一种校正曝光图形的掩模板的制作方法

本实用新型涉及一种掩模板，具体涉及一种校正曝光图形的掩模板，属于半导体技术领域。

背景技术：

光刻是利用光刻胶的感光性及抗蚀性，形成与掩模板图形一致或者相补的感光区域。光刻技术是高精度微几何形状图形化最有效的手段之一，它可以大规模复制微细胞图形进行生产，是半导体技术图形化转移常用的技术手段。

目前，光刻可在小面积或极限曝光面积下进行，其具体光路如图1、图2所示，镜头1通过光路2照射在掩膜板3上。实际生产中采用的掩模板如图3所示，该掩膜板包括掩膜板本体4，掩膜板本体4上的中心图案6为圆形，边缘图案7也为圆形，即掩膜板上所有图案均为圆形。

步进式曝光机的曝光面积为5mm*5mm，极限曝光面积为20mm*20mm。生产中采用的光刻工艺流程具体为：首先在衬底上根据预定的制程进行涂胶作业，将涂胶合格的衬底放置在步进式曝光机中，选择5mm*5mm的掩模板进行曝光作业，然后将曝光后的片子进行显影，检查显影后发现最后得到的光刻胶图案与曝光掩模板图案一致，即当曝光面积为5mm*5mm时，采用图3所示掩膜板得到光刻胶图案也都为图3中一致的圆形。

但采用结构如图3所示的掩模板在极限曝光面积20mm*20mm下进行光刻时，检查显影后曝光图案如图4所示，该实际曝光图案中靠近边缘区域图案慢慢不再是圆形而是接近椭圆形，即与图3中掩模板图案相比，其在边缘区域部分的曝光图案由圆形边缘图案5变为椭圆形边缘失真图案7，所以边缘区域转移失真情况严重。

技术实现要素：

针对上述现有技术存在的问题，本实用新型提供一种校正曝光图形的掩模板，提高极限曝光面积下图案转移的精确度。

为了实现上述目的，本实用新型采用的一种校正曝光图形的掩模板，包括掩膜板本体，所述掩膜板本体上设有中心图案和边缘校正图案，所述边缘校正图案与边缘失真图案垂直。

作为改进，所述边缘校正图案为椭圆形。

作为改进，所述中心图案为圆形。

与现有技术相比，本实用新型的掩模板通过改变掩模板的图案结构来实现，掩模板本体上边缘校正图案与边缘失真图案垂直。本新型从掩模板入手，提出了极限曝光下校正其图案的技术手段，极限曝光时图案采用特定的掩模板可以校正图案形状，提高光刻工艺的生产良率，降低生产损失。

附图说明

图1为小面积曝光场光路示意图；

图2为极限面积曝光场光路示意图；

图3为极限曝光场下掩模板图案；

图4为极限曝光面积下采用图3中掩膜板的实际曝光图案；

图5为校正后掩模板图案示意图；

图6为校正后掩模板的曝光图案；

图中：1、镜头，2、光路，3、掩膜板，4、掩膜板本体，5、边缘图案，6、中心图案，7、边缘失真图案，8、边缘校正图案。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面通过附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。但是应该理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限制本实用新型的范围。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术术语和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同，本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。

如图5所示，一种校正曝光图形的掩模板，包括掩膜板本体4，所述掩膜板本体4上设有中心图案6和边缘校正图案8，所述边缘校正图案8与边缘失真图案7垂直。同时当图4中的边缘失真图案7为椭圆时，图5的掩膜板本体4中的边缘校正图案8也为椭圆形，另外，对比图3、图4发现，掩膜板本体4上的中心图案6经曝光后无失真，因此，本实用新型的掩膜板本体4上的中心图案6依然采用圆形。

当极限曝光面积为20mm*20mm时，将原有掩膜板本体4上圆形的边缘图案5人为修正为椭圆形的边缘校正图案8(椭圆的大小根据曝光变形情况设定，椭圆两轴相对于圆直径，修正0-5％)，但是其排列与图4中得到的边缘光刻胶图案垂直，即需要边缘校正图案8与边缘失真图案7垂直，另外，由于图4中曝光图案是从中心区域靠近边缘区域慢慢由圆形变为椭圆形的，因此本实用新型的掩膜板本体4上的图案，也采用从圆形中心图案6渐变为椭圆形的边缘校正图案8，且始终满足校正掩膜板上图案与曝光失真图案垂直。采用本实用新型的校正后的掩膜板进行光刻工艺流程，显影后检查图案发现边缘区域为圆形，没有出现图案变形失真的情况，具体曝光图案如图6所示。

本实用新型的校正曝光图形的掩模板通过改变掩模板的图案结构来实现，该掩模板边缘区域的图案与曝光使用的校正前掩模板边缘区域发生变形的图案垂直。本新型从掩模板入手，提出了极限曝光下校正其图案的技术手段，极限曝光时图案采用特定的掩模板可以校正图案形状，提高光刻工艺的生产良率，降低生产损失。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。