3连接的数据线171以及漏电极175的数据导体171、173和175。
[0051]栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体层154 —起形成薄膜晶体管Q，并且薄膜晶体管Q的沟道形成在源电极173与漏电极175之间的半导体层154的一部分上。
[0052]在数据导体171、173和175以及半导体层154的暴露部分上形成第一层间绝缘层180a。第一层间绝缘层180a可包括无机绝缘材料(诸如，例如氮化硅(SiNx)和氧化硅(S1x))或有机绝缘材料。
[0053]在第一层间绝缘层180a上形成滤色器230以及遮光构件220a和220b。
[0054]遮光构件220a和220b的每一个具有格状(lattice)结构(其具有与显示图像的区域对应的开口)并由防止光通过其传播的材料形成。滤色器230形成在遮光构件220a和220b的开口处。遮光构件220a和220b包括沿平行于栅极线121的方向形成的水平遮光构件220a以及沿平行于数据线171的方向形成的垂直遮光构件220b。
[0055]滤色器230可显示基色(诸如，例如包括红、绿和蓝的三基色)的其中一种。然而，颜色并不限于包括红、绿和蓝的三基色，并且滤色器230也可显示基于蓝绿色的颜色、基于品红色的颜色、基于黄色的颜色以及基于白色的颜色之中的其中一种。滤色器230可由针对每个相邻像素显示不同颜色的材料形成。
[0056]在滤色器230以及遮光构件220a和220b上形成覆盖滤色器230以及遮光构件220a和220b的第二层间绝缘层180b。第二层间绝缘层180b可包括无机绝缘材料(诸如，例如氮化硅(SiNx)和氧化硅(S1x))或者有机绝缘材料。
[0057]如果由于滤色器230与遮光构件220a和220b之间的厚度差而产生阶梯(st印)，则第二层间绝缘层180b包括有机绝缘材料，从而可以减少或去除所产生的阶梯。
[0058]滤色器230、遮光构件220a和220b以及层间绝缘层180a和180b具有暴露漏电极175的接触孔185。
[0059]像素电极191布置在第二层间绝缘层180b上。像素电极191可由透明导电材料(诸如ITO或ΙΖ0)形成。
[0060]像素电极191的整体形状是四边形，并且像素电极191包括由水平主干191a和与水平主干191a交叉的垂直主干191b配置的十字主干。此外，像素电极191被水平主干191a和垂直主干191b分为四个子区域，并且每个子区域包括多个微小分支191c。在一个实施方式中，像素电极191可进一步包括围绕像素电极191的外周的外部主干。
[0061]像素电极191的微小分支191c与栅极线121或水平主干191a形成近似40° -45°的角。此外，两个相邻的子区域的微小分支可彼此垂直。此外，微小分支的宽度逐渐增大，或者微小分支191c之间的距离可改变。
[0062]像素电极191包括在垂直主干191b的下端部处连接并具有比垂直主干191b更大的面积的延伸部197，并通过在延伸部197处的接触孔185与漏电极175物理地并电气地连接以接收来自数据电极175的数据电压。
[0063]上述薄膜晶体管Q和像素电极191仅作为实例进行描述，并且可修改薄膜晶体管的结构和像素电极的设计以改善侧面可视性。
[0064]下部取向层11形成在像素电极191上，并且可以是垂直取向层。下部取向层
11(其类似于由诸如例如聚酰胺酸、聚硅氧烷、聚酰亚胺等的材料制成的液晶取向层)可包括至少一种通常使用的材料。
[0065]上部取向层21布置在面向下部取向层11的部分处，并且在下部取向层11与上部取向层21之间形成微腔305。包括液晶分子310的液晶材料通过液晶注入孔307注入到微腔305中。微腔305可沿像素电极191的列方向(即，垂直方向)形成。在一个实施方式中，形成取向层11和21的取向材料以及包括液晶分子310的液晶材料可通过使用毛细力(capillary force)注入到微腔 305 中。
[0066]微腔305在垂直方向上通过布置在与栅极线121重叠的部分处的多个沟槽307FP来划分，并且可沿栅极线121延伸的方向形成多个微腔305。所形成的多个微腔305的每一个可与像素区对应，并且像素区可与显示图像的区域对应。
[0067]公共电极270和下部绝缘层350布置在上部取向层21上。公共电极270接收公共电压，并且与被施加数据电压的像素电极191 一起产生电场，以确定布置在两个电极之间的微腔305处的液晶分子310倾斜的方向。公共电极270与像素电极191形成电容器以便即使在薄膜晶体管断开之后也可保持所接收的电压。下部绝缘层350例如可由氮化硅(SiNx)或氧化娃(S1x)形成。
[0068]在一个实施方式中，描述了公共电极270形成在微腔305上,但在另一个实施方式中，公共电极270可形成在微腔305下方，从而根据共面电极(CE)模式的液晶驱动是可行的。
[0069]顶层360布置在下部绝缘层350上。顶层360用于进行支撑，从而形成作为像素电极191与公共电极270之间的空间的微腔305。顶层360可包括光阻剂或其他有机材料。
[0070]上部绝缘层370布置在顶层360上。可使上部绝缘层370与顶层360的上表面接触。上部绝缘层370例如可由氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)形成。
[0071]在一个实施方式中，封顶层390填充沟槽307FP并覆盖被沟槽307FP暴露的微腔305的液晶注入孔307。封顶层390包括有机材料或无机材料。
[0072]在一个实施方式中，如图4所示，间隔壁形成部分PWP布置于在水平方向彼此相邻的微腔305之间。间隔壁形成部分PWP可沿数据线171的延伸方向形成，并且可由顶层360覆盖。下部绝缘层350、公共电极270、上部绝缘层370和顶层360填充在间隔壁形成部分PWP中，并且该结构形成间隔壁以分割或限定微腔305。在一个实施方式中，由于诸如间隔壁形成部分PWP的间隔壁结构存在于微腔305之间，因此即使绝缘基板110弯曲，所产生的应力也很小，并且可大大降低单元(cell)间隙的变化程度。
[0073]在下文中，将参照图1、图5、图6、图7、图8和图9详细地描述显示区DA的边缘或设置在外围区PA中的缓冲区域315。
[0074]参照图1、图5、图6、图7、图8和图9，缓冲区域315位于与位于显示区DA的最外层区域的像素PX相邻。缓冲区域315由顶层360覆盖。下部绝缘层350可位于缓冲区域315的顶层360下方，并且上部绝缘层370可位于缓冲区域315的顶层360上方。封顶层390可位于上部绝缘层370上。
[0075]剩余液晶材料310R(其包括剩余液晶分子)包括在缓冲区域315中。剩余液晶材料310R可以是在填充微腔305之后剩余的液晶材料。
[0076]参照图5、图6和图8，形成穿过位于缓冲区域315上方的下部绝缘层350、顶层360和上部绝缘层370延伸的气孔330。
[0077]在液晶显示器的制造过程的实施方式中，在缓冲区域315处收集剩余的液晶材料310R，同时空气被排出至缓冲区域315外部。气孔330用于防止所收集的剩余液晶材料溢出缓冲区域315并在顶层360上流动。
[0078]沿着显示区DA的边缘或外围区PA的一侧形成缓冲区域315，并且相邻的缓冲区域315彼此分开地定位。图9是通过利用用于图7的切割线切割相邻的缓冲区域315所获得的横截面图。如图9所示，相邻的缓冲区域315通过第一距离“t”彼此分开。可最小化用于这种分开布置的相邻缓冲区域315之间的距离，只要每个缓冲区域315具有最小裕度(margin)即可。缓冲区域315的第二宽度d2可通过最小化第一距离t来最大化,并且随着缓冲区域315的第二宽度d2增加，下述包括剩余液晶分子的剩余液晶材料310R可被轻易引入缓冲区域315中。
[0079]位于缓冲区域315上方的顶层360可延伸以填充缓冲区域315之间的间隙。
[0080]如果相邻缓冲区域315彼此连接，则任意一个缓冲区域315可引入更多的剩余液晶材料。因此，某些缓冲区域315可能过量填充有剩余液晶材料，而某些缓冲区域315可能未填充有液晶材料。因此，优选的是独立形成缓冲区域315。
[0081]尽管未示出，但可不同地形成相邻缓冲区域315的第二宽度d2。
[0082]根据一个实施方式，由于在缓冲区域315中收集剩余液晶材料，因此可以防止可能由于剩余液晶材料在顶层360上流动而引起的光泄漏。
[0083]在下文中，将参照图1OA至图16C来描述实施方式中的液晶显示器的制造方法。可以其他形式修改和实施下述实施方式。
[0084]图1OA至图16C是示出根据实施方式的液晶显示器的制造方法的分步横截面图和顶部平面图。图10A、图12A、图13A、图14A、图15A和图16A示出了沿图2的线II1-1II所截取的分步横截面