第二通孔V2的重叠处0的面积与第一通孔VI的面积比例可 介于0. 14~0. 78之间，而第一通孔VI与第二通孔V2的重叠处0的面积与第二通孔V2的 面积比例亦可介于0.14~0.78之间，于此，面积可W剖面面积或投影的面积来作说明，例 如该重叠处0的面积为9平方微米，第一通孔VI的面积为36平方微米。相较于现有于较 大通孔内刻蚀另一通孔的技术而言，第一通孔VI与第二通孔V2重叠处0的面积较现有技 术的通孔面积小，且不会有于大通孔内对位另一通孔的对位问题。另外，也由于重叠处0的 面积较现有技术的通孔面积小，故于扫描线上设置黑色矩阵层BM时，其相对的覆盖宽度也 可W较现有小，故可提高显示面板的像素开口率。特别注意的是，第一通孔VI与第二通孔 V2的重叠处0的尺寸介于2至8微米之间，W利于后续的工艺。
[0061]W下，请参照图3A至图3D所示，于此，先说明图2C的通孔的制造方法。
[0062] 首先，如图3A所示，依序在源极S与漏极D上沉积第一绝缘层13及平坦化层14。 其中，第一绝缘层13具有一第一子层131及一第二子层132。
[0063] 接着，如图3B所示，W-光罩（未绘示）进行微影刻蚀工艺，在平坦化层14上形成 第二通孔V2,并暴露第一绝缘层13。
[0064] 再来，如图3C所示，形成第二绝缘层15覆盖第一绝缘层13及平坦化层14。
[0065] 然后，如图3D所示，W-光罩对第二绝缘层15及第一绝缘层13进行微影刻蚀工 艺，形成第一通孔VIW暴露漏极D。
[0066] 第一通孔VI与第二通孔V2的形状可例如分别包含多边形、圆形楠圆形或不规则 形。第一通孔VI与第二通孔V2的重叠情况较佳者为第一通孔VI与第二通孔V2均为矩形， 且第一通孔VI与第二通孔V2的重叠处0在中央部位。如此一来，较不会有现有的大通孔 内对位小通孔的问题，进而不会影响后续工艺中，透明导电层的电性导通(若对位不佳，可 能会影响透明导电层的设置，进而影响漏极及像素电极的电性连接)。
[0067] 请再参照图2C所示，第二绝缘层15设置于平坦化层14上，而像素电极层16设置 于第二绝缘层15上，于此，像素电极层16是呈梳状。另外，像素电极层16填入第一开口 01 与第二开口 02所形成的第一通孔VI与第二通孔V2内，并可经由第一通孔VI及第二通孔 V2的重叠处0而电连接漏极D。其中，像素电极层16的材质例如可为钢锡氧化物（IT0)、钢 锋氧化物（IZ0)、铅锋氧化物（AZ0)、領锡氧化物（CT0)、氧化锡（Sn〇2)、或氧化锋（ZnO)等透 明导电材料。
[0068] 特别一提的是，于现有技术刻蚀绝缘层时，通孔的侧壁容易产生直角或倒角而有 断差存在，故于通孔内设置透明导电层时，将容易产生断线情况而影响良率。但第一通孔VI 与第二通孔V2的重叠处0的第一侧壁P1中，填入重叠处0的像素电极层16的其中一部分 位于第一侧壁P1，且与平坦化层14直接接触巧日图2C的通孔的右侧壁所示)。另外，本实施 例的第一通孔VI与第二通孔V2的重叠处0的第二侧壁P2中，填入重叠处0的第二绝缘层 15的其中一部分位于第二侧壁P2且与平坦化层14直接接触(如图2C的通孔的左侧壁所 示)，第二侧壁P2的第二绝缘层15可使位于平坦化层14的上下的绝缘层(第二子层132与 第二绝缘层15)连接起来，故断差可能产生的数量相对于现有技术少，且一般平坦层15刻 蚀后较为平缓，此两种侧壁不同的层迭关系，使得设置像素电极层16时，其断线的机率也 相对较小，间接可提高工艺的良率。
[0069] 此外，共同电极层18设置于平坦化层14与第二绝缘层15之间。再一提的是，在 其它的实施例中，如图4所示，由于第一通孔VI与第二通孔V2的重叠处0的面积较现有技 术的通孔小，故扫描线于邻近数据线的相交处可具有一凹部U(凹部U的扫描线被挖空)，且 凹部U可对应设置于第一通孔VI与第二通孔V2的重叠处0(图4只显示第一通孔VI与第 二通孔V2的重叠处0的部分，并未显示第一通孔VI与第二通孔V2的俯视形状)。如上所 述，由于第一通孔VI与第二通孔V2的重叠处0的面积较现有技术的通孔小，所W扫描线上 凹部U不会太大而使扫描线产生断线，而只会造成具有凹部U处的扫描线的线宽较小，故可 借此降低扫描线与数据线之间的禪合电容。
[0070] 请参照图5A及图5B所示，其中，图5A为本发明较佳实施例的薄膜晶体管基板1 中，于薄膜晶体管T的通道层12上设置第一子层131及第二子层132时，薄膜晶体管T的 电特性曲线示意图，而图5B为图5A的薄膜晶体管基板1中，一段时间后的薄膜晶体管T的 电特性曲线示意图。其中，图5A及图5B系W4种不同的量测条件所得到薄膜晶体管T的 4条特性曲线。
[0071] 由图5A及图地可发现，通过第一子层131及第二子层132的设置，经过一段时间 后与现有相较，图5B的曲线变化相对于图1B而言小了很多。另外，图5B的曲线变化相对 于图5A而言差异并不太。换言之，通过第一子层131及第二子层132依序设置于薄膜晶体 管T的漏极D及通道层12上，可使薄膜晶体管T的效能维持稳定，进而不会影响到显示面 板及显示装置的显示品质。
[0072] 接着，请参照图6所示，其为本发明较佳实施例的一种显示面板2的剖视示意图。
[0073] 显示面板2包括一薄膜晶体管基板1、一对向基板S2及一显示层L。对向基板S2 与薄膜晶体管基板1相对设置，并可选择性地具有一电极层E及一配向膜A。其中，对向基 板S2可为一可透光的材质，例如是玻璃、石英或类似物。在实际运用时，薄膜晶体管基板1 的基板S1与对向基板S2可选用不同的材质，例如是对向基板S2使用钟玻璃基板，而基板 S1使用测酸盐无碱玻璃基板。此外，电极层E是设置于对向基板S2面对薄膜晶体管基板1 的一侧，而配向膜A则设置于电极层E之下。另外，对向基板S2与电极层E之间亦可插入 一彩色滤光片FW作为彩色化显示之用。此外，显示层L设置于薄膜晶体管基板1与对向 基板S2之间，其中，显示层可为液晶层或有机发光层。薄膜晶体管基板1已于上述中详述， 于此不再费述。当然，薄膜晶体管基板1也可W图2E的薄膜晶体管基板la来取代。
[0074] 另外，请参照图7所示，其为本发明较佳实施例的一种显示装置3的剖视示意图。 [00巧]显示装置3包含一显示面板2及一背光模块B。而显示面板2包含一薄膜晶体管 基板1、一对向基板S2及一显示层L。薄膜晶体管基板1已于上述中详述，于此不再费述。
[0076] 对向基板S2与薄膜晶体管基板1相对设置，并可择性地具有一电极层E及一配向 膜A。其中，对向基板S2可为一可透光的材质，例如是玻璃、石英或类似物。在实际运用时， 薄膜晶体管基板1的基板S1与对向基板S2可选用不同的材质，例如是对向基板S2使用钟 玻璃基板，而基板S1使用测酸盐无碱玻璃基板。此外，电极层E是设置于对向基板S2面对 薄膜晶体管基板1的一侧，而配向膜A则设置于电极层E之下。另外，对向基板S2与电极 层E之间亦可插入一彩色滤光片FW作为彩色化显示之用。此外，显示层L设置于薄膜晶体 管基板1与对向基板S2之间。需特别注意的是，图6及图7的薄膜晶体管T的源极S与漏 极D设置于刻蚀终止层ES上，且源极S与漏极D的一端分别自刻蚀终止层ES的开口与通 道层12接触。其中，刻蚀终止层ES可为有机材质例如为有机娃氧化合物，或单层无机材质 如氮化娃、氧化娃、氮氧化娃、碳化娃、氧化铅、氧化給、或上述材质组合的多层结构。不过， 在其他的实施例中，也