一种阵列基板、显示面板及显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，尤指一种阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术：

液晶显示技术广泛应用于电视、手机以及公共信息显示，是目前使用最为广泛的显示技术。液晶显示的画面质量是这些产品成功的重要条件。

液晶显示面板通常是由阵列基板和对向基板对盒组成并灌注液晶制成。一般地，现有的阵列基板包括：交叉设置的多条栅线和多条数据线，栅线和数据线在交叉处附近设置有薄膜晶体管，相邻的栅线和相邻的数据线限定一个像素单元，该像素单元所在区域设置有像素电极，薄膜晶体管的源极与数据线电性连接，薄膜晶体管的漏极与像素电极的连接部电性连接。但是，数据线的信号会对像素电极上的电压产生干扰，进而会影响显示质量。

因此，如何避免数据线的信号对像素电极上的电压产生的干扰现象，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，可以屏蔽数据线信号对像素电极的连接部上电压的影响，进而可以改善显示质量。

因此，本实用新型实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的多条栅线、多条数据线和多条公共电极线，设置在相邻的所述栅线和相邻的所述数据线限定区域内的像素电极，以及设置在所述栅线和所述数据线交叉位置附近的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极通过过孔与所述像素电极电性连接；

所述公共电极线具有延伸方向与所述栅线延伸方向相同的主电极线，以及与所述主电极线并联的分支电极线；

所述分支电极线包括至少一条第一分支电极线；所述第一分支电极线位于所述过孔和所述数据线之间；

所述过孔位于所述主电极线与所述栅线之间。

在一种可能的实现方式中，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述第一分支电极线具体位于所述过孔和最邻近所述过孔一侧的所述数据线之间；和/或，

所述第一分支电极线具体位于所述过孔和与最邻近所述过孔一侧的所述数据线相对的另一侧的所述数据线之间。

在一种可能的实现方式中，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述第一分支电极线的延伸方向与所述数据线的延伸方向相同。

在一种可能的实现方式中，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述第一分支电极线的长度大于所述过孔的中心与所述主电极线之间的距离。

在一种可能的实现方式中，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述第一分支电极线有两条时，两条所述第一分支电极线分别位于所述过孔的两侧，且与所述过孔的中心的距离相同。

在一种可能的实现方式中，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述分支电极线还包括至少一条第二分支电极线；所述第二分支电极线位于所述像素电极的边缘区域，所述第二分支电极线与所述第一分支电极线分别位于所述主电极线的两侧。

在一种可能的实现方式中，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述第二分支电极线与所述第一分支电极线相互平行或位于同一条直线上。

在一种可能的实现方式中，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述主电极线与所述分支电极线一体成型。

本实用新型实施例还提供了一种显示面板，包括本实用新型实施例提供的上述阵列基板。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括本实用新型实施例提供的上述显示面板。

本实用新型实施例的有益效果包括：

本实用新型实施例提供的一种阵列基板、显示面板及显示装置，包括：衬底基板，设置在衬底基板上的多条栅线、多条数据线和多条公共电极线，设置在相邻的栅线和相邻的数据线限定区域内的像素电极，以及设置在栅线和数据线交叉位置附近的薄膜晶体管，薄膜晶体管的漏极通过过孔与像素电极电性连接；公共电极线具有延伸方向与栅线延伸方向相同的主电极线，以及与主电极线并联的分支电极线；分支电极线包括至少一条第一分支电极线；第一分支电极线位于过孔和数据线之间；过孔位于主电极线与栅线之间。由于本实用新型提供的上述阵列基板中在过孔和数据线之间设置有第一分支电极线，该第一分支电极线可以屏蔽数据线信号对像素电极的连接部上电压的影响，进而可以改善显示质量。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的阵列基板的俯视图之一；

图2为本实用新型实施例提供的阵列基板的俯视图之二；

图3为本实用新型实施例提供的阵列基板的俯视图之三；

图4为本实用新型实施例提供的阵列基板的俯视图之四；

图5为图4沿A-A’方向的剖面结构示意图；

图6为图4沿B-B’方向的剖面结构示意图；

图7为本实用新型实施例提供的阵列基板的制作方法流程图。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。

其中，附图中各膜层的厚度和形状不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本实用新型内容。

本实用新型实施例提供了一种阵列基板，如图1至图4所示，包括：衬底基板，设置在衬底基板上的多条栅线1、多条数据线2和多条公共电极线3，设置在相邻的栅线1和相邻的数据线2限定区域内的像素电极4，以及设置在栅线1和数据线2交叉位置附近的薄膜晶体管(图中示出了薄膜晶体管的栅极5、源极6和漏极7)，薄膜晶体管的漏极7通过过孔8与像素电极4电性连接(图中示出了薄膜晶体管的漏极7通过过孔8与像素电极4的连接部41电性连接)；

公共电极线3具有延伸方向与栅线1延伸方向相同的主电极线31，以及与主电极线31并联的分支电极线；

分支电极线包括至少一条第一分支电极线32(图中圆形虚线处标注)；第一分支电极线32位于过孔8和数据线2之间；

过孔8位于主电极线31与栅线1之间。

需要说明的是，由于第一分支电极线32位于过孔8和数据线2之间，且过孔8位于主电极线31与栅线1之间，因此第一分支电极线32位于主电极线31的一侧，即主电极线31靠近薄膜晶体管的一侧(图中示出的是下侧)。另外，第一分支电极线32的数量不仅仅限于图1和图3示出的一条，以及图2和图4示出的两条，还可以其它条数，可以根据实际情况而定，在此不做限定。

在本实用新型实施例提供的上述阵列基板，包括：衬底基板，设置在衬底基板上的多条栅线、多条数据线和多条公共电极线，设置在相邻的栅线和相邻的数据线限定区域内的像素电极，以及设置在栅线和数据线交叉位置附近的薄膜晶体管，薄膜晶体管的漏极通过过孔与像素电极电性连接；公共电极线具有延伸方向与栅线延伸方向相同的主电极线，以及与主电极线并联的分支电极线；分支电极线包括至少一条第一分支电极线；第一分支电极线位于过孔和数据线之间；过孔位于主电极线与栅线之间。由于本实用新型提供的上述阵列基板中在过孔和数据线之间设置有第一分支电极线，该第一分支电极线可以屏蔽数据线信号对像素电极的连接部上电压的影响，进而可以改善显示质量。

进一步地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，为了能够确保屏蔽数据线信号对像素电极的连接部上电压的影响，如图1至图4所示，第一分支电极线32可以具体位于过孔8和最邻近过孔8一侧(图中示出的是左侧)的数据线2之间；和/或，

如图2和图4所示，第一分支电极线32可以具体位于过孔8和与最邻近过孔8一侧的数据线相对的另一侧(图中示出的是右侧)的数据线2之间。

以上对于第一分支电极线具体位置的两种设置方式，均可以对像素电极的连接部起到屏蔽的作用，不会造成由于数据线信号或其他信号而出现影响像素电极上的电压的问题。

在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，为了使布线简易，制作工艺简单化，如图1至图4所示，第一分支电极线32的延伸方向可以与数据线2的延伸方向设置为相同的(图中示出了第一分支电极线32可以沿数据线2的延伸方向向下延伸)。

进一步地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，如图1至图4所示，第一分支电极线32的长度可以大于过孔8的中心与主电极线31之间的距离，这样可以更加有效屏蔽数据线信号对像素电极的连接部上电压的影响。

对于第一分支电极线的布线方式，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，如图2和图4所示，当第一分支电极线32有两条时，这两条第一分支电极线32分别位于过孔8的两侧，即过孔8的左右两侧各具有一条分支电极线32，且这两条第一分支电极线32分别与过孔8的中心的距离可以设置为相同的。

在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，如图3和图4所示，分支电极线还可以包括至少一条第二分支电极线33；该第二分支电极线33可以位于像素电极4的边缘区域。由于第二分支电极线33的设置，第二分支电极线与像素电极4之间形成存储电容，能够增大液晶像素的存储电容。

需要说明的是，图3和图4中均示出了两条第二分支电极线，其中一条第二分支电极线33位于像素电极4的左端，另一条第二分支电极线33位于像素电极的右端，这两条第二分支电极线33在衬底基板上的正投影均可以与像素电极4在衬底基板上的正投影具有重叠区域。另外第二分支电极线33位于主电极线31的另一侧，即主电极线31远离薄膜晶体管的一侧(图中示出的是上侧)，第二分支电极线33与第一分支电极线32分别位于主电极线31的两侧。

进一步地，在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，由于第二分支电极线33与第一分支电极线32分别位于主电极线31的两侧，第二分支电极线33可以与第一分支电极线32相互平行或位于同一条直线上，也就是说，第二分支电极线33的延伸方向与数据线2的延伸方向也可以相同(图中示出了第二分支电极线33可以沿数据线2的延伸方向向上延伸)。如图2和图4所示，位于左侧的第二分支电极线33与左侧的第一分支电极线32位于同一直线上。

在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，如图1至图4所示，主电极线31可以与分支电极线一体成型，即主电极线31可以与第一分支电极线32一体成型，也可以与第二分支电极线33一体成型，这样可以通过一次构图工艺形成主电极线和分支电极线的图形，制作方法简单，节省成本。

在具体实施时，如图5和图6所示，本实用新型实施例提供的阵列基板中一般还会具有诸如栅极绝缘层9、有源层10和钝化层11等其他膜层结构，上述过孔8为钝化层11上的过孔，这些具体膜层结构可以有多种实现方式，在此不做限定。

本实用新型实施例中，公共电极线3也可以是存储电极线。

下面以一个具体的实例详细的说明本实用新型实施例提供的阵列基板的制作方法，如图7所示，制作阵列基板的具体步骤如下：

S701、在衬底基板上通过一次构图工艺形成栅线、栅极、公共电极线的图形；其中公共电极线具有延伸方向与栅线延伸方向相同的主电极线，以及与主电极线并联的分支电极线；

在具体实施时，在衬底基板上通过溅射工艺(sputter)沉积第一金属层，在第一金属层上涂覆光刻胶，经过曝光显影，刻蚀，形成栅线、栅极、公共电极线的图形；其中公共电极线具有延伸方向与栅线延伸方向相同的主电极线，以及与主电极线并联的分支电极线，该分支电极线可以包括第一分支电极线和/或第二分支电极线的图形；第一金属层的材料可以采用Cu，Al,Mo，Ti,Cr,W等材料制备，也可以采用这些材料的合金制备，栅线可以是单层结构，也可以采用多层结构，如Mo\Al\Mo,Ti\Cu\Ti,MoTi\Cu；

S702、在形成有栅线、栅极、公共电极线图形的衬底基板上形成栅极绝缘层；

在具体实施时，在形成有栅线、栅极、公共电极线图形的衬底基板上通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积栅极绝缘层；栅极绝缘层的材料可以采用氮化硅或氧化硅等材料；栅极绝缘层可以是单层结构，栅极绝缘层也可以是多层结构，例如氧化硅\氮化硅；

S703、在栅极绝缘层上形成有源层的图形；

在具体实施时，在栅极绝缘层上沉积半导体层，该半导体层的材料可以采用非晶硅，多晶硅，或氧化物半导体；具体地，首先采用PECVD沉积a-Si和n+a-Si,或sputter沉积IGZO，然后涂覆光刻胶，通过曝光显影、刻蚀，形成有源层的图形；

S704、在形成有有源层图形的衬底基板上形成数据线、源极和漏极的图形；

在具体实施时，在形成有有源层图形的衬底基板上，通过sputter沉积第二金属层，在第二金属层上涂覆光刻胶，经过曝光显影，刻蚀，形成数据线、源极和漏极的图形；第二金属层的材料可以采用Cu，Al,Mo，Ti,Cr,W等材料制备，也可以采用这些材料的合金制备；

S705、在形成有数据线、源极和漏极图形的衬底基板上形成钝化层和过孔的图形；

在具体实施时，首先在形成有数据线、源极和漏极图形的衬底基板上沉积钝化层，如PECVD沉积氮化硅，然后涂覆光刻胶，通过曝光显影、刻蚀，形成过孔的图形；过孔的图形需暴露出漏极；钝化层的材料可以采用无机物如氮化硅；

S706、在钝化层和过孔上形成像素电极的图形；

在具体实施时，首先在钝化层和过孔上采用Sputter沉积透明金属氧化物导电材料层，然后涂覆光刻胶，通过曝光显影、刻蚀，形成像素电极的图形；像素电极的材料可以采用氧化铟锡(ITO)，氧化铟锌(IZO)或其他透明金属氧化物导电材料。

至此，经过具体实例提供的上述步骤S701至S706制作出了本实用新型实施例提供的上述阵列基板。

基于同一实用新型构思，本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括本实用新型实施例提供的上述阵列基板，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本实用新型的限制。该显示装置的实施可以参见上述阵列基板的实施例，重复之处不再赘述。

本实用新型实施例提供的一种阵列基板、显示面板及显示装置，包括：衬底基板，设置在衬底基板上的多条栅线、多条数据线和多条公共电极线，设置在相邻的栅线和相邻的数据线限定区域内的像素电极，以及设置在栅线和数据线交叉位置附近的薄膜晶体管，薄膜晶体管的漏极通过过孔与像素电极电性连接；公共电极线具有延伸方向与栅线延伸方向相同的主电极线，以及与主电极线并联的分支电极线；分支电极线包括至少一条第一分支电极线；第一分支电极线位于过孔和数据线之间；过孔位于主电极线与栅线之间。由于本实用新型提供的上述阵列基板中在过孔和数据线之间设置有第一分支电极线，该第一分支电极线可以屏蔽数据线信号对像素电极的连接部上电压的影响，进而可以改善显示质量。

显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。