高阻抗匹配电光调制器电极的制作方法

文档序号:17852899发布日期:2019-06-11 22:23阅读:来源:国知局
技术总结
本实用新型公开了高阻抗匹配电光调制器电极,包括地电极、热电极、衬底和电极主体,所述电极主体的底端设置有衬底,且衬底的顶端设置有二氧化硅缓冲层,所述电极主体的顶端均匀涂覆有抗反射膜,所述衬底顶部的两端设置有第一预留槽,且第一预留槽的内部均固定有地电极,所述衬底顶部的中央位置处设置有第二预留槽,且第二预留槽的内部固定有热电极,所述地电极与热电极上均设置有光掩模,所述电极主体的两端均固定有透镜。本实用新型通过安装有衬底,衬底的材料为铌酸锂晶体,铌酸锂晶体具有很强的电光效应,并且具有较小的波导损耗,较强的抗光折边能力以及较大的异常光折射率增量,生产成本较低。

技术研发人员:华平壤
受保护的技术使用者:派尼尔科技(天津)有限公司
技术研发日:2018.11.08
技术公布日:2019.06.07

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