第五漏极；该第五有源器件，具有由该扫描线图案形成 的该第=栅极，由一该数据线形成的该第五源极，第六漏极；该第六有源器件，具有由该扫 描线图案形成的该第S栅极，由一该公共电极线图案形成的该第六源极，该第六漏极。
[0021] 在本发明的一实施例中，该第五漏极延伸至该第四像素电极覆盖区域，且通过第 五接触孔与该第四像素电极电连接；该第六漏极延伸至该第=像素电极覆盖区域，且通过 第六接触孔与该第=像素电极电连接。
[0022] 在本发明的一实施例中，还包括第五存储电极，具有与一该公共电极线重叠线段 及第五延伸部，该第五延伸部与该第五漏极都通过该第五接触孔与该第四像素电极电连 接；第六存储电极，具有与另一该公共电极线重叠线段及第六延伸部，该第六延伸部与该第 六漏极都通过该第六接触孔与该第=像素电极电连接。
[0023] 本发明与现有技术相比，其优点在于：
[0024] 本发明提供的像素结构的第一、二基板分别光配向后，一像素单元被扫描线划分 的第一、二像素电极覆盖区域的液晶分子分别沿相同四个方向分布，通过在数据线与扫描 线交叉处设置两个相同第一、二有源器件，另设置第=有源器件与该第二有源器件并联，第 一有源器件用于控制该第二像素电极的电压，第二、=有源器件并联用于控制该第二像素 电极的电压，通过不同电压实现第一、二像素电极覆盖区域的液晶分子分别沿不同四个方 向分布，从而实现八畴显示；
[0025] 本发明提供的像素结构通过将数据线设置在八畴显示的黑纹区域，不占用额外的 开口面积，可W大幅提高像素的开口率。
【附图说明】
[0026] 图1为示意性示出本发明第一实施例多域垂直配向型液晶的像素结构示意图；
[0027] 图2为示意性示出本发明图1中像素结构的等效电路示意图；
[002引图3为示意性示出本发明不同像素电压作用下的液晶分子转动的立体效果图；
[0029] 图4为示意性示出本发明图1中像素结构八畴分区显示的效果示意图；
[0030] 图5为示意性示出本发明第二实施例多域垂直配向型液晶的像素结构示意图；
[0031] 图6为示意性示出本发明第二实施例一改进多域垂直配向型液晶的像素结构示 意图；
[0032] 图7为示意性示出本发明第S实施例多域垂直配向型液晶的像素结构示意图。
[0033] 图8为示意性示出本发明图7中像素结构八畴分区显示的效果示意图；
【具体实施方式】
[0034] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0035] 第一实施例
[0036] 图1为示意性示出本发明第一实施例多域垂直配向型液晶的像素结构示意图。如 图1所示，结合参考图4,本发明提出了一种多域垂直配向型液晶的像素结构，包括；一第一 基板（图未示）；多个像素单元，配置于该第一基板上；一扫描线01和一数据线04,彼此交 叉在该第一基板限定一该像素单元为第一区域②和④、第二区域①和⑨、第=区域⑥和⑦、 第四区域⑧和⑨；两公共电极线03,与该数据线04平行且数据线04位于该两公共电极线 03之间，该两公共电极线03用于限定一该像素单元的两边边界；第一像素电极08b，覆盖该 第一、二区域①~④；第二像素电极08a，覆盖该第S、四区域⑥~⑨；一第一有源器件TFT1 和一第二有源器件TFT2,配置在该扫描线01与该数据线04交叉区域；一第S有源器件 TFT3,与一该第二有源器件TFT2并联；其中，该第二有源器件TFT2和该第S有源器件TFT3 并联用于控制该第一像素电极08b的电压，该第一有源器件TFT1用于控制该第二像素电极 08a的电压，使该第一像素电极08b与该第二像素电极08a带有不同的电压。优选地，该第 一、二、=有源器件为薄膜晶体管。
[0037] 图3为示意性示出本发明不同像素电压作用下的液晶分子转动的立体效果图，图 4为示意性示出本发明图1中像素结构八畴分区显示的效果示意图。结合参考图3和图4， 还包括第二基板（图未示），与该第一基板对置；垂直配向型液晶层（图未示），夹置在该第 一基板与该该第二基板之间；在第一基板的所述像素的配向膜上沿着水平方向分别进行左 右两个方向（或者沿着垂直方向分别进行上下两个方向）的紫外光配向；在第二基板的所 述像素的配向膜上沿着垂直方向分别进行上下两个方向（或者沿着水平方向分别进行左 右两个方向）的紫外光配向后，该液晶层中的液晶分子在图4所示的①~⑨的八个空间上 具有如下两种不同的液晶分子排列方向组合：
[003引第一种排列方向的组合是；在空间②和⑧沿第一方向排列，在空间①和⑥沿第二 方向排列，在空间⑨和⑦沿第S方向排列，在空间④和⑨沿第四方向排列。
[0039] 第二种排列方向的组合是；在空间②和⑨沿第一方向排列，在空间①和⑦沿第二 方向排列，在空间⑨和⑥沿第S方向排列，在空间④和⑧沿第四方向排列。
[0040] 在像素结构未施加电压时，一像素单元的液晶分子分别沿该四个不同的方向分 布。通过对第一像素电极08b与该第二像素电极08a施加不同电压，本发明的像素的结构 实现八畴显示。针对不同的液晶分子排列方向组合，八畴的分区显示效果如下：
[0041] 在第一种排列方向的组合中；在空间②和⑧的液晶分子，排列方向一致，但是液晶 分子的倾斜角度不同，形成两个不同的畴；在空间①和⑥的液晶分子，排列方向一致，但是 液晶分子的倾斜角度不同，又形成两个不同的畴；在空间⑨和⑦的液晶分子，排列方向一 致，但是液晶分子的倾斜角度不同，又形成两个不同的畴；在空间④和⑨的液晶分子，排列 方向一致，但是液晶分子的倾斜角度不同，又形成两个不同的畴。
[0042] 在第二种排列方向的组合中；在空间②和⑨的液晶分子，排列方向一致，但是液晶 分子的倾斜角度不同，形成两个不同的畴；在空间①和⑦的液晶分子，排列方向一致，但是 液晶分子的倾斜角度不同，又形成两个不同的畴；在空间⑨和⑥的液晶分子，排列方向一 致，但是液晶分子的倾斜角度不同，又形成两个不同的畴；在空间④和⑧的液晶分子，排列 方向一致，但是液晶分子的倾斜角度不同，又形成两个不同的畴。
[0043] 其中，由扫描线01图案作为第一栅极，由数据线04图案作为第一源极，和第一漏 极05a、第一半导体沟道02a形成的第一有源器件TFT1给像素电极08a供电。由该第一扫 描线01图案作为第一栅极，由数据线04图案作为该第一源极，和第二漏极05b、第二半导体 沟道0化形成的第二有源器件TFT2,与由扫描线01图案作为该第一栅极，由公共电极线03 图案作为第二源极，和该第二漏极05b、第S半导体沟道02c形成的第S有源器件TFT3 -起 给像素电极08b供电。
[0044] 该第一漏极05a延伸至该第二像素电极08a覆盖区域，且通过第一接触孔06a与 该第二像素电极08a电连接；该第二漏极0化延伸至该第一像素电极08b覆盖区域，且通过 第二接触孔0化与该第一像素电极08b电连接。
[0045] 在具体的实施中，特别是使用有机膜等绝缘厚膜层的结构中，如图1所示，还可W 选择设置第一存储电极07a，具有与一该公共电极线03重叠线段及第一延伸部，该第一延 伸部与该第一漏极05a都通过该第一接触孔06a与该第二像素电极08a电连接；第二存储 电极07b，具有与另一该公共电极线03重叠线段及第二延伸部，该第二延伸部与该第二漏 极0化都通过该第二接触孔0化与该第一像素电极08b电连接。
[0046] 图2为示意性示出本发明图1中像素结构的等效电路示意图。结合图1和图2所 示，下面具体说明第一有源器件TFT1、第二有源器件TFT2和第S有源器件TFT3实现像素电 极08a与像素电极08b带上不同的电压的设置方式。
[0047] 当扫描线01处于高电位时，该第一、二立有源器件TFT1、TFT2和TFT3同时被打 开，相应的开态电阻设为R1、R2和R3。优选地，R1 =R2,即第一有源器件TFT1的第一半导 体沟道02a和第二有源器件TFT2的第二半导体沟道02b的宽长比相等。当第二像素电极 08a的电压化1通过第一有源器件TFTl充电，达到设计值后，根据电荷守恒原理，具有如图 2所示的等效电路结构。该种等效电路结构，一直保持到有源器件被关断为止。
[0048] 如图2所示，数据线04输入的电压Vs经过第一有源器件TFT1后，一直给第二像 素电极08a充电，直到第二像素电