1.一种制造用于euv光刻的隔膜组件的方法，其中，在限定保持表膜隔膜的表膜边界的一个或多个蚀刻步骤之后，设置形成所述表膜隔膜的至少一部分的层。
2.根据权利要求1所述的制造表膜组件的方法，所述方法包括：设置具有正面和背面的叠层。
3.根据权利要求2所述的制造表膜组件的方法，所述方法包括：将保护层设置于所述叠层的正面上。
4.根据权利要求2或3所述的制造表膜组件的方法，所述方法包括：从所述叠层的背面选择性地移除一个或多个部分。
5.根据权利要求3或4所述的制造表膜组件的方法，所述方法包括：从所述叠层的正面移除所述保护层的至少一部分。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的制造表膜组件的方法，所述方法包括：将形成表膜隔膜的至少一部分的所述层设置于所述叠层的正面上。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的制造表膜组件的方法，所述方法包括：选择性地移除所述叠层的一个或多个部分以形成表膜组件，该表膜组件包括：
表膜隔膜，其包括所述至少一个隔膜层；以及
表膜边界，其保持所述表膜隔膜。
8.根据权利要求2至7中任一项所述的制造表膜组件的方法，所述方法还包括：优选地在设置了所述至少一个隔膜层之后将至少一个发射层设置于所述叠层的正面上，使得所述表膜组件包括隔膜，所述隔膜包括所述至少一个隔膜层和所述至少一个发射层。
9.根据权利要求2至8中任一项所述的制造表膜组件的方法，所述方法还包括：将至少一个盖层设置于所述叠层的正面上，其中，所述盖层优选地包括氧化硅和/或二氧化硅和/或氮化硅。
10.根据权利要求2至9中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括：在从所述叠层的背面选择性地移除一个或多个部分之前，将抗蚀剂设置于所述叠层上并使所述抗蚀剂图案化。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述方法还包括：在从所述叠层的背面选择性地移除一个或多个部分的步骤期间和/或在选择性地移除所述叠层的一个或多个部分以形成表膜组件的步骤期间，蚀刻所述叠层的至少一部分。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，蚀刻剂包括磷酸和/或氢氟酸。
13.根据权利要求2至12中任一项所述的方法，其中，所述叠层包括平面基底，并且优选地包括至少一个牺牲层。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述平面基底是晶片，可选地是硅晶片。
15.根据权利要求13或14所述的方法，其中，所述至少一个牺牲层包括氮化硅、氧化硅、正硅酸四乙酯(teos)、化学氧化硅或热氧化硅。
16.根据前述任一项权利要求所述的方法，其中，所述至少一个隔膜层包括至少一个硅层或mosinx层，所述至少一个硅层优选地是通过使至少一个非晶硅层结晶而形成的，和/或
其中，所述至少一个保护层包含交联聚合物，优选地是聚对二甲苯聚合物，优选地是parylene或
17.根据权利要求8至16中任一项所述的方法，其中，所述至少一个隔膜层被设置成位于所述至少一个发射层与所述叠层的面之间；并且优选地其中，所述至少一个发射层是金属性的。
18.根据权利要求8至17中任一项所述的方法，其中，所述至少一个发射层包括硼、zr、mo和/或ru。
19.根据权利要求8至18中任一项所述的方法，其中，所述至少一个发射层包括多个子发射层，并且优选地其中，所述子发射层是金属性的。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述发射层包括位于两个含硼层之间的含锆层。
21.根据权利要求9至20中任一项所述的方法，其中，所述至少一个盖层具有盖层厚度，所述至少一个隔膜层具有隔膜层厚度，并且其中，所述盖层厚度小于所述隔膜层厚度。
22.根据权利要求9至21中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括：在选择性地移除所述叠层的一个或多个部分以形成表膜组件之后，选择性地移除所述至少一个盖层的至少一部分。
23.根据前述任一项权利要求所述的方法，其中，所述至少一个隔膜层和/或至少一个盖层和/或至少一个发射层还包括至少一个牺牲层。
24.一种表膜基底，所述表膜基底包括：
叠层，其具有正面和背面，
其中，在设置形成表膜隔膜的至少一部分的层之前，所述叠层的背面上的一个或多个层已经被选择性地移除，以限定用于保持所述表膜隔膜的表膜边界区。
25.根据权利要求24所述的表膜基底，其中，所述表膜基底还包括在所述叠层的正面上的至少一个保护层，优选地，所述至少一个保护层包含交联聚合物，优选地是聚对二甲苯聚合物，优选地是parylene或
26.根据权利要求24或25中任一项所述的表膜基底，其中，所述叠层包括平面基底，并且优选地包括至少一个牺牲层；优选地，其中，所述平面基底是晶片，可选地是硅晶片或soi晶片；并且优选地，其中，所述至少一个牺牲层包含氮化硅。
27.一种光刻设备，包括根据权利要求1至23中任一项所述的方法制造的表膜组件。
28.根据权利要求11或12所述的方法，其中，在蚀刻之后，所得到的表膜隔膜包括：
不具有其他功能盖层的mosinx芯层芯，或者
具有覆盖有原生氧化物层的至少一个表面的mosinx芯层。
29.根据权利要求11或12所述的方法，其中，在蚀刻和金属沉积之后，由所述正面上的sin/ox、psi表膜芯层、低应力氮化物(lsn)层和沉积于所述叠层的背面上的mo上的ru的盖层形成所述叠层。
30.根据权利要求24所述的表膜基底，包括从硅基材料或碳基材料中选择的表膜芯层，所述硅基材料例如是psi、sic、mosi2或mosinx，所述碳基材料例如是石墨烯膜或碳纳米管膜。
31.根据权利要求24所述的表膜基底，其中，所述叠层包括sio/mosinx/mosi2的两个或更多个层，或者
所述叠层包括sion/mosinx/sion的两个或更多个层。