1.一种二氟甲烷气体检测用红外滤光片，其特征在于，包括：
基底、主膜系结构和截止膜系结构，所述主膜系结构和所述截止膜系结构分别位于所述基底的两侧；
所述主膜系结构包括：
sub/hlh2lhlhlhl2hlhlhlh2lh2l/air；
所述截止膜系结构包括：
sub/0.18(hl)50.26(hl)70.4(hl)70.55(hl)70.75(hl)81.45(0.5lh0.5l)7/air；
其中，sub表示所述基底，air表示空气，h表示四分之一波长光学厚度的ge膜层，l表示四分之一波长光学厚度的zns膜层，膜系结构式中的数字表示膜层厚度系数，膜系结构式中的指数表示膜堆重复的次数，设计波长为9400nm。
2.根据权利要求1所述的二氟甲烷气体检测用红外滤光片，其特征在于，
所述二氟甲烷气体检测用红外滤光片的中心波长为9400±60nm，通带宽度为460±40nm，峰值透射率大于78%，且在1500nm~8800nm和9900nm~18000nm的截止区的最大透射率小于1%。
3.根据权利要求1所述的二氟甲烷气体检测用红外滤光片，其特征在于，所述基底的材料包括单晶硅或单晶锗。
4.根据权利要求1所述的二氟甲烷气体检测用红外滤光片，其特征在于，所述基底的厚度为d1，其中，0.4mm≤d1≤0.6mm。
5.一种红外气体传感器，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的二氟甲烷气体检测用红外滤光片。
6.一种二氟甲烷气体检测用红外滤光片的制备方法，用于制备权利要求1-4任一项所述的二氟甲烷气体检测用红外滤光片，其特征在于，包括：
在真空状态下对基底进行烘烤；
在所述基底的一侧镀制主膜系结构，所述主膜系结构包括sub/hlh2lhlhlhl2hlhlhlh2lh2l/air；
在所述基底的另一侧镀制截止膜系结构，所述截止膜系结构包括sub/0.18(hl)50.26(hl)70.4(hl)70.55(hl)70.75(hl)81.45(0.5lh0.5l)7/air，其中，sub表示基底，air表示空气，h表示四分之一波长光学厚度的ge膜层，l表示四分之一波长光学厚度的zns膜层，膜系结构式中的数字表示膜层厚度系数，膜系结构式中的指数表示膜堆重复的次数，设计波长为9400nm。
7.根据权利要求6所述的二氟甲烷气体检测用红外滤光片的制备方法，其特征在于，
在所述基底的一侧镀制主膜系结构，包括：
在所述基底的一侧交替蒸发ge膜料和蒸发zns膜料，形成交替层叠的ge膜层和zns膜层；其中，采用电子束蒸发工艺蒸发所述ge膜料，采用电阻蒸发工艺蒸发所述zns膜料，所述ge膜层的镀膜速率为0.4nm/s~0.6nm/s，所述zns膜层的镀膜速率为1nm/s~2nm/s；
在所述基底的另一侧镀制截止膜系结构，包括：
在所述基底的另一侧交替蒸发ge膜料和蒸发zns膜料，形成交替层叠的ge膜层和zns膜层；其中，采用电子束蒸发工艺蒸发所述ge膜料，采用电阻蒸发工艺蒸发所述zns膜料，所述ge膜层的镀膜速率为0.4nm/s~0.6nm/s，所述zns膜层的镀膜速率为1nm/s~2nm/s。
8.根据权利要求6所述的二氟甲烷气体检测用红外滤光片的制备方法，其特征在于，在所述基底的一侧镀制主膜系结构之前，和/或，在所述基底的另一侧镀制截止膜系结构之前，还包括：
采用霍尔离子源离子轰击所述基底的待镀制的一侧表面，轰击时间为5min~15min，其中，离子源采用氩气，气体流量为15sccm~25sccm。
9.根据权利要求6所述的二氟甲烷气体检测用红外滤光片的制备方法，其特征在于，在所述基底的另一侧镀制截止膜系结构之后，还包括：
将所述红外滤光片放置到退火炉中退火；其中，退火温度为280℃~320℃，恒温时间为7小时~9小时，升/降温速度为0.9℃/min~1.1℃/min。
10.根据权利要求6所述的二氟甲烷气体检测用红外滤光片的制备方法，其特征在于，在真空状态下对基底进行烘烤，包括：
将所述基底放置到镀膜机真空腔室内；
对基底进行烘烤，其中，烘烤温度为200℃~250℃，烘烤时间大于120min。