液晶显示器以及制造液晶显示器的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示器以及制造液晶显示器的方法。
【背景技术】
[0002]液晶显示器是广泛使用的平板显示器设备之一。液晶显示器通常包括两个显示面板，其中，形成有诸如像素电极和公共电极的场生成电极，同时液晶层介于像素电极与公共电极之间。
[0003]液晶显示器通过向场生成电极施加电压而在液晶层中产生电场以确定液晶层的液晶分子的取向并控制入射光的偏振，从而显示图像。
[0004]在背景部分中公开的上述信息仅用于增强对本发明的背景的理解，并且因此其可包括未形成在该国已为本领域普通技术人员所知的现有技术的信息。
【发明内容】
[0005]已经努力做出本公开以提供具有能够防止由剩余液晶材料而导致的光泄漏的优点的液晶显示器以及液晶显示器的制造方法。
[0006]实施方式提供了一种液晶显示器，其包括:基板；布置在基板上的薄膜晶体管；布置在薄膜晶体管上的像素电极；面向像素电极的顶层；形成在像素电极与顶层之间的多个微腔，多个微腔的每个微腔包括液晶材料；形成在微腔之间的沟槽；以及形成在沟槽的端部处的缓冲区域。
[0007]沟槽可具有第一宽度，缓冲区域可具有第二宽度，并且第二宽度可大于第一宽度。
[0008]缓冲区域可利用顶层覆盖。
[0009]在缓冲区域中可包括至少部分液晶材料。
[0010]气孔形成在位于缓冲区域上方的顶层处。
[0011]液晶显示器可进一步包括设置在顶层上方的封顶层(capping layer)，并且封顶层可覆盖沟槽和气孔。
[0012]缓冲区域可包括沿显示区的一侧形成的多个缓冲区域，并且每个缓冲区域可彼此分开地形成。
[0013]缓冲区域之间的间隙可利用顶层来覆盖。
[0014]液晶显示器可进一步包括设置在每个微腔与顶层之间的下部绝缘层和公共电极，并且下部绝缘层设置在公共电极上。
[0015]薄膜晶体管可连接至数据线，并且间隔壁形成部分可沿数据线的延伸方向设置在微腔之间。
[0016]另一个实施方式提供了一种液晶显示器的制造方法，其包括:在基板上形成薄膜晶体管；形成被配置为连接至薄膜晶体管的一个端子的像素电极；在像素电极上形成牺牲层；在牺牲层上形成顶层；通过去除牺牲层形成缓冲区域和具有液晶注入孔的多个微腔；将取向材料注入多个微腔；以及将液晶材料注入多个微腔，其中，在各个微腔之间形成沟槽，并且在沟槽的端部处形成缓冲区域。
[0017]沟槽的第一宽度可比缓冲区域的第二宽度宽。
[0018]顶层可形成为覆盖缓冲区域。
[0019]注入液晶材料可包括通过使用缓冲区域使液晶材料沿沟槽滴下。
[0020]在缓冲区域中可包括至少部分液晶材料。
[0021]形成顶层可包括在顶层的与缓冲区域的一部分对应的部分处形成气孔。
[0022]制造方法可进一步包括在顶层上方形成封顶层，并且封顶层形成为覆盖沟槽和气孔。
[0023]缓冲区域可包括沿显示区的一侧形成的多个缓冲区域，并且各个缓冲区域可彼此分开地形成。
[0024]所形成的各个缓冲区域可具有介于其间的利用顶层来覆盖的间隙。
[0025]制造方法可进一步包括在微腔与顶层之间形成下部绝缘层和公共电极，并且下部绝缘层可形成在公共电极上。
[0026]在本文所公开的实施方式中，可以通过形成其中可在形成在多个微腔之间的沟槽的边缘处收集剩余液晶材料的缓冲空间来防止由剩余液晶材料导致的光泄漏。
【附图说明】
[0027]图1是示出根据实施方式的液晶显示器的顶部平面图。
[0028]图2是部分示出图1中所示的多个像素的中心部分的顶部平面图。
[0029]图3是沿图2中所示的线II1-1II所截取的横截面图。
[0030]图4是沿图2中所示的线IV-1V所截取的横截面图。
[0031]图5是沿图1中所示的线V-V所截取的横截面图。
[0032]图6是沿图1中所示的线V1-VI所截取的横截面图。
[0033]图7是沿图1中所示的线VI1-VII所截取的横截面图。
[0034]图8是沿图1中所示的线VII1-VIII所截取的横截面图。
[0035]图9是示出在实施方式的液晶显示器中的相邻缓冲空间的横截面图。
[0036]图1OA至图16C是示出根据实施方式的液晶显示器的制造方法的分步横截面图。
【具体实施方式】
[0037]在下文中，将参照附图详细描述某些实施方式。如本领域技术人员将认识到的，在不背离本发明的精神或范围的前提下，所描述的实施方式可以各种方式进行修改。相反，提供本文中所介绍的实施方式以使得所公开的内容是全面和完整的，并向本领域的技术人员充分传达本发明的精神。
[0038]在附图中，为了清晰起见，可夸大层、膜、面板、区域等的厚度。将理解，当层被称为“在”另一个层或基板“上”时，其可直接在其他层或基板上，或者也可存在中间元件。相似的参考编号通常表示遍及说明书的相似元件。
[0039]已经针对液晶显示器开发了在像素单元中形成腔并利用液晶填充腔以实现显示的技术。该技术用于通过以下操作制造显示器:利用有机材料形成牺牲层、在牺牲层的上部分处形成顶层、去除牺牲层、并通过液晶注入孔利用液晶来填充通过去除牺牲层而形成的空的空间，而不是在下部面板上形成上部面板。
[0040]在制造这种显示器设备的操作中，某些液晶材料在被注入腔中之后可能剩余。这些剩余的液晶材料可能存在于顶层上，从而当驱动显示器设备时产生光泄漏。
[0041]图1是示出根据实施方式的液晶显示器的顶部平面图。图2是部分地示出图1中所示的多个像素的中心部分的顶部平面图。图3是沿图2中所示的线II1-1II所截取的横截面图。图4是沿图2中所示的线IV-1V所截取的横截面图。图5是沿图1中所示的线V-V所截取的横截面图。图6是沿图1中所示的线V1-VI所截取的横截面图。图7是沿图1中所示的线VI1-VII所截取的横截面图。图8是沿图1中所示的线VII1-VIII所截取的横截面图。图9是示出在实施方式的液晶显示器中的相邻缓冲空间的横截面图。
[0042]参照图1，液晶显示器包括显示区DA和外围区PA。显示区DA与通过虚线表示的四边形的内部部分对应，并且外围区PA与通过虚线表示的四边形的外部部分对应。显示区DA充当用于输出实际图像的区域，并且外围区PA包括焊盘(pad)单元600或驱动器。例如，在焊盘单元600中，焊盘可设置在外围区域PA的一侧或其彼此不相对的两侧处。
[0043]多个像素PX设置在显示区DA中，并且用于覆盖其中可能发生光泄漏的部分的遮光层221设置在外围区PA中。像素PX形成有微腔，这在下面描述。遮光层221可以环绕显示区DA的方式形成在显示区DA的外圆，以便包围显示区DA。遮光层221可由与设置在显示区DA中的遮光构件的层相同的层以及与外围区PA中的遮光构件的材料相同的材料形成。遮光层221可用于防止外部光的可视反射。
[0044]在一个实施方式中，沟槽307FP形成在像素PX的行或者像素PX中形成的微腔之间。沟槽307FP可沿着附图中的水平方向纵向延伸。沟槽307FP包括形成在像素PX之间的多个沟槽。具有比沟槽307FP的第一宽度dl宽的第二宽度d2的缓冲区域315形成在沟槽307FP的相对端部处。具体地，缓冲区域315形成在每个沟槽307FP的相对端部处，以便彼此相邻地水平排布。相邻的缓冲区域315彼此分开。可替代地，尽管未示出，缓冲区域315可形成在每个沟槽307FP的一个端部处。
[0045]缓冲区域315可形成在显示区DA或外围区PA的边缘处。
[0046]现将参照图2至图4详细地描述位于显示区DA中的像素PX。图2示出了 4(2X2)个像素作为图1中所示的像素的部分TP。
[0047]参照图2至图4，在由透明玻璃或塑料制成的基板110上形成栅极线121和存储电极线131。栅极线121包括栅电极124。存储电极线131主要在水平方向上延伸，并传输预定电压，诸如公共电压Vcom。存储电极线131包括基本上垂直于栅极线121延伸地一对垂直存储电极部分135a以及将该对垂直存储电极部分135a的端部彼此连接的水平存储电极部分135b。存储电极部分135a和135b具有围绕像素电极191的结构。
[0048]在栅极线121和存储电极线131上形成栅极绝缘层140。在栅极绝缘层140上形成布置在数据线171下方的半导体层151以及布置在源/漏电极下方和薄膜晶体管Q的沟道部分处的半导体层154。
[0049]在半导体层151和154的每一个上以及数据线171与源极/漏电极之间可形成有多个欧姆触点，但在附图中将它们省略。
[0050]在半导体层151和154以及栅极绝缘层140的每一个上形成包括源电极173、与源电极17