像素结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明是有关于一种像素结构，且特别是有关于一种有助于改善侧视时色偏问题的像素结构。
【背景技术】
[0002]具有空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的液晶显示器已逐渐成为市场主流。为了让液晶显示器有更好的显示质量，目前市面上发展出了各种广视角的液晶显示器，如共平面切换式(in-plane switching, IPS)液晶显示器、边际场切换式(fringe field switching)液晶显不器与多域垂直配向式(mult1-domain verticalalignment, MVA)液晶显示器等。
[0003]多域垂直配向式液晶显示器虽有广视角的效果，但其光穿透率(transmittance)会随着视角改变而有所不同。意即，当使用者正视与侧视显示画面时，多域垂直配向型液晶显示器所显示出的亮度会有所不同，进而导致显示画面有色饱和度不足与色偏等问题。
[0004]为了改善上述问题，现有技术透过将像素中的各子像素划分成两个区域，并使两个区域中的像素电极分别耦合至不同的电压，以藉由改变液晶倾斜角，来改善侧视时色饱和度不足与色偏等问题。然而，这样的改良对于改善色饱和度的成效较为显着，但对于改善色偏的效果仍有待加强。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种像素结构，其有助于改善侧视时的色偏问题。
[0006]本发明的一种像素结构，其包括多个阵列排列的子像素。各子像素分別包括主动元件以及与主动元件电性连接的像素电极。各像素电极分別定义出错向区以及多个被错向区所分隔的显示域，其中仅部分子像素进一步包括对应于错向区设置的遮光图案。
[0007]本发明的一种像素结构，其包括多个阵列排列的子像素。各子像素分別包括主动元件、与主动元件电性连接的像素电极以及遮光图案。各像素电极分別定义出错向区以及多个被错向区所隔开的显示域。遮光图案对应于错向区设置，其中部分子像素中的遮光图案的面积异于其他子像素中的遮光图案的面积。
[0008]本发明的一种像素结构，其包括多个阵列排列的子像素。各子像素分別包括主动元件、与主动元件电性连接的像素电极以及对应于错向区设置的遮光图案。各像素电极分別定义出错向区以及多个被错向区所隔开的显示域。遮光图案对应于错向区设置，其中各子像素分別具有主显示区以及次显示区，且遮光图案仅分布于主显示区内。
[0009]本发明的一种像素结构，其包括多个阵列排列的子像素。各子像素分別包括主动元件以及与主动元件电性连接的像素电极。各像素电极包括主干部以及与主干部连接的多组分支部，且各组分支部被主干部所分隔，其中部分子像素中的主干部的宽度异于其他子像素中的主干部的宽度。
[0010]本发明的一种像素结构，其包括第一子像素、第二子像素以及第三子像素。第一子像素包括第一主动元件以及与第一主动元件电性连接的第一像素电极。第一像素电极包括第一主干部以及与第一主干部连接的多组第一分支部，且各组第一分支部被第一主干部所分隔，其中第一主干部包括第一纵向延伸部以及第一橫向延伸部。第一纵向延伸部与第一橫向延伸部交错于第一像素电极的中心。第二子像素包括第二主动元件以及与第二主动元件电性连接的第二像素电极。第二像素电极包括第二主干部以及与第二主干部连接的多组第二分支部，且各组第二分支部被第二主干部所分隔，其中第二主干部包括第二纵向延伸部以及第二橫向延伸部。第二纵向延伸部与第二橫向延伸部相连于第二像素电极的边缘。第三子像素包括第三主动元件以及与第三主动元件电性连接的第三像素电极。第三像素电极包括第三主干部以及与第三主干部连接的多组第三分支部，且各组第三分支部被第三主干部所分隔，其中第三主干部包括第三纵向延伸部以及第三橫向延伸部。第三纵向延伸部与第三橫向延伸部相连于第三像素电极的边缘。
[0011]基于上述，本发明的上述实施例藉由改变不同子像素中遮光图案的面积、主干部的宽度以及主干部的配置方式的其中至少一者，以调变不同子像素的光穿透率。因此，本发明上述实施例的像素结构有助于改善侧视时的色偏问题。
[0012]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
【附图说明】
[0013]图1A是依照本发明的第一实施例的一种像素结构的上视示意图；
[0014]图1B及图1C分別是沿图1A中剖线A-A’、B-B’的剖面示意图；
[0015]图1D绘示现有4显示域像素结构以及本发明的第一实施例的像素结构在45度侧视时不同灰阶与其色坐标偏移量的关系图；
[0016]图1E绘示现有4显示域像素结构在45度侧视亮度与其正视亮度的相对关系图；
[0017]图1F绘示本发明的第一实施例的像素结构在45度侧视亮度与其正视亮度的相对关系图；
[0018]图2A是依照本发明的第二实施例的一种像素结构的上视示意图；
[0019]图2B绘示现有8显示域像素结构以及本发明的第二实施例的像素结构在45度侧视时不同灰阶与其色坐标偏移量的关系图；
[0020]图2C绘示现有8显示域像素结构在45度侧视亮度与其正视亮度的相对关系图；[0021 ] 图2D绘示本发明的第二实施例的像素结构在45度侧视亮度与其正视亮度的相对关系图；
[0022]图3A是依照本发明的第三实施例的一种像素结构的上视示意图；
[0023]图3B绘示现有8显示域像素结构以及本发明的第三实施例的像素结构在45度侧视时不同灰阶与其色坐标偏移量的关系图；
[0024]图3C绘示本发明的第三实施例的像素结构在45度侧视亮度与其正视亮度的相对关系图；
[0025]图4A是依照本发明的第四实施例的一种像素结构的上视示意图；
[0026]图4B绘示现有8显示域像素结构以及本发明的第四实施例的像素结构在45度侧视时不同灰阶与其色坐标偏移量的关系图；
[0027]图4C绘示本发明的第四实施例的像素结构在45度侧视亮度与其正视亮度的相对关系图；
[0028]图5A是依照本发明的第五实施例的一种像素结构的上视示意图；
[0029]图5B绘示现有8显示域像素结构以及本发明的第五实施例的像素结构在45度侧视时不同灰阶与其色坐标偏移量的关系图；
[0030]图5C绘示本发明的第五实施例的像素结构在45度侧视亮度与其正视亮度的相对关系图；
[0031]图6A是依照本发明的第六实施例的一种像素结构的上视示意图；
[0032]图6B绘示现有8显示域像素结构以及本发明的第六实施例的像素结构在45度侧视时不同灰阶与其色坐标偏移量的关系图；
[0033]图6C绘示本发明的第六实施例的像素结构在45度侧视亮度与其正视亮度的相对关系图；
[0034]图7至图9分別是依照本发明的第七至第九实施例的像素结构的上视示意图。
[0035]其中，附图标记:
[0036]100、200、300、400、500、600、700、800、900:像素结构
[0037]Α1、ΑΓ:错向区
[0038]Α2、Α2’:显示域
[0039]AD、AD’:主动元件
[0040]AD1’:第一主动元件
[0041]AD2’:第二主动元件
[0042]AD3’:第三主动元件
[0043]BP、BP’、BP”:遮光图案
[0044]CE:共用电极
[0045]CH:通道层
[0046]DE:漏极
[0047]DL:数据线
[0048]EP:分支部
[0049]EPU EPr:第一分支部
[0050]EP2、EP2’:第二分支部
[0051]EP3、EP3’:第三分支部
[0052]GE:栅极
[0053]G1:栅绝缘层
[0054]IN:绝缘层
[0055]Ml:第一主显示区
[0056]M2:第二主显示区
[0057]M3:第三主显示区
[0058]MP:主干部
[0059]MPU ΜΡΓ:第一主干部
[0060]MP2、MP2’:第二主干部
[0061]MP3、MP3，:第三主干部
[0062]MPa:纵向延伸部
[0063]MPaUMPar:第一纵向延伸部
[0064]MPa2、MPa2’:第二纵向延伸部
[0065]MPa3、MPa3’:第三纵向延伸部
[0066]MPb:橫向延伸部
[0067]MPbl、MPbl’:第一橫向延伸部
[0068]MPb2、MPb2’:第二橫向延伸部
[0069]MPb3、MPb3’:第三橫向延伸部
[0070]O:开口
[0071]PE、PE’:像素电极
[0072]PEI’:第一像素电极
[0073]PE2’:第二像素电极
[0074]PE3’:第三像素电极
[0075]PEM:主像素电极
[0076]PEMl:第一主像素电极
[0077]PEM2:第二主像素电极
[0078]PEM3:第三主像素电极
[0079]PES:次像素电极
[0080]PESl:第一次像素电极
[0081]PES2:第二次像素电极
[0082]PES3:第三次像素电极
[0083]PP:条状图案
[0084]S1:第一次显示区
[0085]S2:第二次显示区
[0086]S3:第三次显示区
[0087]SE:源极
[0088]SL:扫描线<