一种快速变色的电致变色玻璃、夹胶玻璃及中空玻璃的制作方法

本实用新型涉及电致变色玻璃技术领域，具体涉及一种快速变色的电致变色玻璃、夹胶玻璃及中空玻璃。

背景技术：

电致变色技术是一种智能节能的玻璃技术。普遍应用在高端的建筑上，如采光顶，幕墙，侧立面等等。目前技术中，一块尺寸为0.7平方米的电致变色玻璃的变色时间，一般为20～30分钟左右。如果想将电致变色玻璃普遍应用在交通工具的大面积玻璃产品上，如汽车天窗，侧窗，高铁侧窗等，需要加速其变色时间至3分钟以内甚至更短时间。

全固态电致变色玻璃的主要结构是玻璃基板、离子阻挡层、第一导电层、复合功能层和第二导电层。其电学模型基本可以等效为电容-电阻串联模型的充放电行为，所以电阻对其变色时间（即充放电时间）影响很大。在电致变色领域中，电致变色器件的响应时间跟透明导电层（目前多用ITO）的方阻具有正相关的关系。降低透明导电层的方阻可以有效缩短变色时间，并缓解变色过程中的不均匀现象。

目前市场上常用的金属氧化物导电薄膜，如ITO玻璃、AZO玻璃和FTO等，都存在方阻偏高的问题，其中导电性较好的ITO，目前其方阻也只能降到5～10Ω左右。但是在某些应用场合，如静态显示和汽车领域，这样的方阻影响之下的变色时间还是偏慢，应用受到限制。

技术实现要素：

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种快速变色的电致变色玻璃，提高了电致变色玻璃的变色速度，具体技术方案如下：

一种快速变色的电致变色玻璃，包括依次叠置的玻璃基板、离子阻挡层、第一透明导电氧化物层、电致变色复合层和第二透明导电氧化物层，所述离子阻挡层上垂直贯穿分布有多条平行排布或交叉呈网状排布的线槽，该线槽的上表面与离子阻挡层远离玻璃基板的表面齐平，线槽的下表面穿过离子阻挡层、并进入玻璃基板，所述线槽内填充有彼此并联连接的第一低阻导电丝，所述第二透明导电氧化物层远离电致变色复合层的表面设置有彼此并联连接的呈多条平行排布或交叉呈网状排布的第二低阻导电丝。

优选地，所述第二低阻导电丝可以是采用真空磁控溅射加掩膜版或激光刻蚀的金属，或采用丝网印刷的金属导电浆料。

优选地，所述第二低阻导电丝的线宽为1~1000μm。

优选地，所述第一低阻导电丝和第二低阻导电丝的电阻率为10^-6~10^-8Ω•M。

优选地，所述线槽采用激光雕刻，其深度为5~500μm，其宽度在5~500μm。

一种夹胶玻璃，采用上述的电致变色玻璃。

一种中空玻璃，采用上述的电致变色玻璃。

由以上技术方案可知，本实用新型通过设置低阻导电丝和金属导电浆料用以提高两个透明导电氧化物层的导电性，可以很好地降低电致变色器件中两个导电层的方阻，进而加速其变色过程；线槽内的金属导电浆料上表面与离子阻挡层的上表面齐平，可以有效的解决膜层微观结构的凹凸不平现象。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型中低阻导电丝的一种布置方式；

图3为本实用新型中低阻导电丝的另一种布置方式。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例，对本实用新型进行详细说明，在详细说明本实用新型各实施例的技术方案前，对所涉及的名词和术语进行解释说明，在本说明书中，名称相同或标号相同的部件代表相似或相同的结构，且仅限于示意的目的。

如图1所示，所述快速变色的电致变色玻璃包括依次叠置的玻璃基板1、离子阻挡层2、第一透明导电氧化物层4、电致变色复合层5和第二透明导电氧化物层6。离子阻挡层2上垂直贯穿分布有多个线槽3，线槽3的上表面与离子阻挡层远离玻璃基板的第一表面齐平，线槽的下表面穿出离子阻挡层靠近玻璃基板的第二表面，并进入玻璃基板一定深度。多个线槽内填充有彼此并联连接的金属导电浆料，形成第一低阻导电丝31，所述第二透明导电氧化物层远离电致变色复合层的表面设置有第二低阻导电丝7。

所述离子阻挡层2可由硅的氧化物、钛的氧化物或硅的氮化物来形成，其作用是阻挡玻璃中的金属离子进入第一透明导电氧化物层、电致变色复合层以及第二透明导电氧化物层。

所述第一透明导电氧化物层4和第二透明导电氧化物层6可以由氧化锌、氧化锡、掺铝氧化锌（AZO）、氧化铟锡（ITO）、掺氟氧化锡(FTO) 、硫化锌（ZnS）等透明导电氧化物形成，厚度为 5~500nm；优选地，为ITO和AZO，厚度为20~200nm。

所述第二低阻导电丝7由多个平行排布或交叉呈网状排布的导电丝构成，多个导电丝并联连接，图2示出了第二低阻导电丝的一种布置方式，包括多个平行排布的导电丝，图3示出了另一种布置方式，包括垂直交叉呈网状排布的导电丝。

所述第二低阻导电丝的电阻率在10^-7~10^-8Ω*M数量级，所述第二低阻导电丝的线宽为1~1000μm，所述第二低阻导电丝采用真空磁控溅射加掩膜版或激光刻蚀的金属，或采用丝网印刷的金属导电浆料，优选银和银浆。

金属导电浆料涉及到的加工流程是：

在玻璃基板上真空磁控溅射镀离子阻挡层，然后激光刻线，然后刮涂金属导电浆料，然后抛光，除掉多余的金属导电浆料并让线槽内的导电浆料上表面与离子阻挡层的上表面齐平，然后真空磁控溅射镀第一透明导电氧化物层。

由于金属导电浆料和低阻导电丝处在不同的膜层位置，所以互相电绝缘。

下面举例说明电阻计算过程：

一块1M*1M的电致变色玻璃的离子阻挡层为20nm的二氧化硅，采用真空磁控溅射方式镀膜。镀膜完成后，然后激光刻线，然后刮涂高温银浆，然后抛光，除掉多余的金属导电浆料并让线槽内的导电银浆上表面与离子阻挡层的上表面齐平，然后真空磁控溅射镀第一透明导电氧化物层。烧结以后，银浆的电阻率为2*10^-7Ω*M，线宽为0.1mm，线距为5mm，厚度为10μm。其上层的第一透明导电氧化物层为200nm ITO，采用真空磁控溅射方式镀膜，方阻为12Ω。

电阻的计算公式 R = (ρ*L)/(n*S)，n为低阻导电丝条数，ρ为2*10^-7Ω*M，L 为1M，S为导电丝的横截面积，则第一低阻导电丝的电阻为1Ω，第一低阻导电丝与第一透明导电氧化物层的并联电阻为0.92Ω。

所述低阻导电丝使用磁控溅射镀膜配合网版掩膜技术，靶材使用银靶，形成的低阻导电丝材质为纯银，电阻率为1.65*10^-8Ω*M，线宽为0.1mm，线距为30mm，厚度为5μm，电阻的计算公式 R = (ρ*L)/( n*S)，n为导电丝条数， S为导电丝的横截面积，则第一低阻导电丝的电阻为1Ω，低阻导电丝与第二透明导电氧化物层的并联电阻也为0.92Ω。

与不加低阻导电丝和金属导电浆料相比，电致变色复合层两侧的电阻下降为原来的十三分之一，变色时间可以有极大的提升。

以上所述实施方式仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本实用新型的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本实用新型的权利要求书确定的保护范围内。