曝光后处理设备的制作方法

本公开内容的实施方式大体涉及用于在光刻曝光之后处理基板的设备。

背景技术：

集成电路已经发展成复杂的装置，其可以在单一芯片上包括数以百万计的部件(例如晶体管、电容器和电阻器)。光刻是可用于在芯片上形成部件的处理。光刻处理通常包含几个基本阶段。首先，在基板上形成光刻胶层。化学放大光刻胶可包括抗蚀剂树脂(resistresin)和光酸产生剂。在随后的曝光阶段中光酸产生剂暴露于电磁辐射后，光酸产生剂改变显影(development)过程中光刻胶的溶解度。电磁辐射可具有任何合适的波长，例如，193nmarf激光、电子束、离子束或其他合适的源。

在曝光阶段，可使用光掩模或掩模版(reticle)来选择性地将基板的某些区域暴露于电磁辐射。其他曝光方法可以是无掩模曝光方法。暴露于光可分解光酸产生剂，产生酸并在抗蚀剂树脂中产生潜酸图像(latentacidimage)。曝光之后，基板可在曝光后烘烤处理中被加热。在曝光后烘烤处理期间，由光酸产生剂产生的酸与抗蚀剂树脂反应，从而改变在随后的显影处理期间抗蚀剂的溶解度。

在曝光后烘烤之后，可将基板(特别是光刻胶层)显影和冲洗(rinse)。根据所使用的光刻胶的类型，已经暴露于电磁辐射的基板区域可以是抗移除的或者是更易于移除。在显影和冲洗之后，使用湿式或干式蚀刻处理将掩模的图案转印到基板。

在最近的发展中，在曝光处理之前或之后，利用电极组件来对设置在基板上的光刻胶层产生电场，从而改变电磁辐射所传输到的光刻胶层的部分的化学性质，以用于改善光刻曝光/显影分辨率。然而，实施这些系统的挑战还没有充分克服。

因此，需要一种用于改进曝光后烘烤和显影处理的设备。

技术实现要素：

在一个实施方式中，提供了一种平台设备。所述设备包括工厂界面、管道模块以及设置在工厂界面和管道模块之间的处理模块。处理模块包括中央区域及多个处理站，所述中央区域具有设置于其中的机器人，所述多个处理站绕所述中央区域设置。每个处理站包括堆叠布置的处理腔室和后处理腔室。

在另一个实施方式中，提供了一种平台设备。所述设备包括工厂界面、管道模块以及设置在工厂界面和管道模块之间的处理模块。处理模块包括中央区域，所述中央区域具有设置于其中的机器人。机器人包含多个终端受动器且所述终端受动器可在三个轴线上移动。多个处理站绕中央区域设置且每个处理站包含堆叠布置的处理腔室和后处理腔室。

在又另一个实施方式中，提供了一种平台设备。所述设备包括工厂界面和与工厂界面相邻设置的中间模块。缓冲站设置在中间模块中，且支持模块与中间模块相邻设置。多个清洁站设置在支持模块中，且处理模块与支持模块相邻设置。处理模块包括：多个处理站，每个处理站包括堆叠布置的处理腔室和后处理腔室；以及专用于每个处理站的管道模块。

附图说明

为了能够详细地了解本公开内容的上述特征，可通过参考实施方式获得以上简要概述的本公开内容的更特定描述，一些实施方式绘示于附图中。然而，应注意的是，附图只绘示了示例性实施方式且因此不应被视为对本公开内容范围的限制，本公开内容可允许其他等效的实施方式。

图1图示根据本文描述的实施方式的处理腔室的示意截面图。

图2图示根据本文描述的实施方式的图1的处理腔室的部分的详细视图。

图3图示根据本文描述的实施方式的后处理腔室。

图4图示根据本文描述的实施方式的处理平台的透视图。

图5图示根据本文描述的实施方式的图4的处理平台的示意平面图。

图6是根据本文描述的实施方式的图4的处理平台中的处理腔室和后处理腔室布置的示意侧视图。

图7是根据本文描述的实施方式的图4的处理平台中的处理腔室和后处理腔室布置的示意侧视图。

图8图示根据本文描述的实施方式的处理平台的透视图。

为便于理解，已尽可能使用相同的标记数字表示各图中共有的相同元件。应预期的是一个实施方式的元件与特征可有利地并入其他实施方式中而无需另外详述。

具体实施方式

本文描述的实施方式涉及用于曝光后处理的设备。更具体言之，本文描述的实施方式涉及处理平台上实施的场引导式曝光后处理腔室及冷却/显影腔室。在一个实施方式中，多个曝光后处理腔室和冷却/显影腔室对以堆叠布置的方式定位在处理平台上，并利用共享的管道模块。在另一实施方式中，多个曝光后处理腔室和冷却/显影腔室以线性布置的方式定位在处理平台上，且每个腔室利用单独专用的管道模块。

图1图示根据本文描述的实施方式的处理腔室100的示意截面图。在一个实施方式中，处理腔室100被配置为用于执行浸没场引导的曝光后烘烤(ifgpeb)处理。腔室100定位在垂直定向上，使得当处理基板时，基板的长轴线垂直定向，且基板的短轴线水平定向。腔室100包括腔室主体102，腔室主体102由金属材料制成，诸如铝、不锈钢及其合金与组合。或者，腔室主体102由聚合物材料(诸如聚四氟乙烯(ptfe))或高温塑料(诸如聚醚醚酮(peek))制成。

主体102至少部分地在其中界定处理空间104。例如，主体102的侧壁148界定处理空间104的直径。处理空间104的长轴线垂直定向，且处理空间104的短轴线水平定向。多个第一流体端口126穿过侧壁148形成在腔室主体102中。多个第二流体端口128与多个第一流体端口126相对而亦形成在腔室主体102的侧壁148中。多个第一流体端口126经由第一导管134与处理流体源132流体连通。多个第二流体端口128经由第二导管138与流体出口136流体连通。处理流体源132单独或与其他设备组合被配置为在流体进入处理空间104之前，将处理流体预加热到约70℃与约130℃之间的温度，诸如约110℃。

在一个实施方式中，净化气体源150经由第一流体导管134和多个第一流体端口126而亦与处理空间104流体连通。由净化气体源150提供的气体可包括氮、氩、惰性气体及类似气体以在ifgpeb处理期间或之后净化处理空间104。当需要时，净化气体可经由流体出口136从处理空间104排出。

门106被可操作地耦接至腔室主体102。在所示的实施方式中，门106定向在处理位置中，使得门106邻近且邻接腔室主体102设置。门106由与为腔室主体102选择的材料相似的材料形成。或者，腔室主体可由第一材料(诸如聚合材料)形成，且门106可由与第一材料不同的第二材料(诸如金属材料)形成。轴(shaft)107延伸穿过门106且提供一轴线(即z轴线)，门106绕所述轴线旋转以打开及关闭门106。

门106可耦接至轨道(未图示)且门106被配置为沿x轴线沿着轨道平移。马达(未图示)可耦接至门106和/或轨道以利于门106沿着x轴线移动。尽管门106被示为处于关闭的处理位置，但是可通过在使门106绕z轴旋转之前将门106沿着x轴线移动离开腔室主体02来执行门106的打开和关闭。例如，门106可旋转90°而从所示的处理位置到装载位置，使得可在装载期间以降低的基板破裂的可能性执行基板110在第一电极108上的定位。

背板112耦接至门106，且第一电极108耦接至背板112。根据所需的实施方式，背板112由类似于门106或腔室主体102的材料形成。第一电极108可由导电金属材料形成。另外，用于第一电极108的材料可以是非氧化材料。为第一电极108选择的材料在第一电极108的整个表面上提供所需的电流均匀性和低电阻。在某些实施方式中，第一电极108为分段电极，其经配置而在第一电极108的整个表面上引入电压非均匀性。在此实施方式中，利用多个电源来为第一电极108的不同区段供电。

第一电极108经调整尺寸以适于在其上附接基板110。第一电极108亦经调整尺寸以允许与腔室主体102和处理空间104相邻而定位。在一个实施方式中，第一电极108被可固定地耦接至背板112和门106。在另一个实施方式中，第一电极108被可旋转地耦接至背板112和门106。在此实施方式中，马达109耦接至门106且被配置为在背板112或第一电极108上施加旋转运动。在一个实施方式中，第一电极108被配置为接地电极。

真空源116与第一电极108的基板接收表面流体连通。真空源116耦接至导管114，导管114从真空源116延伸穿过门106、背板112和第一电极108。一般来说，真空源116被配置为将基板110真空吸附到第一电极108。

热源118、温度感测设备120、电源122及感测设备124耦接至第一电极108。热源118向设置在第一电极108内的一个或更多个加热元件(诸如电阻式加热器)提供电力。亦设想到，热源118可向设置在背板112内的加热元件提供电力。热源118通常被配置为加热第一电极108和/或背板112，以利于在ifgpeb处理期间预加热流体。除了预加热处理流体之外或者不同于预加热处理流体，热源118还可以用于在基板处理期间维持处理流体的期望温度。在一个实施方式中，热源118被配置为将第一电极108加热到约70℃与约130℃之间的温度，诸如约110℃。

温度感测设备120(诸如热电偶或类似物)通信地耦接至热源118以提供温度反馈并利于第一电极108的加热。电源122被配置为向第一电极108供应例如约1v与约20kv之间。根据所用处理流体的类型，由电源122所产生的电流可以在数十纳安(nano-amp)到数百毫安的量级。在一个实施方式中，电源122被配置为产生约1kv/m至约2mv/m范围的电场。在一些实施方式中，电源122被配置为以电压受控或电流受控的模式操作。在两种模式中，电源可输出ac、dc和/或脉冲dc波形。若需要，可使用方波或正弦波。电源122可被配置为提供约0.1hz与约1mhz之间的频率的功率，诸如约5khz。脉冲dc功率或ac功率的占空比可在约5％与约95％之间，诸如在约20％与约60％之间。

脉冲dc功率或ac功率的上升和下降时间可在约1ns与约1000ns之间，诸如在约10ns与约500ns之间。感测设备124(诸如电压计或类似物)通信地耦接至电源122以提供电反馈并利于控制施加于第一电极108的功率。感测设备124亦可被配置为感测经由电源122施加于第一电极108的电流。

第二电极130与处理空间104相邻而耦接至腔室主体102，且部分地界定处理空间104。类似于第一电极108，第二电极130耦接至热源140、温度感测设备142、电源144以及感测设备146。热源140、温度感测设备142、电源144和感测设备146的功能可类似于热源118、温度感测设备120、电源122和感测设备124。在一个实施方式中，第二电极130是被主动供电的电极，第一电极108是接地电极。作为上述电极布置的结果，在ifgpeb处理期间，可调制在设置在基板110上的抗蚀剂曝光时所产生的酸以改善图案化以及抗蚀剂去保护(de-protection)特性。

图2图示根据本文描述的实施方式的图1的处理腔室100的部分的详细视图。处理空间104具有在基板110和第二电极130之间界定的宽度214。在一个实施方式中，处理空间104的宽度214在约1.0mm与约10mm之间，诸如在约4.0mm与约4.5mm之间。基板110和第二电极130之间相对较小的间隙减小处理空间104的容积，这使得能够在ifgpeb处理期间利用减少量的处理流体。另外，界定第二电极130和基板之间距离的宽度214被配置为在基板110的整个表面上提供实质均匀的电场。实质均匀的场提供由ifgpeb处理产生的改善的图案化特性。具有宽度214的间隙的另一个好处是降低用于产生所需电场的电压。

在操作中，在ifgpeb处理期间，处理空间104填充有处理流体。在一个实施方式中，在启用电场之前用于以处理流体填充处理空间104的第一流率在约5l/min与约10l/min之间。在以处理流体填充处理空间104后，施加电场并且在ifgpeb处理期间使用约0l/min与约5l/min之间的处理流体的第二流率。在一个实施方式中，处理流体填充时间在约1秒与约5秒之间，且处理时间在约30秒与约90秒之间，诸如约60秒。在一个实施方式中，处理流体在ifgpeb处理期间继续流动。在此实施方式中，每处理一基板，处理空间104的容积更换约1次与约10次之间。在另一个实施方式中，在处理期间，处理流体主要是静态的。在此实施方式中，在每个基板的基板处理期间不更换处理空间104的容积。

在另一操作实施方式中，使用第一流率来初始填充处理空间104。第一流率小于5l/min而持续一时间量以填充处理空间104，使得第一流体端口126被浸没。接着使用大于5l/min的第二流率来填充处理空间104的剩余部分。在ifgpeb处理中施加电场期间，利用小于5l/min的第三流率。第一和第二流率之间的流率调节被配置为减少处理空间104中流体的紊流并减少或消除其中气泡的形成。然而，若形成气泡，气泡的浮力使得气泡能够经由第二流体端口128从处理空间104逸出，以便在ifgpeb处理期间最小化气泡对电场的绝缘效果。因此，可实现更均匀的电场来改善ifgpeb处理。

为了降低处理流体泄漏出处理空间的可能性，使用多个o形环来维持处理空间的流体密闭完整性。第一o形环202在第一电极108的基板接收表面上设置在第一电极108中。第一o形环202可从基板110的外径径向向内定位在第一电极上。

在一个示例中，第一o形环202在从基板110的外径径向向内约1mm与约10mm之间距离处定位在第一电极108上。当基板被吸附到第一电极108时，第一o形环被定位成接触基板110的背侧。侧壁148的第一表面206经调整形状和尺寸以当基板110处于所示的处理位置时接触基板110的边缘区域。

在一个实施方式中，第一o形环202与侧壁148的第一表面206相对而设置在第一电极108中。设想到的是，第一o形环202可防止处理流体从处理空间104泄漏到基板110之后的区域，诸如第一电极108的基板支撑表面。有利的是，保持基板110的真空吸附且防止处理流体到达真空源116。

第一电极108具有设置在第一o形环径向外侧的凸缘210。凸缘210自第一o形环202的位置径向向外设置。第二o形环204在凸缘210的径向外侧耦接至第一电极108。侧壁148的第二表面208经调整形状和尺寸以邻近第一电极108的外径并从第一电极108的外径径向向内延伸而接触第一电极108。在一个实施方式中，当基板110设置在处理位置时，第二o形环204被设置成与侧壁148的第二表面208接触。设想到，第二o形环204可防止处理流体从处理空间108泄漏超过第一电极108的外径。

第三o形环212沿第二电极130的外径耦接至第二电极130。第三o形环212亦设置成与腔室主体102的侧壁148接触。第三o形环212被配置为防止处理流体流到第二电极130之后。各个o形环202、204、212由弹性材料(诸如聚合物或类似物)形成。在一个实施方式中，o形环202、204、212具有圆形横截面。在另一个实施方式中，o形环202、204、212具有非圆形横截面，诸如三角形横截面或类似横截面。还设想到，每个o形环202、204、212受到适合防止处理流体超过o形环202、204、212并流体地密封处理空间104的压缩力。

图3图示根据本文描述的实施方式的后处理腔室300。在处理腔室100中对基板进行ifgpeb处理之后，基板被传送至后处理腔室300。后处理腔室300包括腔室主体302及基座308，腔室主体302界定处理空间304，基座308设置在处理空间304中。通过冷却和冲洗基板306来后处理定位在基座308上的基板306。通过结合冷却和冲洗，最小化基板处理中的烘烤到冷却的延迟。

当基板306定位在基座308上时，通过从真空源314施加真空来真空吸附基板。一旦基板306被吸附住，则开始基板306的冷却。流体导管310形成在基座308中，且流体导管310与冷却流体源312流体连通。冷却流体流过流体导管310以冷却基板306。

在冷却期间，亦冲洗基板306以去除仍然存在于基板表面上的任何残余的处理流体。冲洗流体从流体输送臂318分配到基板306的装置侧(deviceside)上，流体输送臂318可包括流体输送喷嘴320。冲洗流体(诸如去离子水或类似物)经由臂318和喷嘴320而从冲洗流体源322提供。

在冲洗和冷却之后，可选地通过旋转基座308来旋转甩干(spindry)基板306。基座308与电源316耦接，电源316使基座308能够旋转。在基板306的旋转甩干期间，升起屏蔽件324以收集自基板306转落的流体。在某些实施方式中，在基板306的冷却和/或冲洗期间，亦升起屏蔽件324。屏蔽件324的形状是环形的且经调整尺寸而具有大于基座308的直径的内径。屏蔽件324亦设置在基座308的径向外侧。屏蔽件324耦接至马达328，马达328升起和降低屏蔽件324，使得屏蔽件324在基板306之上延伸。在旋转甩干期间由屏蔽件324收集的流体经由排放口(drain)326从处理空间304中去除。应注意的是，在冷却和冲洗基板306期间，屏蔽件324可以可选地设置在降低的位置，以及随后在基板306的旋转甩干期间升起屏蔽件324。在装载和卸载基板306期间，亦可降低屏蔽件324。

一旦基板306已经干燥，则通过施加显影剂(诸如四甲基氢氧化铵(tmah))使在基板306上的抗蚀剂显影。在一个实施方式中，从臂318和喷嘴320分配显影剂。在显影之后，用去离子水冲洗基板306并使基板306再次干燥来为随后的处理准备基板306。

图4图示根据本文描述的实施方式的处理平台400的透视图。处理平台400的一个实例是可从美国加州圣克拉拉的应用材料公司取得的blazer^tm平台。设想到，根据本文描述的实施方式中亦可使用来自其他制造商的其他适当配置的平台。

处理平台400包括工厂界面402、处理模块404和管道模块406。工厂界面402耦接至处理模块404，处理模块404耦接至管道模块406。工厂界面402包括多个前开式标准舱(frontopeningunifiedpod，foup)502，诸如四个foup502。然而，应设想到，根据处理模块404的吞吐能力，工厂界面402可使用较多或较少数量的foup502。

处理模块404包括多个处理腔室。在一个实施方式中，处理模块404包括多个处理腔室100和多个后处理腔室300。应设想到，处理模块404可实施为具有相应数量的处理腔室100和后处理腔室300。在一个示例中，处理模块404包括四个处理腔室100和四个后处理腔室300。在另一个示例中，处理模块404包括六个处理腔室100和六个后处理腔室300。相信利用成对的处理和后处理腔室100、300改善了处理效率且增加吞吐量。

处理模块404亦可包括多个清洁腔室。清洁腔室可用于各种实施方式中，例如，在处理腔室100中处理之前预清洁基板或在后处理腔室300中处理之后清洁基板。在操作实施方式中，基板通过foup502中的一个foup进入处理平台400，在foup502中基板通过工厂界面402被传送到处理模块404。接着在处理腔室100中的一个处理腔室中处理基板，然后将基板传送到相应的一个后处理腔室300。如上所述，在处理模块404中的ifgpeb处理和显影之前或之后，可选地执行基板的清洁。完成ifgpeb处理和任何所需的处理后清洁之后，将基板返回到工厂界面402以及foup502中的一个foup。

管道模块406包括用于利用设置在处理模块404中的处理腔室100和后处理腔室300来执行ifgpeb处理的整套设备。管道模块406通常包括用于处理模块404的每个腔室的全部流体输送部件。如此，管道部件设置在易于接近以用于维护的单个位置中。另外，管道模块406使得能够有单个位置以用于供应和返回ifgpeb处理中使用的流体。管道模块406亦可包括原位流体分析设备。例如，可针对各个方面分析ifgpeb处理中使用的流体，诸如经由热电偶来分析温度，经由流量计来分析流率等。通过启用实时处理参数调制，原位收集流体数据和其他处理数据的能力提供了平台400更高效的操作。

管道模块406被配置为在处理腔室100和后处理腔室300之间共享某些部件，以便减少与管道设备配件(complement)相关的成本。例如，替代每个处理腔室100具有专用于单个处理腔室100的独立的管道部件，管道模块利用在多个处理腔室100之间共享的管道设备。类似地，后处理腔室300利用在多个后处理腔室300之间共享的管道设备。

针对操作处理腔室100，管道模块406包括处理流体源贮槽，处理流体源贮槽具有足够的容积以按顺序向处理腔室100供应处理流体。例如，处理流体源贮槽(管道部件的相关联的配件，例如流量计、流量控制器、导管、加热器、过滤器、阀门、排放口等)被配置为连续地提供足够体积的处理流体，以顺序操作处理腔室100。在另一实施方式中，处理流体贮槽和相关联的管道设备配件被配置为提供足够体积的处理流体，以同时操作多个处理腔室100。

类似地，针对操作后处理腔室300，管道模块406至少包括冲洗流体源贮槽、冷却流体源贮槽、显影剂源贮槽和相关联的管道设备配件。后处理腔室300可顺序地操作或同时操作，且管道设备配件和贮槽被配置为通过提供足够体积的流体来促进任一实施方式中的处理，而使后处理腔室300能够有效率地操作。

图5图示根据本文描述的实施方式的图4的处理平台400的示意平面图。包括处理腔室100和后处理腔室300的处理模块404在处理站504、506、508、510中配置有成对的腔室100和300。尽管图示了四个处理站，但是应设想到根据本文描述的实施方式，可使用较少或较多数量的处理站，诸如六个处理站。处理站504、506、508、510绕处理模块404的周边设置，机器人512设置在多个处理站504、506、508、510之间的中央区域514中。因此，处理站504、506、508、510邻近中央区域514设置且定位在机器人512附近。

在一个实施方式中，机器人512具有带有单个终端受动器的臂，所述臂经调整尺寸以在各个模块402、404和处理站504、506、508、510之间运载基板。在另一个实施方式中，机器人512具有两个臂，每个臂具有终端受动器，用于运载基板。在此实施方式中，第一终端受动器可用于从工厂界面402取回基板，并将基板输送到处理站504、506、508、510中的一个处理站的处理腔室100。第二终端受动器用于将在处理腔室100中经处理的基板传送到同一处理站的后处理腔室300。第二终端受动器可用来冷却从处理腔室100取回的基板。在此实施方式中，可例如通过流体来冷却第二终端受动器，且第二终端受动器的表面面积可以足够大以接触基板，从而改善基板传送期间基板冷却的速率。随后，可利用第一终端受动器将基板从后处理腔室300传送回工厂界面402。有利地，设想到，利用具有为某些传送操作设计的不同终端受动器的机器人可减少不同处理操作之间的基板污染的可能性并提高吞吐量。

机器人512在x方向上线性地移动以从工厂界面402取回基板，以及将基板输送到处理模块404内的各处理站504、506、508、510。机器人512亦在y和z方向上移动以从处理站504、506、508、510的腔室100、300输送及取回基板。

在操作实施方式中，基板被输送到处理站504、506、508、510中的一个处理站的处理腔室100，且执行ifgpeb约30秒与约90秒之间的时间量，例如约60秒。在处理基板期间，机器人512可在处理站504、506、508、510的腔室100、300之间传送其他基板或者向工厂界面402及自工厂界面402传送其他基板。在基板已经在处理腔室100中经过ifgpeb处理之后，机器人512将基板传送到具有对基板进行了ifgpeb处理的处理腔室100的同一处理站的后处理腔室300。可执行包含冷却及显影处理的后处理操作约15秒与约90秒之间(诸如约30秒)的时间量。在后处理之后，可以可选地清洁基板，随后将其输送回工厂界面402。

图6是根据本文描述的实施方式的图4的处理平台中的处理腔室100和后处理腔室300布置的示意侧视图。更具体言之，图6图示单个处理站中的处理腔室100和后处理腔室300的布置。在所示的实施方式中，后处理腔室300设置在处理腔室100的上方。换句话说，后处理腔室300堆叠在处理腔室100上。腔室300、100亦被定位成使得腔室300、100的开口面向中央区域514和机器人512以允许基板进出。

图7是根据本文描述的实施方式的图4的处理平台内的处理腔室100和后处理腔室300布置的示意侧视图。更具体言之，图7图示单个处理站中的处理腔室100和后处理腔室300的布置。在所示的实施方式中，处理腔室设置在后处理腔室300的上方。换句话说，处理腔室100堆叠在后处理腔室300上。类似于关于图6描述的实施方式，腔室100、300被定位成使得腔室100、300的开口面向中央区域514和机器人以允许基板进出。

通过在处理站504、506、508、510中的每一个处理站中以堆叠布置方式定位处理腔室100和后处理腔室300，由机器人在腔室100、300之间传送基板的时间减少，可以实现提高的吞吐量。尽管上述实施方式已经预期在处理站504、506、508、510中的一个处理站中处理基板，但是设想到，可在第一处理站的处理腔室100和不同于第一处理站的第二处理站的后处理腔室300中处理基板。

图8图示根据本文描述的实施方式的处理平台800的透视图。处理平台800的一个实例是可从美国加州圣克拉拉的应用材料公司取得的平台。应设想到，根据本文描述的实施方式中亦可使用来自其他制造商的其他适当配置的平台。

处理平台800包括工厂界面802、中间模块804、支持模块(supportmodule)806和处理模块808。工厂界面802耦接至中间模块804，中间模块804耦接至支持模块806，支持模块806耦接至处理模块808。工厂界面402包括多个前开式标准舱(foup)820，诸如三个foup820。然而，应设想到，根据处理模块808的吞吐能力，工厂界面802可使用较多或较少数量的foup820。

处理模块808包括多个处理站814。处理站814可像处理站504、506、508、510一样，每个处理站814包含堆叠的处理腔室100和后处理腔室300。尽管所示的实施方式图示处理腔室100设置在后处理腔室30的顶部上(见图7)，但是与图6类似，应设想到，后处理腔室300可设置在处理腔室100的顶部上。因此，应设想到，处理模块808被实施为具有相应数量的处理腔室100和后处理腔室300。

在一个示例中，处理模块808包括设置在居中设置的机器人轨道(未图示)的相对侧上的五个处理腔室100和五个后处理腔室300，所述机器人轨道用于总共十个处理腔室100和十个后处理腔室300。尽管图示了五个处理站814，但是应设想到，亦可有利地利用四个(总共八个)或六个(总共十二个)处理站814。处理模块808中亦设有多个管道模块818。在此实施方式中，每个处理站814具有专用管道模块818。类似于机器人512的机器人(未图示)亦可设置在处理模块808中且可操作以在处理站814的腔室100、300之间以及处理模块808和支持模块806之间传送基板。

支持模块806包括多个清洁腔室822。清洁腔室822被配置为冲洗及旋转甩干已经在处理模块808的处理站814中经受ifgpeb处理的基板。应设想到，清洁腔室822可被配置为顺序地或同时地冲洗基板的装置侧和背侧。清洁腔室822亦可在处理模块808中处理基板之前清洁基板。支持模块806中亦设有多个管道模块816。在此实施方式中，具有清洁腔室822的每个清洁站812具有专用管道模块812。因此，管道模块816被配置为用设备配件来支持基板的清洁，所述设备配件被配置为能够进行清洁操作。在某些实施方式中，支持模块806亦可具有在清洁站812与处理模块808或中间模块804之间传送基板的机器人(未图示)。或者，处理模块机器人可在处理模块808和支持模块806之间移动以能够传送基板。

中间模块804包括一个或更多个缓冲站810，以改善工厂界面802和支持模块806之间的基板传送的效率。缓冲站810可用于补偿在支持模块806和处理模块808中执行的处理操作之间的处理时间差异。缓冲站810亦可以是温度受控的以在支持模块806中处理基板之前或将基板输送回工厂界面802之前调节基板温度。

总而言之，本文描述的实施方式提供用于执行ifgpeb和相关联的处理操作的改进的平台。利用具有堆叠的处理腔室和后处理腔室的处理站能够使基板传送更高效并增加吞吐量。此外，各种管道模块配置提供改进的处理参数调节和维护操作。因此，可有利地在本文描述的设备上执行ifgpeb处理操作。

尽管前面所述针对本公开内容的实施方式，但在不背离本公开内容的基本范围的情况下，可设计本公开内容的其他与进一步的实施方式，且本公开内容的范围由随附的权利要求书确定。