一种像素结构、阵列基板、显示面板及显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素结构、阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术：

UV2A(Ultra Violet Vertical Alignment)技术是一种采用紫外线(UV＝UltraViolet)进行液晶配向的VA(Vertical Alignment，垂直配向)面板技术，其名称来源于紫外线UV与液晶面板VA模式的相乘，其原理是利用UV光来实现液晶分子的精准配向控制，UV2A技术能够通过配向膜实现所有液晶分子向设计方向倾斜的状态，所以在载入电场时，液晶分子可以同时向同一方向倾倒，使响应速度增至原来的2倍，且由于其不使用突起和狭缝隙也能分割成多个区域，因此其开口率与原来的利用突起形成多区域相比得到显著的提高，还具有降低耗电，节省成本等优点。

目前，现有UV2A像素形状基本上为长方形，如图1所示，阵列基板(TFT)侧像素包括纵横交错的扫描线和数据线，以及由数据线和扫描线限定的若干子像素单元，每个子像素单元均包括有薄膜晶体管和像素电极，在彩膜基板侧包括有与阵列基板侧相对应的若干子像素单元，在光配向时，多将子像素单元分成多区域，先对阵列基板侧像素单元的左半部分区域进行曝光配向，之后对阵列基板侧像素单元的右半部分区域配向，其中左右两部分的曝光方向相反；对对侧基板侧像素单元的上半部分区域进行曝光配向，之后对对侧基板侧像素单元的下半部分区域进行配向，其中上、下两部分的曝光方向相反。

然而，由于在子像素单元内各区域的交界处的配向方向不同，使液晶分子旋转方向不同而形成暗纹，同时在像素电极ITO(Indium Tin Oxide)边缘电场的作用力下，边缘处的液晶分子与内部的液晶分子的旋转角度不同，从而在边缘处也产生暗纹，最终在像素内部形成如图2中所示的“卐”字形状的暗纹，从而降低了显示面板的透过率。

技术实现要素：

本实用新型提供一种像素结构、阵列基板、显示面板及显示装置，以解决现有的显示面板在光配向后，易在像素内部形成“卐”字形状的暗纹，从而使显示面板的透过率降低的问题。

本实用新型的第一方面提供一种像素结构，包括纵横交错设置的扫描线和数据线，所述扫描线和所述数据线交叉限定出多个子像素单元，所述子像素单元上覆盖像素电极，且每个所述子像素单元至少划分为第一配向区域、第二配向区域、第三配向区域和第四配向区域，且所述第一配向区域和所述第二配向区域与相邻所述子像素单元内的所述第三配向区和所述第四配向区域分别靠近所述扫描线的两侧，且所述第一配向区域和所述第三配向区域与相邻所述子像素单元内的第二配向区域和所述第四配向区域分别靠近所述数据线的两侧；

每个所述像素电极位于所述第二配向区域内且靠近所述扫描线的横边缘向外延伸形成第一像素延伸部，以使所述第二配向区域内形成的横向边缘暗纹移到与所述扫描线相对应的位置上。

在本实用新型的具体实施方式中，每个所述像素电极位于所述第三配向区域内且靠近另一所述扫描线的横边缘向外延伸形成第二像素延伸部，以使所述第三配向区域内形成的横向边缘暗纹移到与另一所述扫描线相对应的位置上。

在本实用新型的具体实施方式中，每个所述像素电极位于所述第一配向区域内且靠近所述数据线的纵边缘向外延伸形成第三像素延伸部，以使所述第一配向区域内形成的纵向边缘暗纹移动到与所述数据线相对应的位置上，且所述数据线为直线型数据线。

在本实用新型的具体实施方式中，每个所述像素电极位于所述第四配向区域内且靠近另一所述数据线的纵边缘向外延伸形成第四像素延伸部，以使所述第四配向区域内形成的纵向边缘暗纹移动到与所述数据线相对应的位置上。

在本实用新型的具体实施方式中，所述第一像素延伸部的外边缘与靠近所述第一像素延伸部的所述扫描线朝向所述第二配向区域的一侧之间的距离为4-6μm；

所述第二像素延伸部的外边缘与靠近所述第二像素延伸部的所述扫描线朝向所述第三配向区域的一侧之间的距离为4-6μm。

在本实用新型的具体实施方式中，所述第三像素延伸部的外边缘与靠近所述第三像素延伸部的所述数据线朝向所述第三配向区域的一侧之间的距离为4-6μm；

所述第四像素延伸部的外边缘与靠近所述第四像素延伸部所述数据线朝向所述第四配向区域的一侧之间的距离为4-6μm。

在本实用新型的具体实施方式中，所述像素电极的形状为中心对称多边形。

本实用新型的第二方面提供一种阵列基板，包括上述任一所述的像素结构。

本实用新型的第三方面提供一种显示面板，包括上述所述的阵列基板。

本实用新型的第四方面提供一种显示装置，包括上述所述的显示面板。

本实用新型实施例提供一种像素结构、阵列基板、显示面板及显示装置，通过将每个像素电极位于第二配向区域内且靠近扫描线的横边缘向外延伸形成第一像素延伸部，受第一像素延伸部的边缘电场的作用，就会使第二配向区域内形成的横向边缘暗纹随着像素电极横边缘的向外延伸而向扫描线的方向移动，即通过将第二配向区域内的像素电极靠近扫描线的横边缘的向外延伸就能够使第二配向区域内形成的横向边缘暗纹移动到与扫描线相对应的位置上，这样就使的第二配向区域内形成的横向边缘暗纹隐藏在原本就不透光的扫描线中，而不在像素的显示区域进行显示，提高了像素的开口率，有助于提高显示面板的透过率，提升了显示质量。解决了现有的显示面板在光配向后，易在像素内部形成“卐”字形状的暗纹，从而使显示面板的透过率降低的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有的一种像素结构的示意图；

图2是现有的一种像素结构的暗纹模拟图；

图3是本实用新型实施例一提供的一种像素结构的示意图；

图4是本实用新型实施例二提供的一种像素结构的暗纹模拟图；

图5是本实用新型实施例三提供的一种像素结构的示意图；

图6是本实用新型实施例四提供的一种像素结构的示意图；

图7是本实用新型实施例四提供的一种像素电极的结构示意图。

附图标记说明：

扫描线-10；另一扫描线-11；数据线-20；另一数据线-21；像素电极-30；第一像素延伸部-32；第二像素延伸部-33；第三像素延伸部-31；第四像素延伸部-34；第一配向区域-40；横向边缘暗纹-42、43；纵向边缘暗纹-41、44；第二配向区域-50；第三配向区域-60；第四配向区域-70。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型的第一方面提供一种像素结构，可以应用于液晶显示面板及显示装置中，尤其适用于紫外线的垂直配向液晶显示技术中，可将在配向作用和边缘电场影响下形成的部分暗纹进行隐藏，进而提高像素开口率，提升显示质量。

UV2A光配向为将基板分割成多个区域，以部分改变配向方向，使用的配向方式多为扫描曝光的方式，具体的，如图1和图2所示，在阵列基板上设有若干纵横交错设置的扫描线10和数据线20，其中该扫描线10和数据线20相互交叉限定出多个子像素单元，每个子像素单元上均覆盖有像素电极30，在进行UV2A光配向时，以不同子像素单元排列方向为行方向，垂直行方向的方向为纵方向，将阵列基板侧纵方向的子像素单元分为左、右两个部分，对该子像素单元的左半部分进行照射，之后对该子像素单元的右半部分进行照射，完成阵列基板侧子像素单元的曝光配向，其中左右两部分的曝光方向相反。将对侧基板侧行方向的子像素分成上、下两个部分，对该子像素单元的上半部分进行照射，之后对子像素单元的下半部分进行照射，完成对侧基板侧子像素单元的曝光配向，其中上、下两部分的曝光方向相反；这样最终就将子像素单元分成了四个配向区域，具体的，第一配向区域40和第二配向区域50与相邻的子像素单元内的第三配向区域60和第四配向区域70分别靠近扫描线10的两侧，第一配向区域40和第三配向区域60与相邻子像素单元的第二配向区域50和第四配向区域70靠近数据线20的两侧，各配向区域的配向方向不同，因此在一个子像素单元内的相邻区域的交界处，由于相邻的液晶分子旋转方向不同，就会在交界处产生两个区域旋转方向的中间状态，使四个区域的交界处透过率很低而产生“十”字型的中间暗纹，同时在像素电极30边缘电场的作用力下，边缘处的液晶分子与内部的液晶分子的旋转角度不同，就会在第一配向区域40和第四配向区域70产生纵向的边缘暗纹，在第二配向区域50和第三配向区域60产生横向的边缘暗纹，最终形成如图2中所示的“卐”字形状的暗纹，该暗纹的存在影响了像素的开口率，进而降低了显示面板的透过率，基于上述问题，本实用新型实施例提供一种像素结构，通过将像素电极外扩改变像素电极的形状，将边缘暗纹进行隐藏，以提高像素的开口率。

实施例一

图3是本实用新型实施例一提供的一种像素结构的示意图。

本实用新型实施例提供的一种像素结构，包括纵横交错设置的扫描线和数据线，该扫描线和数据线交叉限定出多个子像素单元，具体的，一个子像素单元由两条扫描线和两条数据线交叉限定，每个子像素单元上覆盖像素电极30，且每个子像素单元至少划分为第一配向区域40、第二配向区域50、第三配向区域60和第四配向区域70，具体的，如图3所示，扫描线10、另一扫描线11以及数据线20和另一数据线21相互交叉限定出多个子像素单元，该子像素单元上均覆盖有像素电极30，并将每个子像素单元至少划分为第一配向区域40、第二配向区域50、第三配向区域60和第四配向区域70，其中，第一配向区域40和第二配向区域50与相邻的子像素单元内的第三配向区域60和第四配向区域70分别靠近扫描线10的两侧，而第一配向区域40和第三配向区域60与相邻子像素单元内的第二配向区域50和第四配向区域70分别靠近数据线20的两侧。

为减少配向后像素显示区域的暗纹以提高显示面板透过率，在本实施例中，每个像素电极30位于第二配向区域50内且靠近扫描线10的横边缘向外延伸形成第一像素延伸部32，以使第二配向区域50内形成的横向边缘暗纹42移到与扫描线10相对应的位置上。在本实施例中，以平行于扫描线10的方向为横向方向，以垂直于横向方向的方向为纵向方向，在第二配向区域50光配向后，受像素电极30边缘电场和光配向的作用，会在第二配向区域50内形成横向边缘暗纹42。将像素电极30位于第二配向区域50内且靠近扫描线10的横边缘向外延伸形成第一像素延伸部32，受第一像素延伸部32的边缘电场的作用，就会使第二配向区域50内形成的原有的横向边缘暗纹42随着像素电极30横边缘的向外延伸而向扫描线10方向移动，即通过将第二配向区域50内的像素电极30靠近扫描线10的横边缘向外延伸就能够使第二配向区域50内形成的横向边缘暗纹42移到与扫描线10相对应的位置上，这样就使第二配向区域50内形成的横向边缘暗纹42隐藏在原本就不透光的扫描线10中，而不在像素的显示区域进行显示，有助于提高像素的开口率，进而提高了显示面板的透过率，提升了显示质量。

具体的，如图3所示，在本实施例中，扫描线10、另一扫描电极11、数据线20以及另一数据线交叉限定出多个子像素单元，每个子像素单元上均覆盖有像素电极30，且每个子像素单元划分为第一配向区域40、第二配向区域50、第三配向区域60和第四配向区域70四个配向区域，其中，第一配向区域40和第二配向区域50与相邻的子像素单元内的第三配向区域60和第四配向区域70分别靠近扫描线10的两侧，而第一配向区域40和第三配向区域60与相邻子像素单元内的第二配向区域50和第四配向区域70分别靠近数据线20的两侧，在进行光配向后，在第一配向区域40和第四配向区域70内会形成竖向的边缘暗纹，在第二配向区域50和第三配向区域60内会形成横向的边缘暗纹。其中，每个像素电极30位于第二配向区域50内且靠近扫描线10的横边缘向外延伸形成第一像素延伸部32，受第一像素延伸部32边缘电场的作用，就会使第二配向区域50原有的横向边缘暗纹42随着像素电极30横边缘的向外延伸而向扫描线10的方向移动，当移动到与扫描线10相对应的位置上时，就能够将第二配向区域50内形成的横向边缘暗纹42隐藏在原本就不透光的扫描线10中，而不在像素显示区域进行显示，从而提高了像素的开口率，进而提高了显示面板的透过率。

需要说明的是，在本实施例中，将像素电极30的横边缘向外延伸具体是指：将像素电极30的横边缘向背离像素电极中心的方向延伸，且此处的延伸是指在纵向方向上的平行延伸。

其中，在本实施例中，对像素电极30横边缘向外延伸的具体延伸距离并无其它要求，能够使第二配向区域50内形成的横向边缘暗纹42随着像素电极50横边缘的延伸而移动到扫描线10相对应的位置上即可。

在本实施例中，对扫描线和数据线的条数、形状以及布置方式等并无其它要求，能够实现其功能即可，具体的，可参照现有技术中扫描线与数据线的设置方式，该数据线可以为之字形数据线，以提高像素开口率，该数据线也可以是直线型数据线。

本实用新型实施例提供一种像素结构，通过将每个像素电极30位于第二配向区域50内且靠近扫描线10的横边缘向外延伸形成第一像素延伸部32，受第一像素延伸部32的边缘电场的作用，就会使第二配向区域50内形成的横向边缘暗纹42随着像素电极30横边缘的向外延伸而向扫描线10的方向移动，即通过将第二配向区域50内的像素电极30靠近扫描线10的横边缘的向外延伸就能够使第二配向区域50内形成的横向边缘暗纹42移动到与扫描线10相对应的位置上，这样就使的第二配向区域50内形成的横向边缘暗纹42隐藏在原本就不透光的扫描线10中，而不在像素的显示区域进行显示，提高了像素的开口率，有助于提高显示面板的透过率，提升了显示质量。解决了现有的显示面板在光配向后，易在像素内部形成“卐”字形状的暗纹，从而使显示面板的透过率降低的问题。

实施例二

图4是本实用新型实施例二提供的一种像素结构的暗纹模拟图。

进一步的，在上述实施例一的基础上，在本实施例中，每个像素电极30位于第三配向区域60内且靠近另一扫描线11的横边缘向外延伸形成第二像素延伸部33，以使第三配向区域60内形成的横向边缘暗纹43移到与另一扫描线11相对应的位置上。第三配向区域60光配向后，在像素电极30边缘电场和光配向作用下，会在第三配向区域60内形成横向边缘暗纹43。将像素电极30位于第三配向区域60内且靠近另一扫描线11的横边缘向外延伸形成第二像素延伸部33，受第二像素延伸部33的边缘电场的作用，就会使第三配向区域60内形成的横向边缘暗纹43随着像素电极30横边缘的向外延伸而向移动到与扫描线10相对应的位置上，这样就能够使第三配向区域60内形成的横向边缘暗纹43隐藏在不透光的另一扫描线11中，而不在像素的显示区域进行显示，同时，将像素电极30位于第二配向区域50内靠近扫描线10的横边缘向外延伸形成第一像素延伸部32，使第二配向区域50内形成的横向边缘暗纹42隐藏在扫描线10中，这样位于第二配向区域50和第三配向区域60的横向的暗纹就不会再显示，进一步提高了像素的开口率，有效的提升了显示面板的透过率。

具体的，如图3所示，在本实施例中，每个像素电极30位于第三配向区域60内靠近另一扫描线11的横边缘向外延伸形成第二像素延伸部33，受第二像素延伸部33边缘电场的作用，就会使第三配向区域60原有的横向边缘暗纹43随着像素电极30横边缘的延伸而向另一扫描线11的方向移动，即通过将第三配向区域60内的像素电极30靠近另一扫描线11的横边缘向外延伸就能够使第三配向区域60内形成的横向边缘暗纹43移到与另一扫描线11相对应的位置上，这样就使第三配向区域60内形成的横向边缘暗纹43隐藏在另一扫描线11中，同时像素电极30位于第二配向区域50内靠近扫描线10的横边缘向外延伸形成第一像素延伸部32，从而使第二配向区域50内形成的横向边缘暗纹42隐藏在扫描线10中，也就使第二配向区域50和第三配向区域60内的横向的边缘暗纹均不再显示，最终形成的显示暗纹如图4所示，与图2中现有像素显示区域暗纹相比，第二配向区域50和第三配向区域60内的暗纹被隐藏，显著的提高了像素的开口率。

需要说明的是，在本实施例中，将像素电极30的横边缘向外延伸具体是指：将像素电极30的横边缘向背离像素电极中心的方向延伸，且此处的延伸是指在纵向方向上的平行延伸。

其中，在本实施例中，对像素电极30横边缘向外延伸的具体延伸距离并无其它要求，能够使第三配向区域60内形成的横向边缘暗纹43随着像素电极30横边缘的延伸而移动到另一扫描线11相对应的位置上即可。

需要说明的是，在本实施例中，扫描线与另一扫描线是指构成同一子像素单元的两条扫描线。该数据线可以是之字形数据线，这样就使第一配向区域和第四配向区域的竖向边缘暗纹不会显示，从而使显示区域的暗纹为“十”字型，显著的提高了像素的开口率。

本实用新型实施例提供一种像素结构，通过将像素电极30位于第三配向区域60内且靠近另一扫描线11的横边缘向外延伸形成第二像素延伸部33，受第二像素延伸部33的边缘电场的作用，就会使第三配向区域60形成的横向边缘暗纹43随着像素电极30横边缘的向外延伸而移到与另一扫描线11相对应的位置上，这样就能够使第三配向区域60内形成的横向边缘暗纹43隐藏在原本就不透光的另一扫描线11中，而不在像素的显示区域进行显示，同时，将像素电极30位于第二配向区域50内靠近扫描线11的横边缘向外延伸形成第一像素延伸部32，使第二配向区域50内形成的横向边缘暗纹42隐藏在扫描线10中，这样位于第二配向区域50和第三配向区域60的横向的暗纹就不会再显示，进一步提高了像素的开口率，有效的提升了显示面板的透过率。

实施例三

图5是本实用新型实施例三提供的一种像素结构的示意图。

进一步的，在上述实施例二的基础上，在本实施例中，每个像素电极30位于第一配向区域40内且靠近数据线20的纵边缘向外延伸形成第三像素延伸部31，以使第一配向区域40内形成的纵向边缘暗纹41移动到与数据线20相对应的位置上，且该数据线20为直线型数据线。第一配向区域40光配向后，在像素电极30边缘电场和配向作用下，会在第一配向区域40内形成纵向边缘暗纹41，当该数据线20为直线型数据线时，就会在像素显示区域形成纵向的边缘暗纹。而将像素电极30位于第一配向区域40内且靠近数据线20的纵边缘向外延伸形成第三像素延伸部31，受第三像素延伸部31的边缘电场的作用，就会使第一配向区域40形成的纵向边缘暗纹41随着像素电极30纵边缘的向外延伸而向数据线20的方向移动，即通过将第一配向区域40内的像素电极30靠近数据线20的纵边缘向外延伸能够使第一配向区域40内形成的纵向边缘暗纹41移到与数据线20相对应的位置上，这样就使第一配向区域40内形成的纵向边缘暗纹41隐藏在原本就不透光的数据线20中，而不在像素的显示区域进行显示，从而提高了像素的开口率，提升了显示面板的透过率。

另外，在本实施例中，采用直线型的数据线，与之字形数据线相比，能够降低数据信号的延迟，提高数据信号传输效果。

具体的，如图5所示，在本实施例中，数据线20为直线型数据线，每个像素电极30位于第一配向区域40内靠近数据线20的纵边缘向外延伸形成第三像素延伸部31，受第三像素延伸部31边缘电场的作用，使第一配向区域40原有的纵向边缘暗纹41随着像素电极30纵边缘的延伸而移到与数据线20相对应的位置上，这样就使第一配向区域40内形成的纵向边缘暗纹41隐藏在数据线20中，而不在像素的显示区域进行显示，从而提高了像素的开口率。

需要说明的是，在本实施例中，将像素电极30的纵边缘向外延伸具体是指：将像素电极30的纵边缘向背离像素电极中心的方向延伸，且此处的延伸是指在横向方向上的平行延伸。

其中，在本实施例中，对像素电极30的纵边缘向外延伸的具体延伸距离并无其它要求，能够使第一配向区域40内形成的纵向边缘暗纹41随着像素电极30纵边缘的延伸而移动到数据线20相对应的位置上即可。

本实用新型实施例提供的一种像素结构，通过将像素电极30位于第一配向区域40内且靠近数据线20的纵边缘向外延伸形成第三像素延伸部31，受第三像素延伸部31的边缘电场的作用，就会使第一配向区域40形成的纵向边缘暗纹41随着像素电极30纵边缘的向外延伸而移到与数据线20相对应的位置上，这样就能够使第一配向区域40内形成的纵向边缘暗纹41隐藏在原本就不透光的数据线20中，而不在像素的显示区域进行显示，进一步提高了像素的开口率，提升了显示面板的透过率。

实施例四

图6是本实用新型实施例四提供的一种像素结构的示意图，图7是本实用新型实施例四提供的一种像素结构的暗纹模拟图。

进一步的，在上述实施例三的基础上，在本实施例中，将每个像素电极30位于第四配向区域70内且靠近另一数据线21的纵边缘向外延伸形成第四像素延伸部34，以使第四配向区域70内形成的纵向边缘暗纹44移动到与另一数据线21相对应的位置上。第四配向区域70光配向后，在像素电极30边缘电场和配向作用下，会在第四配向区域70内形成纵向边缘暗纹44，当该另一数据线21为直线型数据线时，就会在像素显示区域形成纵向的边缘暗纹。而将像素电极30位于第四配向区域70内且靠近另一数据线21的纵边缘向外延伸形成第四像素延伸部34，受第四像素延伸部34的边缘电场的作用，就会使第四配向区域70形成的纵向边缘暗纹44随着像素电极30纵边缘的向外延伸而移到与另一数据线21相对应的位置上，这样就使第四配向区域70内形成的纵向边缘暗纹44隐藏在原本就不透光的另一数据线21中，而不在像素的显示区域进行显示，从而提高了像素的开口率。同时，像素电极30位于第二配向区域50内靠近扫描线10的横边缘向外延伸形成第一像素延伸部32，从而使第二配向区域50内形成的横向边缘暗纹42隐藏在扫描线10中；像素电极30位于第三配向区域60内靠近另一扫描线11的横边缘向外延伸形成第二像素延伸部33，从而使第三配向区域60内形成的横向边缘暗纹43隐藏在另一扫描线11中；像素电极30位于第一配向区域40内靠近数据线20的纵边缘向外延伸形成第三像素延伸部31，从而使第一配向区域40内形成的纵向边缘暗纹41隐藏在数据线20中，也就使第二配向区域50和第三配向区域60内的横向的边缘暗纹，以及第一配向区域40和第四配向区域70内的纵向的边缘暗纹均不再显示，从而进一步提升了像素的开口率，有效的提升了显示面板的透过率。

具体的，如图6所示，在本实施例中，另一数据线21为直线型数据线，每个像素电极30位于第四配向区域70内且靠近另一数据线21的纵边缘向外延伸形成第四像素延伸部34，受第四像素延伸部34的边缘电场的作用，就会使第四配向区域70形成的纵向边缘暗纹44随着像素电极30纵边缘的向外延伸而移到与另一数据线21相对应的位置上，这样就使第四配向区域70内形成的纵向边缘暗纹44隐藏在原本就不透光的另一数据线21中，而不在像素的显示区域进行显示。同时，像素电极30位于第二配向区域50内靠近扫描线10的横边缘向外延伸形成第一像素延伸部32，从而使第二配向区域50内形成的横向边缘暗纹42隐藏在扫描线10中；像素电极30位于第三配向区域60内靠近另一扫描线11的横边缘向外延伸形成第二像素延伸部33，从而使第三配向区域60内形成的横向边缘暗纹43隐藏在另一扫描线11中；像素电极30位于第一配向区域40内靠近数据线20的纵边缘向外延伸形成第三像素延伸部31，从而使第一配向区域40内形成的纵向边缘暗纹41隐藏在数据线20中，也就使第二配向区域50和第三配向区域60内的横向边缘暗纹，以及第一配向区域40和第四配向区域70内的纵向边缘暗纹均不再显示，最终形成“十”字型的暗纹，显著的提升了像素的开口率，有效的提升了显示面板的透过率。

需要说明的是，在本实施例中，数据线与另一数据线是指构成同一子像素单元的两条数据线。其中，将像素电极30的纵边缘向外延伸具体是指：将像素电极的纵边缘向背离像素电极中心的方向延伸，且此处的延伸是指在横向方向上的平行延伸。

其中，在本实施例中，第一像素延伸部32的外边缘与靠近第一像素延伸部32的扫描线10朝向第二配向区域50的一侧之间的距离为4-6μm，第二像素延伸部33的外边缘与靠近第二像素延伸部的扫描线10朝向第三配向区域60的一侧之间的距离为4-6μm。

在本实施例中，第三像素延伸部31的外边缘与靠近第三像素延伸部31的数据线20朝向第三配向区域60的一侧之间的距离为4-6μm，第四像素延伸部34的外边缘与靠近第四像素延伸部34数据线20朝向第四配向区域70的一侧之间的距离为4-6μm。

其中，在本实施例中，像素电极30的形状为中心对称多边形。将像素电极30位于第一配向区域40内靠近数据线20的纵边缘向外延伸形成第三像素延伸部31，像素电极30位于第二配向区域50内靠近扫描线10的横边缘向外延伸形成第一像素延伸部32，像素电极30位于第三配向区域60内靠近另一扫描线11的横边缘向外延伸形成第二像素延伸部33，像素电极30位于第四配向区域70内且靠近另一数据线21的纵边缘向外延伸形成第四像素延伸部34，这样形成的像素电极30的形状为如图7中所示的中心对称多边形。

本实用新型实施例提供一种像素结构，通过将像素电极30位于第四配向区域70内且靠近另一数据线21的纵边缘向外延伸形成第四像素延伸部34，实现使第四配向区域70内形成的纵向边缘暗纹44隐藏在原本就不透光的另一数据线21中，而不在像素的显示区域进行显示。同时，将像素电极30位于第二配向区域50内靠近扫描线10的横边缘向外延伸形成第一像素延伸部32，从而使第二配向区域50内形成的横向边缘暗纹42隐藏在扫描线10中；像素电极30位于第三配向区域60内靠近另一扫描线11的横边缘向外延伸形成第二像素延伸部33，从而使第三配向区域60内形成的横向边缘暗纹43隐藏在另一扫描线11中；像素电极30位于第一配向区域40内靠近数据线20的纵边缘向外延伸形成第三像素延伸部31，从而使第一配向区域40内形成的纵向边缘暗纹41隐藏在数据线20中，这样就使第二配向区域50和第三配向区域60内的横向边缘暗纹，以及第一配向区域40和第四配向区域70内的纵向边缘暗纹均不再显示，最终形成“十”字型的暗纹，显著的提升了像素的开口率，有效的提升了显示面板的透过率。

本实用新型的第二方面提供一种阵列基板，包括上述任一实施例中像素结构，具体的，该阵列基板的衬底上设置有若干个上述任一实施例中的像素结构。

本实用新型的第三方面提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。该显示面板可以为电子纸、平板电脑、液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机等产品中进行显示的部件。

本实用新型的第四方面提供一种显示装置，包括上述的显示面板，该显示装置具体可以为液晶显示装置、电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，本文中使用的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成为一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以使两个元件内部的相连或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。