1.一种用于硅光芯片的模斑转换器，其特征在于，包括下包层、上包层以及波导层，所述波导层位于所述下包层和所述上包层之间，所述波导层包括波导基体和波导体，所述波导基体设置在所述下包层上，所述波导体设置在所述波导基体上，所述波导体上具有尺寸线性缩减的渐变区段，且所述渐变区段的宽度及高度均线性缩减；所述波导体两端中尺寸较大的一端为输入端，所述波导体远离所述输入端的一端为输出端；所述波导基体具有依次排列的第一段、第二段以及第三段，所述第一段及所述第三段顶面均为平面，且所述第一段的高度小于所述第三段的高度，所述第二段顶部为斜面，所述斜面的底端及顶端分别与所述第一段及所述第三段的顶面对接。
2.如权利要求1所述的用于硅光芯片的模斑转换器，其特征在于，所述波导体具有所述渐变区段和光波导对接区段，所述渐变区段位于所述第一段、所述第二段及所述第三段顶部，所述光波导对接区段位于所述第三段顶部。
3.如权利要求2所述的用于硅光芯片的模斑转换器，其特征在于，所述渐变区段从所述输入端至所述输出端方向依次具有第一对接段、过渡段、第二对接段，所述第一对接段位于所述第一段顶部，所述过渡段位于所述第二段顶部，所述第二对接段位于所述第三段顶部，所述第二对接段与所述光波导对接区段对接。
4.如权利要求3所述的用于硅光芯片的模斑转换器，其特征在于，所述渐变区段从所述输入端至所述输出端方向水平方向尺寸逐渐减小，所述过渡段从所述输入端至所述输出端方向垂直方向尺寸逐渐减小。
5.如权利要求2所述的用于硅光芯片的模斑转换器，其特征在于，所述波导体顶面为平面。
6.如权利要求2所述的用于硅光芯片的模斑转换器，其特征在于，所述光波导对接区段为长方体结构。
7.如权利要求1所述的用于硅光芯片的模斑转换器，其特征在于，所述波导体的侧壁采用湿法腐蚀的方法处理改善粗糙度。