构301具有相对较大的尺寸，以提高其积累电荷的能力。
[0031]本实施例中，第一金属线201位于栅极金属层，即第一金属线201与显示区域320的扫描线(图中未示出)、公共电极线(图中未示出)位于同一图层。在阵列基板的制造过程中，第一金属线201、扫描线、公共电极线可以在同一次构图工艺中形成，而不需要为第一金属线201单独进行一次构图工艺。
[0032]另一方面，第二金属线202位于源漏极金属层，即第二金属线202与显示区域320的数据线(图中未示出)位于同一图层。在阵列基板的制造过程中，第二金属线202和数据线可以在同一次构图工艺中形成，而不需要为第二金属线202单独进行一次构图工艺。
[0033]作为一个优选方案，第一金属线201和第二金属线202的材料均为铜，即栅极金属层和源漏极金属层的材料均为铜。铜是一种电阻率很低的导体材料，使用铜制作金属走线，能够有效降低金属走线的阻抗。尤其是在大尺寸液晶显示器中，金属走线本身具有很大的长度，使用铜可以在满足低阻抗的前提下，使金属走线仍然具有较小的宽度，从而提高液晶显示器的开口率。
[0034]另外，使用铜形成的金属走线具有较大的锥角，更容易发生静电放电。由于板边区域310的走线结构301中金属走线的密度较大，因此第一金属线201和第二金属线202具有比其他区域的金属走线更大的锥角，也更容易发生静电放电。
[0035]在阵列基板的制造过程中，走线结构301所在的区域会比其他区域更容易发生静电放电，从而能够对其他区域起到保护作用。并且，该走线结构301不依赖于透明电极，因此在透明电极层形成之前就能够发挥保护作用，从而能够有效防止静电放电的发生。
[0036]此外，当走线结构301发生静电放电后，第一金属线201与第二金属线202之间的绝缘层被击穿，使第一金属线201与第二金属线202短路，则有利于栅极金属层与源漏极金属层整体的电位相同，从而能够更加有效避免栅极金属层与源漏极金属层之间发生静电放电。
[0037]本实施例中，第一金属线201和第二金属线202均与公共电极线相连。公共电极线主要位于栅极金属层，也有一部分位于源漏极金属层。因此，第一金属线201可以与位于栅极金属层的公共电极线直接相连，第二金属线202可以与位于源漏极金属层的公共电极线直接相连。
[0038]位于栅极金属层的公共电极线和位于源漏极金属层的公共电极线，在后续制造过程中本来就需要连接在一起。本实施例中的走线结构301在发生静电放电之后，第一金属线201与第二金属线202也会连接在一起，所以第一金属线201和第二金属线202可以共同作为公共电极线的一部分，不需要再对走线结构301进行任何处理。
[0039]实施例二:
[0040]本实施例与实施例一基本相同，其不同点在于:本实施例中，位于栅极金属层的第一金属线与扫描线相连，位于源漏极金属层的第二金属线与数据线相连。这样在阵列基板的制造过程中，第一金属线和第二金属线能够更好的对扫描线和数据线起到保护作用。
[0041]如图2和图3所示，具体来说，当走线结构301发生静电放电后，第一金属线201与第二金属线202之间的绝缘层被击穿，使第一金属线201与第二金属线202短路，以避免面板显示区域320中的扫描线与数据线之间发生静电放电。
[0042]由于在上述过程中，第一金属线201与第二金属线202之间因绝缘层已经被击穿而短路，在阵列基板制造完成后，对阵列基板进行测试之前，还需要利用激光对其中的走线结构301进行切割，断开各个走线结构301与其他区域的电连接，以避免扫描线与数据线之间通过走线结构301发生短路。
[0043]虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
【主权项】
1.一种走线结构，包括多条第一金属线和多条第二金属线； 所述多条第一金属线与所述多条第二金属线之间设置有绝缘层，且所述多条第一金属线与所述多条第二金属线的投影相互交叉。
2.根据权利要求1所述的走线结构，其特征在于，所述多条第一金属线互相平行，所述多条第二金属线互相平行。
3.根据权利要求2所述的走线结构，其特征在于，相邻的第一金属线之间的间距在4至7微米以内，相邻的第二金属线之间的间距在4至7微米以内。
4.根据权利要求1所述的走线结构，其特征在于，第一金属线和第二金属线的宽度均在10至50微米以内。
5.根据权利要求1所述的走线结构，其特征在于，第一金属线和第二金属线的长度均在10毫米以上。
6.根据权利要求1所述的走线结构，其特征在于，第一金属线和第二金属线的材料均为铜。
7.—种阵列基板，所述阵列基板中设置有如权利要求1至6任一项所述的走线结构。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述走线结构设置于所述阵列基板的板边区域。
9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，第一金属线位于栅极金属层，第二金属线位于源漏极金属层。
10.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述多条第一金属线和所述多条第二金属线均与公共电极线相连。
【专利摘要】本发明公开了一种走线结构及阵列基板，属于显示技术领域，解决了现有技术难以有效防止静电放电的技术问题。该走线结构包括多条第一金属线和多条第二金属线；所述多条第一金属线与所述多条第二金属线之间设置有绝缘层，且所述多条第一金属线与所述多条第二金属线的投影相互交叉。本发明可用于液晶电视、液晶显示器、手机、平板电脑等显示装置。
【IPC分类】G02F1-1362, H01L27-12, G02F1-1368
【公开号】CN104865764
【申请号】CN201510334200
【发明人】徐亮
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年6月16日