走线结构及阵列基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，具体的说，涉及一种走线结构及阵列基板。
【背景技术】
[0002]随着显示技术的发展，液晶显示器已经成为最为常见的显示装置。
[0003]阵列基板是液晶显示器中的重要部件。在阵列基板的制造过程中，通常需要依次形成栅极金属层、有源层、源漏极金属层、透明电极层等导体结构，其间还需要形成多层绝缘层。在阵列基板的制造过程中，各个导体结构会不断积累电荷，当电荷积累到一定程度时，就会发生静电放电(Electro-Static Discharge，简称ESD)。如图1所示，栅极金属层和源漏极金属层中的金属走线10由于具有较大的锥角α，尤其容易发生静电放电，这将会击穿栅极金属层和源漏极金属层之间的绝缘层，导致栅极金属层与源漏极金属层之间发生短路。
[0004]目前的阵列基板中都设置有静电保护回路，以防止静电放电的发生，但是在透明电极层形成之前，静电保护回路还没有完全形成，所以无法起到防止静电放电的效果。而静电放电一般都发生在透明电极层形成之前，因此现有技术难以有效防止静电放电的发生。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种走线结构及阵列基板，以解决现有技术难以有效防止静电放电的技术问题。
[0006]本发明提供一种走线结构，包括多条第一金属线和多条第二金属线；
[0007]所述多条第一金属线与所述多条第二金属线之间设置有绝缘层，且所述多条第一金属线与所述多条第二金属线的投影相互交叉。
[0008]进一步的是，所述多条第一金属线互相平行，所述多条第二金属线互相平行。
[0009]优选的是，相邻的第一金属线之间的间距在4至7微米以内，相邻的第二金属线之间的间距在4至7微米以内。
[0010]优选的是，第一金属线和第二金属线的宽度均在10至50微米以内。
[0011]优选的是，第一金属线和第二金属线的长度均在10毫米以上。
[0012]优选的是，第一金属线和第二金属线的材料均为铜。
[0013]本发明还提供一种阵列基板，所述阵列基板中设置有上述的走线结构。
[0014]进一步的是，所述走线结构设置于所述阵列基板的板边区域。
[0015]优选的是，第一金属线位于栅极金属层，第二金属线位于源漏极金属层。
[0016]进一步的是，所述多条第一金属线和所述多条第二金属线均与公共电极线相连。
[0017]本发明带来了以下有益效果:本发明提供的走线结构中，包括相互交叉的多条第一金属线和多条第二金属线，增大了局部区域内金属走线的密度。由于金属走线的密度很大，会使其中的第一金属线和第二金属线具有比其他区域更大的锥角，因此该区域也更容易发生静电放电。在阵列基板的制造过程中，该走线结构所在的区域会比其他区域更容易发生静电放电，从而能够对其他区域起到保护作用。并且，本发明提供的走线结构不依赖于透明电极，因此在透明电极层形成之前就能够发挥保护作用，从而能够有效防止静电放电的发生。
[0018]本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
【附图说明】
[0019]为了更清楚的说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍:
[0020]图1是金属走线的锥角的示意图；
[0021]图2是本发明实施例提供的走线结构的示意图；
[0022]图3是本发明实施例提供的阵列基板的示意图。
【具体实施方式】
[0023]以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
[0024]本发明实施例提供一种走线结构，可应用于液晶显示器的阵列基板中。如图2所不，该走线结构包括多条第一金属线201和多条第二金属线202。多条第一金属线201和多条第二金属线202位于不同的金属图层，多条第一金属线201与多条第二金属线202之间设置有绝缘层，且多条第一金属线201与多条第二金属线202的投影相互交叉。
[0025]本发明实施例提供的走线结构中，包括相互交叉的多条第一金属线201和多条第二金属线202，增大了局部区域内金属走线的密度。由于金属走线的密度很大，会使其中的第一金属线201和第二金属线202具有比其他区域更大的锥角，因此该区域也更容易发生静电放电。在阵列基板的制造过程中，该走线结构所在的区域会比其他区域更容易发生静电放电，从而能够对其他区域起到保护作用。并且，本发明实施例提供的走线结构不依赖于透明电极，因此在透明电极层形成之前就能够发挥保护作用，从而能够有效防止静电放电的发生。
[0026]实施例一:
[0027]本实施例提供一种阵列基板，其中设置有如图2所示的走线结构。如图3所示，作为一个优选方案，该阵列基板中设置有多组走线结构301，并且这些走线结构301均设置与阵列基板的板边区域310，从而不会因为这些走线结构301影响显示区域320的开口率。
[0028]如图2所示，多条第一金属线201互相平行，多条第二金属线202也互相平行，并且第一金属线201与第二金属线202互相垂直。
[0029]本实施例中，相邻的第一金属线201之间的间距dl小于其自身的线宽D1，相邻的第二金属线202之间的间距d2也小于其自身的线宽D2，使局部区域内金属走线的密度显著增大，从而使第一金属线201和第二金属线202具有更大的锥角。相邻的第一金属线201之间的间距dl及相邻的第二金属线202之间的间距d2优选在4至7微米以内，第一金属线201的宽度Dl和第二金属线202的宽度D2优选在10至50微米以内。
[0030]第一金属线201的长度LI和第二金属线202的长度L2均优选在10毫米以上，使走线结