一种掩膜板及其制备方法、掩膜板的回收方法
【技术领域】
[0001]本发明属于显示技术领域，具体涉及一种掩膜板及其制备方法、掩膜板的回收方法。
【背景技术】
[0002]如图1所示，掩膜板的结构通常包括在基板I上设置的一层掩模图形2 (通常为铬(Cr)层)，以及掩模图形2四周的框架3和设置在其表面的薄膜4。而正是基于这种结构，导致掩膜板经长期使用后，掩模图形2的材料会扩散到基板I上，因此，在掩膜板回收时存在诸多冋题。
[0003]现有的掩膜板回收方法主要有两种，第一种是正常回收法，首先将掩模图形2四周的框架3和设置在其表面的薄膜4去除，使掩模图形2裸露出来(如图2)，然后进行刻蚀工艺，将基板I上的掩模图形2去除(如图3)，由于掩模图形2材料的扩散，在进行刻蚀工艺后，基板I上表面会有掩模图形2材料残留5，这种情况在微观下观察不出异状，但在宏观方面，人眼能微弱地看到有图形的残留，称之为“鬼影”，这会影响掩模板的使用，从而降低产品的良率；第二种是抛光回收法，也就是在第一种方法的基础上，再进行一次抛光工艺，将被掩模图形2材料扩散影响的基板I的层面去除(如图4)，采用该方法，抛光工艺将被掩模图形2材料扩散影响的基板I的层面(S卩，抛光工艺去除的基板11)去除，不仅抛光工艺成本高昂，而且会使基板I的厚度变薄(即，抛光工艺处理后剩余基板12)，一般基板I的规格为10±0.2，而每次抛光会使其至少减少0.1o
[0004]因此，现有技术中至少存在以下问题:
[0005]第一，由于掩膜图形2是直接设置在基板I上的，掩膜板经长期使用后，掩模图形2的材料会扩散到基板I上，导致在去除掩膜图形2后，基板I表面出现“鬼影”现象；
[0006]第二，上述出现“鬼影”现象的掩膜板在回收过程中，会出现“鬼影”现象无法清除或经抛光工艺后基板I的厚度减小从而导致成本增加的问题。
【发明内容】
[0007]本发明针对现有的去除掩模图形材料后的基板会产生的“鬼影”现象，且回收成本昂贵的问题，提供一种能够克服去除掩模图形材料后的基板会产生的“鬼影”现象，且成本低廉，不需减小基板厚度的掩膜板及其制备方法、掩膜板的回收方法。
[0008]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种掩膜板，包括基板以及设置在所述基板上的掩膜图形，其中，在所述基板和所述掩膜图形之间还设置有牺牲层，所述牺牲层用于将所述掩膜图形和所述基板相隔离。
[0009]优选地，所述牺牲层覆盖整个基板或所述牺牲层和所述掩膜图形的图形相同。
[0010]优选地，所述牺牲层的材料包括透明材料。
[0011]进一步优选地，当所述牺牲层和所述掩膜图形的图形相同时，所述牺牲层的材料包括非金属材料。
[0012]优选地，所述牺牲层的折射率为I?1.5。
[0013]作为另一技术方案，本发明还提供一种掩膜板的制备方法，包括:
[0014]在基板之上形成牺牲层和掩膜图形，所述牺牲层位于所述基板和所述掩膜图形之间，所述牺牲层用于将所述掩膜图形和所述基板相隔离。
[0015]优选地，所述在基板之上形成牺牲层和掩膜图形包括:
[0016]在所述基板之上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖整个基板；
[0017]在所述牺牲层之上形成掩膜图形材料层，对掩膜图形材料层进行构图工艺形成掩膜图形；
[0018]或，
[0019]在所述基板之上连续形成牺牲层材料层和掩膜图形材料层；
[0020]对牺牲层材料层和掩膜图形材料层进行构图工艺形成牺牲层和掩膜图形。
[0021]优选地，所述牺牲层的材料包括透明材料。
[0022]进一步优选地，当所述在基板之上形成牺牲层和掩膜图形包括:
[0023]在所述基板之上连续形成牺牲层材料层和掩膜图形材料层；
[0024]对牺牲层材料层和掩膜图形材料层进行构图工艺形成牺牲层和掩膜图形时，所述牺牲层的材料包括非金属材料。
[0025]作为又一技术方案，本发明还提供一种掩膜板的回收方法，所述掩膜板上述任意一项所述的掩膜板，所述回收方法包括:
[0026]去除所述掩膜图形和所述牺牲层。
[0027]本发明的掩膜板及其制备方法中，通过在基板和掩膜图形之间的牺牲层，隔离掩膜图形和基板，从而改善掩模板在长期使用后，去除掩膜图形后产生的“鬼影”现象，从而提高产品良率。且本发明的掩膜板相较于现有技术的掩膜板，增加的成本不高，工艺过程也是十分简单，还能有效增加掩模板的透过率。
[0028]本发明的掩膜板的回收方法，对本发明的掩膜板进行回收，去除掩膜图形和牺牲层，由于掩膜图形和基板并不是直接接触的，因此，基板表面不存在“鬼影”现象；另外，本发明的回收方法，不需要抛光工艺，也不需要减小基板的厚度，可以有效节约回收成本，能够实现掩膜板的多次回收利用。
【附图说明】
[0029]图1为现有的掩膜板的结构示意图；
[0030]图2为现有的第一种掩膜板回收方法的步骤I处理后的掩膜板的结构示意图；
[0031]图3为现有的第一种掩膜板回收方法的步骤2处理后的掩膜板的结构示意图；
[0032]图4为现有的第二种掩膜板回收方法的抛光工艺处理后的掩膜板的结构示意图；
[0033]图5为本发明实施例2提供的一种掩膜板的结构示意图；
[0034]图6为本发明实施例3提供的一种掩膜板的结构示意图；
[0035]图7为本发明实施例4提供的一种掩膜板的制备方法的工艺流程图；
[0036]图8A为本发明实施例4中形成牺牲层的示意图；
[0037]图8B为本发明实施例4中形成掩模图形的示意图；
[0038]图9为本发明实施例5提供的一种掩膜板的制备方法的工艺流程图；
[0039]图1OA为本发明实施例5中形成牺牲层和掩模图形的示意图；
[0040]图1OB为本发明实施例5中经构图工艺后牺牲层和掩模图形的示意图；
[0041]其中，附图标记为:1、基板；2、掩模图形；3、框架；4、薄膜；5、掩模图形材料残留；11、抛光工艺去除的基板；12、抛光工艺处理后剩余的基板；8、牺牲层。
【具体实施方式】
[0042]为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细描述。
[0043]实施例1:
[0044]本实施例提供一种掩膜板，包括基板以及设置在基板上的掩膜图形，其中，在基板和掩膜图形之间还设置有牺牲层，牺牲层用于将掩膜图形和基板相隔离。
[0045]本实施例的掩膜板，通过在基板和掩膜图形之间的牺牲层，所述牺牲层采用容易去除的材料，这样利用所述牺牲层隔离掩膜图形和基板，从而改善掩模板在长期使用后，去除掩膜图形后产生的“鬼影”现象，提高了产品良率。且本发明的掩膜板相较于现有技术的掩膜板，增加的成本不高，工艺过程也是十分简单，还能有效增加掩模板的透过率。
[0046]实施例2:
[0047]如图5所示，本实施例提供一种掩膜板，该掩膜板包括基板I以及设置在基板I上的掩膜图形2，其中，在基板I和掩膜图形2之间还设置有牺牲层8，牺牲层8用于将掩膜图形2和基板I相隔呙。
[0048]进一步地，该掩膜板还包括框架3和薄膜4。框架3、薄膜4等结构的设置方法与现有技术相同，在此不再赘述。
[0049]在本实施例中，基板I的材料以玻璃为例进行说明，当然，本发明的掩膜板的基板I的材料并不局限于此。
[0050]优选地，牺牲层8覆盖整个基板I。之所以如此设置，是由于当牺牲层8为覆盖整个基板I时，只需要一次沉积工艺即可，不需要对该牺牲层8进行刻蚀，可以在很大程度上使制备步骤简易。
[0051]进一步优选地，牺牲层8的材料包括透明材料。之所以如此设置，是由于透明材料可以有效提高透光率，例如，该透明材料可以为聚氨酯或者聚甲基丙烯酸甲酯等。
[0052]优选地，牺牲层8的折射率为I?1.5。之所以如此设置，是由于折射率为I?1.5的材料具有一定的增透效果，具体计算方法如下:
[0053]反射率r = (H1-1i2)V(Ii^n2)2, η为材料的折射率，空气的折射率为1.0，玻璃的折射率约为1.5，假设牺牲层8材料的折射率为1.3，那么，现有掩膜板的基板I与空气的反射率为:r = (1.5-1.0)2/(1.5+1.0)2= 4%,因此，现有掩膜板的最终透过率为；T =1-4% -4%= 92%。
[0054]同理，本发明的掩膜板:
[0055](I)基板 I 和牺牲层 8 的反射率为:r = (1.5-1.3)2/(1.5+1.3)2= 0.5% ；
[0056](2)牺牲层 8 和空气的反射率为:r = (1.3-1.0)2/(1.3+1.0)2= 1.7% ；
[0057]因此，本发明的掩膜板的最终透过率为；T = 1-1.7% -0.5% ~4%= 93.20Z0o
[0058]也就是说，当牺牲层8材料的折射率为1.3时，本发明的掩膜板的透光率相较于现有技术中的掩膜板的透光率增加了 1.2%，即具有增透效果。
[0059]当然，本实施例的牺牲层8材料并不唯一，还可进行许多变化；只要该牺牲层8的材料的折射率为I?1.5，即可提高掩膜板的透过率。
[0060]当然，可以理解的是，牺牲层8的材料应至少具有容易清除的优点，以使本发明的掩膜板在回收时，牺牲层8容易被刻蚀清除。
[0061]本实施例的掩膜板，通过在基板I和掩膜图形2之间的牺牲层8，隔离掩膜图形2和基板1，从而改善掩模板在长期使用后，去除掩膜图形2后在基板I表面产生的“鬼影”现象，提高了产品良率；由于牺牲层8被设置为覆盖整