多域垂直配向型液晶的像素结构的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及显示技术领域，尤其是设及一种使用电学特性差异实现分畴显示的多 域垂直配向型液晶的像素结构。
【背景技术】
[0002] 近年来，大尺寸、薄而轻的平板显示器逐渐占据了显示器市场的中屯、位置。平板显 示器按照显示原理来分可W包括；液晶显示器（Liquid化ystalDisplay,LCD)、等离子体 显示器、有机电致发光显示器等。
[000引在液晶显示器的各种显示模式中，垂直排列（VerticalAlignment,VA)显示模式 由于其良好的视角特性受到市场的欢迎。在VA显示模式的LCD中，像素单元内液晶分子的 长轴在不加电的状态下与滤光片垂直，每个像素单元被划分为多个畴区（多畴），在加电状 态下，每个畴区内的液晶分子向各自的方向偏转，通过该种方法，将同一像素单元中的液晶 分子取向分为多个方向，由此补偿各个角度的视角，进而实现各个视角方向的均匀显示，W 有效改善不同观察角度的灰阶显示状态下的视角特性。
[0004] 现有技术中，实现所述像素单元中的多个畴区可W由W下方式实现；由像素电极 的裂缝形成侧向电场的PVA(PatternedVA)模式；由像素单元中的凸起化ib)来使液晶 分子形成多畴排列的MVA(Multi-domainVA)模式。例如；在彩膜第一基板上配置凸起物 炬ump)或狭缝（Slit)。
[0005] 目前，各种VA显示模式的液晶显示面板制造过程中，通常先使液晶分子具有一定 的预倾角，即上、下第一基板和液晶分子之间最初形成的角度，实现加电时液晶分子快速转 向的目的，从而加快液晶显示器的响应速度。
[0006] 另外，VA模式由于在不同视野角下，液晶分子双折射率的差异比较大，所W色偏现 象比较严重。其中，CPA技术由于存在360°方向上的自补偿作用，色偏不严重。作为MVA技 术和PVA技术的色偏改善方法，需要设计尽可能多的显示畴。在物理结构上，为了使液晶分 子和正交的上下偏光板偏光轴形成45°的夹角，最多可W设计4个畴。目前的八畴设计基 于电学原理，使同一个子像素内其中4个畴和另外4个畴的液晶分子转动角度不一样，实现 8种不同的液晶取向，实现八畴显示。八畴设计主要有电容禪合（CapacitanceCoupling,简 称CC)技术、双TFT(TowTransistor,简称TT)技术、电荷共享（ChargeGlaring，简称CS) 技术、Vcom电压调制（CommonMo化lation，简称CM)技术。现有的八畴结构，要么像素结构 复杂，要么驱动方式复杂。
【发明内容】
[0007] 有鉴于此，针对现有技术中的不足，本发明提供一种多域垂直配向型液晶的像素 结构，可W实现八畴显示的同时，还可W提高像素的开口率。
[000引为达上述或其它目的，本发明一实施例提出了一种多域垂直配向型液晶的像素结 构，包括；一第一基板；多个像素单元，配置于该第一基板上；一扫描线和一数据线，彼此交 叉在该第一基板限定一该像素单元为第一区域、第二区域、第=区域、第四区域；两公共电 极线，与该数据线平行且用于限定一该像素单元的边界；第一像素电极，覆盖该第一、二区 域；第二像素电极，覆盖该第=、四区域；一第一有源器件和一第二有源器件，配置在该扫 描线与该数据线交叉区域；一第=有源器件，与一该第二有源器件并联；其中，该第二有源 器件和该第=有源器件并联用于控制该第一像素电极的电压，该第一有源器件用于控制该 第二像素电极的电压。
[0009] 在本发明的一实施例中，还包括第二基板，与该第一基板对置；垂直配向型液晶 层，夹置在该第一基板与该该第二基板之间；该第一基板、第二基板通过光配向后，该液晶 层中的液晶分子在该第一区域分别沿第一方向、第二方向排列、在该第四区域分别沿该第 一方向、该第二方向排列，在该第二区域分别沿第=方向、第四方向排列、该第=区域分别 沿该第=方向、该第四方向排列。
[0010] 在本发明的一实施例中，该第一有源器件，具有由该扫描线图案形成的第一栅极， 由该数据线图案形成的第一源极，第一漏极；该第二有源器件，具有由该扫描线图案形成的 该第一栅极，由该数据线图案形成的该第一源极，第二漏极；该第=有源器件，具有由该扫 描线图案形成的该第一栅极，由一该公共电极线图案形成的该第二源极，该第二漏极。
[0011] 在本发明的一实施例中，该第一漏极延伸至该第二像素电极覆盖区域，且通过第 一接触孔与该第二像素电极电连接；该第二漏极延伸至该第一像素电极覆盖区域，且通过 第二接触孔与该第一像素电极电连接。
[0012] 在本发明的一实施例中，还包括第一存储电极，具有与一该公共电极线重叠线段 及第一延伸部，该第一延伸部与该第一漏极都通过该第一接触孔与该第二像素电极电连 接；第二存储电极，具有与另一该公共电极线重叠线段及第二延伸部，该第二延伸部与该第 二漏极都通过该第二接触孔与该第一像素电极电连接。
[0013] 为达上述或其它目的，本发明又一实施例提出了一种多域垂直配向型液晶的像素 结构，包括；一第一基板；多个像素单元，配置于该第一基板上；一扫描线和一公共电极线， 彼此交叉在该第一基板限定一该像素单元为第一区域、第二区域、第=区域、第四区域；两 数据线，与该公共电极线平行且用于限定一该像素单元的边界；第一像素电极，覆盖该第 一、二区域；第二像素电极，覆盖该第=、四区域；一第一有源器件和一第二有源器件，配置 在该扫描线与一该数据线交叉区域；一第=有源器件，与一该第二有源器件并联；其中，该 第二有源器件和该第=有源器件并联用于控制该第一像素电极的电压，该第一有源器件用 于控制该第二像素电极的电压。
[0014] 在本发明的一实施例中，还包括第二基板，与该第一基板对置；垂直配向型液晶 层，夹置在该第一基板与该该第二基板之间；该第一基板、第二基板通过光配向后，该液晶 层中的液晶分子在该第一区域分别沿第一方向、第二方向排列、在该第四区域分别沿该第 一方向、该第二方向排列，在该第二区域分别沿第=方向、第四方向排列、在该第=区域分 别沿该第S方向、该第四方向排列。
[0015] 在本发明的一实施例中，该第一有源器件，具有由该扫描线图案形成的第二栅极， 由一该公共电极线图案形成的第S源极，第S漏极；该第二有源器件，具有由该扫描线图案 形成的该第二栅极，由该一公共电极线形成的该第S源极，第四漏极；该第S有源器件，具 有由该扫描线图案形成的该第二栅极，由该数据线图案形成的该第四源极，该第四漏极。
[0016] 在本发明的一实施例中，该第=漏极延伸至该第二像素电极覆盖区域，且通过第 =接触孔与该第二像素电极电连接；该第四漏极延伸至该第一像素电极覆盖区域，且通过 第四接触孔与该第一像素电极电连接。
[0017] 在本发明的一实施例中，还包括第=存储电极，具有与该公共电极线在该第二像 素电极覆盖区域重叠线段及第=延伸部，该第=延伸部与该第=漏极都通过该第=接触孔 与该第二像素电极电连接；第四存储电极，具有与该公共电极线在该第一像素电极覆盖区 域重叠线段及第四延伸部，该第四延伸部与该第四漏极都通过该第四接触孔与该第一像素 电极电连接。
[0018] 为达上述或其它目的，本发明另一实施例还提出了一种多域垂直配向型液晶的像 素结构，包括；一第一基板；多个像素单元，配置于该第一基板上；一扫描线和两平行数据 线，彼此交叉在该第一基板限定一该像素单元为第五区域、第六区域、第走区域、第八区域、 第九区域、第十区域；两公共电极线，与该数据线平行且用于限定一该像素单元的边界；第 =像素电极，覆盖该第五、六、走像素区域；第四像素电极，覆盖该第八、九、十像素区域；一 第四有源器件和一第五有源器件，配置在该扫描线与一该数据线交叉区域；一第六有源器 件，与一该第五有源器件并联；其中，该第五有源器件和第六有源器件并联用于控制该第= 像素电极的电压，该第四有源器件用于控制该第第四像素电极的电压。
[0019] 在本发明的一实施例中，还包括第二基板，与该第一基板对置；垂直配向型液晶 层，夹置在该第一基板与该该第二基板之间；该第一基板、第二基板通过光配向后，该液晶 层中的液晶分子在该第五区域分别沿第五方向、第六方向排列、在该第走区域分别沿该第 五方向、该第六方向排列、在该第八区域分别沿该第五方向、该第六方向排列、在该第十区 域分别沿该第五方向、该第六方向排列，在该第六区域分别沿第=方向、第四方向排列、在 该第九区域分别沿该第S方向、该第四方向排列。
[0020] 在本发明的一实施例中，该第四有源器件，具有由该扫描线图案形成的第S栅极， 由一该数据线图案形成的第五源极，