br>[0089]SP1、SPI，、SP1”、SPI”，、SP1，，，，、SPI，，，，，:第一子像素
[0090]SP2、SP2，、SP2，，、SP2，，，、SP2，，，，、SP2，，，，，:第二子像素
[0091]SP3、SP3，、SP3，，、SP3，，，、SP3，，，，、SP3，，，，，:第三子像素
[0092]SUB:基板
[0093]R、G、B、W:曲线
[0094]W1、W2、W3、W3，:宽度
[0095]A-A \ B-B?:剖线
【具体实施方式】
[0096]图1A是依照本发明的第一实施例的一种像素结构的上视示意图，其中图1A省略绘示部分膜层。图1B及图1C分別是沿图1A中剖线A-A’、B-B’的剖面示意图。请先参照图1A至图1C，本实施例的像素结构100包括多个阵列排列的子像素，如第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3。子像素例如配置于基板SUB上。并且，基板SUB上可进一步配置有多条扫描线SL(图1A仅示意性绘示出一条扫描线SL)以及多条数据线DL。扫描线SL以及数据线DL彼此交错，以定义出各子像素SP的所在区域。此外，各子像素适于藉由其中一扫描线SL以及其中一数据线DL驱动。
[0097]进一步而言，各子像素(包括第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3)包括主动元件AD以及像素电极PE，其中各主动元件AD与对应的扫描线SL以及数据线DL电性连接，且像素电极PE与主动元件AD电性连接。各主动元件AD例如包括栅极GE、栅绝缘层G1、通道层CH、源极SE以及漏极DE，其中栅极GE与扫描线SL连接，且源极SE与数据线DL连接。如图1B及图1C所示，主动元件AD例如为底栅极薄膜晶体管，其中栅极GE配置在基板SUB上，栅绝缘层GI覆盖栅极GE，通道层CH配置在栅绝缘层GI上且位于栅极GE的上方，源极SE以及漏极DE彼此结构上分离且分別由栅绝缘层GI延伸至通道层CH上。然而，主动组件AD的型态及种类可依设计需求改变，而不限于上述。
[0098]各子像素SP (包括第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3)可进一步包括绝缘层IN。绝缘层IN覆盖主动元件AD，且绝缘层IN适于提供像素电极PE —平坦的承载面。此外，绝缘层IN具有暴露出漏极DE的开口 O，以利像素电极PE通过开口 O而与漏极DE连接，从而使主动元件AD与像素电极PE电性连接。
[0099]各像素电极PE分別定义出错向区Al以及多个被错向区Al所分隔的显示域A2。进一步而言，各像素电极PE包括主干部MP以及多组分支部EP，其中主干部MP定义出错向区Al。分支部EP与主干部MP连接，其中各组分支部EP被主干部MP所分隔开，且各组分支部EP分別对应于其中一个显示域A2。
[0100]如图1A所示，主干部MP的形状例如包括十字形，其将像素电极PE划分出4个显示域A2。换言之，各像素电极PE为4显示域电极。进一步而言，主干部MP包括纵向延伸部MPa以及橫向延伸部MPb，其中纵向延伸部MPa与橫向延伸部MPb例如交错于像素电极PE的中心。各组分支部EP包括多个斜向延伸且彼此平行的条状图案PP。各组分支部EP的条状图案PP例如由主干部MP向外延伸，且各组分支部EP的条状图案PP的延伸方向不平行且不垂直于纵向延伸部MPa以及橫向延伸部MPb。此外，位于纵向延伸部MPa(或橫向延伸部MPb)两侧的条状图案PP例如是对称地配置，使得各像素电极PE的形状类似于一鱼骨状。
[0101]在本实施例中，仅部分子像素(如第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3的其中至少一者)进一步包括对应于错向区Al设置的遮光图案BP。进一步而言，子像素包括多个第一子像素SPl、多个第二子像素SP2以及多个第三子像素SP3(图1A仅示意性绘不出一个第一子像素SP1、一个第二子像素SP2以及一个第三子像素SP3)。第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3例如沿一方向交替地排列，其中第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3例如分別为红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素，但不限于此。
[0102]图1D绘示现有4显示域像素结构以及本发明的第一实施例的像素结构在45度侧视时不同灰阶与其色坐标偏移量的关系图，其中图1D是在国际照明委员会(Internat1nal Commiss1n on Illuminat1n,CIE)于 1976 年所制定的色坐标系统下量测的结果，du’及dv’分别代表色坐标u’、v’在灰阶改变时的偏移量。进一步而言，dv’的数值越大，代表显示画面的色调越偏黄。相反地，dv’的数值越小，代表显示画面的色调越偏蓝。du’的数值越大，代表显示画面的色调越偏红。相反地，du’的数值越小，代表显示画面的色调越偏绿。当图1A的像素结构100应用于液晶显示器时，沿纵向延伸部MPa倾倒的液晶分子在横向上侧视时容易有漏光的情形发生，而沿横向延伸部MPb倾倒的液晶分子在纵向上侧视时容易有漏光的情形发生。在现有4显示域像素结构中，每一个子像素皆配置有遮光图案，以遮蔽对应图1A的纵向延伸部MPa以及横向延伸部MPb的漏光。然而，在每一个子像素皆配置有遮光图案BP的架构下，如图1D的圈起处所示，高灰阶的显示画面(如白色或肤色的显示画面)在侧视时容易有偏黄的情形。换言之，当显示画面为人脸时，使用者由正视转为侧视显示画面时，所观看到的肤色可能由红润的色调转为偏黄的色调。
[0103]本实施例仅使第二子像素SP2以及第三子像素SP3进一步包括对应于错向区Al设置的遮光图案BP，以藉由降低第一子像素SPl的遮蔽率，来提升第一子像素SPl的光穿透率。如图1D的粗实线以及粗虚线所示，本实施例的设计可使du’朝正值方向偏移，亦即侧视时的红光比例被有效地提升。因此，使用者在侧视显示画面时，亦可看到红润的肤色。
[0104]图1E绘示现有4显示域像素结构在45度侧视亮度与其正视亮度的相对关系图，图1F绘示本发明的第一实施例的像素结构在45度侧视亮度与其正视亮度的相对关系图，其中图1E及图1F的曲线R、G、B、W分别表示红光、绿光、蓝光及白光在45度侧视亮度与其正视亮度的比值。由图1E及图1F可知，本实施例藉由仅部分子像素(如第二子像素SP2以及第三子像素SP3)进一步包括对应于错向区Al设置的遮光图案BP的设计，可有效提升未配置遮光图案BP的子像素(如第一子像素SPl)在侧视时的光穿透率。换言之，本实施例的上述设计，可调变显示画面在侧视时所呈现出来的色调，而有助于改善侧视时的色偏问题。
[0105]在本实施例中，遮光图案BP的形状与错向区Al的形状相对应。所述形状相对应可以是指形状及尺寸皆相似或者也可指形状相似但尺寸不同。如图1A所示，遮光图案BP的形状亦包括十字形，且遮光图案BP的尺寸例如小于错向区Al的尺寸，从而遮光图案BP与错向区Al的重叠面积等于遮光图案BP的面积。遮光图案BP例如与扫描线SL以及栅极GE属于同一膜层，但不限于此。在另一实施例中，遮光图案BP也可与数据线DL、源极SE以及漏极DE属于同一膜层。
[0106]依据不同的设计需求，基板SUB上还可进一步配置有其他元件，如图1A至图1C所绘示的共用电极CE。共用电极CE例如与遮光图案BP、扫描线SL以及栅极GE属于同一膜层，且共享电极CE例如环绕于像素电极PE的三侧并与共享电极CE结构上分离，但不限于此。
[0107]在本实施例中，遮光图案BP的电位例如为浮置(floating)电位。在另一实施例中，遮光图案BP也可与像素电极PE具有相同的电位。或者，遮光图案BP也可与共用电极CE具有相同的电位。
[0108]应说明的是，上述实施例虽以第一子像素SPl为红色子像素进行说明，但本发明不限于此。依据不同的设计需求，第一子像素SPl (指没有配置遮光图案BP的子像素)也可以是其它颜色的子像素。下述实施例亦可同此改良，而不再赘述。
[0109]图2A是依照本发明的第二实施例的一种像素结构的上视示意图，其中图2A省略绘示部分膜层。图2B绘示现有8显示域像素结构以及本发明的第二实施例的像素结构在45度侧视时不同灰阶与其色坐标偏移量的关系图。图2C绘示现有8显示域像素结构在45度侧视亮度与其正视亮度的相对关系图。图2D绘示本发明的第二实施例的像素结构在45度侧视亮度与其正视亮度的相对关系图。请参照图2A至图2D，本实施例的像素结构200大致相同于像素结构100，且相同的元件以相同的标号表示，于此不再赘述。像素结构200与像素结构100的主要差异在于，像素结构200的各像素电极PE’为8显示域电极。
[0110]进一步而言，本实施例的各像素电极PE’分別包括主像素电极PEM以及次像素电极PES，其中主像素电极PEM以及次像素电极PES例如分別藉由开口 O与主动元件AD’的漏极电性连接。主动元件AD’例如为双通道主动元件，以令主像素电极PEM以及次像素电极PES分別耦合至不同电压，但不限于此。令主像素电极PEM以及次像素电极PES分别耦合至不同电压的方法为此领域具有通常知识者所熟知，于此不再赘述。
[0111]主像素电极PEM以及次像素电极PES例如分别为4显示域电极。具体地，主像素电极PEM包括第一主干部MPl以及多组第一分支部EPl。第一分支部EPl与第一主干部连接MP1，其中各组第一分支部EPl被第一主干部MPl所分隔，且各组第一分支部EPl分別对应于其中一个显示域A2’。次像素电极PES包括第二主干部MP2以及多组第二分支部EP2。第二分支部EP2与第二主干部MP2连接，其中各组第二分支部EP2被第二主干部MP2所分隔，且各组第二分支部EP2分別对应于其中一个显示域A2’。第一主干部MP1、第一分支部EP1、第二主干部MP2以及第二分支部EP2的设计可采用图1A中主干部MP以及分支部EP的设