学特性研究开始备受人们关注并得到广泛的研究。早期大部分的研究工作都是集中在ニ維和三维光子晶体，直到1998年Fink，Winn，Chigrin等人的工作才开始了ー维光子晶体的研究。一维光子晶体结构简单，易于制造，同时也具备高维光子晶体的性质，得到了广泛的应用。光子晶体禁带形成是因为其折射率严格周期性分布，这种严格的周期性结构一旦受到破坏，光子晶体的传输特性将发生改变。常见的ー维光子晶体滤波器都是采用掺杂结构的光子晶体，有意地引入特定的掺杂缺陷改变光子晶体严格周期结构，由此种光子晶体制成的滤波器结构不稳定，滤波器效果不明显，不能够广泛制作，并加以推广。
发明内容
本发明为解决上述技术问题，提供采用简单的无掺杂光子晶体结构，只是改变了一次镀膜顺序，大大降低了加工难度和对精度的要求。根据需要透过的単色光频率选择合适的光子晶体结构參数，实现単色光透过的滤波器，对选定频率単色光透过率达到100%的滤波效果，采用简单的无掺杂光子晶体结构，只是改变了一次镀膜顺序，大大降低了加工难度和对精度的要求。根据需要透过的単色光频率选择合适的光子晶体结构參数，实现单色光透过的滤波器，对选定频率単色光透过率达到100%的滤波效果。本发明为解决上述技术问题所采用的技术方案是滤波范围43(T630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器，滤波器包括光子晶体层和镜头玻璃，光晶晶体层设置在镜头玻璃表面，光子晶体层由10层A介质层和10层B介质层相互交替叠加构成(AB)5 (BA)5型复合结构，所述的A为砷化镓，B为ニ氧化娃，其中(AB)5表不5层A介质和B介质交替叠加构成的复合介质层，其中A介质层的厚度为38. 118nm,B介质层的厚度为59. 9nm,该复合介质层设置在光子晶体层的内侧，并与镜头玻璃连接；其中(AB)5表示5层A介质和B介质交替叠加构成的复合介质层，其中A介质层的厚度为38. 118nm,B介质层的厚度为59. 9nm,该复合介质层设置在光子晶体层外側。本发明所述的A介质层的折射率为％ = ,B介质层的折射率为ち=2.22 ,A介
质层的厚度为ひ=儿,4ち，B介质层的厚度为= If 4 ,中心波长取532nm。滤波范围43(T630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器的制作方法，
步骤一、取一个镜头玻璃作为基板，将基板双面抛光，备用；步骤ニ、将加工好的基板表面进行清洁化处理，采用酸性清洗液和去离子水分别清洗基板，然后将基板置于热板上烘干，温度65°，时间10分钟；
步骤三、将基板放入真空镀膜机中，在其ー个表面上进行A介质的镀膜，神化镓折射率nA = 3.4’中心波长取532nm时，其镀膜厚度为= 綱,レ 即38. 118nm，镀膜后干燥冷却30
分钟，然后在基板镀有a介质膜层的表面进行B介质的镀膜，ニ氧化硅的折射率乃j = 2.22,中心波长取532nm时，其镀膜厚度为■& =即59. 9nm，镀膜后干燥冷却30分钟；
步骤四、按照步骤三的方法交替进行A介质和B介质镀膜，直至镀好4层A介质膜层和4层B介质膜层，在基板上形成结构为fi召J1的光子晶体复合镀膜层；
步骤五、在光子晶体结构已经镀膜为fif Jf的基板结构上继续进行A介质神化镓的镀膜，厚度为38. 118nm,干燥冷却30分钟，在基板上形成结构为fAB^i的光子晶体复合镀膜层；
步骤六、在基板上光子晶体结构已经镀膜为fi忍的结构上进行B介质ニ氧化硅的镀膜，厚度为119. 8nm，在基板上形成结构为5的光子晶体复合镀膜层；
步骤七、按照步骤三的方法交替进行A介质和B介质镀膜，直至镀好5层A介质膜层和4层B介质膜层，在基板上形成结构为▲的光子晶体复合镀膜层，制得表面设有
(AB)5( Iijj光子晶体结构的滤波器。本发明的有益效果是
I、采用简单的无掺杂光子晶体结构，只是改变了一次镀膜顺序，大大降低了加工难度和对精度的要求。根据需要透过的単色光频率选择合适的光子晶体结构參数，实现単色光透过的滤波器，对选定频率単色光透过率达到100%的滤波效果。2、无掺杂光子晶体结构改变了有意地引入特定的掺杂缺陷改变光子晶体严格周期结构，可完全制得光子晶体禁带变化制作特定频率的ー维光子晶体滤波器。
图I为本发明的结构示意 图2结构(的透过率随波长变化曲线；
图3结构filj/M〗的透过率随波长变化曲线； 图中1、光子晶体层，2、玻璃镜头。具体实施方法
如图所示，滤波范围43(T630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器，滤波器包括光子晶体层I和镜头玻璃2，光晶晶体层I设置在镜头玻璃2表面，光子晶体层I由10层A介质层和10层B介质层相互交替叠加构成(AB) 5 (BA) 5型复合结构，所述的A为神化镓，B为ニ氧化硅，其中(AB) 5表示5层A介质和B介质交替叠加构成的复合介质层，其中A介质层的厚度为38. 118nm,B介质层的厚度为59. 9nm,该复合介质层设置在光子晶体层I的内侧，并与镜头玻璃连接；其中(AB)5表示5层A介质和B介质交替叠加构成的复合介质层，其中A介质层的厚度为38. 118nm,B介质层的厚度为59. 9nm,该复合介质层设置在光子晶体层2外側。所述的A介质层的折射率为％ = 3.4, B介质层的折射率为％ = 2.22’ A介质层的厚度为な=1/4%，B介质层的厚度为= Ii 4m￡,中心波长取532nm。滤波范围43(T630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器的制作方法，
步骤一、取一个镜头玻璃作为基板，将基板双面抛光，备用；
步骤ニ、将加工好的基板表面进行清洁化处理，采用酸性清洗液和去离子水分别清洗基板，然后将基板置于热板上烘干，温度65°，时间10分钟；
步骤三、将基板放入真空镀膜机中，在其ー个表面上进行A介质的镀膜，神化镓折射率nA = 3,4,中心波长取532nm时，其镀膜厚度为OE = 細％ 即38. 118nm，镀膜后干燥冷却30
分钟，然后在基板镀有A介质膜层的表面进行B介质的镀膜，ニ氧化硅的折射率= 2.22’中心波长取532nm时，其镀膜厚度为■& = 1/4 ,即59. 9nm，镀膜后干燥冷却30分钟；
步骤四、按照步骤三的方法交替进行A介质和B介质镀膜，直至镀好4层A介质膜层和4层B介质膜层,在基板上形成结构为的光子晶体复合镀膜层；
步骤五、在光子晶体结构已经镀膜为fif J4的基板结构上继续进行A介质神化镓的镀膜，厚度为38. 118nm,干燥冷却30分钟，在基板上形成结构为J!的光子晶体复合镀膜层；
步骤六、在基板上光子晶体结构已经镀膜为的结构上进行B介质ニ氧化硅的镀膜，厚度为119. 8nm，为两层B介质的厚度，即一次镀下两层的B介质，在基板上形成结构为的光子晶体复合镀膜层；
步骤七、按照步骤三的方法交替进行A介质和B介质镀膜，直至镀好5层A介质膜层和4层B介质膜层，在基板上形成结构为的光子晶体复合镀膜层，制得表面设有(Iijj光子晶体结构的滤波器。本发明的真空镀膜机采用DM-450型真空镀膜机，钟罩尺寸①450 mm X 540mm，极限真空彡6.5X10-4 Pa，抽气时间真空度达到I. 3 X 10-3 Pa时，t彡50min。本发明的镀膜方法可以由现代真空离子镀法、真空磁控溅射法、真空蒸发法、化学气相沉淀法、溶胶ー凝胶法以及热压技术在重铅X线防护玻璃表层镀膜实现。本发明用传输矩阵法仿真了ー维光子晶体的传输特性曲线，在理论分析的基础上设计了一种无掺杂结构的光子晶体光学滤波器，该无掺杂结构的光子晶体只是改变了一次镀膜顺序，但对光子晶体的周期结构破坏性ー样很大，产生了缺陷模。结构分别为和(MgBA)5 ,仿真研究这种结构的变化对光子晶体传输特性的影响。A为砷化镓，B为ニ氧化硅折射率分另1J是れa = 3.4,% = 2,22,光子晶体介质层厚度分别是j = 1ブ4も，1 = 1/4% 中心波长取532nm。仿真结果如附图所示。从附图2可明显看到周期数为10的光子晶体严格周期结构fif 在46(T630nm有明显的光子禁带，禁带中频段的光透过率几乎为零，禁带特征非常明显。当结构改变一次镀膜顺序变为吋，从附图3可明显看到光子晶体禁带
中频率等于中心波长:5] !■的位置上出现了缺陷模，透过率从O急剧增大为1，实现了对选定中心波长532nm的単色光滤过。传输矩阵法(Transfer Matrix Method, TMM)实质是在空间中把麦克斯韦方程做有限差分，然后将其变成传输矩阵的形式。把求解光子晶体带隙计算转化为本征值求解问题。对Maxwell方程组做离散化，相邻两层空间的场之间的关系可以用ー个传输矩阵来表示。传输矩阵可以把一个层面上的电场和磁场与紧邻的另ー个层面上的电场和磁场联系起来，如此可以将其外推到整个光子晶体空间。从而计算出光子晶体的透射系数和反射系数。对于ー维光子晶体周期性结构，有
权利要求
1.滤波范围43(T630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器,其特征在于滤波器包括光子晶体层(I)和镜头玻璃(2)，光晶晶体层(I)设置在镜头玻璃(2)表面，光子晶体层(I)由10层A介质层和10层B介质层相互交替叠加构成(AB)5 (BA)5型复合结构，所述的A为砷化镓，B为ニ氧化娃，其中(AB)5表示5层A介质和B介质交替叠加构成的复合介质层,其中A介质层的厚度为38. 118nm, B介质层的厚度为59. 9nm,该复合介质层设置在光子晶体层(I)的内侧，并与镜头玻璃连接；其中(AB)5表示5层A介质和B介质交替叠加构成的复合介质层，其中A介质层的厚度为38. 118nm,B介质层的厚度为59. 9nm,该复合介质层设置在光子晶体层(2)外側。
2.如权利要求I所述的滤波范围43(T630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器，其特征在干所述的A介质层的折射率为 = ，B介质层的折射率为ち= 2.22 ,A介质层的厚度为，B介质层的厚度为b = Af Ans，中心波长取532nm。
3.如权利要求I所述的滤波范围43(T630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器的制作方法，其特征在干 步骤一、取一个镜头玻璃作为基板，将基板双面抛光，备用； 步骤ニ、将加工好的基板表面进行清洁化处理，采用酸性清洗液和去离子水分别清洗基板，然后将基板置于热板上烘干，温度65°，时间10分钟； 步骤三、将基板放入真空镀膜机中，在其ー个表面上进行A介质的镀膜，神化镓折射率ち=3.4，中心波长取532nm时，其镀膜厚度为^ =即38. 118nm,镀膜后干燥冷却30分钟，然后在基板镀有A介质膜层的表面进行B介质的镀膜，ニ氧化硅的折射率ル= 2.22，中心波长取532nm时，其镀膜厚度为b = 1/4. ，即59. 9nm，镀膜后干燥冷却30分钟； 步骤四、按照步骤三的方法交替进行A介质和B介质镀膜，直至镀好4层A介质膜层和4层B介质膜层，在基板上形成结构为(AB),的光子晶体复合镀膜层； 步骤五、在光子晶体结构已经镀膜为(AB)i的基板结构上继续进行A介质神化镓的镀膜，厚度为38. 118nm，干燥冷却30分钟，在基板上形成结构为(AB)iA的光子晶体复合镀膜层； 步骤六、在基板上光子晶体结构已经镀膜为的结构上进行B介质ニ氧化硅的镀膜，厚度为119. 8nm，在基板上形成结构为(AB)5B的光子晶体复合镀膜层； 步骤七、按照步骤三的方法交替进行A介质和B介质镀膜，直至镀好5层A介质膜层和4层B介质膜层，在基板上形成结构为(AB)5(BA)5的光子晶体复合镀膜层，制得表面设有(AB)5(BA)5光子晶体结构的滤波器。
全文摘要
滤波范围430~630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器，滤波器包括光子晶体层和镜头玻璃，光晶晶体层设置在镜头玻璃表面，光子晶体层由10层A介质层和10层B介质层相互交替叠加构成(AB)5(BA)5型复合结构，用传输矩阵法仿真了一维光子晶体的传输特性曲线，在理论分析的基础上设计了一种无掺杂结构的光子晶体光学滤波器，采用简单的无掺杂光子晶体结构，只是改变了一次光子晶体镀膜顺序，大大降低了加工难度和对精度的要求。根据需要透过的单色光频率选择合适的光子晶体结构参数，实现单色光透过的滤波器，该一维光子晶体光学滤波器对选定频率单色光透过率达到100%。成熟的镀膜技术可以方便地将一维光子晶体膜系加工在光学透镜表面，该发明可广泛应用于需要各种需要单色光透过的光学仪器。
文档编号G02B5/20GK102645695SQ201210157929
公开日2012年8月22日 申请日期2012年5月21日 优先权日2012年5月21日
发明者乔晓岚, 娄丽敏, 宋霄薇, 张瑞, 李萍, 杨晓利, 胡志刚, 雷万军 申请人:河南科技大学