技术特征：
技术总结
本发明公开了一种改善高深宽比图形不一致和提高光刻胶形貌陡度的方法，主要包括：读入初始GDS文件中所有层次版图原始设计数据和特定图形的具体所在位置；根据该层次与其它参考层次的位置信息，确定最小的设计单元，从而得出需要添加的Dummy图形和SRAF图形的大小和位置，同时利用已有的OPC模型进行OPC计算修正；进行掩膜版Mask制作；在光刻工艺中采用双重曝光的方法；在显影工艺中采用双重显影的方法。本发明通过优化OPC模型+两次曝光+两次显影得到相对陡直的光刻胶形貌和特征尺寸一致性较强的高深宽比结构图形,还可以和现有版图处理方法兼容，将现有EDA软件集成在一个平台上，能准确地实现设计者的意图，优化图形转移中的光刻胶形貌，实现图形一致的目标。
技术研发人员：孟鸿林
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2018.08.15
技术公布日：2019.01.08