一种像素结构及液晶显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示领域，特别是涉及一种像素结构及液晶显示面板。
【背景技术】
[0002]液晶显示早已占据平板显示器的主导地位，其主要通过控制液晶分子在电场内的偏转来实现不同画面的显示，其中液晶分子根据电场的变化而变化，而变化的电场则是通过控制公共电极及像素电极上的电压而产生的。由于在显示技术中，一般是通过对该画面上每个像素点进行控制来实现画面的呈现，因此，液晶显示面板中，需要对每个像素点所对应的电极进行电压控制，继而实现对该像素点对应液晶分子运动方向的控制。
[0003]电极的布置结构是形成像素点所对应的像素结构的一个重要部分，而不同的像素结构对液晶分子的控制效果也不一样。
[0004]对于现有的液晶像素结构，其中电极之间所产生的电场会出现有效电场较弱的情况，此时液晶分子不能发生有效旋转，光线无法通过，导致液晶像素结构光学穿透率不足；另外，电极之间的电场也会出现侧向电场较弱的情况，导致控制液晶分子运动方向的能力不足，无法形成均匀稳定的液晶配向，甚至容易出现向错线。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种像素结构，以解决现有技术中液晶像素结构存在的光学穿透率较低或液晶配向不够均匀稳定的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本发明提供一种像素结构，包括:像素电极层和绝缘层，像素电极层铺设在绝缘层上方。其中，绝缘层包括图案化的第一绝缘区和无图案化的第二绝缘区。像素电极层包括铺设在第一绝缘区上方的无图案化的第一像素电极区，以及铺设在第二绝缘区上方的图案化的第二像素电极区。
[0007]其中，第二绝缘区围绕第一绝缘区，第二像素电极区围绕第一像素电极区。
[0008]其中，第一绝缘区的边界为矩形、棱形、椭圆形或不规则几何图形。
[0009]其中，第一绝缘区围绕第二绝缘区，第一像素电极区围绕第二像素电极区。
[0010]其中，第二绝缘区的边界为矩形、棱形、椭圆形或不规则几何图形。
[0011]其中，图案化的第一绝缘区为沟槽结构，图案化的第二像素电极区为条状结构。
[0012]其中，沟槽结构包括凹槽和凸起，其中所有凹槽的宽度相同，所有凸起的宽度相同。
[0013]其中，凹槽的深度小于绝缘层的厚度。
[0014]其中，像素电极层采用ITO电极。
[0015]为解决上述技术问题，本发明还提供一种液晶显示面板，其包括上述任一种像素结构。
[0016]本发明的有益效果是:区别于现有技术，本发明的像素结构包括像素电极层和绝缘层，电极层铺设在绝缘层上方；绝缘层包括图案化的第一绝缘区和无图案化的第二绝缘区，对应的在绝缘层上方所铺设的像素电极层也包括无图案化的第一电极区和图案化的第二电极区。其中，第一像素电极区的电极沿着第一绝缘区的图案进行铺设，且第一像素电极区是未经刻蚀的没有图案的电极层，即:第一像素电极区的电极不存在间隔，因此第一像素电极区对应的液晶分子具有较强的有效电场，相应的具有较高的光学穿透率；另一方面，第二像素电极区的电极在无图案的第二绝缘区进行铺设，因此图案化的第二像素电极区中的电极具有间隔，可以产生较强的侧向电场，以控制液晶的配向，形成均匀稳定的液晶配向。本发明中的像素结构将两者组合使用，能够使得整个像素结构的液晶区域同时具有较高的光学穿透率以及均匀稳定的液晶配向。
【附图说明】
[0017]图1是本发明像素结构一实施例的结构示意图；
[0018]图2是图1中A-A方向和B-B方向的剖视图；
[0019]图3是处于内圈的绝缘区边界为棱形的像素结构示意图；
[0020]图4是处于内圈的绝缘区边界为椭圆形的像素结构示意图；
[0021]图5是本发明像素结构中第一绝缘区或第二像素电极区的一种图案；
[0022]图6是本发明像素结构中第一绝缘区或第二像素电极区的另一种图案；
[0023]图7是图1所示的像素结构以及传统像素结构在不同电压下光学穿透率的示意图；
[0024]图8是图1所示的像素结构以及传统像素结构在光学显微镜下的图片；
[0025]图9是本发明液晶显示面板一实施例的结构示意图；
[0026]图10是图9所示液晶显示面板中像素结构的示意图。
【具体实施方式】
[0027]请参阅图1和图2，图1是本发明像素结构一实施例的结构示意图，图2是图1中A-A方向和B-B方向的剖视图。本实施例提供了一种像素结构100，包括绝缘层12和像素电极层14，其中，绝缘层12包括图案化的第一绝缘区120和无图案化的第二绝缘区122 ;像素电极层14包括无图案化的第一像素电极区140和图案化的第二像素电极区142 ;并且第一像素电极区140铺设在第一绝缘区120上，第二像素电极区142铺设在第二绝缘区122上。
[0028]本实施例中的像素结构100进一步包括公共电极层11和液晶层13，液晶层13设置在公共电极层11以及像素电极层14之间。像素结构100所对应的液晶显示面板为VAMode，应理解，像素结构100也可对应其他模式的显示面板。像素结构100中液晶层13为垂直配向，液晶显示面板为常黑模式。当公共电极层11与像素电极层14之间出现电势差、产生电场时，液晶分子在电场的作用下发生转动，使得光线能够通过液晶层13。由于电势差的不同，液晶分子的转动角度不同，液晶层13的光学穿透率也不同，因此可以通过电压来控制像素点灰阶，而像素点中RGB子像素的灰阶变化即能实现液晶显示中色彩的变化。
[0029]在本实施例中，绝缘层12的第一绝缘区120通过光刻工艺或压印工艺以实现图案化，然后将电极通过化学沉积、涂布或压片等工艺直接铺设在第一绝缘区120上以形成像素电极层14的第一像素电极区140。
[0030]对于像素电极层14的第二像素电极区142，其电极通过光刻工艺实现图案化，具体而言，首先也是通过化学沉积、涂布或压片等工艺在第二绝缘区122上形成一层电极，然后对此电极层进行激光刻蚀，以形成一定的图案，即实现了在无图案化的第二绝缘区122上形成图案化的第二像素电极区142。
[0031]由于第一像素电极区140的电极为沿着第一绝缘区120的图案连续的铺设的，第一像素电极区140并没有镂空区域，连续铺设的电极会产生垂直于电极层的有效电场，同时平行于电极层的侧向电场也相应的较弱，较强的有效电场使得第一像素电极区140相对的液晶层具有较高的光学穿透率，同时较弱的侧向电场也使得相应的液晶分子容易受到边缘场效应的影响，而偏离正常方向发生运动，继而排列方向发生不连续的变化，容易产生向错线。其中所谓边缘场效应即相邻的两个像素点之间，不同控制电压的相互影响，使得相邻像素点的相邻电极之间产生水平电场，继而影响各个像素点中液晶分子的运动。
[0032]而第二像素电极区142具有图案化的电极，镂空图案处的有效电场较弱，因此相应的光学穿透率也较低，而由于镂空图案的存在，在边界处的液晶分子发生扭转，也会导致光学穿透率降低，同时此边界处容易形成较强的侧向电场，利于液晶分子的运动，以形成均匀稳定的液晶配向，而边缘场效应相较于此侧向电场，对液晶分子的运动影响较小，因此第二像素电极区142相对的液晶层光学穿透率较低，相应的液晶分子不易偏离正常方向，不容易产生向错线。
[0033]而在本实施例中，像素结构100同时具有第一像素电极区14和第二像素电极区142，两个电极区与公共电极层11所形成的电场均能对整个液晶层13的液晶分子产生作用，使得液晶分子的运动不易被边缘场效应影响，因此对于整个像素结构100来说，能够同时具有较好的光学穿透率和较为均匀稳定的液晶配向。
[0034]基于上述原理，第一绝缘区120及第二绝缘区122的位置关系有很多种可能，可以使第一绝缘区120围绕第二绝缘区122设置，此时第二绝缘区122的边界可以为矩形、棱形、椭圆形或不规则几何图形；也可使第二绝缘区122围绕第一绝缘区120设置，此时第一绝缘区120的边界可以为矩形、棱形、椭圆形或不规则几何图形。
[0035]然而为了使液晶显示面板有较好的显示效果，需要使像素结构100中电场分布对称，以对液晶层13的影响中心对称。像素结构100中第一绝缘区120及第二绝缘区122均为中心对称结构。因此，一般将一个绝缘区围绕另一个绝缘区设置，且在内圈的绝缘区边界为矩形、棱形、椭圆形等规则图形。如图3和图4所示，图3是处于内圈的绝缘区边界为棱形的像素结构示意图，图4是处于内圈的绝缘区边界为椭圆形的像素结构示意图。
[0036]当将如图2所示的第二绝缘区122及图案化的第二像素电极区142作为像素结构100的外围时，第二像素电极区142能够产生较强的侧向电场，使得处于外围的液晶分子受到边缘场效应的影响较小，不易产生向错线；并且像素结构100内圈第一像素