显示面板及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明关于一种显示面板及具备该显示面板的显示装置。
【背景技术】
[0002] 随着科技的进步，平面显示装置已经广泛地被运用在各种领域，尤其是液晶显示 装置，因具有体型轻薄、低功率消耗及无福射等优越特性，已经渐渐地取代传统阴极射线管 显示装置，而应用至许多种类的电子产品中，例如移动电话、可携式多媒体装置、笔记本电 脑、液晶电视及液晶屏巷等等。
[0003] 现有一种液晶显示装置包含一薄膜晶体管基板，薄膜晶体管基板具有一薄膜晶体 管及一像素电极设置于一基板上。于工艺中，需于薄膜晶体管的漏极的上方W刻蚀方式设 置一通孔，并将一透明导电层经由该通孔内壁，W将薄膜晶体管的漏极与像素电极电连接。 另外，薄膜晶体管的栅极与一扫描线电连接，而薄膜晶体管的源极与一数据线电连接。当扫 描线将一扫描信号输入薄膜晶体管的栅极时，可通过控制薄膜晶体管而将数据线的数据电 压经由源极、漏极及透明导电层而输入像素电极，借此可控制液晶的转向而显示影像。
[0004] 另外，现有的多晶娃薄膜晶体管具有约lOOcmVVs左右的迁移率，但其必须于 45(TCW上的温度下进行制造，因而仅能形成于高耐热性的基板上，而不适合应用于大面积 或可挽性的基板。此外，现有的非晶娃薄膜晶体管虽然能W较低的温度，约30(TC，进行制 造，但由于此种非晶娃薄膜晶体管仅具有约IcmVVs左右的迁移率，因而无法适用于高精 细度的面板。对此，有业者提出W金属氧化物半导体，例如是氧化钢嫁锋（indiumgallium zincoxide,IGZO)，作为薄膜晶体管的通道层。
[0005] 虽然，氧化钢嫁锋薄膜晶体管具有优于非晶娃薄膜晶体管的迁移率的优点，且其 在工艺上也较多晶娃薄膜晶体管的工艺简单，但是氧化钢嫁锋对于光、水及氧气皆十分的 敏感。
[0006] 为了保护薄膜晶体管的通道层，现有技术是于金属氧化物半导体的通道层上设置 一层保护层对才料例如为二氧化娃)来保护通道层。如图1A所示，其为于金属氧化物半导体 通道层上设置一层保护层后，薄膜晶体管的电特性曲线示意图。虽然已设置一层保护层来 保护通道层，然而，在经过一段时间之后（或经一热处理之后)，如图1B所示，薄膜晶体管的 特性曲线仍会偏离原来图1A的曲线，使得薄膜晶体管的效能降低，进而影响显示面板及显 示装置的显示品质。
[0007] 因此，如何提供一种显示面板及显示装置，可具有稳定的薄膜晶体管效能而使显 示面板及显示装置具有稳定的显示品质，并已成为重要课题之一。
【发明内容】
[0008] 有鉴于上述课题，本发明的目的为提供一种可具有稳定的薄膜晶体管效能而使显 示面板及显示装置具有稳定的显示品质的显示面板及显示装置。
[0009] 本发明的技术方案是：提供一种显示面板，其包括一薄膜晶体管基板、一对向基板 w及一显示层。薄膜晶体管基板具有一基板、一薄膜晶体管、一第一绝缘层、一平坦化层、一 第二绝缘层及一像素电极层。薄膜晶体管设置于基板上，并具有一漏极。第一绝缘层具有一 第一子层及一第二子层依序设置于该漏极上，该第一子层具有一第一宽度的一第一开口， 该第二子层于该第一开口上具有一第二宽度的一第二开口，第一开口与第二开口形成一第 一通孔，且第二宽度大于第一宽度。平坦化层设置于第一绝缘层上。第二绝缘层设置于平 坦化层上。像素电极层设置于第二绝缘层上，并填入第一通孔而连接漏极。对向基板与薄 膜晶体管基板相对设置。显示层设置于薄膜晶体管基板与对向基板之间。
[0010] 本发明还提供一种显示装置，其包括一薄膜晶体管基板、一对向基板、一显示层W 及一背光模块。薄膜晶体管基板具有一基板、一薄膜晶体管、一第一绝缘层、一平坦化层、一 第二绝缘层及一像素电极层，薄膜晶体管设置于基板上，并具有一漏极，第一绝缘层具有一 第一子层及一第二子层依序设置于漏极上，第一子层具有一第一宽度的一第一开口，第二 子层于第一开口上具有一第二宽度的一第二开口，第一开口与第二开口形成一第一通孔， 且第二宽度大于第一宽度，平坦化层设置于第一绝缘层上，第二绝缘层设置于平坦化层上， 像素电极层设置于第二绝缘层上，并填入第一通孔而连接漏极。对向基板与薄膜晶体管基 板相对设置。显示层设置于薄膜晶体管基板与对向基板之间。背光模块设置于薄膜晶体管 基板相对于对向基板的另一侧。
[0011] 承上所述，因依据本发明的显示面板及显示装置中，薄膜晶体管基板的第一绝缘 层具有一第一子层及一第二子层，且第一子层与第二子层依序设置于薄膜晶体管的漏极 上。其中，第一子层具有第一宽度的第一开口，第二子层于第一开口上具有第二宽度的第二 开口，而第一开口与第二开口可形成第一通孔，且第二宽度可大于第一宽度。另外，薄膜晶 体管基板的像素电极层设置于第二绝缘层上，并填入第一通孔而连接漏极。借此，与现有技 术相比较，通过第一子层及第二子层依序设置于薄膜晶体管的漏极上，使得一段时间之后 的薄膜晶体管的效能仍然可维持稳定，进而不会影响到显示面板及显示装置的显示品质。
[0012] 另外，在本发明一实施例中，由于第一开口与第二开口所形成的第一通孔与平坦 化层的第二通孔在薄膜晶体管基板的基板上的投影是相互重叠，且重叠处的面积可介于4 至49平方微米之间。借此，在现有技术中，于较大通孔内刻蚀另一通孔的技术而言，第一通 孔与第二通孔的重叠处的面积可较现有技术的通孔面积小，而且不会有于大通孔内对位另 一通孔的对位问题。另外，也由于重叠处的面积较现有技术的通孔面积小，故于扫描线上设 置黑色矩阵层时，其相对的覆盖宽度也可W较现有小，故也可提高显示面板及显示装置的 像素开口率。
【附图说明】
[0013] 图1A为现有的一种薄膜晶体管基板中，于薄膜晶体管的通道层上设置一层保护 层时，薄膜晶体管的电特性曲线示意图。
[0014] 图1B为图1A的薄膜晶体管基板中，一段时间后的薄膜晶体管的电特性曲线示意 图。
[0015] 图2A为本发明的一种薄膜晶体管基板的俯视示意图。
[0016] 图2B为图2A的区域C的放大示意图。
[0017] 图2C为图2B的剖面线B-B剖视示意图。
[001引 图2D为图2C的局部放大示意图。
[0019] 图2E为另一实施例的薄膜晶体管基板的剖视示意图。
[0020] 图3A至图3D绘示图2C的通孔的制造方法示意图。
[0021] 图4为数据线及扫描线与重叠处的相对示意图。
[0022] 图5A为本发明较佳实施例的薄膜晶体管基板中，于薄膜晶体管的通道层上设置 第一子层及第二子层时，薄膜晶体管的电特性曲线示意图。
[0023] 图5B为图5A的薄膜晶体管基板中，一段时间后的薄膜晶体管的电特性曲线示意 图。
[0024] 图6为本发明较佳实施例的一种显示面板的剖视示意图。
[0025] 图7为本发明较佳实施例的一种显示装置的剖视示意图。
[0026] 主要元件标号说明
[0027]l、la;薄膜晶体管基板 11;栅极介电层
[0028] 12;通道层 13;第一绝缘层
[0029] 131;第一子层 132;第二子层
[0030] 14;平坦化层 15;第二绝缘层
[003。 16;像素电极层 18;共同电极层
[0032] 2;显示面板 3;显示装置
[003引 A;配向膜 B