液晶显示装置制造方法
【专利摘要】一种液晶显示装置，其为提高了像素开口率及透射率的横向电场方式。具有形成于透明的基板上的金属配线、形成于该金属配线上的无机绝缘膜及有机绝缘膜、在该无机绝缘膜及有机绝缘膜上经由层间绝缘膜以相互对置的方式形成的透明的第一电极及具有条纹状的狭缝构造的透明的第二电极，通过向第一电极和第二电极之间施加电场驱动液晶，自薄膜晶体管的输出经由贯通无机绝缘膜或有机绝缘膜的接触孔与透明的第一电极或第二电极电连接，通过将金属配线上的有机绝缘膜的膜厚设置为比包含接触孔的像素显示区域的有机绝缘膜的膜厚厚，在金属配线上形成有机绝缘膜的突起状部，在包含突起状部的倾斜部的图像显示区域形成由第一电极或第二电极构成的像素电极。
【专利说明】液晶显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及横向电场方式的液晶显示装置。
【背景技术】
[0002]在液晶显示装置中，为了实现宽视野角等，开发了使用横向电场或边缘电场在面内控制液晶运动的IPS (In — Plane Switching)方式的液晶显示装置。
[0003]在IPS方式的液晶显示装置中，为了提高开口率、达到高精细，以覆盖数据线的方式形成共用电极。但是，存在若用共用电极覆盖数据线则共用电极和数据线之间的寄生电容增大的问题。
[0004]因此，专利文献I中记载有如下的液晶显示装置，即、具备:具备薄膜晶体管、数据线、像素电极、共用电极的第一基板；第二基板；夹持于上述第一基板与上述第二基板之间的液晶，经由上述数据线向上述薄膜晶体管施加图像信号，在接受上述图像信号的上述像素电极和上述共用电极之间产生电场，通过上述电场，上述液晶在与上述第一基板平行的平面内旋转，其特征在于，上述第一基板具有:覆盖上述数据线的无机绝缘膜、在上述数据线的上方设于上述无机绝缘膜上的突起状的有机绝缘膜、覆盖上述有机绝缘膜且从上方观察时覆盖上述数据线的屏蔽共用电极(请求范围第I项)。
[0005]另外，专利文献2记载了一种如下的使用边缘电场的IPS方式的液晶显示装置，即、为了降低寄生电容，以覆盖源极配线的方式形成突起状的有机膜，以在相邻的像素电极间沿源极配线延伸并同时在有机膜上覆盖源极配线的方式形成对置电极(参照第二实施方式)。
[0006]专利文献1:(日本)特开2004 - 302448号公报
[0007]专利文献2:(日本)特开2009 - 192932号公报
[0008]专利文献I中，为了降低配线与上部电极的寄生电容，形成有突起状的有机绝缘膜，但是，仅为像素电极及共用电极都是梳齿电极的IPS方式，作为配线端部附近的透射区域的利用并不充分。
[0009]另外，专利文献2中，在使用边缘电场的IPS方式中，为了降低寄生电容而在配线上形成有突起状的有机绝缘膜，但由于有机绝缘膜上没有形成像素电极，因此，作为配线端部附近的透射区域的利用并不充分。
[0010]进而，在专利文献I及专利文献2中，突起状的有机绝缘膜的台阶附近的区域由于该台阶而也不能进行良好的摩擦取向处理，产生因液晶取向的杂乱而引起的光泄露。为了防止因该光泄露光漏而引起的对比度的降低，设置有遮光部(黑矩阵等)，因此，开口率及透射率降低。
【发明内容】
[0011]本发明的目的在于，提供一种能解决上述问题并提高像素开口率及透射率的横向电场方式的液晶显示装置。[0012]为了解决上述课题，举出如下本发明的液晶显示装置的一例，该液晶显示装置为横向电场方式，并具有:形成于透明的基板上的金属配线、形成于该金属配线上的无机绝缘膜及有机绝缘膜、在该无机绝缘膜及有机绝缘膜上经由层间绝缘膜以相互对置的方式形成的透明的第一电极及具有条纹状的狭缝构造的透明的第二电极，通过向所述第一电极与所述第二电极之间施加电场，从而驱动液晶，其特征在于，来自薄膜晶体管的输出经由贯通所述无机绝缘膜或所述有机绝缘膜的接触孔与透明的第一电极或第二电极电连接，通过将所述金属配线上的有机绝缘膜的膜厚设置为比包含所述接触孔的像素显示区域的有机绝缘膜的膜厚厚，在所述金属配线上形成有机绝缘膜的突起状部，在包含所述突起状部的倾斜部的图像显示区域形成有由所述第一电极或所述第二电极构成的像素电极。
[0013]本发明的液晶显示装置中，优选的是，所述金属配线为漏极配线及栅极配线的任意一个或两者。
[0014]另外，本发明的液晶显示装置中，优选的是，至少在形成于所述像素显示区域的接触孔未形成所述有机绝缘膜。
[0015]另外，本发明的液晶显示装置中，优选的是，至少形成于所述像素显示区域的所述有机绝缘膜的覆盖面积为显示区域的50%以下。
[0016]另外，本发明的液晶显示装置中，优选的是，在所述透明的第二电极或所述透明的第一电极上设有取向膜，所述取向膜为光取向膜。
[0017]另外，本发明的液晶显示装置中，优选的是，所述透明的第二电极的狭缝终端部形成于所述有机绝缘膜上。
[0018]另外，本发明的液晶显示装置中，优选的是，在所述透明的第二电极的条纹状的狭缝的终端部，成为与正下方的透明的第一电极不重合的配置。
[0019]另外，本发明的液晶显示装置中，优选的是，所述金属配线上的有机绝缘膜的突起状部的倾斜角为10度以上且75度以下，更优选为10度以上且50度以下。
[0020]另外，本发明的液晶显示装置中，优选的是，所述金属配线上的有机绝缘膜被着色。
[0021]另外，本发明的液晶显示装置中，优选的是，所述透明的第一电极为像素电极，具有条纹状的狭缝构造的所述第二电极为共用电极。
[0022]另外，本发明的液晶显示装置中，优选的是，在与漏极配线大致正交的方向形成有具有条纹状的狭缝构造的透明的共用电极，在绿色像素中没有狭缝端部，在蓝色像素和红色像素的相邻的漏极线上形成有狭缝终端部。
[0023]另外，本发明的液晶显示装置中，优选的是，所述透明的第一电极为共用电极，具有条纹状的狭缝构造的所述第二电极为像素电极。
[0024]另外，本发明的液晶显示装置中，优选的是，在与所述有机绝缘膜的突起状部对应的对置基板的位置，在相邻像素间未形成遮光部。
[0025]另外，本发明的液晶显示装置中，优选的是，以与TFT基板上的所述有机绝缘膜的突起状部重合的方式，在对置基板侧形成突起状的柱状衬垫，通过所述有机绝缘膜的突起状部和所述柱状衬垫保持液晶层的单元间隙。
[0026]另外，本发明的液晶显示装置中，优选的是，在与所述突起状的柱状衬垫对应的TFT基板上的所述有机绝缘膜的位置，以埋设所述突起状的柱状衬垫的方式形成由凹部或槽构成的底座凹部。
[0027]另外，本发明的液晶显示装置中，优选的是，所述有机绝缘膜在显示区域的整个外周形成为堤坝状，为包围整个显示区域的构造。
[0028]另外，本发明的液晶显示装置中，优选的是，在整个外周形成为堤坝状的所述有机绝缘膜的宽度比显示区域内部的所述有机绝缘膜的突起状部的宽度宽。
[0029]根据本发明，能提供提高了像素开口率及透射率的横向电场方式的液晶显示装置。
[0030]另外，抑制液晶畴向相邻像素的浸出，进而抑制混色，可使黑矩阵细线化。
【专利附图】
【附图说明】
[0031]图1是本发明实施例1的液晶显示装置的一像素的剖面图；
[0032]图2 (a)、(b)是本发明实施例1的液晶显示装置的一像素的平面图；
[0033]图3是本发明实施例2的液晶显示装置的一像素的剖面图；
[0034]图4 (a)、(b)是本发明实施例2的液晶显示装置的一像素的平面图；
[0035]图5是本发明实施例3的液晶显示装置的一像素的剖面图；
[0036]图6 (a)、(b)是本发明实施例3的液晶显示装置的一像素的平面图；
[0037]图7是本发明实施例4的液晶显示装置的一像素的剖面图；
[0038]图8 (a)、(b)是本发明实施例4的液晶显示装置的一像素的平面图；
[0039]图9是表示本发明实施例5的液晶显示装置的相邻像素的边界附件的平面图；
[0040]图10是表示本发明实施例5的液晶显示装置的相邻像素的边界附近的剖面图；
[0041]图11 (a)、(b)是本发明实施例6的液晶显示装置的一像素的剖面图；
[0042]图12是本发明实施例6的液晶显示装置的一像素的平面图；
[0043]图13是表示本发明实施例7的液晶显示装置的显示区域的角部的平面图；
[0044]图14是现有的液晶显示装置的一像素的剖面图；
[0045]图15是现有的液晶显示装置的一像素的平面图。
[0046]符号说明
[0047]10 TFT 基板
[0048]20 绝缘膜
[0049]25 绝缘膜
[0050]30 漏极配线
[0051]35 栅极配线
[0052]37 共用电极配线
[0053]40 薄膜晶体管(TFT)
[0054]42 源电极
[0055]43 栅电极
[0056]45 接触孔
[0057]50 无机绝缘膜
[0058]55 有机绝缘膜
[0059]60 像素电极[0060]65像素电极的狭缝
[0061]70层间绝缘膜
[0062]80共用电极
[0063]85共用电极的狭缝
[0064]90取向膜
[0065]100对置基板
[0066]110彩色抗蚀剂层
[0067]120黑矩阵(BM)
[0068]130保护层
[0069]140柱状衬垫
[0070]145底座凹部
【具体实施方式】
[0071]首先，在对本发明的实施方式进行说明之前，使用图14及图15对现有的液晶显示装置的一例进行说明。图15是液晶显示装置的一像素的平面图，图14是图15的A — B的剖面图。
[0072]如图5所示，在液晶显示装置中，多个平行的漏极配线(或者源极配线)30和多个平行的栅极配线35相互交叉形成。相邻的漏极配线30和栅极配线35所围成的区域形成一个像素。漏极配线30和栅极配线35与设置于像素的角部的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor:TFT) 40电连接。因此，在TFT基板10上，分别与TFT连接的多个像素配置成矩阵状。
[0073]图14中，在TFT基板10上经由绝缘膜形成有栅极配线35。在栅极配线上经由绝缘膜形成有源电极42。此外，图中未图示，在与源电极42同一面上也形成有漏极配线30。在源电极42上形成有无机绝缘膜，进而在其上形成有规定膜厚的有机绝缘膜55。之后，为了与源电极42电连接，在无机绝缘膜及有机绝缘膜55上开设有接触孔45。在其上形成有像素电极60，在接触孔45中与源电极42电连接。在像素电极60上经由层间绝缘膜70形成有具备条纹状的狭缝85的共用电极80。在共用电极上涂布有取向膜90，通过摩擦处理等形成取向膜。
[0074]另一方面，在对置基板(滤色器基板)100上形成有彩色抗蚀剂层(未图示)、黑矩阵120、保护层130，还在其上形成有取向膜90。
[0075]TFT基板10和对置基板100将液晶层夹持于其间并以规定间隔配置。而且，通过在像素电极60和对置电极80之间形成驱动电场，驱动液晶进行显示。
[0076]在图14所示的液晶显示装置中，在接触孔45形成有膜厚较厚的有机绝缘膜55，因此，导致接触孔的面积增大。在摩擦处理中，在接触孔中形成良好的取向膜比较困难，因此，导致接触孔中产生因液晶的取向混乱而带来的光泄露。为了防止上述情况并对接触孔45进行遮光，需要增大作为遮光金属的源电极42的面积，或者形成黑矩阵120。这样，在现有的液晶显示装置中，接触孔的遮光区域增大，像素开口率降低，透射率得到限制。另外，通过在共用电极80的条纹状的狭缝的端部(梳齿电极端部)产生液晶的反转畴且在与正常的旋转部分的边界产生非透过区域，产生透射率下降。[0077]接着，参照附图对本发明的实施方式进行说明。各图面中，对同一构成要素标注同一符号，省略重复的说明。
[0078]实施例1
[0079]图1及图2表示实施例1的液晶显示装置。图2表示一个像素的平面图，图1表示图2所示一个像素的A — B的剖面图。图2中，图2 (a)表示从漏极配线、栅极配线至像素电极的平面图，图2 (b)表示至最上层的共用电极的平面图。实施例1为残留漏极配线上的有机绝缘膜并同时除去了像素内的有机绝缘膜的大部分的实施例。
[0080]图1中，在由透明的玻璃构成的TFT基板10上形成有绝缘膜20及绝缘膜25，在绝缘膜25上形成有漏极配线30及TFT40的源电极42。此外，如图2所示，在绝缘膜20和绝缘膜25之间形成有栅极配线35。
[0081]在漏极配线30及源电极42上，在整个表面上形成有无机绝缘膜50。而且，在无机绝缘膜50上，为了延长与漏极配线的距离并降低耦合，在漏极配线30上、即在漏极配线延长的方向上形成有突起状的有机绝缘膜55。有机绝缘膜55的厚度例如为约1.5 ii m。关于有机绝缘膜55的形成，例如在整个表面上形成了有机绝缘膜之后，通过除去包含接触孔45的显示区域的有机绝缘膜，仅在漏极配线30上形成有机绝缘膜55。通过对有机绝缘膜进行构图使其残留后进行退火处理，将有机绝缘膜55的端部的倾斜角0控制在例如图所示的约50度。有机绝缘膜55的端部的倾斜角0为10度以上且75度以下，更优选为10度以上且50度以下。此外，有机绝缘膜的端部的倾斜为S字状的截面的情况下，倾斜的中间部和基板面形成的角度设为倾斜角9即可。
[0082]在源电极42上的无机绝缘膜50，在源电极上开设孔，形成接触孔45。
[0083]在显示区域的无机绝缘膜50上及有机绝缘膜55的倾斜部上形成透明的像素电极(第一电极)60。而且，像素电极60经由接触孔45与源电极42电连接。另外，像素电极60也形成于有机绝缘膜55上，在与漏极配线30上的相邻像素的边界部，与相邻的像素电极保持约2 的间隙而形成图案。
[0084]在像素电极60上形成有由无机膜构成的约300nm的均匀厚度的层间绝缘膜70。而且，在其上形成有具有3 宽度的条纹状的狭缝85的透明的共用电极(第二电极)80。共用电极80的条纹状的狭缝85的端部(梳齿电极端部)位于有机绝缘膜的突起状部。进而，在共用电极的整个表面上附着有取向膜90，例如，通过光取向处理形成于取向膜上。通过使用光取向膜，在有机绝缘膜55的倾斜部及接触孔45的台阶部也能实现良好的液晶取向，该部分也能够作为显示区域进行利用。
[0085]如图2 Ca)所示，在漏极配线30上形成有有机绝缘膜55，而且，在包含接触孔45的平坦部及有机绝缘膜55的倾斜部形成有像素电极60，从而形成显示区域。另外，如图2(b)所示，共用电极80的条纹状的狭缝85以与像素电极60重合的方式形成至有机绝缘膜55的突起状部。图中，符号35表示栅极配线，符号40表示TFT。作为TFT，可以是aSi —TFT、或者低温多晶硅、或者氧化物(IGZO)TFT。另外，有机绝缘膜55也可着色，在该情况下，可以防止来自相邻像素的混色。
[0086]此外，在本实施例中，对漏极配线30上形成有机绝缘膜55且将漏极配线间的平坦部的有机绝缘膜的大部分除去的例子进行了说明，但很明显，即便使漏极配线上的有机绝缘膜的膜厚比漏极配线间的平坦部的有机绝缘膜的膜厚厚，也能够得到同等的效果。需要说明的是，尽可能使接触孔部附近的有机绝缘膜的膜厚变薄为宜，优选在接触孔部不形成有机绝缘膜。例如，即便有机绝缘膜占显示区域的覆盖面积为50%以下，也能够得到充分的效果。
[0087]根据本实施例，相对于目前在整个表面上设置有机绝缘膜，通过去除包含接触孔部的显示区域的有机绝缘膜，能够缩小接触孔的区域。由此，能够减少接触孔遮光面积，扩大像素开口率并提高透射率。
[0088]另外，通过在漏极配线的配线区域、即与相邻像素的边界区域上残留有机绝缘膜，像素边界被窄间隙化，从而抑制液晶的弹性效果带来的液晶畴向畴相邻像素的浸出。由此，抑制与相邻像素的混色，可以实现设置于滤色器基板的黑矩阵BM的细线化、甚至BM的消除。
[0089]进而，在梳齿端部、即共用电极的条纹状的狭缝的端部，通过窄间隙化，能够抑制梳齿电极端部的液晶的反转畴带来的透射率的下降。
[0090]实施例2
[0091]图3及图4表示实施例2的液晶显示装置。图4表示一个像素的平面图，图3表示图4所示的一个像素的A — B的剖面图。图4中，图4 (a)表示从漏极配线、栅极配线至像素电极的平面图、图4 (b)表示至最上层的共用电极的平面图。实施例2是残留栅极配线上的有机绝缘膜并同时除去了像素内的有机绝缘膜的大部分的实施例。
[0092]本实施例中，在图4中，在形成于横方向的栅极配线35的上部构图并残留约2 iim的膜厚的有机绝缘膜55，进行退火处理，由此，将有机绝缘膜的端部的倾斜角形成为例如约40度。在其上以经由接触孔45与TFT的源电极42电连接的方式设置透明的像素电极(第一电极)60。在其上形成有由无机膜构成的约200nm的均匀厚度的层间绝缘膜70，进而在其上形成有具有3 宽度的条纹状的狭缝85的透明的共用电极(第二电极)80。本实施例中，如图4 (b)所示，共用电极的条纹状的狭缝85在纵方向上以狭缝的端部位于有机绝缘膜55的倾斜部的方式形成。
[0093]本实施例中，与实施例1相同，通过将包含接触孔的显示区域的有机绝缘膜的膜厚减薄、优选进行除去，由此，能够缩小接触孔的区域。由此，能够减少接触孔遮光面积，扩大像素开口率并提高透射率。
[0094]另外，通过在栅极配线的配线区域、即与相邻像素的边界区域上残留有机绝缘膜，像素边界被窄间隙化，抑制因液晶的弹性效果带来的液晶畴向畴相邻像素的浸出。由此，抑制与相邻像素的混色，可以实现设置于滤色器基板的黑矩阵BM的细线化、甚至BM的消除。
[0095]另外，在梳齿端部、即共用电极的条纹状的狭缝的端部，通过窄间隙化，能够抑制因梳齿电极端部的液晶的反转畴带来的透射率的下降。
[0096]实施例3
[0097]图5及图6表不实施例3的液晶显不装置。图6表不一个像素的平面图，图5表示图6所示的一个像素的A — B的剖面图。图6中，图6 (a)表示从漏极配线、栅极配线至共用电极的平面图，图6 (b)表示至最上层的像素电极的平面图。实施例3是残留栅极配线上的有机绝缘膜同时除去了像素内的有机绝缘膜的大部分的实施例。
[0098]在实施例3中，如图6所示，在横方向上具备共用电极配线37，经由接触孔与共用电极电连接。与实施例2相同，在栅极配线35的上部构图并残留约2 的膜厚的有机绝缘膜55，进行退火处理，由此，将有机绝缘膜55的端部的倾斜角0形成为例如约40度。在其上，透明的共用电极80经由接触孔45与共用电极配线37电连接。共用电极80在与栅极配线35上的相邻像素的边界部与相邻的共用电极保持约3 u m的间隙而构图形成。在其上，形成有由无机膜构成的约200nm的均匀厚度的层间绝缘膜70，进而，在其上形成有具有3um宽度的条纹状的狭缝65的透明的像素电极60。像素电极60经由接触孔45与TFT的源电极42电连接。
[0099]在本实施例中，也与实施例1相同，通过去除包含用于与共用电极配线37的连接的接触孔、及用于与源电极42的连接的接触孔的显示区域的有机绝缘膜，能够缩小接触孔的区域。由此，能够减少接触孔遮光面积，扩大像素开口率并提高透射率。
[0100]另外，通过在栅极配线的配线区域、即与相邻像素的边界区域残留有机绝缘膜，像素边界被窄间隙化，抑制因液晶弹性带来的液晶畴向畴相邻像素的浸出。由此，抑制与相邻像素的混色，另外，可以实现设置于滤色器基板的黑矩阵BM的细线化。
[0101]进而，在梳齿端部、即像素电极的条纹状的狭缝的端部，通过窄间隙化，能够抑制梳齿电极端部的液晶的反转畴带来的透射率的下降。
[0102]实施例4
[0103]图1及图8表不实施例4的液晶显不装置。图8表不一个像素的平面图，图7表示图8所示的一个像素的A — B的剖面图。图8中，图8 (a)表示从漏极配线、栅极配线至像素电极的平面图、图8 (b)表示至最上层的共用电极的平面图。实施例4是残留漏极配线及栅极配线上的有机绝缘膜并同时除去了像素内的有机绝缘膜的大部分的实施例。
[0104]在由透明的玻璃构成的TFT基板10上的漏极配线30及栅极配线35的上部，构图并残留约2 u m的膜厚的有机绝缘膜55，进行退火处理，由此，将有机绝缘膜55的端部的倾斜角9形成为例如约50度。在其上，透明的像素电极60经由接触孔45与TFT的源电极42电连接。像素电极60在与漏极配线30上的相邻像素的边界部与相邻的像素电极保持约2um的间隙而构图形成。在其上，形成有由无机膜构成的约150nm的均匀厚度的层间绝缘膜70，进而在其上形成有具有3 u m宽度的条纹状的狭缝85的透明的共用电极80。本实施例，如图8 (b)所示，共用电极的条纹状的狭缝85在横方向上在上半部和下半部具有一点角度，狭缝的端部以位于有机绝缘膜55的倾斜部的方式形成。通过该上半部和下半部，液晶的旋转方向被逆转，由此，抑制因上下左右方向的视野角弓I起色相的变化。
[0105]本实施例中，也与实施例1相同，通过去除包含用于与源电极42的连接的接触孔的显示区域的有机绝缘膜的大部分，能够缩小接触孔的区域。由此，能够减少接触孔遮光面积，扩大像素开口率并提高透射率。
[0106]另外，通过在漏极配线的配线区域及栅极配线的配线区域、即与相邻像素的边界区域残留有机绝缘膜，像素边界被窄间隙化，抑制因液晶弹性带来的液晶畴向畴相邻像素的浸出。由此，抑制与相邻像素的混色，另外，可以实现设置于滤色器基板的黑矩阵BM的细线化，甚至BM的消除。
[0107]进而，如图7的放大平面图所示，在梳齿端部、即共用电极的条纹状的狭缝的端部，液晶单元间隙减小。因此，能够提高驱动电压，抑制反转畴的产生，抑制因反转畴带来的透射率的下降。
[0108]实施例5[0109]图9及图10表示实施例5的液晶显示装置。图9表示邻接的两个像素的边界附近的平面图，图10表示图9所示的像素的边界附近的A — B的剖面图。实施例5是在实施例1的液晶显示装置中在共用电极的条纹状狭缝的端部的正下方没有像素电极的结构的实施例。
[0110]图9及图10中，在漏极配线30的上部形成有有机绝缘膜55，在其上形成有像素电极60。而且，在其上经由层间绝缘膜70形成有共用电极80。
[0111]在本实施例中，设置成如下配置，即，特别是延长共用电极80的条纹状的狭缝85的长度，在条纹状的狭缝的终端部没有与正下方的像素电极60重合的配置。
[0112]根据本实施例，在实施例1的效果的基础上，由于在条纹状的狭缝的终端部没有像素电极，所以狭缝终端部不会产生边缘电场，不会发生液晶的旋转。由此，能够抑制梳齿电极端部的反转畴的产生，能够抑制显示像素的透射率的下降。另外，这样，相邻像素的边界附近的电极配置构成在通过支配视觉透射率的绿色像素的两侧的漏极配线进行实施的情况下，可得到最高的透射率改善效果。另外，该情况下，通过在蓝色像素和红色像素的相邻的漏极配线上设置条纹状狭缝电极的终端部，能够将条纹电极电连接并使它们的电位稳定化。
[0113]实施例6
[0114]图11及图12表示实施例6的液晶显示装置。图12表示一个像素的平面图，图11表示图12所示的像素的A — B的剖面图。实施例6是在实施例4的液晶显示装置中设置了用于使单元间隙稳定化的柱状衬垫的实施例。
[0115]图11 (a)所示的实施例中，以与TFT基板10上的有机绝缘膜55重合的方式在对置基板(滤色器CF基板)100侧形成突起状的柱状衬垫140，通过有机绝缘膜55和柱状衬垫140保将液晶层的单元间隙。此外，如图12所示，柱状衬垫在漏极配线或者栅极配线上、SP多个像素上设置一个左右。
[0116]根据该实施例，在扩大实施例4等的像素开口率提高透射率的效果的基础上，还有可实现液晶单元间隙的稳定化的效果。尤其是目前柱状衬垫形成于对置基板(滤色器CF基板)，并以在漏极配线或者栅极配线等的平坦的场所进行接地的方式设置，但通过设置于与有机绝缘膜重合的位置，能够缩短柱状衬垫的高度，制造变得容易。
[0117]在图11(b)所示的实施例中，在与形成于对置基板100上的突起状的柱状衬垫140相对应的有机绝缘膜55的位置，以埋设柱状衬垫形成由凹部或者槽构成的底座凹部145。
[0118]根据该实施例，在图11 Ca)的实施例的效果的基础上，还具有利用埋设了柱状衬垫的底座凹部能够防止上下基板的位置错位的效果。
[0119]另外，在实施例1的液晶显示装置中，为了使单元间隙稳定化，通过这样使用图11(a)或图11 (b)那样的柱状衬垫，可得到单元间隙的稳定化和防止上下位置错位的效果，通过以在对置的TFT基板10上的没有有机绝缘膜的栅极配线上的平坦的场所进行接地的方式与对置基板100上形成的突起状的柱状衬垫进行组合，可以进一步提高液晶单元间隙的稳定性。
[0120]实施例7
[0121]图13表示实施例7的液晶显示装置。图13表示放大液晶显示装置的整个显示区域的一个角部的平面图。实施例7为在显示区域的整个外周上堤坝状地形成有机绝缘膜并包围整个显示区域的结构的实施例。
[0122]本实施例中，在漏极配线30上堤坝状地形成有机绝缘膜55。而且，在TFT基板的显示区域外周部，除漏极配线30外，在栅极配线35上也堤坝状地形成有机绝缘膜55。将外周部的有机绝缘膜的图案宽度形成为比像素内部的图案宽幅更宽。由此，在通过印刷及喷墨等涂布取向膜时，取向膜不会浸出，能够提高边缘精度。
[0123]另外，在形成对置基板的柱状衬垫时，在对置基板的显示区域外周部也堤坝状地形成有机绝缘膜图案，由此，当通过印刷及喷墨等形成取向膜的涂布膜时，能够提高边缘精度。
【权利要求】
1.一种液晶显示装置，其为横向电场方式，并具有:形成于透明的基板上的金属配线、形成于该金属配线上的无机绝缘膜及有机绝缘膜、在该无机绝缘膜及有机绝缘膜上经由层间绝缘膜以相互对置的方式形成的透明的第一电极及具有条纹状的狭缝构造的透明的第二电极，通过向所述第一电极与所述第二电极之间施加电场，从而驱动液晶，其特征在于， 来自薄膜晶体管的输出经由贯通所述无机绝缘膜或所述有机绝缘膜的接触孔与透明的第一电极或第二电极电连接， 通过将所述金属配线上的有机绝缘膜的膜厚设置为比包含所述接触孔的像素显示区域的有机绝缘膜的膜厚厚，在所述金属配线上形成有机绝缘膜的突起状部， 在包含所述突起状部的倾斜部的图像显示区域形成有由所述第一电极或所述第二电极构成的像素电极。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于， 所述金属配线为漏极配线及栅极配线的任意一个或两者。
3.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于， 至少在形成于所述像素显示区域的接触孔未形成所述有机绝缘膜。
4.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于， 至少形成于所述像素显示区域的所述有机绝缘膜的覆盖面积为显示区域的50%以下。
5.如权利要求1所述 的液晶显示装置，其特征在于， 在所述透明的第二电极或所述透明的第一电极上设有取向膜， 所述取向膜为光取向膜。
6.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于， 所述透明的第二电极的狭缝终端部形成于所述有机绝缘膜上。
7.如权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于， 在所述透明的第二电极的条纹状的狭缝的终端部，成为与正下方的透明的第一电极不重合的配置。
8.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于， 所述金属配线上的有机绝缘膜的突起状部的倾斜角为10度以上且75度以下，更优选为10度以上且50度以下。
9.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于， 所述金属配线上的有机绝缘膜被着色。
10.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于， 所述透明的第一电极为像素电极，具有条纹状的狭缝构造的所述第二电极为共用电极。
11.如权利要求10所述的液晶显示装置，其特征在于， 在与漏极配线大致正交的方向形成有具有条纹状的狭缝构造的透明的共用电极，在绿色像素中没有狭缝端部，在蓝色像素和红色像素的相邻的漏极线上形成有狭缝终端部。
12.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于， 所述透明的第一电极为共用电极，具有条纹状的狭缝构造的所述第二电极为像素电极。
13.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，在与所述有机绝缘膜的突起状部对应的对置基板的位置，在相邻像素间未形成遮光部。
14.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于， 以与TFT基板上的所述有机绝缘膜的突起状部重合的方式，在对置基板侧形成突起状的柱状衬垫，通过所述有机绝缘膜的突起状部和所述柱状衬垫保持液晶层的单元间隙。
15.如权利要求14所述的液晶显示装置，其特征在于， 在与所述突起状的柱状衬垫对应的TFT基板上的所述有机绝缘膜的位置，以埋设所述突起状的柱状衬垫的方式形成由凹部或槽构成的底座凹部。
16.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于， 所述有机绝缘膜在显示区域的整个外周形成为堤坝状，为包围整个显示区域的构造。
17.如权利要求16所述的液晶显示装置，其特征在于， 在整个外周形成为堤坝状的所述有机绝缘膜的宽度比显示区域内部的所述有机绝缘膜的突起状部的宽度宽。
【文档编号】G02F1/1368GK103529575SQ201310257745
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年6月26日 优先权日:2012年7月4日
【发明者】富冈安, 松井庆枝, 国松登, 园田英博 申请人:株式会社日本显示器