阵列基板的修复方法、阵列基板、显示面板和显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的修复方法、阵列基板、显示面板和显示装置。

背景技术：

薄膜晶体管液晶显示器(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，tft-lcd)具有耗电量小，体积小和辐射低的优点，它是将液晶置于两片导电材料之间，利用薄膜晶体管层控制两个电极之间的电场驱动，引起液晶分子扭曲向列的电场效应，以控制光源投射或遮蔽，从而达到显示影像的目的。

在tft-lcd的衬底基板制备过程中，数据线与栅极线存在交叠的区域，数据线会在交叠区域产生“爬坡”区，导致数据线表面平整度较差，并且当衬底基板进行热处理或者刻蚀工艺时，数据线由于本身宽度较小很容易发生断路(dataopen，do)，影响像素单元的正常信号传输，导致像素单元显示异常。目前常采用在数据线断裂区域的两端添加修复线，以达到修复数据线的目的。图1为现有技术中具有断裂区域数据线的阵列基板的结构示意图；图2为现有技术中设置有修复线的阵列基板的结构示意图；图3为现有技术中修复及切割工艺后的阵列基板的结构示意图。参照图1至图3所示，目前的修复工艺是直接在断裂数据线的断裂区域两端添加修复线，利用修复线重新导通数据线的断裂区域，数据线与开关二极管的漏极导通，栅极线控制两者的导通断开过程，从而控制数据线上的信号输入像素单元的过程，保证像素单元的正常信号线传输，维持其正常显示。

然而在上述的修复工艺中，该修复线的走线会与漏极接触，使得数据线与开关二极管的漏极短接，直接导致栅极线无法控制像素单元的信号输入输出，像素单元控制过程失效。并且在像素暗点操作过程中，为保证正常的像素暗点，会采用图3所示的切割工艺，将漏极中与修复线接触的部分切割开来，然而这也无法避免漏极与公共线线的短接，从而引发暗点操作接线不良，影响像素单元的显示效果。

技术实现要素：

为了解决背景技术中提到的至少一个问题，本发明提供一种阵列基板的修复方法、阵列基板、显示面板和显示装置，能够有效修复阵列基板上数据线的断裂区域，保证像素单元的正常显示功能，同时不影响像素单元的暗点操作，保证显示面板和显示装置的显示效果。

为了实现上述目的，第一方面，本发明提供一种阵列基板，包括：

衬底基板，所述衬底基板上设置有存储电容，开关二极管以及纵横交错的栅极线和数据线，纵横交错的所述栅极线和所述数据线限定出多个像素区域，所述开关二极管的栅极和所述栅极线连接，所述开关二极管的源极和所述数据线连接。

每个像素区域内设置有电容板，所述电容板设置在所述存储电容的公共线与像素电极之间，所述电容板与所述存储电容的公共线在所述衬底基板的正投影重合，以形成所述存储电容。

所述电容板包括第一电容板和至少一个第二电容板，所述第一电容板和所述第二电容板间隔设置，所述第一电容板靠近与所述像素区域对应的所述开关二极管，且所述第一电容板与所述开关二极管的漏极电连接，并同时与所述像素电极电连接；

所述第二电容板与所述像素电极电连接。

在上述的阵列基板中，可选的是，所述第一电容板和所述第二电容板均通过过孔与所述像素区域内对应的所述像素电极电连接。

在上述的阵列基板中，可选的是，所述像素区域内的所述像素电极包括相互断路的第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第一电容板电连接，所述第二区域和所述第二电容板电连接。

在上述的阵列基板中，可选的是，所述第一电容板和所述第二电容板沿与所述栅极线平行的方向间隔设置。

在上述的阵列基板中，可选的是，每个所述像素区域中包括至少两个所述第二电容板。

在上述的阵列基板中，可选的是，至少两个所述第二电容板在所述像素区域内沿与所述栅极线平行的方向间隔设置。

第二方面，本发明提供一种阵列基板的修复方法，用于修复上述的阵列基板，所述修复方法包括以下步骤：

确定所述数据线的断裂区域；

在具有所述断裂区域的所述数据线上设置修复线，所述修复线的两端分别电连接所述断裂区域的两侧，

短接所述修复线和所述数据线所在像素区域内的第二电容板；

切割所述第二电容板附近的像素电极，以使所述像素电极分割为相互断路的第一区域和第二区域，短接所述第一区域与所述第一电容板，短接所述第二区域与所述第二电容板。

第三方面，本发明提供一种修复后的阵列基板，所述修复后的阵列基板通过上述的修复方法进行修复，所述修复后的阵列基板包括：

衬底基板，所述衬底基板上设置有存储电容，开关二极管和纵横交错的栅极线和数据线，纵横交错的所述栅极线和所述数据线限定出多个像素区域，所述开关二极管的栅极和所述栅极线连接，所述开关二极管的源极和所述数据线连接；

每个像素区域内设置有电容板，所述电容板设置在所述存储电容的公共线与像素电极之间，所述电容板与所述存储电容的公共线在所述衬底基板的正投影重合，以形成所述存储电容；

所述电容板包括第一电容板和至少一个第二电容板，所述第一电容板和所述第二电容板间隔设置，所述第一电容板靠近与所述像素区域对应的所述开关二极管，且所述第一电容板与所述开关二极管的漏极电连接，并同时与所述像素电极电连接；

所述第二电容板与所述像素电极电连接；

具有断裂区域的所述数据线的断点两侧设置有修复线，所述修复线短接所述第二电容板；

所述第二电容板附近的像素电极断开，以使所述像素电极分割为相互断路的第一区域和第二区域，所述第一电容板与所述第一区域电连接，所述第二电容板与所述第二区域电连接。

第四方面，本发明提供一种显示面板，包括彩膜基板、液晶层、上述的阵列基板，彩膜基板和阵列基板对盒设置，液晶层位于彩膜基板和阵列基板之间。

第五方面，本发明提供一种显示装置，包括上述的显示面板。

本发明提供的阵列基板的修复方法、阵列基板、显示面板和显示装置，通过在阵列基板中间隔设置第一电容板和至少一个第二电容板，利用第一电容板与开关二极管的漏极连接，完成数据线上信号通过栅极线的控制，最终传递至开关二极管，保证像素电极的正常信号传输，维持像素单元的正常显示功能。当该像素区域内的数据线发生断裂时，利用修复线连接断点的两端，修复线短接像素区域内的第二电容板，并且切割像素区域内的像素电极使其成为相互断路的第一区域和第二区域，通过将第一区域与第一电容板连接，第二区域与第二电容板连接，从而避免与修复线连接的第二电容板与第一电容板连接，避免数据线与漏极直接连通，防止栅极线对像素单元的控制失效，从而维持像素单元的正常显示功能，并且避免像素单元在暗点操作时，数据线与公共线连接，减少接线不良的发生率，保证显示面板和显示装置的显示效果。

本发明的构造以及它的其他发明目的及有益效果将会通过结合附图而对优选实施例的描述而更加明显易懂。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作以简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中具有断裂区域数据线的阵列基板的结构示意图；

图2为现有技术中设置有修复线的阵列基板的结构示意图；

图3为现有技术中修复及切割工艺后的阵列基板的结构示意图；

图4为现有技术中阵列基板的等效电路图；

图5为现有技术中设置有修复线的阵列基板的等效电路图；

图6为现有技术中暗点操作的阵列基板的等效电路图；

图7为本发明实施例一提供的阵列基板的结构示意图；

图8为本发明实施例一提供的设置有过孔结构的阵列基板的结构示意图；

图9为本发明实施例二提供的阵列基板的修复方法的流程示意图；

图10为本发明实施例三提供的设置有修复线的阵列基板的结构示意图；

图11为本发明实施例三提供的切割工艺后的阵列基板的结构示意图；

图12为本发明实施例三提供的阵列基板的等效电路图；

图13为本发明实施例三提供的设置修复线的阵列基板的等效电路图。

附图标记说明：

10，1-栅极线；

20，2-数据线；

30，3-电容板；

31-第一电容板；

32-第二电容板；

40，4-像素电极；

41-第一区域；

42-第二区域；

50，5-公共线；

60，6-开关二极管；

70，7-修复线；

80，8-存储电容；

90，9-像素电容；

a，a-断裂区域；

b，b-切割区域；

c，c-过孔；

d，d-暗点操作连接线。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的优选实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行更加详细的描述。在附图中，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。下面结合附图对本发明的实施例进行详细说明。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应作广义理解，例如，可以使固定连接，也可以是通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或者两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

实施例一

图1为现有技术中具有断裂区域数据线的阵列基板的结构示意图。图2为现有技术中设置有修复线的阵列基板的结构示意图。图3为现有技术中修复及切割工艺后的阵列基板的结构示意图。图4为现有技术中阵列基板的等效电路图。图5为现有技术中设置有修复线的阵列基板的等效电路图。图6为现有技术中暗点操作的阵列基板的等效电路图。

参照图1至图6所示，目前的阵列基板中，数据线2和栅极线1交错设置在衬底基板上，由于数据线2和栅极线1的交叠区域，数据线2一般叠设在栅极线1的上方，因此数据线2的“爬坡”区域由于平整度较低，容易在衬底基板的热处理或者刻蚀工艺过程中发生断裂，影响数据线2中正常的信号传输(参照图1所示)。为了避免这种情况的发生，参照图2所示，一般是在数据线2的断裂区域a的两端设置修复线7，利用修复线7导通断裂区域a的数据线2，保证数据线2对像素单元的正常信号输入输出。图4和图5分别是添加修复线7前后衬底基板的等效电路图，可以看出设置修复线7后，数据线2的信号虽然可以通过修复线7导通至断裂区域a的另一端，从而保证数据线2的信号可以通过栅极线1的控制进入电容板3中，最终输入至像素电容9和存储电容8，保证正常的信号传输。然而修复线7在走线过程中，会接触到电容板3，导致数据线2通过修复线7直接与电容板3连接，因此数据线2的信号可以无需通过栅极线1处的开关二极管6的控制直接到达电容板3中，最终进入像素单元中，导致栅极线1对像素单元控制的失效。进一步地，参照图6所示，当像素单元在暗点操作时，当电容板3与公共线5连接后，数据线2可以通过修复线7、电容板3以及暗点操作连接线d直接与公共线5连接，导致衬底基板中引线不良率较高，不仅影响像素单元的正常显示功能，还会影响其显示效果。

参照图3所示，目前为了避免暗点操作中，数据线2与公共线5连接，解决的方法是将形成存储电容的电容板进行切割处理，在电容板上形成切割区域b，使得电容板上与修复线7接触的区域与其他区域断开以达到断路的效果，因此与电容板连接的电容板3也会进行相应的分割，这样可以避免数据线2与开关二极管6的电容板3导通。然而由于电容板会与像素电极4通过过孔c连接，因此虽然电容板在结构上进行了分割，但是分割形成的两个部分还会通过像素电极4导通，因此这种方法并不能彻底解决数据线2与电容板3导通问题。在暗点操作中，也无法避免引线不良的发生。

基于上述的发现以及存在的技术问题，本发明实施例一提供以下解决方案：

图7为本发明实施例一提供的具有断裂区域数据线的阵列基板的结构示意图。图8为本发明实施例一提供的设置有过孔结构的阵列基板的结构示意图。

参照图7和图8所示，本发明实施例一提供的阵列基板，包括：

衬底基板，衬底基板上设置有存储电容，开关二极管60以及纵横交错的栅极线10和数据线20，纵横交错的栅极线10和数据线20限定出多个像素区域，开关二极管60的栅极和栅极线10连接，开关二极管60的源极和数据线20连接。

每个像素区域内设置有电容板30，电容板30设置在存储电容的公共线50与像素电极40之间，电容板30与存储电容的公共线50在衬底基板的正投影重合，以形成存储电容。

电容板30包括第一电容板31和至少一个第二电容板32，第一电容板31和第二电容板32间隔设置，第一电容板31靠近与像素区域对应的开关二极管60，且第一电容板31与开关二极管60的漏极电连接，并同时与像素电极40电连接。

第二电容板32与像素电极40电连接。

需要说明的是，衬底基板上会设置栅极线10、存储电容和开关二极管60和数据线20，其中数据线20可以是源极线，为像素单元提供信号输入。数据线20和栅极线10纵横交错设置，在走线过程中形成了多个像素单元，每个像素单元均对应设置有存储电容和开关二极管60。其中开关二极管60的栅极与栅极线10连接，用于接收栅极线10发送的控制信号，开关二极管60的源极与数据线20连接，用于接收数据线20发送的数据信号。

进一步地，在本实施例中，形成存储电容的电容板30包括第一电容板31和至少一个第二电容板32，两者相邻且间隔设置在阵列基板上，其中第一电容板31靠近该像素区域内的开关二极管60设置，第一电容板31与开关二极管60的漏极连接。第一电容板31主要用于为像素电极40提供正常的信号传输，当数据线20上的发光信号传递至开关二极管60的源极，栅极线10上的控制信号传递至开关二极管60的栅极，控制信号控制发光信号传递至发光二极管60的漏极后进一步传输至存储电容的第一电容板31，最终传递至像素电极40，控制像素电极40正常显示。

其中，第二电容板32是直接与像素电极40连接，该第二电容板32主要用于短接修复数据线的修复线，避免修复线与第一电容板31或者开关二极管的漏极连接。当数据线20上存在断裂区域时，修复断裂区域的修复线通过第二电容板32，并且基于第一电容板31和第二电容板32间隔设置，因此与数据线20连接的修复线将发光信号传递至第二电容板32时，第二电容板32不会进一步将发光信号直接传递至第一电容板31，因此可以有效避免发光信号通过第一电容板31直接传递至像素电极40，防止开关二极管60的栅极或栅极线10对像素单元的显示过程失控。

作为一种可实现的实施方式，参照图7和图8所示，基于第一电容板31和第二电容板32均与像素区域内的像素电极40异层设置，因此第一电容板31和第二电容板32均可以通过过孔c与像素电极40连接。

进一步地，基于第一电容板31和第二电容板32均通过过孔c与对应的像素区域内的像素电极40连接，为避免两者通过像素电极40连接，本实施例将像素电极40设置为相互断路的第一区域41和第二区域42，第一区域41和第一电容板31电连接，第二区域42和第二电容板32电连接。

其中，第一电容板31和第二电容板32沿与栅极线10平行的方向间隔设置。

作为一种可实现的实施方式，每个像素区域中包括至少两个第二电容板32，至少两个第二电容板32在像素区域内沿与栅极线10平行的方向间隔设置。

本发明实施例一提供的阵列基板，通过在阵列基板中间隔设置第一电容板和至少一个第二电容板，利用第一电容板与开关二极管的漏极连接，完成数据线上信号通过栅极线的控制，最终传递至开关二极管，保证像素电极的正常信号传输，维持像素单元的正常显示功能。当该像素区域内的数据线发生断裂时，利用修复线连接断点的两端，修复线短接像素区域内的第二电容板，并且切割像素区域内的像素电极使其成为相互断路的第一区域和第二区域，通过将第一区域与第一电容板连接，第二区域与第二电容板连接，从而避免与修复线连接的第二电容板与第一电容板连接，避免数据线与漏极直接连通，防止栅极线对像素单元的控制失效，从而维持像素单元的正常显示功能，并且避免像素单元在暗点操作时，数据线与公共线连接，减少接线不良的发生率，保证显示面板和显示装置的显示效果。

实施例二

图9为本发明实施例二提供的阵列基板的修复方法的流程示意图。参照图9所示，在上述实施例一的基础上，本发明实施例二提供一种阵列基板的修复方法，包括：

s1：确定数据线的断裂区域。

需要说明的是，由于数据线和栅极线的交叠区域，数据线一般叠设在栅极线的上方，因此数据线的“爬坡”区域由于平整度较低，容易在衬底基板的热处理或者刻蚀工艺过程中发生断裂，影响数据线中正常的信号传输，因此可以将数据线与栅极线的重叠区域作为数据线的断裂区域。

s2：在具有断裂区域的数据线上设置修复线，修复线的两端分别电连接断裂区域的两侧。

需要说明的是，利用修复线修复该具有断裂区域的数据线时，修复线的两端分别搭接在数据线断裂点的两端，因此数据线上的发光信号通过修复线传递跨越该断裂区域，保证正常的信号传输。其中，修复线可以选用与数据线相同的材质制备。

s3：短接修复线和数据线所在像素区域内的第二电容板。

需要说明的是，为了防止修复线与第一电容板接触，本实施例将修复线与第二电容板短接，基于第一电容板和第二电容板间隔设置，因此可以有效防止经由修复线传输的发光信号进一步传递至第一电容板上，从而避免发光信号直接传递至开关二极管的漏极以及像素电极的位置，保证了栅极线对像素单元显示过程的正常控制。

s4：切割所述第二电容板附近的像素电极，以使所述像素电极分割为相互断路的第一区域和第二区域，短接所述第一区域与所述第一电容板，短接所述第二区域与所述第二电容板。

需要说明的是，为了避免第一电容板和第二电容板通过像素电极导通，可以通过切割工艺在像素电极上形成切割区域，使其形成第一区域和第二区域，未与修复线短接的第一电容板与第一区域电连接，与修复线短接的第二电容板与第二区域电连接。第一区域和第二区域在结构上相互独立，并且不存在任何导通结构，因此两者相互断路，这样可以避免第一电容板和第二电容板导通，防止数据线与像素电极直接连通。

其他技术特征与实施例一相同，并能达到相同的技术效果，在此不再一一赘述。

本发明实施例二提供的阵列基板的修复方法，通过在数据线的断裂区域两端设置修复线，利用修复线修复数据线的断裂区域，保证数据线的正常信号传输。阵列基板中间隔设置第一电容板和至少一个第二电容板，利用第一电容板与开关二极管的漏极连接，完成数据线上信号通过栅极线的控制，最终传递至开关二极管，保证像素电极的正常信号传输，维持像素单元的正常显示功能。利用修复线短接像素区域内的第二电容板，并且切割像素区域内的像素电极使其成为相互断路的第一区域和第二区域，通过将第一区域与第一电容板连接，第二区域与第二电容板连接，从而避免与修复线连接的第二电容板与第一电容板连接，避免数据线与漏极或像素电极直接连通，防止栅极线对像素单元的控制失效，从而维持像素单元的正常显示功能，并且避免像素单元在暗点操作时，数据线与公共线连接，减少接线不良的发生率，保证显示面板和显示装置的显示效果。

实施例三

图10为本发明实施例三提供的设置有修复线的阵列基板的结构示意图。图11为本发明实施例三提供的切割工艺后的阵列基板的结构示意图。图12为本发明实施例三提供的阵列基板的等效电路图。图13为本发明实施例三提供的设置修复线的阵列基板的等效电路图。

参照图10至图13，并结合实施例一的图7和图8所示，本发明实施例三提供一种修复后的阵列基板，具体的：

该修复后的阵列基板通过上述的修复方法进行修复，具体包括：衬底基板，衬底基板上设置有存储电容80，开关二极管60和纵横交错的栅极线10和数据线20，纵横交错的栅极线10和数据线20限定出多个像素区域，开关二极管60的栅极和栅极线10连接，开关二极管60的源极和数据线20连接。

每个像素区域内设置有电容板30，电容板30设置在存储电容80的公共线50与像素电极40之间，电容板30与存储电容80的公共线50在衬底基板的正投影重合，以形成存储电容80。

电容板30包括第一电容板31和至少一个第二电容板32，第一电容板31和第二电容板32间隔设置，第一电容板31靠近与像素区域对应的开关二极管32，且第一电容板31与开关二极管60的漏极电连接，并同时与像素电极40电连接；第二电容板32与像素电极40电连接；

具有断裂区域a的数据线20的断点两侧设置有修复线70，修复线70短接第二电容板32；

第二电容板32附近的像素电极40断开，以使像素电极40分割为相互断路的第一区域41和第二区域42，第一电容板31与第一区域41电连接，第二电容板32与第二区域42电连接。

需要说明的是，栅极线10和数据线20在衬底基板的正投影会具有重叠区域，基于上述的分析可知，数据线20在与栅极线10的重叠区域极易发生断裂，并形成断裂区域a。

本实施例中电容板30分布在间隔设置的相邻的数据线20之间，并且电容板30设置有至少两个，分别包括第一电容板31和至少一个第二电容板32，第一电容板31与像素电极40电连接，实现对像素单元的信号输入作用。参照图7所示，本实施例以两个电容板30为例进行说明，分别包括第一电容板31和第二电容板32。在实际使用中，电容板30的数量还可以大于两个，具体数量可以根据需要设定，本实施例对此并不加以限制。

为解决数据线20断裂的问题，本实施例采用修复线70连接断裂区域a的两端，修复线70的走线接触到第一电容板31，与修复线70接触的第二电容板32会与数据线20连通，第一电容板31保持正常的走线结构，避免与数据线20接触，从而使得修复后的数据线20中的信号可以通过栅极线10的控制，从而进入该第一电容板31中，该第一电容板31再将信号进一步传输至像素单元的像素电极，并供给像素电容90，保证像素单元的正常显示，以及栅极线10对像素单元的控制效果。

作为一种可实现的实施方式，修复线70可以选用镭射激光沉积的方法制备，该方法能够诱导沉积物沉积在目标区域，从而提高沉积物沉积位置精确性。

作为一种优选的实施方式，基于本实施例中具有多个第二电容板32，多个第二电容板32中到具有断裂区域a的数据线20的距离最近的第二电容板32与修复线短接。这样不仅可以减少修复线70的走线过程，降低制备的复杂性和操作难度，而且减少修复线70的走线对原有阵列基板中各个结构的影响，降低引线不良的发生率。

进一步地，为彻底避免第一电容板31与第二电容板32的电连接，像素电极40包括第一区域41和第二区域42，第一电容板31与第一区域41电连接，第二电容板32与第二区域42电连接，第一区域41和第二区域42相互断路。

需要说明的是，参照图11所示，基于第一电容板31和第二电容板32均与像素电极40电连接，因此本实施例中将像素电极40进行切割，从而形成第一区域41和第二区域42，其中第一区域41与第一电容板31连接，第二区域42与第二电容板32连接。由于切割后，在第一区域41和第二区域42之间会形成切割区域b，第一区域41和第二区域42在结构上相互独立，并且不存在任何导通结构，因此两者相互断路，这样也可以避免第一电容板31和第二电容板32之间的导通，防止与修复线70短接的第一电容板31影响第二电容板32的正常信号传输。

作为一种可实现的实施方式，修复线70与数据线20同层设置。并且修复线70的制备材料与数据的制备材料相同，修复线70的制备材料为导电性较好的碳化钨、银以及铜中的一种或多种复合物。在实际使用中，修复线70和数据线20的制备材料可以根据需要设定，本实施例对此并不加以限制，也不局限于上述示例。

参照图12和图13所示，本实施例中的第一电容板31和第二电容板32，两者分别对应连接两个像素电容90，当在数据线30上设置修复线70后，修复线70仅与第一电容板31导通，在第一电容板31和第二电容板32之间进行切割形成切割区域b，因此第一电容板31与第二电容板32断路。当进行像素单元的暗点操作时，可以将修复线70通过暗点操作连接线d与公共线50连接，因此实现像素单元的正常暗点功能。

本发明实施例一提供的修复后的阵列基板，通过在数据线的断裂区域两端设置修复线，利用修复线修复数据线的断裂区域，保证数据线的正常信号传输。阵列基板中间隔设置第一电容板和至少一个第二电容板，利用第一电容板与开关二极管的漏极连接，完成数据线上信号通过栅极线的控制，最终传递至开关二极管，保证像素电极的正常信号传输，维持像素单元的正常显示功能。利用修复线短接像素区域内的第二电容板，并且切割像素区域内的像素电极使其成为相互断路的第一区域和第二区域，通过将第一区域与第一电容板连接，第二区域与第二电容板连接，从而避免与修复线连接的第二电容板与第一电容板连接，避免数据线与漏极或像素电极直接连通，防止栅极线对像素单元的控制失效，从而维持像素单元的正常显示功能，并且避免像素单元在暗点操作时，数据线与公共线连接，减少接线不良的发生率，保证显示面板和显示装置的显示效果。

实施例四

在上述实施例一和实施例三的基础上，本发明实施例四提供一种显示面板。

具体的，该显示面板包括彩膜基板、液晶层、上述的阵列基板，彩膜基板和阵列基板对盒设置，液晶层位于彩膜基板和阵列基板之间。

需要说明的是，该显示面板的彩膜基板和阵列基板之间还可以分别设置配向层和偏光片，其中配向层设置在液晶层的两侧，偏光片分别设置在两个配向层远离液晶层的一侧。在显示面板工作时，阵列基板中的公共线和像素电极通过薄膜晶体管层通入电信号和控制信号，从而驱使液晶发生偏转，导出显示面板底部背光模组的光线，导出的光线在彩膜基板的彩色滤光片上进行滤光，形成不同颜色的光线后发出，完成显示面板的显示过程。

在实际使用中，显示面板的结构可以根据需要在上述的基础上添加其余结构层，本实施例对此并不加以限制。

其他技术特征与实施例一和实施例三相同，并能达到相同的技术效果，在此不再一一赘述。

本发明实施例四提供的显示面板，通过在阵列基板的数据线的断裂区域两端设置修复线，利用修复线修复数据线的断裂区域，保证数据线的正常信号传输。阵列基板中间隔设置第一电容板和至少一个第二电容板，利用第一电容板与开关二极管的漏极连接，完成数据线上信号通过栅极线的控制，最终传递至开关二极管，保证像素电极的正常信号传输，维持像素单元的正常显示功能。利用修复线短接像素区域内的第二电容板，并且切割像素区域内的像素电极使其成为相互断路的第一区域和第二区域，通过将第一区域与第一电容板连接，第二区域与第二电容板连接，从而避免与修复线连接的第二电容板与第一电容板连接，避免数据线与漏极或像素电极直接连通，防止栅极线对像素单元的控制失效，从而维持像素单元的正常显示功能，并且避免像素单元在暗点操作时，数据线与公共线连接，减少接线不良的发生率，保证显示面板和显示装置的显示效果。

实施例五

在上述实施例一、实施例三和实施例四的基础上，本发明实施例五提供一种显示装置，包括上述的显示面板。本实施例提供的显示装置可以为包括显示面板的电视、数码相机、手机、平板电脑、智能手表、电子书、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。

其他技术特征与实施例一、实施例三和实施例四相同，并能达到相同的技术效果，在此不再一一赘述。

本发明实施例五提供的显示装置，通过在阵列基板的数据线的断裂区域两端设置修复线，利用修复线修复数据线的断裂区域，保证数据线的正常信号传输。阵列基板中间隔设置第一电容板和至少一个第二电容板，利用第一电容板与开关二极管的漏极连接，完成数据线上信号通过栅极线的控制，最终传递至开关二极管，保证像素电极的正常信号传输，维持像素单元的正常显示功能。利用修复线短接像素区域内的第二电容板，并且切割像素区域内的像素电极使其成为相互断路的第一区域和第二区域，通过将第一区域与第一电容板连接，第二区域与第二电容板连接，从而避免与修复线连接的第二电容板与第一电容板连接，避免数据线与漏极或像素电极直接连通，防止栅极线对像素单元的控制失效，从而维持像素单元的正常显示功能，并且避免像素单元在暗点操作时，数据线与公共线连接，减少接线不良的发生率，保证显示面板和显示装置的显示效果。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或者暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非是另有精确具体地规定。

本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。